JPH0734329B2 - 透明導電体 - Google Patents
透明導電体Info
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- JPH0734329B2 JPH0734329B2 JP61225351A JP22535186A JPH0734329B2 JP H0734329 B2 JPH0734329 B2 JP H0734329B2 JP 61225351 A JP61225351 A JP 61225351A JP 22535186 A JP22535186 A JP 22535186A JP H0734329 B2 JPH0734329 B2 JP H0734329B2
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、太陽電池用透明導電体に関する。
近年、ガラス等の透明基体上に透明導電膜を形成し次い
で非晶質シリコン（ａ−Siを主成分とする光電変換素子
を形成し、その後Al等の電極を形成した低コストの太陽
電池が知られている。かかるａ−Si太陽電池は、光電変
換効率が他の結晶半導体を用いた太陽電池に比べ低いこ
とからそれを大にするため種々の対策が施されている。
で非晶質シリコン（ａ−Siを主成分とする光電変換素子
を形成し、その後Al等の電極を形成した低コストの太陽
電池が知られている。かかるａ−Si太陽電池は、光電変
換効率が他の結晶半導体を用いた太陽電池に比べ低いこ
とからそれを大にするため種々の対策が施されている。
そのひとつとして、フッ素やアンチモン等をドープした
酸化錫を主成分とする低抵抗の透明導電膜が透明電極と
して用いられる。
酸化錫を主成分とする低抵抗の透明導電膜が透明電極と
して用いられる。
しかしながら、通常ａ−Si膜の形成に用いられるグロー
放電法ではａ−Si膜形成時に透明導電膜が水素プラズマ
にさらされるため、透明導電膜である酸化錫膜表面が還
元され、その結果、可視光透過率の減少、面積抵抗の増
加がおこり、酸化錫を主成分とする透明導電膜を透明電
極として用いた太陽電池では変換効率の向上に限度があ
った。
放電法ではａ−Si膜形成時に透明導電膜が水素プラズマ
にさらされるため、透明導電膜である酸化錫膜表面が還
元され、その結果、可視光透過率の減少、面積抵抗の増
加がおこり、酸化錫を主成分とする透明導電膜を透明電
極として用いた太陽電池では変換効率の向上に限度があ
った。
本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
って太陽電池の変換効率を高めるのに好適な透明導電体
を提供するものである。
って太陽電池の変換効率を高めるのに好適な透明導電体
を提供するものである。
すなわち、本発明は、透明基体と、該透明基体表面上に
形成されたフッ素をドープした酸化錫を主成分とする透
明導電膜と、該透明導電膜上に形成されたチタン、亜鉛
及びアンチモンのいずれかの酸化物、またはそれらの混
合酸化物からなる厚さ50Å乃至200Åの透明膜とからな
る太陽電池用透明導電膜である。
形成されたフッ素をドープした酸化錫を主成分とする透
明導電膜と、該透明導電膜上に形成されたチタン、亜鉛
及びアンチモンのいずれかの酸化物、またはそれらの混
合酸化物からなる厚さ50Å乃至200Åの透明膜とからな
る太陽電池用透明導電膜である。
本発明において、チタン、亜鉛、及びアンチモンの夫々
の酸化物はTiO2,ZnO,及びSb2O3であることが好ましい。
の酸化物はTiO2,ZnO,及びSb2O3であることが好ましい。
本発明のフッ素をドープした酸化錫膜はスパッタリング
法、イオンプレーティング法、スプレー熱分解法、及び
CVD法のいずれでも形成でき、低抵抗で、且つ高透明性
を得るには常圧CVD法で形成するのが好ましい。
法、イオンプレーティング法、スプレー熱分解法、及び
CVD法のいずれでも形成でき、低抵抗で、且つ高透明性
を得るには常圧CVD法で形成するのが好ましい。
常圧CVD法によりフッ素をドープした酸化錫膜の形成に
用いることのできる錫原料としてはSnCl4，C4H9SnCl3，
(CH3)2SnCl2，(CnH2n+1)4Sn（ｎ＝１〜４），(CH3)2SnH
2，(C4H9)3SnHおよび(C4H9)2Sn(COOCH3)2等の錫化合物
を用いることができ、ドーパントとしては、CH3CHF2，C
H3CClF2，CHClF2，CHF3，CF2Cl2，CF3Cl，CF3Br等を用
いることができる。
用いることのできる錫原料としてはSnCl4，C4H9SnCl3，
(CH3)2SnCl2，(CnH2n+1)4Sn（ｎ＝１〜４），(CH3)2SnH
2，(C4H9)3SnHおよび(C4H9)2Sn(COOCH3)2等の錫化合物
を用いることができ、ドーパントとしては、CH3CHF2，C
H3CClF2，CHClF2，CHF3，CF2Cl2，CF3Cl，CF3Br等を用
いることができる。
本発明中のTiO2,ZnOまたはSb2O3膜（これらをMeOx膜と
総称する）の形成法としては、蒸着法、スパッタリング
法、スプレー法、CVD法等いずれの方法でもよい。ま
た、MeOx膜に微量の不純物を混入させ、比抵抗を小さく
したもの、例えばZnO膜にAl,In等の３価の不純物を混入
したものを用いることができる。
総称する）の形成法としては、蒸着法、スパッタリング
法、スプレー法、CVD法等いずれの方法でもよい。ま
た、MeOx膜に微量の不純物を混入させ、比抵抗を小さく
したもの、例えばZnO膜にAl,In等の３価の不純物を混入
したものを用いることができる。
本発明はフッ素をドープした酸化錫からなる透明導電膜
上にチタン、亜鉛、及びアンチモンのいずれかの酸化
物、またはそれらの混合酸化物からなる厚さ20Å乃至20
0Åの透明膜を形成したものであるので、該透明膜上に
ａ−Si膜を形成する際の水素プラズマによる該透明導電
膜の劣化を該透明膜により防ぐことができるとともに、
可視光透過率が高い太陽電池用透明導電体を提供でき
る。
上にチタン、亜鉛、及びアンチモンのいずれかの酸化
物、またはそれらの混合酸化物からなる厚さ20Å乃至20
0Åの透明膜を形成したものであるので、該透明膜上に
ａ−Si膜を形成する際の水素プラズマによる該透明導電
膜の劣化を該透明膜により防ぐことができるとともに、
可視光透過率が高い太陽電池用透明導電体を提供でき
る。
大きさが50（mm）×50（mm），厚味1.1（mm）の酸化珪
素被膜付ソーダライムガラスを十分に洗浄、乾燥し、ガ
ラス基板とした。
素被膜付ソーダライムガラスを十分に洗浄、乾燥し、ガ
ラス基板とした。
このガラス基板上に以下のようにして、透明導電膜を形
成した。
成した。
四塩化錫（無水）の蒸気、水蒸気、酸素ガス、1.1−ジ
フルオロエタンガスおよび窒素ガスの調整された混合気
体を用い、CVD法により550℃に加熱されたガラス基板上
にフッ素をドープしたSnO2膜（以下SnO2:F膜）を形成し
た。得られたSnO2:F膜の厚みは2000Åであった。
フルオロエタンガスおよび窒素ガスの調整された混合気
体を用い、CVD法により550℃に加熱されたガラス基板上
にフッ素をドープしたSnO2膜（以下SnO2:F膜）を形成し
た。得られたSnO2:F膜の厚みは2000Åであった。
このSnO2:F膜を堆積させたガラスを室温まで徐冷した後
SnO2:F膜上に電子ビーム蒸着法を用いてMeOx膜を形成し
た。蒸着時の真空度は106Torr以下であり、得られたMeO
x膜の厚みは約50Åであった。これら３種の試料を以下T
iO2／SnO2:F,ZnO/SnO2:F,Sb2O3／SnO2:F二層膜と呼ぶ。
SnO2:F膜上に電子ビーム蒸着法を用いてMeOx膜を形成し
た。蒸着時の真空度は106Torr以下であり、得られたMeO
x膜の厚みは約50Åであった。これら３種の試料を以下T
iO2／SnO2:F,ZnO/SnO2:F,Sb2O3／SnO2:F二層膜と呼ぶ。
また、比較のために、MeOx膜を形成しない厚み2000Åの
SnO2:F膜（以下SnO2:F単層膜と呼ぶ）を上記と同様の方
法で形成した。
SnO2:F膜（以下SnO2:F単層膜と呼ぶ）を上記と同様の方
法で形成した。
これら４種類の試料を平行平板型プラズマCVD装置によ
り圧力5Torr,放電電力密度0.60W/cm2，基板温度300℃の
条件下で、水素プラズマにさらした。放電時間を変え、
試料の可視光透過率を測定した。また、30秒の放電前後
における面積抵抗を測定した。
り圧力5Torr,放電電力密度0.60W/cm2，基板温度300℃の
条件下で、水素プラズマにさらした。放電時間を変え、
試料の可視光透過率を測定した。また、30秒の放電前後
における面積抵抗を測定した。
夫々の測定結果を、第１図及び第１表に示す。
以上の結果により、本発明による透明導電体は従来のも
のに比べ水素プラズマによる可視光透過率の減少、およ
び面積抵抗増加の度合いが小さい。
のに比べ水素プラズマによる可視光透過率の減少、およ
び面積抵抗増加の度合いが小さい。
本発明によれば実施例からも明らかなとおり、耐プラズ
マ性に優れた透明導電膜を得ることができる。
マ性に優れた透明導電膜を得ることができる。
また本発明は、太陽電池用透明導電極として好適なもの
であることが明らかである。
であることが明らかである。
第１図は本発明の透明導電体と比較例との水素プラズマ
に洒したときの可視光透過率の変化を示す図である。
に洒したときの可視光透過率の変化を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−73782（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−216108（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−58874（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−263610（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】透明基体と、該透明基体表面上に形成され
たフッ素をドープした酸化錫膜からなる透明導電膜と、
該透明導電膜上に形成されたチタン、亜鉛及びアンチモ
ンのいずれかの酸化物またはそれらの混合酸化物からな
る厚さ20Å乃至200Åの透明膜とからなる太陽電池用透
明導電体。 - 【請求項２】前記チタン、亜鉛及びアンチモンの夫々の
酸化物がTiO2,ZnO,及びSb2O3である特許請求の範囲第１
項に記載の太陽電池用透明導電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61225351A JPH0734329B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 透明導電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61225351A JPH0734329B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 透明導電体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380413A JPS6380413A (ja) | 1988-04-11 |
| JPH0734329B2 true JPH0734329B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=16827977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61225351A Expired - Lifetime JPH0734329B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 透明導電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734329B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1506143B2 (en) † | 2002-05-14 | 2017-12-13 | Pilkington North America, Inc. | Reflective, solar control coated glass article |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4516657B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2010-08-04 | 日本板硝子株式会社 | 光電変換装置用基板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置 |
| WO2005027229A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Asahi Glass Company, Limited | 透明導電膜付き基体およびその製造方法 |
| JP4789131B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2011-10-12 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| JP2021012948A (ja) * | 2019-07-05 | 2021-02-04 | Ａｇｃ株式会社 | 透明電極基板及び太陽電池 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59149607A (ja) * | 1983-02-15 | 1984-08-27 | 松下電器産業株式会社 | 透明電極 |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP61225351A patent/JPH0734329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1506143B2 (en) † | 2002-05-14 | 2017-12-13 | Pilkington North America, Inc. | Reflective, solar control coated glass article |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6380413A (ja) | 1988-04-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |