JPH0665252A - セフエム化合物の製造法 - Google Patents
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D205/00—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
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- C07D205/08—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with one oxygen atom directly attached in position 2, e.g. beta-lactams
- C07D205/09—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with one oxygen atom directly attached in position 2, e.g. beta-lactams with a sulfur atom directly attached in position 4
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Cephalosporin Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安価なペニシリン化合物より短い反応工程で
容易に製造し得るアレニル−β−ラクタム化合物を原料
として、広範囲な抗菌スペクトルを有する種々のセフエ
ム化合物を簡便な反応操作、また、工業的に達成しやす
い反応条件により容易に製造し得る新規な方法を提供す
る。 【構成】 一般式〔化1〕で表されるアレニルβ−ラク
タム化合物を1価の銅塩の存在下、一般式〔化2〕で表
される有機スズ化合物と反応させることを特徴とする一
般式〔化3〕で表されるセフエム化合物の製造法。 【化1】 【化2】(R5)n−Sn(R6)4-n (2) 【化3】
容易に製造し得るアレニル−β−ラクタム化合物を原料
として、広範囲な抗菌スペクトルを有する種々のセフエ
ム化合物を簡便な反応操作、また、工業的に達成しやす
い反応条件により容易に製造し得る新規な方法を提供す
る。 【構成】 一般式〔化1〕で表されるアレニルβ−ラク
タム化合物を1価の銅塩の存在下、一般式〔化2〕で表
される有機スズ化合物と反応させることを特徴とする一
般式〔化3〕で表されるセフエム化合物の製造法。 【化1】 【化2】(R5)n−Sn(R6)4-n (2) 【化3】
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、広範囲な抗菌スペクト
ルを有するセフエム化合物の製造法に関する。
ルを有するセフエム化合物の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、3−アルケニルセフエム化合物の
製造法としてはWittig反応が知られている(例えば、
特開平3−120288号、特開昭63−307885
号など)。
製造法としてはWittig反応が知られている(例えば、
特開平3−120288号、特開昭63−307885
号など)。
【0003】また、3−アルケニル、3−アリール、及
び3−複素環セフエム化合物の製造法としては、C
(3)位に脱離基L(例えば、フルオロスルホニルオキ
シ基、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基など)を
有するセフエム化合物をパラジウム触媒下、有機スズ化
合物と反応させる方法が知られている(特開平3−22
0195号、特開平1−313483号)。
び3−複素環セフエム化合物の製造法としては、C
(3)位に脱離基L(例えば、フルオロスルホニルオキ
シ基、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基など)を
有するセフエム化合物をパラジウム触媒下、有機スズ化
合物と反応させる方法が知られている(特開平3−22
0195号、特開平1−313483号)。
【0004】これらの方法はいずれもセフエム骨格を有
する化合物を出発原料とするものであり、原料の経済
性、あるいは原料製造の工程数などの面で問題がある。
する化合物を出発原料とするものであり、原料の経済
性、あるいは原料製造の工程数などの面で問題がある。
【0005】また、3−アルケニル、3−アリールセフ
エム化合物の製造法として、最近、我々(Torii et. a
l., Synlett, 1991, 888)が発見した一般式(1)で
表されるアレニル−β−ラクタム化合物を出発原料とし
て、有機スズ化合物とジメチルキユプレート、又は有機
リチウム化合物とヨウ化第一銅、又はグリニヤール試薬
とヨウ化第一銅などから予め合成した有機銅試薬を反応
させる方法が報告された〔Kant et. al., Tetrahedro
n Letters, 33(25), 3563(1992)〕。この方法によ
れば、安価なペニシリン化合物から短い反応工程で目的
のセフエム化合物を得ることができる。しかしながら、
この方法では工業的には実施不可能な極低温(−100〜
−78℃)で反応させる必要があり、更には、好ましくな
い2−セフエム化合物の副生があり、目的物の精製を困
難にしている。
エム化合物の製造法として、最近、我々(Torii et. a
l., Synlett, 1991, 888)が発見した一般式(1)で
表されるアレニル−β−ラクタム化合物を出発原料とし
て、有機スズ化合物とジメチルキユプレート、又は有機
リチウム化合物とヨウ化第一銅、又はグリニヤール試薬
とヨウ化第一銅などから予め合成した有機銅試薬を反応
させる方法が報告された〔Kant et. al., Tetrahedro
n Letters, 33(25), 3563(1992)〕。この方法によ
れば、安価なペニシリン化合物から短い反応工程で目的
のセフエム化合物を得ることができる。しかしながら、
この方法では工業的には実施不可能な極低温(−100〜
−78℃)で反応させる必要があり、更には、好ましくな
い2−セフエム化合物の副生があり、目的物の精製を困
難にしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、安価
なペニシリン化合物より短い反応工程で容易に製造し得
るアレニル−β−ラクタム化合物を原料として、広範囲
な抗菌スペクトルを有する種々のセフエム化合物を簡便
な反応操作、また、工業的に達成しやすい反応条件によ
り容易に製造し得る新規な方法を提供することにある。
なペニシリン化合物より短い反応工程で容易に製造し得
るアレニル−β−ラクタム化合物を原料として、広範囲
な抗菌スペクトルを有する種々のセフエム化合物を簡便
な反応操作、また、工業的に達成しやすい反応条件によ
り容易に製造し得る新規な方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式〔化1〕
で表されるアレニルβ−ラクタム化合物を1価の銅塩の
存在下、一般式〔化2〕で表される有機スズ化合物と反
応させることを特徴とする一般式〔化3〕で表されるセ
フエム化合物の製造法に係る。
で表されるアレニルβ−ラクタム化合物を1価の銅塩の
存在下、一般式〔化2〕で表される有機スズ化合物と反
応させることを特徴とする一般式〔化3〕で表されるセ
フエム化合物の製造法に係る。
【0008】
【化1】
【0009】(式中R1は水素原子、ハロゲン原子、ア
ミノ基、又は保護されたアミノ基を示す。R2は水素原
子、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、低級アシル基、
低級アルキル基、水酸基又は保護された水酸基を置換基
として有する低級アルキル基、水酸基、又は保護された
水酸基を示す。又、R1とR2とで=Oを示す。R3は水
素原子又はカルボン酸保護基を示す。R4は置換基を有
していても良いアリール基、又は置換基を有していても
良い含窒素芳香族複素環基を示す。mは、0又は2を示
す。)
ミノ基、又は保護されたアミノ基を示す。R2は水素原
子、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、低級アシル基、
低級アルキル基、水酸基又は保護された水酸基を置換基
として有する低級アルキル基、水酸基、又は保護された
水酸基を示す。又、R1とR2とで=Oを示す。R3は水
素原子又はカルボン酸保護基を示す。R4は置換基を有
していても良いアリール基、又は置換基を有していても
良い含窒素芳香族複素環基を示す。mは、0又は2を示
す。)
【0010】
【化2】(R5)n−Sn(R6)4-n (2)
【0011】(式中R5は、置換基を有していても良い
アルケニル基、置換基を有していても良いアリール基、
置換基を有していても良い含窒素芳香族複素環基を示
す。R6は低級アルキル基を示す。nは1又は2を示
す。)
アルケニル基、置換基を有していても良いアリール基、
置換基を有していても良い含窒素芳香族複素環基を示
す。R6は低級アルキル基を示す。nは1又は2を示
す。)
【0012】
【化3】
【0013】(式中R1、R2、R3、R5は前記に同
じ。)
じ。)
【0014】本明細書において示される各基は、具体的
には各々次の通りである。尚、本明細書の説明において
特に断らない限り、ハロゲン原子とは、例えば、弗素、
塩素、臭素、沃素などを意味する。低級アルキル基と
は、例えば、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロ
ピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブ
チルなどの直鎖又は分枝状のC1〜C4アルキル基を意味
する。又、アリール基とは、例えば、フエニル、ナフチ
ルなどを意味する。
には各々次の通りである。尚、本明細書の説明において
特に断らない限り、ハロゲン原子とは、例えば、弗素、
塩素、臭素、沃素などを意味する。低級アルキル基と
は、例えば、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロ
ピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブ
チルなどの直鎖又は分枝状のC1〜C4アルキル基を意味
する。又、アリール基とは、例えば、フエニル、ナフチ
ルなどを意味する。
【0015】R1で示される保護されたアミノ基として
はフエノキシアセトアミド、p−メチルフエノキシアセ
トアミド、p−メトキシフエノキシアセトアミド、p−ク
ロロフエノキシアセトアミド、p−ブロモフエノキシア
セトアミド、フエニルアセトアミド、p−メチルフエニ
ルアセトアミド、p−メトキシフエニルアセトアミド、p
−クロロフエニルアセトアミド、p−ブロモフエニルア
セトアミド、フエニルモノクロロアセトアミド、フエニ
ルジクロロアセトアミド、フエニルヒドロキシアセトア
ミド、フエニルアセトキシアセトアミド、α−オキソフ
エニルアセトアミド、チエニルアセトアミド、ベンズア
ミド、p−メチルベンズアミド、p−t−ブチルベンズア
ミド、p−メトキシベンズアミド、p−クロロベンズアミ
ド、p−ブロモベンズアミド、或いはTheodora W.Gr
eene著の“Protective Groups inOrganic Synthesi
s"(以下、単に「文献」という)の第7章(p218〜287)
に記載されている基、或いはフエニルグリシルアミド及
びアミノ基の保護されたフエニルグリシルアミド、p−
ヒドロキシフエニルグリシルアミド及びアミノ基、水酸
基又はその両方が保護されたp−ヒドロキシフエニルグ
リシルアミドを例示できる。フエニルグリシルアミド及
びp−ヒドロキシフエニルグリシルアミドのアミノ基の
保護基としては上記文献の第7章(p218〜287)に記載さ
れている基を例示できる。又p−ヒドロキシフエニルグ
リシルアミドの水酸基の保護基としては上記文献の第2
章(p10〜72)に記載されている基を例示できる。
はフエノキシアセトアミド、p−メチルフエノキシアセ
トアミド、p−メトキシフエノキシアセトアミド、p−ク
ロロフエノキシアセトアミド、p−ブロモフエノキシア
セトアミド、フエニルアセトアミド、p−メチルフエニ
ルアセトアミド、p−メトキシフエニルアセトアミド、p
−クロロフエニルアセトアミド、p−ブロモフエニルア
セトアミド、フエニルモノクロロアセトアミド、フエニ
ルジクロロアセトアミド、フエニルヒドロキシアセトア
ミド、フエニルアセトキシアセトアミド、α−オキソフ
エニルアセトアミド、チエニルアセトアミド、ベンズア
ミド、p−メチルベンズアミド、p−t−ブチルベンズア
ミド、p−メトキシベンズアミド、p−クロロベンズアミ
ド、p−ブロモベンズアミド、或いはTheodora W.Gr
eene著の“Protective Groups inOrganic Synthesi
s"(以下、単に「文献」という)の第7章(p218〜287)
に記載されている基、或いはフエニルグリシルアミド及
びアミノ基の保護されたフエニルグリシルアミド、p−
ヒドロキシフエニルグリシルアミド及びアミノ基、水酸
基又はその両方が保護されたp−ヒドロキシフエニルグ
リシルアミドを例示できる。フエニルグリシルアミド及
びp−ヒドロキシフエニルグリシルアミドのアミノ基の
保護基としては上記文献の第7章(p218〜287)に記載さ
れている基を例示できる。又p−ヒドロキシフエニルグ
リシルアミドの水酸基の保護基としては上記文献の第2
章(p10〜72)に記載されている基を例示できる。
【0016】R2で示される低級アルコキシ基をして
は、例えば、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イ
ソプロポキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブト
キシ、tert−ブトキシなどの直鎖又は分枝状のC1〜C4
アルコキシ基を例示できる。
は、例えば、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イ
ソプロポキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブト
キシ、tert−ブトキシなどの直鎖又は分枝状のC1〜C4
アルコキシ基を例示できる。
【0017】R2で示される低級アシル基としては、例
えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、
イソブチリルなどの直鎖または分枝状のC1〜C4アシル
基を例示できる。
えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、
イソブチリルなどの直鎖または分枝状のC1〜C4アシル
基を例示できる。
【0018】R2で示される水酸基又は保護された水酸
基を置換基として有する低級アルキル基の保護された水
酸基、及びR2で示される保護された水酸基の保護基と
しては、上記文献の第2章(p10〜72)に記載されている
基を例示できる。R2で示される上記置換低級アルキル
基は、水酸基又は上記で示される保護された水酸基の中
から選ばれる同一又は異なる種類の置換基で、同一又は
異なる炭素上に1つ以上置換されていてもよい。
基を置換基として有する低級アルキル基の保護された水
酸基、及びR2で示される保護された水酸基の保護基と
しては、上記文献の第2章(p10〜72)に記載されている
基を例示できる。R2で示される上記置換低級アルキル
基は、水酸基又は上記で示される保護された水酸基の中
から選ばれる同一又は異なる種類の置換基で、同一又は
異なる炭素上に1つ以上置換されていてもよい。
【0019】R3で示されるカルボン酸保護基としては
ベンジル基、p−メトキシベンジル基、p−ニトロベンジ
ル基、ジフエニルメチル基、トリクロロエチル基、tert
−ブチル基或いは上記文献の第5章(p152〜192)に記載
されている基を例示できる。
ベンジル基、p−メトキシベンジル基、p−ニトロベンジ
ル基、ジフエニルメチル基、トリクロロエチル基、tert
−ブチル基或いは上記文献の第5章(p152〜192)に記載
されている基を例示できる。
【0020】R4で示される置換基を有していても良い
含窒素芳香族複素環基の含窒素芳香族複素環基として
は、例えば、チアゾール−2−イル、チアジアゾール−
2−イル、ベンゾチアゾール−2−イル、オキサゾール
−2−イル、ベンゾオキサゾール−2−イル、イミダゾ
ール−2−イル、ベンゾイミダゾール−2−イル、ピリ
ミジニル、ピリジル基などが例示できる。
含窒素芳香族複素環基の含窒素芳香族複素環基として
は、例えば、チアゾール−2−イル、チアジアゾール−
2−イル、ベンゾチアゾール−2−イル、オキサゾール
−2−イル、ベンゾオキサゾール−2−イル、イミダゾ
ール−2−イル、ベンゾイミダゾール−2−イル、ピリ
ミジニル、ピリジル基などが例示できる。
【0021】R4で示されるアリール基又は含窒素芳香
族複素環基に置換していてもよい置換基の種類として
は、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アリ
ール基、低級アルキル基、アミノ基、モノ低級アルキル
アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、メルカプト基、基
R7S−(R7は低級アルキル基又はアリール基)で表さ
れるアルキルチオ基又はアリールチオ基、ホルミルオキ
シ基、基R7COO−(R7は前記に同じ)で表されるア
シルオキシ基、ホルミル基、基R7CO−(R7は前記に
同じ)で表されるアシル基、基R7O−(R7は前記に同
じ)で表されるアルコキシ基又はアリールオキシ基、カ
ルボキシル基、基R7OCO−(R7は前記に同じ)で表
されるアルコキシカルボニル基又はアリールオキシカル
ボニル基などが例示できる。R4におけるアリール基又
は含窒素芳香族複素環基は、上記置換基から選ばれる1
つ以上の同一又は異なる種類の置換基で置換されていて
もよい。
族複素環基に置換していてもよい置換基の種類として
は、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アリ
ール基、低級アルキル基、アミノ基、モノ低級アルキル
アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、メルカプト基、基
R7S−(R7は低級アルキル基又はアリール基)で表さ
れるアルキルチオ基又はアリールチオ基、ホルミルオキ
シ基、基R7COO−(R7は前記に同じ)で表されるア
シルオキシ基、ホルミル基、基R7CO−(R7は前記に
同じ)で表されるアシル基、基R7O−(R7は前記に同
じ)で表されるアルコキシ基又はアリールオキシ基、カ
ルボキシル基、基R7OCO−(R7は前記に同じ)で表
されるアルコキシカルボニル基又はアリールオキシカル
ボニル基などが例示できる。R4におけるアリール基又
は含窒素芳香族複素環基は、上記置換基から選ばれる1
つ以上の同一又は異なる種類の置換基で置換されていて
もよい。
【0022】R5で示されるアルケニル基としては、例
えばビニル、1−プロペニル、プロペン−2−イル、2
−メチルプロペン−1−イル、トリフルオロビニル、1
−メトキシプロペン−1−イル、1−シクロヘキセニ
ル、4−tert−ブチルシクロヘキセン−1−イル、
(E)−2−トリブチルスタニルビニル、アレニル、1
−ブテン−1−イル基などが例示できる。R5で示され
る含窒素芳香族複素環基としては、例えばピリジル、ピ
ラジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピロリル、イミ
ダゾリル、ピラゾリル、イソチアゾリル、イソオキサゾ
リル、プリニル、プテリジニルなどが例示できる。これ
らR5で示されるアルケニル基、アリール基、又は含窒
素芳香族複素環基に置換していても良い置換基として
は、R4に於いて説明した置換基が同様に例示できる。
R5におけるアルケニル基、アリール基、又は含窒素芳
香族複素環基は、上記置換基から選ばれる同一又は異な
る種類の置換基で、同一又は異なる炭素上に1つ以上置
換されていてもよい。
えばビニル、1−プロペニル、プロペン−2−イル、2
−メチルプロペン−1−イル、トリフルオロビニル、1
−メトキシプロペン−1−イル、1−シクロヘキセニ
ル、4−tert−ブチルシクロヘキセン−1−イル、
(E)−2−トリブチルスタニルビニル、アレニル、1
−ブテン−1−イル基などが例示できる。R5で示され
る含窒素芳香族複素環基としては、例えばピリジル、ピ
ラジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピロリル、イミ
ダゾリル、ピラゾリル、イソチアゾリル、イソオキサゾ
リル、プリニル、プテリジニルなどが例示できる。これ
らR5で示されるアルケニル基、アリール基、又は含窒
素芳香族複素環基に置換していても良い置換基として
は、R4に於いて説明した置換基が同様に例示できる。
R5におけるアルケニル基、アリール基、又は含窒素芳
香族複素環基は、上記置換基から選ばれる同一又は異な
る種類の置換基で、同一又は異なる炭素上に1つ以上置
換されていてもよい。
【0023】本発明において、出発原料として用いられ
る一般式(1)で表されるアレニル−β−ラクタム化合
物は、例えば文献記載の方法(Torii et. al., Synle
tt,1991, 888)に従つて製造される(後記参考例参
照)。
る一般式(1)で表されるアレニル−β−ラクタム化合
物は、例えば文献記載の方法(Torii et. al., Synle
tt,1991, 888)に従つて製造される(後記参考例参
照)。
【0024】本発明では、上記方法で合成される一般式
(1)で表されるアレニル−β−ラクタム化合物を、一
価の銅塩の存在下、一般式(2)で表される有機スズ化
合物と反応させることにより、一般式(3)で表される
セフエム化合物が得られる。
(1)で表されるアレニル−β−ラクタム化合物を、一
価の銅塩の存在下、一般式(2)で表される有機スズ化
合物と反応させることにより、一般式(3)で表される
セフエム化合物が得られる。
【0025】一般式(2)で表される有機スズ化合物の
より具体的な例としては、例えばビニルトリブチルス
ズ、ジビニルジブチルスズ、(Z)−1−プロペニルト
リブチルスズ、1−トリブチルスタニル−1−メチルプ
ロペン、1−トリブチルスタニル−2−メチルプロペ
ン、(トリフルオロビニル)トリブチルスズ、1−メト
キシ−1−(トリブチルスタニル)エチレン、1−トリ
ブチルスタニルシクロヘキセン、(4−t−ブチルシク
ロヘキセン−1−イル)トリメチルスズ、(4−t−ブ
チルシクロヘキセン−1−イル)トリブチルスズ、
(E)−1,2−ビス(トリブチルスタニル)エチレン、
アレニルトリブチルスズ、1−トリブチルスタニル−1
−ブテン、フエニルトリブチルスズ、(p−メトキシフ
エニル)トリブチルスズ、[p−(トリフルオロメチ
ル)フエニル]トリブチルスズ、2−トリブチルスタニ
ルピリジン、2−トリブチルスタニルピラジン、2−ト
ルブチルスタニルピリミジン、3−トリブチルスタニル
ピリダジン、1−メチル−2−(トリブチルスタニル)
ピロール、1−メチル−2−(トリブチルスタニル)イ
ミダゾール、1−メチル−3−(トリブチルスタニル)
ピラゾール、3−トリブチルスタニルイソチアゾール、
3−トリブチルスタニルイソオキサゾール、7−メチル
−8−トリブチルスタニルプリン、2−トリブチルスタ
ニルプテリジンなどが例示できる。これら一般式(2)
で表される有機スズ化合物の使用量としては、一般式
(1)の化合物に対して通常1〜3倍モル、好ましくは
1〜2倍モル量使用する。
より具体的な例としては、例えばビニルトリブチルス
ズ、ジビニルジブチルスズ、(Z)−1−プロペニルト
リブチルスズ、1−トリブチルスタニル−1−メチルプ
ロペン、1−トリブチルスタニル−2−メチルプロペ
ン、(トリフルオロビニル)トリブチルスズ、1−メト
キシ−1−(トリブチルスタニル)エチレン、1−トリ
ブチルスタニルシクロヘキセン、(4−t−ブチルシク
ロヘキセン−1−イル)トリメチルスズ、(4−t−ブ
チルシクロヘキセン−1−イル)トリブチルスズ、
(E)−1,2−ビス(トリブチルスタニル)エチレン、
アレニルトリブチルスズ、1−トリブチルスタニル−1
−ブテン、フエニルトリブチルスズ、(p−メトキシフ
エニル)トリブチルスズ、[p−(トリフルオロメチ
ル)フエニル]トリブチルスズ、2−トリブチルスタニ
ルピリジン、2−トリブチルスタニルピラジン、2−ト
ルブチルスタニルピリミジン、3−トリブチルスタニル
ピリダジン、1−メチル−2−(トリブチルスタニル)
ピロール、1−メチル−2−(トリブチルスタニル)イ
ミダゾール、1−メチル−3−(トリブチルスタニル)
ピラゾール、3−トリブチルスタニルイソチアゾール、
3−トリブチルスタニルイソオキサゾール、7−メチル
−8−トリブチルスタニルプリン、2−トリブチルスタ
ニルプテリジンなどが例示できる。これら一般式(2)
で表される有機スズ化合物の使用量としては、一般式
(1)の化合物に対して通常1〜3倍モル、好ましくは
1〜2倍モル量使用する。
【0026】一価の銅塩としては、例えば塩化第一銅、
臭化第一銅、ヨウ化第一銅などのハロゲン化第一銅など
を例示できる。これら銅塩の使用量としては、一般式
(1)の化合物に対して0.5〜10倍モル、好ましくは1
〜3倍モル量使用する。
臭化第一銅、ヨウ化第一銅などのハロゲン化第一銅など
を例示できる。これら銅塩の使用量としては、一般式
(1)の化合物に対して0.5〜10倍モル、好ましくは1
〜3倍モル量使用する。
【0027】溶媒としては、例えば、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリ
ジノン、ヘキサメチルホスホリツクトリアミド等のアミ
ド類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニト
リル、イソブチロニトリル、バレロニトリル等のニトリ
ル類、ジメチルスルホキシドなどが単独または2種以上
混合して用いられてもよく、また上記溶媒を主として、
これに他の通常の溶媒、例えば蟻酸メチル、蟻酸エチ
ル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、
プロピオン酸エチル等の低級カルボン酸の低級アルキル
エステル類、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテ
ル、エチルブチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイ
ソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルセロソ
ルブ、ジメトキシエタン等のエーテル類、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等の環状エーテル類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロルベンゼン、アニソール等の置
換もしくは未置換の芳香族炭化水素類、ジクロルメタ
ン、クロロホルム、ジクロルエタン、トリクロルエタ
ン、ジブロムエタン、プロピレンジクロライド、四塩化
炭素、フレオン類等のハロゲン化炭化水素類、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の炭化水素類、シ
クロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シク
ロオクタン等のシクロアルカン類を併用した混合溶媒を
用いることもできる。特に好ましい溶媒としては、ジメ
チルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリジノン、ジ
メチルスルホキシドを主溶媒とする混合溶媒が用いられ
る。これら溶媒の使用量は、一般式(1)の化合物1kg
当り0.5〜200l程度、好ましくは1〜50l程度とするの
がよい。反応は−10℃〜80℃、好ましくは0℃〜50℃の
範囲で行われる。本発明の化合物は、反応終了後、通常
の抽出操作或いは晶析操作を行うことによりほぼ純品と
して得ることができるが、その他の方法によつても勿論
精製することができる。
ミド、ジメチルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリ
ジノン、ヘキサメチルホスホリツクトリアミド等のアミ
ド類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニト
リル、イソブチロニトリル、バレロニトリル等のニトリ
ル類、ジメチルスルホキシドなどが単独または2種以上
混合して用いられてもよく、また上記溶媒を主として、
これに他の通常の溶媒、例えば蟻酸メチル、蟻酸エチ
ル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、
プロピオン酸エチル等の低級カルボン酸の低級アルキル
エステル類、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテ
ル、エチルブチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイ
ソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルセロソ
ルブ、ジメトキシエタン等のエーテル類、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等の環状エーテル類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロルベンゼン、アニソール等の置
換もしくは未置換の芳香族炭化水素類、ジクロルメタ
ン、クロロホルム、ジクロルエタン、トリクロルエタ
ン、ジブロムエタン、プロピレンジクロライド、四塩化
炭素、フレオン類等のハロゲン化炭化水素類、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の炭化水素類、シ
クロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シク
ロオクタン等のシクロアルカン類を併用した混合溶媒を
用いることもできる。特に好ましい溶媒としては、ジメ
チルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリジノン、ジ
メチルスルホキシドを主溶媒とする混合溶媒が用いられ
る。これら溶媒の使用量は、一般式(1)の化合物1kg
当り0.5〜200l程度、好ましくは1〜50l程度とするの
がよい。反応は−10℃〜80℃、好ましくは0℃〜50℃の
範囲で行われる。本発明の化合物は、反応終了後、通常
の抽出操作或いは晶析操作を行うことによりほぼ純品と
して得ることができるが、その他の方法によつても勿論
精製することができる。
【0028】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより一層明ら
かにする。尚、Phはフエニル基を示す。
かにする。尚、Phはフエニル基を示す。
【0029】実施例1 7−フエニルアセトアミド−3−ビニルセフアロスポラ
ン酸 p−メトキシベンジル 一般式(1)の化合物(R1=フエニルアセトアミド、
R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=フエニ
ル、m=2、1a)100mg、塩化第一銅 20.5mgを秤取
り、1−メチル−2−ピロリジノン 1mlを加える。こ
れにビニルトリブチルスズ 76μlを加え室温で撹拌反応
させた後、酢酸エチル、2%塩酸を加えて抽出し、有機
層を水、食塩水で洗浄する。有機層を硫酸ナトリウムで
乾燥し、減圧下溶媒を留去すると結晶化する。この粗結
晶をシリカゲルカラム(ベンゼン/酢酸エチル=6/
1)で精製すると一般式(3)の化合物(R1=フエニ
ルアセトアミド、R2=H、R3=p−メトキシベンジ
ル、R5=ビニル、3a)が72.3mg得られた(収率90
%)。
ン酸 p−メトキシベンジル 一般式(1)の化合物(R1=フエニルアセトアミド、
R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=フエニ
ル、m=2、1a)100mg、塩化第一銅 20.5mgを秤取
り、1−メチル−2−ピロリジノン 1mlを加える。こ
れにビニルトリブチルスズ 76μlを加え室温で撹拌反応
させた後、酢酸エチル、2%塩酸を加えて抽出し、有機
層を水、食塩水で洗浄する。有機層を硫酸ナトリウムで
乾燥し、減圧下溶媒を留去すると結晶化する。この粗結
晶をシリカゲルカラム(ベンゼン/酢酸エチル=6/
1)で精製すると一般式(3)の化合物(R1=フエニ
ルアセトアミド、R2=H、R3=p−メトキシベンジ
ル、R5=ビニル、3a)が72.3mg得られた(収率90
%)。
【0030】実施例2 塩化第一銅の代りに臭化第一銅を用いて実施例1と同様
に反応させると対応する一般式(3)の化合物3aが87
%の収率で得られた。
に反応させると対応する一般式(3)の化合物3aが87
%の収率で得られた。
【0031】実施例3 塩化第一銅の代りにヨウ化第一銅を用いて実施例1と同
様に反応させると対応する一般式(3)の化合物3aが
80%の収率で得られた。
様に反応させると対応する一般式(3)の化合物3aが
80%の収率で得られた。
【0032】実施例4 1−メチル−2−ピロリジノンの代りにN,N−ジメチ
ルホルムアミドを用いて実施例1と同様に反応させると
対応する一般式(3)の化合物3aが82%の収率で得ら
れた。
ルホルムアミドを用いて実施例1と同様に反応させると
対応する一般式(3)の化合物3aが82%の収率で得ら
れた。
【0033】実施例5 一般式(1)の化合物(R1=フエニルアセトアミド、
R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=フエニ
ル、m=2、1a)の代りに一般式(1)の化合物(R
1=フエニルアセトアミド、R2=H、R3=p−メトキ
シベンジル、R4=ベンゾチアゾール−2−イル、m=
0、1b)を用いて実施例1と同様に反応させると対応
する一般式(3)の化合物3aが82%の収率で得られ
た。
R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=フエニ
ル、m=2、1a)の代りに一般式(1)の化合物(R
1=フエニルアセトアミド、R2=H、R3=p−メトキ
シベンジル、R4=ベンゾチアゾール−2−イル、m=
0、1b)を用いて実施例1と同様に反応させると対応
する一般式(3)の化合物3aが82%の収率で得られ
た。
【0034】実施例6〜10 一般式(1)の化合物(R1=フエニルアセトアミド、
R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=フエニ
ル、m=2、1a)と、R5として表1に示す置換基を
有する一般式(2)の化合物(R6=ブチル、n=1)
を用いて実施例1と同様の反応を行うと対応する一般式
(3)の化合物(R1=フエニルアセトアミド、R2=
H、R3=p−メトキシベンジル、R5は表1参照)が得
られた。
R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=フエニ
ル、m=2、1a)と、R5として表1に示す置換基を
有する一般式(2)の化合物(R6=ブチル、n=1)
を用いて実施例1と同様の反応を行うと対応する一般式
(3)の化合物(R1=フエニルアセトアミド、R2=
H、R3=p−メトキシベンジル、R5は表1参照)が得
られた。
【0035】
【表1】
【0036】実施例11〜25 一般式(1)の化合物(R1、R3は表2参照、R2=
H、R4=フエニル、m=2)と、R5として表2に示す
置換基を有する一般式(2)の化合物(R6=ブチル、
n=1)を用いて実施例1と同様の反応を行うと対応す
る一般式(3)の化合物(R1、R3、R5は表2参照、
R2=H)が得られる。
H、R4=フエニル、m=2)と、R5として表2に示す
置換基を有する一般式(2)の化合物(R6=ブチル、
n=1)を用いて実施例1と同様の反応を行うと対応す
る一般式(3)の化合物(R1、R3、R5は表2参照、
R2=H)が得られる。
【0037】
【表2】
【0038】参考例1 一般式(1)で表されるアレニル−β−ラクタムの合成
【0039】
【化4】
【0040】一般式(4)の化合物(R1=フエニルア
セトアミド、R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R
4=フエニル、R8=トリフルオロメチル、m=2)1g
をN,N−ジメチルホルムアミド 10mlに溶解し、−30℃
に冷却した後トリエチルアミン 0.43mlを加え、同温度
で1時間撹拌反応させる。反応混合物を酢酸エチルで抽
出し、抽出液を水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾燥す
る。抽出液を減圧下濃縮すると、対応する一般式(1)
の化合物(R1、R2、R3、R4及びmは前記に同じ、1
a)が収率99%で得られた。
セトアミド、R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R
4=フエニル、R8=トリフルオロメチル、m=2)1g
をN,N−ジメチルホルムアミド 10mlに溶解し、−30℃
に冷却した後トリエチルアミン 0.43mlを加え、同温度
で1時間撹拌反応させる。反応混合物を酢酸エチルで抽
出し、抽出液を水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾燥す
る。抽出液を減圧下濃縮すると、対応する一般式(1)
の化合物(R1、R2、R3、R4及びmは前記に同じ、1
a)が収率99%で得られた。
【0041】参考例2 一般式(4)の化合物(R1=フエニルアセトアミド、
R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=フエニ
ル、R8=トリフルオロメチル、m=2)の代りに一般
式(4)の化合物(R1=フエニルアセトアミド、R2=
H、R3=ジフエニルメチル、R4=ベンゾチアゾール−
2−イル、R8=トリフルオロメチル、m=0)を用い
て参考例1と同様に反応させると対応する一般式(1)
の化合物(R1、R2、R3、R4及びmは前記に同じ、1
c)が99%の収率で得られた。
R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=フエニ
ル、R8=トリフルオロメチル、m=2)の代りに一般
式(4)の化合物(R1=フエニルアセトアミド、R2=
H、R3=ジフエニルメチル、R4=ベンゾチアゾール−
2−イル、R8=トリフルオロメチル、m=0)を用い
て参考例1と同様に反応させると対応する一般式(1)
の化合物(R1、R2、R3、R4及びmは前記に同じ、1
c)が99%の収率で得られた。
【0042】
【発明の効果】本発明によれば、有機銅試薬などの合成
を必要とせず環境温度(室温)において、一般式(3)
で表される広範囲な抗菌スペクトルを有する有用な目的
のセフエム化合物が高収率で合成できる。また、本発明
では、問題となる2−セフエム化合物の副生も起こらな
いので、特別な精製を行う必要もなく、目的物を有利に
合成しうる。
を必要とせず環境温度(室温)において、一般式(3)
で表される広範囲な抗菌スペクトルを有する有用な目的
のセフエム化合物が高収率で合成できる。また、本発明
では、問題となる2−セフエム化合物の副生も起こらな
いので、特別な精製を行う必要もなく、目的物を有利に
合成しうる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年7月19日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0022
【補正方法】変更
【補正内容】
【0022】R5で示されるアルケニル基としては、例
えばビニル、1−プロペニル、プロペン−2−イル、2
−メチルプロペン−1−イル、(E)−1−スチリル、
トリフルオロビニル、1−メトキシプロペン−1−イ
ル、1−シクロヘキセニル、4−tert−ブチルシクロヘ
キセン−1−イル、(E)−2−トリブチルスタニルビ
ニル、アレニル、1−ブテン−1−イル基などが例示で
きる。R5で示される含窒素芳香族複素環基としては、
例えばピリジル、ピラジル、ピリミジニル、ピリダジニ
ル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、イソチアゾ
リル、イソオキサゾリル、プリニル、プテリジニルなど
が例示できる。これらR5で示されるアルケニル基、ア
リール基、又は含窒素芳香族複素環基に置換していても
良い置換基としては、R4に於いて説明した置換基が同
様に例示できる。R5におけるアルケニル基、アリール
基、又は含窒素芳香族複素環基は、上記置換基から選ば
れる同一又は異なる種類の置換基で、同一又は異なる炭
素上に1つ以上置換されていてもよい。
えばビニル、1−プロペニル、プロペン−2−イル、2
−メチルプロペン−1−イル、(E)−1−スチリル、
トリフルオロビニル、1−メトキシプロペン−1−イ
ル、1−シクロヘキセニル、4−tert−ブチルシクロヘ
キセン−1−イル、(E)−2−トリブチルスタニルビ
ニル、アレニル、1−ブテン−1−イル基などが例示で
きる。R5で示される含窒素芳香族複素環基としては、
例えばピリジル、ピラジル、ピリミジニル、ピリダジニ
ル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、イソチアゾ
リル、イソオキサゾリル、プリニル、プテリジニルなど
が例示できる。これらR5で示されるアルケニル基、ア
リール基、又は含窒素芳香族複素環基に置換していても
良い置換基としては、R4に於いて説明した置換基が同
様に例示できる。R5におけるアルケニル基、アリール
基、又は含窒素芳香族複素環基は、上記置換基から選ば
れる同一又は異なる種類の置換基で、同一又は異なる炭
素上に1つ以上置換されていてもよい。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0025
【補正方法】変更
【補正内容】
【0025】一般式(2)で表される有機スズ化合物の
より具体的な例としては、例えばビニルトリブチルス
ズ、ジビニルジブチルスズ、(Z)−1−プロペニルト
リブチルスズ、(E)−1−スチリルトリブチルスズ、
1−トリブチルスタニル−1−メチルプロペン、1−ト
リブチルスタニル−2−メチルプロペン、(トリフルオ
ロビニル)トリブチルスズ、1−メトキシ−1−(トリ
ブチルスタニル)エチレン、1−トリブチルスタニルシ
クロヘキセン、(4−t−ブチルシクロヘキセン−1−
イル)トリメチルスズ、(4−t−ブチルシクロヘキセ
ン−1−イル)トリブチルスズ、(E)−1,2−ビス
(トリブチルスタニル)エチレン、アレニルトリブチル
スズ、1−トリブチルスタニル−1−ブテン、フエニル
トリブチルスズ、(p−メトキシフエニル)トリブチル
スズ、[p−(トリフルオロメチル)フエニル]トリブ
チルスズ、2−トリブチルスタニルピリジン、2−トリ
ブチルスタニルピラジン、2−トルブチルスタニルピリ
ミジン、3−トリブチルスタニルピリダジン、1−メチ
ル−2−(トリブチルスタニル)ピロール、1−メチル
−2−(トリブチルスタニル)イミダゾール、1−メチ
ル−3−(トリブチルスタニル)ピラゾール、3−トリ
ブチルスタニルイソチアゾール、3−トリブチルスタニ
ルイソオキサゾール、7−メチル−8−トリブチルスタ
ニルプリン、2−トリブチルスタニルプテリジンなどが
例示できる。これら一般式(2)で表される有機スズ化
合物の使用量としては、一般式(1)の化合物に対して
通常1〜3倍モル、好ましくは1〜2倍モル量使用す
る。
より具体的な例としては、例えばビニルトリブチルス
ズ、ジビニルジブチルスズ、(Z)−1−プロペニルト
リブチルスズ、(E)−1−スチリルトリブチルスズ、
1−トリブチルスタニル−1−メチルプロペン、1−ト
リブチルスタニル−2−メチルプロペン、(トリフルオ
ロビニル)トリブチルスズ、1−メトキシ−1−(トリ
ブチルスタニル)エチレン、1−トリブチルスタニルシ
クロヘキセン、(4−t−ブチルシクロヘキセン−1−
イル)トリメチルスズ、(4−t−ブチルシクロヘキセ
ン−1−イル)トリブチルスズ、(E)−1,2−ビス
(トリブチルスタニル)エチレン、アレニルトリブチル
スズ、1−トリブチルスタニル−1−ブテン、フエニル
トリブチルスズ、(p−メトキシフエニル)トリブチル
スズ、[p−(トリフルオロメチル)フエニル]トリブ
チルスズ、2−トリブチルスタニルピリジン、2−トリ
ブチルスタニルピラジン、2−トルブチルスタニルピリ
ミジン、3−トリブチルスタニルピリダジン、1−メチ
ル−2−(トリブチルスタニル)ピロール、1−メチル
−2−(トリブチルスタニル)イミダゾール、1−メチ
ル−3−(トリブチルスタニル)ピラゾール、3−トリ
ブチルスタニルイソチアゾール、3−トリブチルスタニ
ルイソオキサゾール、7−メチル−8−トリブチルスタ
ニルプリン、2−トリブチルスタニルプテリジンなどが
例示できる。これら一般式(2)で表される有機スズ化
合物の使用量としては、一般式(1)の化合物に対して
通常1〜3倍モル、好ましくは1〜2倍モル量使用す
る。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0034
【補正方法】変更
【補正内容】
【0034】実施例6〜11 一般式(1)の化合物(R1=フエニルアセトアミド、
R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=フエニ
ル、m=2、1a)と、R5として表1に示す置換基を
有する一般式(2)の化合物(R6=ブチル、n=1)
を用いて実施例1と同様の反応を行うと対応する一般式
(3)の化合物(R1=フエニルアセトアミド、R2=
H、R3=p−メトキシベンジル、R5は表1参照)が得
られた。
R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=フエニ
ル、m=2、1a)と、R5として表1に示す置換基を
有する一般式(2)の化合物(R6=ブチル、n=1)
を用いて実施例1と同様の反応を行うと対応する一般式
(3)の化合物(R1=フエニルアセトアミド、R2=
H、R3=p−メトキシベンジル、R5は表1参照)が得
られた。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0035
【補正方法】変更
【補正内容】
【0035】
【表1】
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0036
【補正方法】変更
【補正内容】
【0036】実施例12〜26 一般式(1)の化合物(R1、R3は表2参照、R2=
H、R4=フエニル、m=2)と、R5として表2に示す
置換基を有する一般式(2)の化合物(R6=ブチル、
n=1)を用いて実施例1と同様の反応を行うと対応す
る一般式(3)の化合物(R1、R3、R5は表2参照、
R2=H)が得られる。 ─────────────────────────────────────────────────────
H、R4=フエニル、m=2)と、R5として表2に示す
置換基を有する一般式(2)の化合物(R6=ブチル、
n=1)を用いて実施例1と同様の反応を行うと対応す
る一般式(3)の化合物(R1、R3、R5は表2参照、
R2=H)が得られる。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年10月7日
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0037
【補正方法】変更
【補正内容】
【0037】
【表2】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // C07B 61/00 300 C07D 205/09 (72)発明者 城井 敬史 徳島県徳島市川内町加賀須野463 大塚化 学株式会社徳島研究所内 (72)発明者 亀山 豊 徳島県徳島市川内町加賀須野463 大塚化 学株式会社徳島研究所内
Claims (1)
- 【請求項1】 一般式〔化1〕で表されるアレニルβ−
ラクタム化合物を1価の銅塩の存在下、一般式〔化2〕
で表される有機スズ化合物と反応させることを特徴とす
る一般式〔化3〕で表されるセフエム化合物の製造法。 【化1】 (式中R1は水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、又は
保護されたアミノ基を示す。R2は水素原子、ハロゲン
原子、低級アルコキシ基、低級アシル基、低級アルキル
基、水酸基又は保護された水酸基を置換基として有する
低級アルキル基、水酸基、又は保護された水酸基を示
す。又、R1とR2とで=Oを示す。R3は水素原子又は
カルボン酸保護基を示す。R4は置換基を有していても
良いアリール基、又は置換基を有していても良い含窒素
芳香族複素環基を示す。mは、0又は2を示す。) 【化2】(R5)n−Sn(R6)4-n (2) (式中R5は、置換基を有していても良いアルケニル
基、置換基を有していても良いアリール基、置換基を有
していても良い含窒素芳香族複素環基を示す。R6は低
級アルキル基を示す。nは1又は2を示す。) 【化3】 (式中R1、R2、R3、R5は前記に同じ。)
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22062192A JP3224279B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | セフエム化合物の製造法 |
| EP93916221A EP0623622B1 (en) | 1992-07-27 | 1993-07-26 | Process for producing cephem compound |
| PCT/JP1993/001041 WO1994002490A1 (fr) | 1992-07-27 | 1993-07-26 | Procede de production concernant un compose a base de cepheme |
| US08/211,119 US5656754A (en) | 1992-07-27 | 1993-07-26 | Process for preparing cephem compounds |
| DE69326682T DE69326682T2 (de) | 1992-07-27 | 1993-07-26 | Verfahren zur herstellung von cephemverbindungen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22062192A JP3224279B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | セフエム化合物の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0665252A true JPH0665252A (ja) | 1994-03-08 |
| JP3224279B2 JP3224279B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=16753845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22062192A Expired - Fee Related JP3224279B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | セフエム化合物の製造法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5656754A (ja) |
| EP (1) | EP0623622B1 (ja) |
| JP (1) | JP3224279B2 (ja) |
| DE (1) | DE69326682T2 (ja) |
| WO (1) | WO1994002490A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995013281A1 (en) * | 1993-11-09 | 1995-05-18 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Process for producing 3-substituted cephem compound |
| WO1996028421A1 (en) * | 1995-03-10 | 1996-09-19 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | PROCESS FOR PRODUCING HALOGENATED β-LACTAM COMPOUNDS |
| JP2015155435A (ja) * | 2007-10-09 | 2015-08-27 | ソファーミア,インコーポレイテッド | 広帯域β−ラクタマーゼ阻害薬 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986091A (en) * | 1996-03-13 | 1999-11-16 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Process for preparation of β-lactam compounds |
| JPH101482A (ja) * | 1996-06-13 | 1998-01-06 | Otsuka Chem Co Ltd | 3−ノルセフェム化合物の製造法 |
| KR20050087791A (ko) * | 2002-11-01 | 2005-08-31 | 오키드 케미칼즈 앤드 파마수티컬즈 리미티드 | 클로로메틸 세펨 유도체 제조를 위한 개선된 제조방법 |
| US9975905B2 (en) | 2013-03-12 | 2018-05-22 | Gladius Pharmaceuticals Corporation | Derivatized 3-styryl-cephalosporins |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4847373A (en) * | 1987-02-26 | 1989-07-11 | Bristol-Myers Company | Production of 3-allyl- and 3-butenyl-3-cephems |
| DE3734004A1 (de) * | 1987-05-26 | 1988-12-15 | Bayer Ag | Substituierte vinylcephalosporine, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als arzneimittel |
| DE3933934A1 (de) * | 1989-10-03 | 1991-04-11 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von 7-amino-3-((z)-1-propen-1-yl)-3-cephem-4-carbonsaeure |
| US5245027A (en) * | 1989-11-21 | 1993-09-14 | Bristol-Myers Squibb Company | 3-fluorosulfonyloxyceph-3-em compounds |
| US5162524B1 (en) * | 1991-06-06 | 1997-06-17 | Bristol Myers Squibb Co | Processes for making cephems from allenylazetidinone derivatives |
| US5266691A (en) * | 1991-06-06 | 1993-11-30 | Bristol-Myers Squibb Company | Processes for making cephems from allenylazetidinone derivatives |
-
1992
- 1992-07-27 JP JP22062192A patent/JP3224279B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-07-26 EP EP93916221A patent/EP0623622B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-26 DE DE69326682T patent/DE69326682T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-26 US US08/211,119 patent/US5656754A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-26 WO PCT/JP1993/001041 patent/WO1994002490A1/ja not_active Ceased
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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