JPH066626B2 - 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH066626B2 JPH066626B2 JP1502464A JP50246489A JPH066626B2 JP H066626 B2 JPH066626 B2 JP H066626B2 JP 1502464 A JP1502464 A JP 1502464A JP 50246489 A JP50246489 A JP 50246489A JP H066626 B2 JPH066626 B2 JP H066626B2
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- epoxy
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- C08G77/38—Polysiloxanes modified by chemical after-treatment
- C08G77/382—Polysiloxanes modified by chemical after-treatment containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or silicon
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は半導体装置の封止に効果的に使用される新規の
エポキシ樹脂組成物に関するもので、特に硬化時に硬化
物の内部応力が低く、成型性が優秀な半導体装置封止用
エポキシ樹脂組成物に関するものである。
エポキシ樹脂組成物に関するもので、特に硬化時に硬化
物の内部応力が低く、成型性が優秀な半導体装置封止用
エポキシ樹脂組成物に関するものである。
背景技術 最近、半導体産業分野において、半導体装置などの高集
積化により、それらの小型化と軽量化および多機能化が
要求されている。かかる半導体装置などを封止するため
には、多様な樹脂組成物などが広く使用されているが、
近頃に入ってはより優秀な諸般特性を有する半導体封止
用樹脂組成物が要求されてきた。
積化により、それらの小型化と軽量化および多機能化が
要求されている。かかる半導体装置などを封止するため
には、多様な樹脂組成物などが広く使用されているが、
近頃に入ってはより優秀な諸般特性を有する半導体封止
用樹脂組成物が要求されてきた。
従来、半導体装置を封止するためには、エポキシ樹脂、
シリコン樹脂、フェノール樹脂などと共にジアリルフタ
ラートのようなアリル樹脂などが使用されてきたが、そ
の内でも特に、優秀な吸湿性と高温での電気的特性およ
び成形性などにより、フェノールノボラック型樹脂を硬
化剤で使用したエポキシ樹脂組成物が望ましく使用され
てきた。
シリコン樹脂、フェノール樹脂などと共にジアリルフタ
ラートのようなアリル樹脂などが使用されてきたが、そ
の内でも特に、優秀な吸湿性と高温での電気的特性およ
び成形性などにより、フェノールノボラック型樹脂を硬
化剤で使用したエポキシ樹脂組成物が望ましく使用され
てきた。
しかし、封止物質としてかかる樹脂組成物を使用して微
細な表面構造を有する半導体素子を封止する場合には、
半導体装置と封止用樹脂間の熱膨張係数の格差のため、
トランスファー成形中、あるいは成形後に熱歪応力が不
合理に増大し、素子ベレットが離れる現象が発生し、内
部のアルミニウムパターンと結束ワイヤが断線され、な
お素子の内部またはその表面に亀裂が発生する。
細な表面構造を有する半導体素子を封止する場合には、
半導体装置と封止用樹脂間の熱膨張係数の格差のため、
トランスファー成形中、あるいは成形後に熱歪応力が不
合理に増大し、素子ベレットが離れる現象が発生し、内
部のアルミニウムパターンと結束ワイヤが断線され、な
お素子の内部またはその表面に亀裂が発生する。
かかる短所の以外にもアルミニウムパターンが腐蝕さ
れ、結局は半導体素子としての機能を失うようになる。
れ、結局は半導体素子としての機能を失うようになる。
従って、上述した様な半導体素子の内部応力が減少する
ためには、半導体素子と封止物質との間の熱膨張係数の
差異を減少させなければならず、封止物質と素子との接
着性を高める必要があり、イオン性不純物を減少させて
アルミニウムパターンが腐蝕されることを最大限防止し
なければならないという処理などが必要となる。
ためには、半導体素子と封止物質との間の熱膨張係数の
差異を減少させなければならず、封止物質と素子との接
着性を高める必要があり、イオン性不純物を減少させて
アルミニウムパターンが腐蝕されることを最大限防止し
なければならないという処理などが必要となる。
内部熱応力を減少するため通常使用されてきた代表的な
方法などは次の通りである： 第一方法として、封止物質として使用される樹脂組成物
のガラス転移温度(Tg)を低める方法があった。しかし、
低いTg温度を有する樹脂組成物は耐熱衝撃性が低下し、
結束ワイヤが断線されるという短所が伴うため、封止樹
脂のガラス転移温度を１５０℃以上に維持しなければな
らない必要があった。
方法などは次の通りである： 第一方法として、封止物質として使用される樹脂組成物
のガラス転移温度(Tg)を低める方法があった。しかし、
低いTg温度を有する樹脂組成物は耐熱衝撃性が低下し、
結束ワイヤが断線されるという短所が伴うため、封止樹
脂のガラス転移温度を１５０℃以上に維持しなければな
らない必要があった。
内部応力を低めるための他の方法としては、熱膨張係数
が低い無機充填剤を使用する場合、半導体装置と封止用
樹脂組成物との間の膨膨張係数の差異は減ってくるが、
この方法も又多少の短所を有しており、例えば、たとえ
内部応力が望ましく減少されるといっても、上記樹脂組
成物の弾性係数が増加し、粘度も高くなるため、成形性
が悪くなるとの短所があった。
が低い無機充填剤を使用する場合、半導体装置と封止用
樹脂組成物との間の膨膨張係数の差異は減ってくるが、
この方法も又多少の短所を有しており、例えば、たとえ
内部応力が望ましく減少されるといっても、上記樹脂組
成物の弾性係数が増加し、粘度も高くなるため、成形性
が悪くなるとの短所があった。
又、樹脂組成物の弾性係数を低める方法としてはポリプ
ロピレングリコールジグリシジルエーテルのような長い
鎖のビスエポキシ化合物や長い分枝のあるビスフェノー
ルＡジグリシジルエテルのような可塑剤を添加して成さ
れるが、弾性係数が十分低くなるまでかかる可塑剤を添
加すると、樹脂組成物の機械的強度およびガラス転移温
度(Tg)が落ちるという短所がある。
ロピレングリコールジグリシジルエーテルのような長い
鎖のビスエポキシ化合物や長い分枝のあるビスフェノー
ルＡジグリシジルエテルのような可塑剤を添加して成さ
れるが、弾性係数が十分低くなるまでかかる可塑剤を添
加すると、樹脂組成物の機械的強度およびガラス転移温
度(Tg)が落ちるという短所がある。
一方、アルミニウムパターンの腐蝕を防止するためには
塩素イオンの濃度を10ppm以下にしなければならず、加
水分解性塩素の量は０．１重量部以下に維持する必要が
ある。
塩素イオンの濃度を10ppm以下にしなければならず、加
水分解性塩素の量は０．１重量部以下に維持する必要が
ある。
よって、本発明者は上記の問題点を解決するため、鋭意
研究した結果、生成される硬化物がガラス転移温度を維
持しつつ、弾性率と熱膨張係数が低く、成形ばりの長さ
が短く、さらに成形性に優れる半導体装置封止用エポキ
シ樹脂組成物を得るにいたり、本発明を完成した。
研究した結果、生成される硬化物がガラス転移温度を維
持しつつ、弾性率と熱膨張係数が低く、成形ばりの長さ
が短く、さらに成形性に優れる半導体装置封止用エポキ
シ樹脂組成物を得るにいたり、本発明を完成した。
本発明の要約 本発明の目的は、半導体装置の封止物質して使用される
において、適当なエポキシ樹脂組成物の提供にある。
において、適当なエポキシ樹脂組成物の提供にある。
本発明の詳細な説明 本発明は下記を含む半導体装置封止用エポキシ樹脂組成
物に関するもので、 (A)多官能エポキシ化合物 ７−２０重量部； (B)イミド変性シリコン化合物 ０．１−１３重量部； (C)ノボラック型フェノール樹脂 ２．５−１５重量
部；及び (D)無機充填剤 ６０−８０重量部を含むことを特徴と
する半導体装置用エポキシ樹脂組成物に関するものであ
る。
物に関するもので、 (A)多官能エポキシ化合物 ７−２０重量部； (B)イミド変性シリコン化合物 ０．１−１３重量部； (C)ノボラック型フェノール樹脂 ２．５−１５重量
部；及び (D)無機充填剤 ６０−８０重量部を含むことを特徴と
する半導体装置用エポキシ樹脂組成物に関するものであ
る。
本発明にて使用される成分(A)の多官能エポキシ化合物
１分子中で少なくとも二つ以上のエポキシ基を有するエ
ポキシ樹脂であり、グリシジルエテル型エポキシ樹脂、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルア
ミン型エポキシ樹脂、鎖状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、及びハロゲン化
エポキシ樹脂などである。上記エポキシ樹脂などは単独
または２種以上を混合して使用してもよい。これらのエ
ポキシ樹脂のうちでも軟化温度が６０−１１０℃であり
又エポキシ当量が１８０−２４０であるノボラック型エ
ポキシ樹脂は全体樹脂組成物に対し、７−２０重量部の
量で使用するのが最も望ましいが、その配合量が７重量
部未満であれば、樹脂組成物の耐湿性が低下し、２０重
量部以上であれば機械的強度が低下するため望ましくな
い。
１分子中で少なくとも二つ以上のエポキシ基を有するエ
ポキシ樹脂であり、グリシジルエテル型エポキシ樹脂、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルア
ミン型エポキシ樹脂、鎖状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、及びハロゲン化
エポキシ樹脂などである。上記エポキシ樹脂などは単独
または２種以上を混合して使用してもよい。これらのエ
ポキシ樹脂のうちでも軟化温度が６０−１１０℃であり
又エポキシ当量が１８０−２４０であるノボラック型エ
ポキシ樹脂は全体樹脂組成物に対し、７−２０重量部の
量で使用するのが最も望ましいが、その配合量が７重量
部未満であれば、樹脂組成物の耐湿性が低下し、２０重
量部以上であれば機械的強度が低下するため望ましくな
い。
本発明で使用される成分(B)であるイミド変性シリコン
化合物はアミン基を含有したポリシロキサンとイミド化
合物を反応させて得る。アミン基を含有したポリシロキ
サンの例ではジメチルシリコン、メチルフェニルシリコ
ンなどのアルキル変性シリコン、エポキシ変性シリコ
ン、ジメチルジフェニルシリコン、脂肪酸変性シリコ
ン、シリコン−ポリエーテル共重合体などがあり、上記
イミド化合物としては例えば、Ｎ，Ｎ’−１，３−フェ
ニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４’−ジフェニ
ランメタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４’−ジフ
ェニルスルホンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４’−
ジシクロヘキシルメタン−ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−
４，４’−ジフェニルシクロヘキサンビスマレイミド、
Ｎ，Ｎ’−１，３−ザイリレンビスマレイミド、２，４
−ビスマレイミドトルエン、２，６−ビスマレイミドト
ルエンなどのようなビスマレイミド化合物が挙げられ
る。
化合物はアミン基を含有したポリシロキサンとイミド化
合物を反応させて得る。アミン基を含有したポリシロキ
サンの例ではジメチルシリコン、メチルフェニルシリコ
ンなどのアルキル変性シリコン、エポキシ変性シリコ
ン、ジメチルジフェニルシリコン、脂肪酸変性シリコ
ン、シリコン−ポリエーテル共重合体などがあり、上記
イミド化合物としては例えば、Ｎ，Ｎ’−１，３−フェ
ニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４’−ジフェニ
ランメタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４’−ジフ
ェニルスルホンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４’−
ジシクロヘキシルメタン−ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−
４，４’−ジフェニルシクロヘキサンビスマレイミド、
Ｎ，Ｎ’−１，３−ザイリレンビスマレイミド、２，４
−ビスマレイミドトルエン、２，６−ビスマレイミドト
ルエンなどのようなビスマレイミド化合物が挙げられ
る。
この様に製造されたイミド変性シリコン化合物［成分
(B)］は全体樹脂組成物に対し、０．１−１３重量部で
使用するのが望ましく、若しその配合量が０．１重量部
未満であれば、内部応力を十分に低下させることができ
ず、１３重量部以上であれば、樹脂組成物の成形性およ
び流動性が低下する。
(B)］は全体樹脂組成物に対し、０．１−１３重量部で
使用するのが望ましく、若しその配合量が０．１重量部
未満であれば、内部応力を十分に低下させることができ
ず、１３重量部以上であれば、樹脂組成物の成形性およ
び流動性が低下する。
本発明では、上記の方法で製造されたイミド変性シリコ
ン化合物［成分(B)］は成分(A)である多官能エポキシ樹
脂と予め反応させてイミド−シリコン変性エポキシ樹脂
の形態でも使用することができる。
ン化合物［成分(B)］は成分(A)である多官能エポキシ樹
脂と予め反応させてイミド−シリコン変性エポキシ樹脂
の形態でも使用することができる。
半導体装置の封止物質を製造するため、本発明のイミド
変性シリコン化合物を使用すれば、通常の非変性シリコ
ン化合物を使用した時よりも流動性が良く、成形時のば
りの長さが著しく短くなった。
変性シリコン化合物を使用すれば、通常の非変性シリコ
ン化合物を使用した時よりも流動性が良く、成形時のば
りの長さが著しく短くなった。
本発明で硬化剤として使用される成分(C)であるノボラ
ックフェノール樹脂では軟化点が６０−１１０℃の範囲
であるフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラッ
ク樹脂、テトラブチルフェノールノボラック樹脂などが
ある。
ックフェノール樹脂では軟化点が６０−１１０℃の範囲
であるフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラッ
ク樹脂、テトラブチルフェノールノボラック樹脂などが
ある。
かかるノボラック型フェノール樹脂はエポキシ樹脂組成
物総量に対して２．５乃至１５重量部の量で使用するの
が良く、この時、上記多官能エポキシ化合物［成分
(A)］中のエポキシ基の数に対する酸無水物、フェノー
ル中の水酸基、アミノ基のような活性基数の比率は０．
５−１．５、より望ましくは０．７−１．２のものが良
い。この比率が０．５より小であれば、エポキシ樹脂組
成物の機械的強度が低下し、１．５より大であれば、耐
湿性などの色々な物性低下をもたらし望ましくない。
物総量に対して２．５乃至１５重量部の量で使用するの
が良く、この時、上記多官能エポキシ化合物［成分
(A)］中のエポキシ基の数に対する酸無水物、フェノー
ル中の水酸基、アミノ基のような活性基数の比率は０．
５−１．５、より望ましくは０．７−１．２のものが良
い。この比率が０．５より小であれば、エポキシ樹脂組
成物の機械的強度が低下し、１．５より大であれば、耐
湿性などの色々な物性低下をもたらし望ましくない。
本発明に使用される成分(D)である無機充填剤としては
溶融シリカ、酸化ジルコニウム、粘土、アルミナ、炭酸
カルシウム、結晶性シリカ、ガラス、水酸化アルミニウ
ム、マグネサイト、石膏、黒鉛、セメント、雲母、硅
砂、カオリン、石綿などを使用することができ、これら
の成分を単独または２種以上を並行して使用することが
できる。
溶融シリカ、酸化ジルコニウム、粘土、アルミナ、炭酸
カルシウム、結晶性シリカ、ガラス、水酸化アルミニウ
ム、マグネサイト、石膏、黒鉛、セメント、雲母、硅
砂、カオリン、石綿などを使用することができ、これら
の成分を単独または２種以上を並行して使用することが
できる。
上記無機充填剤の配合量はエポキシ樹脂組成物総量に対
して６０−８０重量部が望ましく、この量が６０重量部
より小であれば、樹脂組成物の熱膨張係数が増加しクラ
ックを発生し、耐熱性も低下し、なお、８０重量部以上
であれば、流動性が低下し、半導体装置の封止過程が難
しくなる。
して６０−８０重量部が望ましく、この量が６０重量部
より小であれば、樹脂組成物の熱膨張係数が増加しクラ
ックを発生し、耐熱性も低下し、なお、８０重量部以上
であれば、流動性が低下し、半導体装置の封止過程が難
しくなる。
本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物には上記
必須成分である(A)〜(D)以外にも公知の硬化促進剤を使
用することができ、例えば、イミダゾール、２−メチル
イミダゾール、２−エチルイミダゾール、１，２−メチ
ルイミダゾール、２−エチル−４−メチルミイダゾー
ル、２−フェニルイミダゾールのようなイミダゾール化
合物；トリエチルアミン、ジエチルトリアミン、トリエ
チレン−テトラアミン、Ｎ−アミノ−エチルピペラジン
のようなアミン化合物；トリエチルアミンと３弗化硼素
（ＢＦ３）の錯化合部；トリフェニルホスフィン、トリ
ブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ブチ
ルフェニルホスフィン、ジメチルホスフィン、フェニル
ホスフィン、オクチルホスフィンのような有機ホスフィ
ン化合物などを挙げられる。これらの触媒は単独または
２種以上を並行して使用することができ、この配合量は
全体組成物に対して０．１重量部より小であれば、樹脂
組成物の硬化速度が大変遅くなり、５重量部より大であ
れば、耐湿性が低下するため、望ましくない。
必須成分である(A)〜(D)以外にも公知の硬化促進剤を使
用することができ、例えば、イミダゾール、２−メチル
イミダゾール、２−エチルイミダゾール、１，２−メチ
ルイミダゾール、２−エチル−４−メチルミイダゾー
ル、２−フェニルイミダゾールのようなイミダゾール化
合物；トリエチルアミン、ジエチルトリアミン、トリエ
チレン−テトラアミン、Ｎ−アミノ−エチルピペラジン
のようなアミン化合物；トリエチルアミンと３弗化硼素
（ＢＦ３）の錯化合部；トリフェニルホスフィン、トリ
ブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ブチ
ルフェニルホスフィン、ジメチルホスフィン、フェニル
ホスフィン、オクチルホスフィンのような有機ホスフィ
ン化合物などを挙げられる。これらの触媒は単独または
２種以上を並行して使用することができ、この配合量は
全体組成物に対して０．１重量部より小であれば、樹脂
組成物の硬化速度が大変遅くなり、５重量部より大であ
れば、耐湿性が低下するため、望ましくない。
なお、本発明の組成物には着色剤、難燃剤、離型剤、カ
ップリング剤などのその他の添加剤を適宣添加して使用
することができる。離型剤としては天然ワックス、合成
ワックス、高級脂肪酸とその金属塩類などがあり、難燃
剤としては塩素化パラフィン、ブロモトルエン、ヘキサ
ブロモベンゼン、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチ
モンなどがあり、着色剤としてカーボンブラック、特に
アセチレンブラックとファーネスブラックなどがあり、
又カップリング剤としてはエポキシシラン、ビニルシラ
ン、アミンシランなどのシラン系カップリング剤を使用
することができる。
ップリング剤などのその他の添加剤を適宣添加して使用
することができる。離型剤としては天然ワックス、合成
ワックス、高級脂肪酸とその金属塩類などがあり、難燃
剤としては塩素化パラフィン、ブロモトルエン、ヘキサ
ブロモベンゼン、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチ
モンなどがあり、着色剤としてカーボンブラック、特に
アセチレンブラックとファーネスブラックなどがあり、
又カップリング剤としてはエポキシシラン、ビニルシラ
ン、アミンシランなどのシラン系カップリング剤を使用
することができる。
本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物はロール
やニーダーのような混合装置を利用して上記の各成分な
どを均一に混合し、容易に得ることができる。
やニーダーのような混合装置を利用して上記の各成分な
どを均一に混合し、容易に得ることができる。
上記に記述した通り本発明の必須成分など（必要によっ
てはその他の添加剤と共に）を均一に混合し、トランス
ファー成形機を使用して硬化物を製造すれば、この様に
して得られたエポキシ樹脂組成物の硬化物は耐湿性、機
械的強度、熱導電性などの一般的な特性を満足するばか
りでなく、高いガラス転移温度(Tg)と、低い熱膨張係数
および低弾力性を有するなど、優秀な結果を示し、成形
時発生されるばりの長さも顕著に短くなるほどの利点が
あった。
てはその他の添加剤と共に）を均一に混合し、トランス
ファー成形機を使用して硬化物を製造すれば、この様に
して得られたエポキシ樹脂組成物の硬化物は耐湿性、機
械的強度、熱導電性などの一般的な特性を満足するばか
りでなく、高いガラス転移温度(Tg)と、低い熱膨張係数
および低弾力性を有するなど、優秀な結果を示し、成形
時発生されるばりの長さも顕著に短くなるほどの利点が
あった。
本発明実施の最もよい方法 本発明を実施例および比較例により詳細に説明すると、
次の通りであり、ここで“部”は“重量部”を示す。
次の通りであり、ここで“部”は“重量部”を示す。
なお、次の各実施例および比較例により得られた樹脂組
成物の物性は次のような測定方法に基づいて測定され
た。
成物の物性は次のような測定方法に基づいて測定され
た。
・曲げ弾性率：ＡＳＴＭ Ｄ−７９０ ・曲げ 強度：ＡＳＴＭ Ｄ−７９０ ・熱膨張係数：ＪＩＳ Ｋ−６９１１ ・ガラス転移温度(Tg)：ＪＩＳ Ｋ−６９１１ ・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６（エポキシメ
モールディング・マテリアル・インスティテュート；ソ
サイェティ・オブ・プラスチック・インダストリー（Ep
oxy Molding Material Institute;Society of Plastic
Industry）ばり長さ：０．０１インチ及び０．００５イ
ンチの曲隙を有しているばり測定用モルドを使用し、１
７５℃、圧力７０kg/cm2、１５０秒の条件下でトランス
ファー成形機により成形する時のばり長さを測定する。
モールディング・マテリアル・インスティテュート；ソ
サイェティ・オブ・プラスチック・インダストリー（Ep
oxy Molding Material Institute;Society of Plastic
Industry）ばり長さ：０．０１インチ及び０．００５イ
ンチの曲隙を有しているばり測定用モルドを使用し、１
７５℃、圧力７０kg/cm2、１５０秒の条件下でトランス
ファー成形機により成形する時のばり長さを測定する。
実施例１ 第１表に示したようにエポキシ当量が２１３で、軟化点
が７９℃であるクレゾールノボラックエポキシ樹脂１
０．８部、エポキシ当量が３６０で、軟化温度が９２℃
であるブロム化ノボラックエポキシ樹脂２．７部、フェ
ノールノボラック樹脂７．５部、シリコン変性エポキシ
６．５部、溶融シリカ６８．０部、三酸化アンチモン
３．０部、カーボンブラック０．３部、トリフェニルホ
スフィン０．２部、シランカップリング剤０．５部、カ
ルナバロウ０．４部を混合器で均一に混合し、８５−９
５℃温度のロールで混合した後、室温に急冷し、細かく
粉砕し、本発明のエポキシ樹脂組成物を得た。
が７９℃であるクレゾールノボラックエポキシ樹脂１
０．８部、エポキシ当量が３６０で、軟化温度が９２℃
であるブロム化ノボラックエポキシ樹脂２．７部、フェ
ノールノボラック樹脂７．５部、シリコン変性エポキシ
６．５部、溶融シリカ６８．０部、三酸化アンチモン
３．０部、カーボンブラック０．３部、トリフェニルホ
スフィン０．２部、シランカップリング剤０．５部、カ
ルナバロウ０．４部を混合器で均一に混合し、８５−９
５℃温度のロールで混合した後、室温に急冷し、細かく
粉砕し、本発明のエポキシ樹脂組成物を得た。
この組成物をトランスファー成形機を使用し、１７５℃
で１５０秒間硬化させ、試験片を製作し、改めてこの試
験片を１７５℃で８時間後硬化させた後、諸般物性を評
価した。
で１５０秒間硬化させ、試験片を製作し、改めてこの試
験片を１７５℃で８時間後硬化させた後、諸般物性を評
価した。
その結果を表１に示した。
実施例２ 第１表に示したようにクレゾールノボラックエポキシ樹
脂を８．５部、イミド化シリコン変性エポキシを６．５
部使用したことを除いては上記実施例１と同様に本発明
の組成物を製造した。
脂を８．５部、イミド化シリコン変性エポキシを６．５
部使用したことを除いては上記実施例１と同様に本発明
の組成物を製造した。
上記実施例１と同様な方法で評価試験を実施し、その結
果を第１表に示した。
果を第１表に示した。
実施例３ 第１表に示したようにクレゾールノボラックエポキシ樹
脂を７．５部、フェノールノボラック樹脂を８．５部、
イミド−シリコン変性エポキシを９．８部、溶融シリカ
を６７．０部で使用したことを除いては上記実施例１と
同様な方法により本発明の組成物を製造した。
脂を７．５部、フェノールノボラック樹脂を８．５部、
イミド−シリコン変性エポキシを９．８部、溶融シリカ
を６７．０部で使用したことを除いては上記実施例１と
同様な方法により本発明の組成物を製造した。
上記実施例１と同様な方法で評価試験を実施し、その結
果を第１表に示した。
果を第１表に示した。
実施例４ 第１表に示したようにクレゾールノボラック樹脂を５．
０部、フェノールノボラック樹脂を８．５部、イミド−
シリコン変性エポキシを１２．５部、溶融シリカを６
７．０部使用したことを除いては上記実施例１と同様な
方法により、本発明の組成物を製造した。
０部、フェノールノボラック樹脂を８．５部、イミド−
シリコン変性エポキシを１２．５部、溶融シリカを６
７．０部使用したことを除いては上記実施例１と同様な
方法により、本発明の組成物を製造した。
上記実施例１と同様な方法で評価試験を実施し、その結
果を第１表に示した。
果を第１表に示した。
実施例５ 第１表に示したようにクレゾールノボラック樹脂を１
６．０部、フェノールノボラック樹脂８．０部、イミド
−シリコン変性エポキシの代わりにシリコン化合物を
０．８部、溶融シリカを６．０部にしたことを除いては
上記実施例１と同一方法により本発明の組成物を製造し
た。
６．０部、フェノールノボラック樹脂８．０部、イミド
−シリコン変性エポキシの代わりにシリコン化合物を
０．８部、溶融シリカを６．０部にしたことを除いては
上記実施例１と同一方法により本発明の組成物を製造し
た。
上記実施例１と同一方法で評価試験を実施し、その結果
を第１表に示した。
を第１表に示した。
実施例６ 第１表に示したようにクレゾールノボラック樹脂を１
５．５部、フェノールノボラック樹脂を８．０部、イミ
ド−シリコン変性エポキシの代わりにシリコン化合物を
１．３部使用したことを除いては、上記実施例１と同一
方法により本発明の組成物を合成した。上記実施例１と
同一な法で評価試験を実施し、その結果を第１表に示し
た。
５．５部、フェノールノボラック樹脂を８．０部、イミ
ド−シリコン変性エポキシの代わりにシリコン化合物を
１．３部使用したことを除いては、上記実施例１と同一
方法により本発明の組成物を合成した。上記実施例１と
同一な法で評価試験を実施し、その結果を第１表に示し
た。
比較例１ 第１表に示したように、イミド−シリコン変性エポキシ
を使用せず、クレゾールノボラックエポキシ樹脂１６．
８部とフェノールノボラック樹脂を８．０部使用したこ
とを除いては上記実施例１と同一方法でエポキシ樹脂組
成物を製造し、実施例１と同一方法で同一評価試験を実
施し、その結果を第１表に示した。
を使用せず、クレゾールノボラックエポキシ樹脂１６．
８部とフェノールノボラック樹脂を８．０部使用したこ
とを除いては上記実施例１と同一方法でエポキシ樹脂組
成物を製造し、実施例１と同一方法で同一評価試験を実
施し、その結果を第１表に示した。
比較例２ 第１表に示したように、イミド−シリコン変性エポキシ
を使用せず、クレゾールノボラックエポキシ樹脂１５．
８部とフェノールノボラック樹脂を９．０部使用したこ
とを除いては上記実施例１と同一方法でエポキシ樹脂組
成物を製造し、実施例１と同一方法で同一評価試験を実
施し、その結果を第１表に示した。
を使用せず、クレゾールノボラックエポキシ樹脂１５．
８部とフェノールノボラック樹脂を９．０部使用したこ
とを除いては上記実施例１と同一方法でエポキシ樹脂組
成物を製造し、実施例１と同一方法で同一評価試験を実
施し、その結果を第１表に示した。
比較例３ 第１表に示したようにイミド−シリコン変性エポキシを
使用せず、クレゾールノボラックエポキシ樹脂１５．８
部とフェノールノボラック樹脂８．０部及び溶融シリカ
６９．０部を使用したことを除いては、上記実施例と同
一方法でエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例１と同一
方法で同一に評価試験を実施し、その結果を第１表に示
した。
使用せず、クレゾールノボラックエポキシ樹脂１５．８
部とフェノールノボラック樹脂８．０部及び溶融シリカ
６９．０部を使用したことを除いては、上記実施例と同
一方法でエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例１と同一
方法で同一に評価試験を実施し、その結果を第１表に示
した。
比較例４ 第１表に示したようにイミド−シリコン変性エポキシを
使用せず、クレゾールノボラックエポキシ樹脂１５．３
部と溶融シリカ７０．０部を使用したことを除いては、
上記実施例１と同一方法でエポキシ樹脂組成物を製造
し、実施例１と同一方法で同一に評価試験を実施し、そ
の結果を第１表に示した。
使用せず、クレゾールノボラックエポキシ樹脂１５．３
部と溶融シリカ７０．０部を使用したことを除いては、
上記実施例１と同一方法でエポキシ樹脂組成物を製造
し、実施例１と同一方法で同一に評価試験を実施し、そ
の結果を第１表に示した。
実施例７−８ 成分及びその使用量を第２表に示したように使用したこ
とを除いては上記実施例１と同様な方法により本発明の
エポキシ樹脂組成物を製造し、そのスパイラルフロー及
びばりの長さを測定し、その結果を第２表に示した。
とを除いては上記実施例１と同様な方法により本発明の
エポキシ樹脂組成物を製造し、そのスパイラルフロー及
びばりの長さを測定し、その結果を第２表に示した。
比較例５−６ 成分及び使用量を表２に示したように使用したことを除
いては上記実施例１と同様な方法によりエポキシ樹脂組
成物を製造し、スパイラルフロー及びばりの長さを測定
し、その結果を第２表に示した。
いては上記実施例１と同様な方法によりエポキシ樹脂組
成物を製造し、スパイラルフロー及びばりの長さを測定
し、その結果を第２表に示した。
第１表及び第２表から判明するように、イミド−シリコ
ン変性エポキシとイミド−変性シリコン化合物を含むエ
ポキシ樹脂組成物は、高いガラス転移温度を有し、弾性
率と熱膨張係数が低く、ばり長さが短くて、成形が大変
優秀であった。
ン変性エポキシとイミド−変性シリコン化合物を含むエ
ポキシ樹脂組成物は、高いガラス転移温度を有し、弾性
率と熱膨張係数が低く、ばり長さが短くて、成形が大変
優秀であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 // Ｃ０８Ｇ 59/40 ＮＪＥ 8416−4Ｊ
Claims (7)
- 【請求項１】(A)多官能エポキシ化合物 ７−２０重量
部； (B)イミド変性シリコン化合物 ０．１−１３重量部； (C)ノボラック型フェノール樹脂 ２．５−１５重量
部；及び (D)無機充填剤 ６０−８０重量部を含むことを特徴と
する半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】多官能エポキシ化合物は、エポキシ当量が
１８０−２４０であり、軟化点が６０−１１０℃であ
る、請求項１記載の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項３】多官能エポキシ化合物は、１分子中、少な
くとも二つのエポキシ基を含有するエポキシ樹脂であ
り、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキ
シ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、鎖状脂肪族
エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ
樹脂及びハロゲン化エポキシ樹脂中から選択される、請
求項１または２記載の半導体装置封止用エポキシ樹脂組
成物。 - 【請求項４】イミド変性シリコン化合物がアミン基を含
有したポリシロキサンとイミド化合物を反応させて製造
される、請求項１記載の半導体装置封止用エポキシ樹脂
組成物。 - 【請求項５】アミン基を含有したポリシロキサンが、ジ
メチルシリコン、メチルフェニルシリコン、エポキシ変
性シリコン、ジメチルフェニルシリコン、脂肪酸変性シ
リコン及びシリコン／ポリエーテル共重合体から選択さ
れる、請求項４記載の半導体装置封止用エポキシ樹脂組
成物。 - 【請求項６】イミド化合物が、Ｎ，Ｎ’−１，３−フェ
ニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４’−ジフェニ
ルメタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニ
ルエーテルビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４’−ジフ
ェニルスルホンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−３，４−ジ
フェニルスルホンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４’
−ジシクロヘキシルメタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−
４，４’−ジフェニルシクロヘキサンビスマレイミド、
Ｎ，Ｎ’−１，３−キシリレンビスマレイミド、２，
４’−ビスマレイミドトルエン、及び２，６−ビスマレ
イミドトルエンのようなビスマレイミド化合物から選択
される、請求項４記載の半導体樹脂封止用エポキシ樹脂
組成物。 - 【請求項７】ノボラック型フェノール樹脂が、フェノー
ルノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂及びテト
ラブチルフェノールノボラック樹脂から選択される、請
求項１記載の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880001572A KR910008560B1 (ko) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 |
| KR88-1572 | 1988-02-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02500315A JPH02500315A (ja) | 1990-02-01 |
| JPH066626B2 true JPH066626B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=19272256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1502464A Expired - Lifetime JPH066626B2 (ja) | 1988-02-15 | 1989-02-15 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0372017B1 (ja) |
| JP (1) | JPH066626B2 (ja) |
| KR (1) | KR910008560B1 (ja) |
| AT (1) | ATE129000T1 (ja) |
| DE (1) | DE68924521T2 (ja) |
| WO (1) | WO1989007627A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2643518B2 (ja) * | 1989-02-10 | 1997-08-20 | 東レ株式会社 | プリプレグ |
| US5180627A (en) * | 1990-11-30 | 1993-01-19 | Ube Industries, Ltd. | Heat resistant adhesive composition |
| KR960010844B1 (ko) * | 1991-07-11 | 1996-08-09 | 제일모직 주식회사 | 내열성이 향상된 반도체소자 밀봉용 수지조성물 |
| GB2279958B (en) * | 1993-07-13 | 1997-11-05 | Kobe Steel Europ Ltd | Siloxane-imide block copolymers for toughening epoxy resins |
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| CN102108184B (zh) * | 2009-12-24 | 2015-04-22 | 汉高股份有限及两合公司 | 一种环氧树脂组合物及其应用 |
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| CN110183823A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-08-30 | 苏州宇希新材料科技有限公司 | 一种高韧性环氧树脂组合物 |
| CN110183822A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-08-30 | 苏州宇希新材料科技有限公司 | 一种高韧性环氧树脂组合物的制备方法 |
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1988
- 1988-02-15 KR KR1019880001572A patent/KR910008560B1/ko not_active Expired
-
1989
- 1989-02-15 WO PCT/KR1989/000003 patent/WO1989007627A1/en not_active Ceased
- 1989-02-15 JP JP1502464A patent/JPH066626B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-15 DE DE68924521T patent/DE68924521T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-02-15 AT AT89902660T patent/ATE129000T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-02-15 EP EP89902660A patent/EP0372017B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-15 US US07/411,495 patent/US5041474A/en not_active Expired - Lifetime
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