JPH0666373B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0666373B2 JPH0666373B2 JP27678785A JP27678785A JPH0666373B2 JP H0666373 B2 JPH0666373 B2 JP H0666373B2 JP 27678785 A JP27678785 A JP 27678785A JP 27678785 A JP27678785 A JP 27678785A JP H0666373 B2 JPH0666373 B2 JP H0666373B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- processing chamber
- semiconductor manufacturing
- sample electrode
- clamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Warehouses Or Storage Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体製造装置に係り、特にウエハの縦型搬送
に好適な半導体製造装置に関する。
に好適な半導体製造装置に関する。
従来の装置は、特開昭５９−１０３４４１号に記載され
ているように、昇降機ブレード部材に設けられたウエハ
支えガイド溝がある。これはウエハを供給あるいは搬出
毎に上下動を繰返す必要があり、スループット面につい
て考慮されていなかった。
ているように、昇降機ブレード部材に設けられたウエハ
支えガイド溝がある。これはウエハを供給あるいは搬出
毎に上下動を繰返す必要があり、スループット面につい
て考慮されていなかった。
本発明の目的は、ウエハの表面に付着する異物を少なく
することのできる半導体製造装置を提供することにあ
る。
することのできる半導体製造装置を提供することにあ
る。
本発明は、縦型の試料電極を内設し内部が真空排気され
る処理室と、処理室の下部に試料電極のウエハ配置位置
とずれた位置に連通口を有するゲート手段を介して配設
され内部に複数のウエハを収納したカセットが配置され
るバッファ室と、バッファ室内と処理室内との間をゲー
ト手段の連通口を経て移動する第１の搬送手段と、第１
の搬送手段とのウエハ受渡し位置と試料電極のウエハ配
置位置との間を移動する第２の搬送手段とを具備した装
置とすることにより、ウエハを縦搬送および縦処理する
と共に、ウエハの試料電極面への配置位置をゲート手段
の連通口とずらして位置させているので、ウエハの表面
に付着する異物を少なくすることができる。
る処理室と、処理室の下部に試料電極のウエハ配置位置
とずれた位置に連通口を有するゲート手段を介して配設
され内部に複数のウエハを収納したカセットが配置され
るバッファ室と、バッファ室内と処理室内との間をゲー
ト手段の連通口を経て移動する第１の搬送手段と、第１
の搬送手段とのウエハ受渡し位置と試料電極のウエハ配
置位置との間を移動する第２の搬送手段とを具備した装
置とすることにより、ウエハを縦搬送および縦処理する
と共に、ウエハの試料電極面への配置位置をゲート手段
の連通口とずらして位置させているので、ウエハの表面
に付着する異物を少なくすることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図，第２図により説明す
る。
る。
本発明の装置は大きく、処理室１と、処理室１に隣接す
るバッファ室２との二真空室と、これを仕切るゲート弁
３と、処理室１およびバッフッファ室２を真空排気する
真空排気系14とより成る。処理室１内には、一対の縦型
電極（試料電極４，対向電極５とと、ウエハを保持する
クランプ６とが設けられ、処理室１外にクランプ６を大
気中より駆動するクランプ送り機構７と、クランプ６を
開閉させる開閉機構８とがある。この場合、クランプ
６，クランプ送り機構７および開閉機構８によりウエハ
着脱手段が構成される。なお、クランプ送り機構７およ
び開閉機構８は、この場合シリンダ方式としているが、
軸方向に移動可能なものであればこれに限る必要はな
い。一方、バッファ室２には、ウエハカセット９を積載
して移動するカセット送り機構10と、カセット９からウ
エハ11を取り出し搬送する押上手段であるウエハ押上機
構12が設けられている。カセット送り機構10およびウエ
ハ押上機構は公知技術より成る。
るバッファ室２との二真空室と、これを仕切るゲート弁
３と、処理室１およびバッフッファ室２を真空排気する
真空排気系14とより成る。処理室１内には、一対の縦型
電極（試料電極４，対向電極５とと、ウエハを保持する
クランプ６とが設けられ、処理室１外にクランプ６を大
気中より駆動するクランプ送り機構７と、クランプ６を
開閉させる開閉機構８とがある。この場合、クランプ
６，クランプ送り機構７および開閉機構８によりウエハ
着脱手段が構成される。なお、クランプ送り機構７およ
び開閉機構８は、この場合シリンダ方式としているが、
軸方向に移動可能なものであればこれに限る必要はな
い。一方、バッファ室２には、ウエハカセット９を積載
して移動するカセット送り機構10と、カセット９からウ
エハ11を取り出し搬送する押上手段であるウエハ押上機
構12が設けられている。カセット送り機構10およびウエ
ハ押上機構は公知技術より成る。
ここで、クランプ６により保持され試料電極４に載置さ
れたウエハ13は、処理終了後、クランプ送り機構７によ
りＢからＣの位置まで搬送される。次に、ウエハ押上機
構12が、カセット９内からａの溝に新しいウエハ11をの
せて、電極位置まで上昇し停止すると、開閉機構８が作
動してクランプ６が開き、処理されたウエハ13はｂの溝
に収納される。そして、開いたままのクランプ６がＣか
らＤの位置まで再度前進すると、開閉機構８が作動しク
ランプ６を閉じて新しいウエハ11を保持し、押上機構12
が下降し処理されたウエハ13をカセット９内に収納す
る。次に、送り機構７が後退し電極上にウエハを載置す
ることができる。
れたウエハ13は、処理終了後、クランプ送り機構７によ
りＢからＣの位置まで搬送される。次に、ウエハ押上機
構12が、カセット９内からａの溝に新しいウエハ11をの
せて、電極位置まで上昇し停止すると、開閉機構８が作
動してクランプ６が開き、処理されたウエハ13はｂの溝
に収納される。そして、開いたままのクランプ６がＣか
らＤの位置まで再度前進すると、開閉機構８が作動しク
ランプ６を閉じて新しいウエハ11を保持し、押上機構12
が下降し処理されたウエハ13をカセット９内に収納す
る。次に、送り機構７が後退し電極上にウエハを載置す
ることができる。
以上、本実施例によれば、押上機構によるウエハの縦搬
送および電極の縦型化さらに電極位置とゲート弁部の連
通口とをずらすことにより、ウエハ表面に付着する異物
を最小限にとどめることができる。また、ウエハ押上機
構に２つの溝を設けることにより、処理前，処理後のウ
エハを別々に載置できるので、ウエハ押上機構の一往復
で処理前，処理後のウエハを搬送処理でき、ウエハの交
換に要する時間を最小限におさえられ、装置のスループ
ットを向上できるという効果がある。
送および電極の縦型化さらに電極位置とゲート弁部の連
通口とをずらすことにより、ウエハ表面に付着する異物
を最小限にとどめることができる。また、ウエハ押上機
構に２つの溝を設けることにより、処理前，処理後のウ
エハを別々に載置できるので、ウエハ押上機構の一往復
で処理前，処理後のウエハを搬送処理でき、ウエハの交
換に要する時間を最小限におさえられ、装置のスループ
ットを向上できるという効果がある。
本発明によれば、ウエハを縦搬送および縦姿勢処理を可
能とすると共に、ウエハの試料電極面への配置位置をゲ
ート手段の連通口とずらして位置させているので、ウエ
ハの表面に付着する異物を少なくすることができるとい
う効果がある。
能とすると共に、ウエハの試料電極面への配置位置をゲ
ート手段の連通口とずらして位置させているので、ウエ
ハの表面に付着する異物を少なくすることができるとい
う効果がある。
第１図は本発明の一実施例である半導体製造装置を示す
縦断面図、第２図は第１図をＡ−Ａから見た平断面図で
ある。 １……処理室、２……バッファ室、３……ゲート弁、４
……試料電極、５……対向電極、６……クランプ、７…
…クランプ送り機構、８……開閉機構、９……ウエハカ
セット、10……カセット送り機構、11……ウエハ、12…
…ウエハ押上機構、13……ウエハ、14……真空排気系
縦断面図、第２図は第１図をＡ−Ａから見た平断面図で
ある。 １……処理室、２……バッファ室、３……ゲート弁、４
……試料電極、５……対向電極、６……クランプ、７…
…クランプ送り機構、８……開閉機構、９……ウエハカ
セット、10……カセット送り機構、11……ウエハ、12…
…ウエハ押上機構、13……ウエハ、14……真空排気系
Claims (1)
- 【請求項１】縦型の試料電極を内設し内部が真空排気さ
れる処理室と、前記処理室の下部に前記試料電極のウエ
ハ配置位置とずれた位置に連通口を有するゲート手段を
介して配設され内部に複数のウエハを収納したカセット
が配置されるバッファ室と、前記バッファ室内と前記処
理室内との間を前記ゲート手段の連通口を経て移動する
第１の搬送手段と、前記第１の搬送手段とのウエハ受渡
し位置と前記試料電極のウエハ配置位置との間を移動す
る第２の搬送手段とを具備したことを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27678785A JPH0666373B2 (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27678785A JPH0666373B2 (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136846A JPS62136846A (ja) | 1987-06-19 |
| JPH0666373B2 true JPH0666373B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=17574367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27678785A Expired - Lifetime JPH0666373B2 (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666373B2 (ja) |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP27678785A patent/JPH0666373B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62136846A (ja) | 1987-06-19 |
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