JPH0666471B2 - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
- Publication number
- JPH0666471B2 JPH0666471B2 JP60085233A JP8523385A JPH0666471B2 JP H0666471 B2 JPH0666471 B2 JP H0666471B2 JP 60085233 A JP60085233 A JP 60085233A JP 8523385 A JP8523385 A JP 8523385A JP H0666471 B2 JPH0666471 B2 JP H0666471B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- layer
- light
- shielding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は薄膜トランジスタ、特にその遮光層に関す
る。
る。
（従来の技術） 薄膜トランジスタは主として液晶表示パネルのアクティ
ブマトリックス用のスイッチング素子として用いられて
いる。この薄膜トランジスタ（以下TFTと称する場合が
る）は、一般にはその能動層をアモルファスシリコン
（以下ａ−Siと称する場合がある）で形成している。
ブマトリックス用のスイッチング素子として用いられて
いる。この薄膜トランジスタ（以下TFTと称する場合が
る）は、一般にはその能動層をアモルファスシリコン
（以下ａ−Siと称する場合がある）で形成している。
液晶表示パネル透過型で用いられる場合が多く、そのた
め外光がａ−SiTFTを照射する。ａ−SiTFTは強い光を受
けると、そのオフ抵抗が小さくなるため、このスイッチ
ング素子で液晶駆動する場合、コントラスト比が低下し
てしまうという問題があった。
め外光がａ−SiTFTを照射する。ａ−SiTFTは強い光を受
けると、そのオフ抵抗が小さくなるため、このスイッチ
ング素子で液晶駆動する場合、コントラスト比が低下し
てしまうという問題があった。
従来は、この問題の解決を図るため、文献「ジャパン
ディスプレイ（JAPAN DISPLAY）」'83（社団法人 デレ
ビジョン学会（ITEJ）共催の講演予稿集）に開示されて
いるように、ａ−SiTFTのチャンネル上に光シールド用
の遮光層を設けた構造の薄膜トランジスタが提案されて
いる。
ディスプレイ（JAPAN DISPLAY）」'83（社団法人 デレ
ビジョン学会（ITEJ）共催の講演予稿集）に開示されて
いるように、ａ−SiTFTのチャンネル上に光シールド用
の遮光層を設けた構造の薄膜トランジスタが提案されて
いる。
第７図はこのようなアモルファスシリコン薄膜トランジ
スタを含む液晶表示パネルの一画素の要部を概略的に示
す断面図であり、70はａ−SiTFT、71はガラス基板、72
はこのガラス基板71上に設けたゲート電極、73はゲート
電極72を覆うようにガラス基板71上に設けた例えばSiO2
のようなゲート絶縁膜、74は能動層であるａ−Si層、75
はソース及びドレイン電極との電気的接触を良好にする
ための低抵抗層であるn+型ａ−Si層、76及び77はソース
電極及びドレイン電極である。
スタを含む液晶表示パネルの一画素の要部を概略的に示
す断面図であり、70はａ−SiTFT、71はガラス基板、72
はこのガラス基板71上に設けたゲート電極、73はゲート
電極72を覆うようにガラス基板71上に設けた例えばSiO2
のようなゲート絶縁膜、74は能動層であるａ−Si層、75
はソース及びドレイン電極との電気的接触を良好にする
ための低抵抗層であるn+型ａ−Si層、76及び77はソース
電極及びドレイン電極である。
さらに、78はチャンネル上に設けた遮光層であり、この
従来の薄膜トランジスタの遮光層78は金属層で形成して
いるので、ソース及びドレイン電極76及び77上に絶縁性
のパッシベーション層79を設けた後に、この遮光層を設
け、その上にこれを保護する目的で再度パッシベーショ
ン層79を積層している。尚、80はアース電極、81は表示
電極、82は例えばSiO2のような保護層であり、パッシベ
ーション層79及び保護層82の上側に液晶層、共通電極を
具えたガラス基板及びその他の液晶表示パネルに必要な
構成成分（それぞれ図示を省略してある）が設けられて
いる。
従来の薄膜トランジスタの遮光層78は金属層で形成して
いるので、ソース及びドレイン電極76及び77上に絶縁性
のパッシベーション層79を設けた後に、この遮光層を設
け、その上にこれを保護する目的で再度パッシベーショ
ン層79を積層している。尚、80はアース電極、81は表示
電極、82は例えばSiO2のような保護層であり、パッシベ
ーション層79及び保護層82の上側に液晶層、共通電極を
具えたガラス基板及びその他の液晶表示パネルに必要な
構成成分（それぞれ図示を省略してある）が設けられて
いる。
この薄膜トランジスタに液晶層側から外光83を照射して
も、上述した遮光層78が外光をさえぎり、このためチャ
ンネルには外光が当らないため、上述の文献によれば、
３×105ルクス（Lx）の光照射の下でも、暗中と同じコ
ントラスト比が達成されたと報告されている。
も、上述した遮光層78が外光をさえぎり、このためチャ
ンネルには外光が当らないため、上述の文献によれば、
３×105ルクス（Lx）の光照射の下でも、暗中と同じコ
ントラスト比が達成されたと報告されている。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述した従来構造のａ−SiTFTでは遮光
層を金属材料で形成している。これがため、ソース及び
ドレイン電極間の短絡を防ぎかつ遮光層を保護するため
に二回の工程によりパッシベーション層を形成しなけれ
ばならず、さらには、遮光層の蒸着、パターニング等の
工程が必要となる。このように、従来の薄膜トランジス
タはその製造に当り、工程が複雑となるという欠点があ
った。
層を金属材料で形成している。これがため、ソース及び
ドレイン電極間の短絡を防ぎかつ遮光層を保護するため
に二回の工程によりパッシベーション層を形成しなけれ
ばならず、さらには、遮光層の蒸着、パターニング等の
工程が必要となる。このように、従来の薄膜トランジス
タはその製造に当り、工程が複雑となるという欠点があ
った。
この発明の目的は、従来の遮光特性を劣化することな
く、製造工程を簡略化することが出来る構造の薄膜トラ
ンジスタを提供することにある。
く、製造工程を簡略化することが出来る構造の薄膜トラ
ンジスタを提供することにある。
（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明の薄膜トランジス
タによれば、遮光膜を非晶質炭素薄膜で形成する。
タによれば、遮光膜を非晶質炭素薄膜で形成する。
この場合、この非晶質炭素薄膜の光学的バンドギャップ
を0eVの場合を含む1.0eV以下の値とするのが好適であ
る。
を0eVの場合を含む1.0eV以下の値とするのが好適であ
る。
さらに、この非晶質炭素薄膜は、原料である炭化水素ガ
ス（CnHm）（但し、n,mは正の整数）に対してB2H6を流
量比で100〜10000ppm添加して成膜した薄膜とするのが
好適であり、特にこの流量比を1000〜3000ppmとするの
が良い。
ス（CnHm）（但し、n,mは正の整数）に対してB2H6を流
量比で100〜10000ppm添加して成膜した薄膜とするのが
好適であり、特にこの流量比を1000〜3000ppmとするの
が良い。
（作用） この発明の遮光層として用いるアモルファス炭素（ａ−
Ｃ）薄膜は成膜条件によってその物性が大きく変化する
ことが知られている。そこで、この出願に係る発明者等
はａ−Ｃ薄膜の光学的バンドギャップ、暗導電率等の物
性を調べた。この場合のａ−Ｃ薄膜はアセチレンガス
（C2H2）を原料とし、その成膜条件は水素ガスで10％に
希釈されたアセチレンガスを80cc／minの流量で通常
の、電極径が90mmのプラズマCVD装置に導入し、基板温
度を200℃とし、周波数13.56MHzで10〜160WのRF電力で
成膜して得たものである。
Ｃ）薄膜は成膜条件によってその物性が大きく変化する
ことが知られている。そこで、この出願に係る発明者等
はａ−Ｃ薄膜の光学的バンドギャップ、暗導電率等の物
性を調べた。この場合のａ−Ｃ薄膜はアセチレンガス
（C2H2）を原料とし、その成膜条件は水素ガスで10％に
希釈されたアセチレンガスを80cc／minの流量で通常
の、電極径が90mmのプラズマCVD装置に導入し、基板温
度を200℃とし、周波数13.56MHzで10〜160WのRF電力で
成膜して得たものである。
第４図は上述した成膜条件で得られたａ−Ｃ薄膜の光学
的バンドギャップ（Eg）（曲線Ｉで示す）及び成膜速度
（Å／sec）（曲線IIで示す）のRF電力依存特性を示す
曲線図、第５図は暗導電率（Ｉ／Ωcm）のRF電極依存特
性を示す曲線図、第６図は上述した成膜条件で原料ガス
にB2H6を添加した時のａ−Ｃ成膜のドーピング特性を示
す曲線図である。
的バンドギャップ（Eg）（曲線Ｉで示す）及び成膜速度
（Å／sec）（曲線IIで示す）のRF電力依存特性を示す
曲線図、第５図は暗導電率（Ｉ／Ωcm）のRF電極依存特
性を示す曲線図、第６図は上述した成膜条件で原料ガス
にB2H6を添加した時のａ−Ｃ成膜のドーピング特性を示
す曲線図である。
この実験結果から理解出来るように、RF電力を160Wとし
て作製したａ−Ｃ薄膜は、光学的エネルギーギャップ
（Eg）は約0.8eVであり（第４図）、760nmでの吸収係数
は4.0×104cm-1となり、それ以下の波長に対して吸収係
数は急激に増加するので、遮光効果が増大する。
て作製したａ−Ｃ薄膜は、光学的エネルギーギャップ
（Eg）は約0.8eVであり（第４図）、760nmでの吸収係数
は4.0×104cm-1となり、それ以下の波長に対して吸収係
数は急激に増加するので、遮光効果が増大する。
また、RF電力を160Wとして作製したこのａ−Ｃ薄膜の暗
導電率は３×10-9／Ωcmであり、例えば光出力が300mW
／cm2の白色光をこの薄膜に照射した場合でも、光伝導
は観測されなかった。従って、この薄膜は高抵抗であ
り、リーク電流が流れる恐れがない。
導電率は３×10-9／Ωcmであり、例えば光出力が300mW
／cm2の白色光をこの薄膜に照射した場合でも、光伝導
は観測されなかった。従って、この薄膜は高抵抗であ
り、リーク電流が流れる恐れがない。
また、第６図に示すように、この条件で成膜するとき、
B2H6をC2H2に対し流量比すなわちガス組成比で1000ppm
程度添加すると、暗導電率はB2H6を添加しない場合に比
べてさらに１／５程度の６×10-10／Ωcm程度の値とな
る。
B2H6をC2H2に対し流量比すなわちガス組成比で1000ppm
程度添加すると、暗導電率はB2H6を添加しない場合に比
べてさらに１／５程度の６×10-10／Ωcm程度の値とな
る。
また、上述した条件で成膜されたａ−Ｃ薄膜はヌープ硬
度で1700Kpa／mm2程度の非常に硬い膜であり、かつ、耐
酸性及び耐アルカリ性に優れていることが分った。
度で1700Kpa／mm2程度の非常に硬い膜であり、かつ、耐
酸性及び耐アルカリ性に優れていることが分った。
以上のａ−Ｃ薄膜の物性から、このａ−Ｃ薄膜は薄膜ト
ランジスタの遮光層として用いて好適であることが理解
出来る。
ランジスタの遮光層として用いて好適であることが理解
出来る。
従って、このａ−Ｃ薄膜を遮光層として形成する場合に
は、フォトリソ、エッチング等の工程を必要とせずに、
同一プラズマCVD装置でａ−Ｃ薄膜及びパッシベーショ
ン層を一工程で連続形成出来、またａ−Ｃ薄膜が高抵抗
であるので場合によってはパッシベーション層を省略す
ることも出来る。
は、フォトリソ、エッチング等の工程を必要とせずに、
同一プラズマCVD装置でａ−Ｃ薄膜及びパッシベーショ
ン層を一工程で連続形成出来、またａ−Ｃ薄膜が高抵抗
であるので場合によってはパッシベーション層を省略す
ることも出来る。
（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の実施例について説明
する。尚、これら図は液晶表示パネルの一画素部分の要
部を構成する、主としてスイッチング素子としての薄膜
トランジスタを概略的に示す断面図であり、第７図に示
した構成成分と同一の構成成分には同一の符合を付して
示し、その詳細な説明を省略する。また、断面を示すハ
ッチング等は一部分を除き省略する。
する。尚、これら図は液晶表示パネルの一画素部分の要
部を構成する、主としてスイッチング素子としての薄膜
トランジスタを概略的に示す断面図であり、第７図に示
した構成成分と同一の構成成分には同一の符合を付して
示し、その詳細な説明を省略する。また、断面を示すハ
ッチング等は一部分を除き省略する。
第一実施例 第１図はこの発明の薄膜トランジスタの一実施例を示
す。
す。
10はこの発明の薄膜トランジスタでこの場合には能動層
74をａ−Siで形成したａ−SiTFTとする。この実施例で
は、ソース及びドレイン電極76及び77の形成後、通常の
パッシベーション層79をａ−SiOxまたはａ−SiNx等で形
成し、然る後、ａ−Ｃ遮光層12を被着形成した構造とな
っている。
74をａ−Siで形成したａ−SiTFTとする。この実施例で
は、ソース及びドレイン電極76及び77の形成後、通常の
パッシベーション層79をａ−SiOxまたはａ−SiNx等で形
成し、然る後、ａ−Ｃ遮光層12を被着形成した構造とな
っている。
この構造では、パッシベーション膜79及び遮光層12をプ
ラズマCVD法により形成するとすれば、パッシベーショ
ン層79と遮光層12とを、同一のプラズマCVD装置におい
て原料ガスを変えるだけで一工程で成長させることが出
来る。例えばパッシベーション層79をａ−SiOxとした場
合には、原料ガスをSiHx＋N2OからC2H2＋H2に変えるだ
けで遮光層12をパッシベーション層79上に一工程で連続
して形成することが出来る。これらの層の形成後、表示
電極81上の不要部分をプラズマエッチングにより除去す
れば良い。
ラズマCVD法により形成するとすれば、パッシベーショ
ン層79と遮光層12とを、同一のプラズマCVD装置におい
て原料ガスを変えるだけで一工程で成長させることが出
来る。例えばパッシベーション層79をａ−SiOxとした場
合には、原料ガスをSiHx＋N2OからC2H2＋H2に変えるだ
けで遮光層12をパッシベーション層79上に一工程で連続
して形成することが出来る。これらの層の形成後、表示
電極81上の不要部分をプラズマエッチングにより除去す
れば良い。
また、10W程度の低電力で作製したａ−Ｃ層でも、第５
図からも明らかなように、５×10-14／Ωcmと高抵抗で
あるので、この構造において、パッシベーション層79を
低電力で作製したａ−Ｃ層で形成する場合には、原料ガ
スの切換えを行わずにパッシベーション層79と遮光層12
とを一工程で連続形成することが出来、ソース電極及び
ドレイン電極間でリーク電流が流れる恐れもない。
図からも明らかなように、５×10-14／Ωcmと高抵抗で
あるので、この構造において、パッシベーション層79を
低電力で作製したａ−Ｃ層で形成する場合には、原料ガ
スの切換えを行わずにパッシベーション層79と遮光層12
とを一工程で連続形成することが出来、ソース電極及び
ドレイン電極間でリーク電流が流れる恐れもない。
この構造によれば、従来のように遮光層のための金属層
の蒸着、フォトリソ工程及びパッシベーション層の再度
の形成等の工程が不要となり、従って製造工程が非常に
簡単となる。
の蒸着、フォトリソ工程及びパッシベーション層の再度
の形成等の工程が不要となり、従って製造工程が非常に
簡単となる。
第二実施例 第２図はこの発明の薄膜トランジスタの第二実施例を示
す断面図である。この実施例では、パッシベーション層
を設けずに遮光層12を設け、この遮光層12にパッシベー
ション層の役割をもたせた構造となっている他は第１図
に示した構造と変わらない。この場合、例えば、ａ−Ｃ
遮光層を160WのRF電力で１μｍの膜厚として作製したと
し、また、薄膜トランジスタ10のゲート長が10μｍ及び
ゲート幅が100μｍであるとすると、ａ−Ｃ遮光層12を
通して流れるリーク電流はVDS＝10Vで３×10-11Aとな
り、液晶駆動の場合必要とされるオフ電流レベル（0.1n
A）より１桁程度小さい値であるので問題とならない。
す断面図である。この実施例では、パッシベーション層
を設けずに遮光層12を設け、この遮光層12にパッシベー
ション層の役割をもたせた構造となっている他は第１図
に示した構造と変わらない。この場合、例えば、ａ−Ｃ
遮光層を160WのRF電力で１μｍの膜厚として作製したと
し、また、薄膜トランジスタ10のゲート長が10μｍ及び
ゲート幅が100μｍであるとすると、ａ−Ｃ遮光層12を
通して流れるリーク電流はVDS＝10Vで３×10-11Aとな
り、液晶駆動の場合必要とされるオフ電流レベル（0.1n
A）より１桁程度小さい値であるので問題とならない。
このリーク電流をさらに少なくするためには、第６図に
示すように、ａ−Ｃ成膜時にB2H6を添加すれば良いこと
が分る。すなわち、第６図は横軸に流量比としての組成
比をPH3／C2H2（ｎ型）とB2H6／C2H2（ｐ型）とにつき
取って示し、縦軸に暗導電率を取って示した図である。
この図から、B2H6の添加量をC2H2に対して流量比で100
〜10000ppmの範囲内とすれば高抵抗であり、パッシベー
ション層を兼ねた遮光層として利用出来、特にこの流量
比を1000〜3000ppmとすると、暗導電率が〜10-10Ωcmと
なり、その時のリーク電流は６×10-12A程度以下と小さ
くなり好適である。
示すように、ａ−Ｃ成膜時にB2H6を添加すれば良いこと
が分る。すなわち、第６図は横軸に流量比としての組成
比をPH3／C2H2（ｎ型）とB2H6／C2H2（ｐ型）とにつき
取って示し、縦軸に暗導電率を取って示した図である。
この図から、B2H6の添加量をC2H2に対して流量比で100
〜10000ppmの範囲内とすれば高抵抗であり、パッシベー
ション層を兼ねた遮光層として利用出来、特にこの流量
比を1000〜3000ppmとすると、暗導電率が〜10-10Ωcmと
なり、その時のリーク電流は６×10-12A程度以下と小さ
くなり好適である。
この第二実施例の構造においては、パッシベーション層
を成膜する工程を省略出来るので、工程が簡単となる。
を成膜する工程を省略出来るので、工程が簡単となる。
第三実施例 第３図はスタガー型ａ−SiTFTにａ−Ｃ遮光層12を設け
た実施例を示す。この場合には、遮光層12をガラス基板
上に設けた構造となっているが、上述した各実施例と同
様の効果を得ることが出来る。
た実施例を示す。この場合には、遮光層12をガラス基板
上に設けた構造となっているが、上述した各実施例と同
様の効果を得ることが出来る。
この発明は上述した実施例にのみ限定されるものではな
いこと明らかである。例えば上述の各実施例では能動層
をａ−Si層としたが、ａ−Siと、窒素、酸素、炭素、ゲ
ルマニウム等から選らばれた一種以上との化合物で形成
しても良いし、マイクロクリスタルSiを用いても良い。
いこと明らかである。例えば上述の各実施例では能動層
をａ−Si層としたが、ａ−Siと、窒素、酸素、炭素、ゲ
ルマニウム等から選らばれた一種以上との化合物で形成
しても良いし、マイクロクリスタルSiを用いても良い。
また、遮光特性をもたせるため、ａ−Ｃ薄膜の光学的バ
ンドギャップは1.0eV以下であれば良く、0eVであっても
良い。
ンドギャップは1.0eV以下であれば良く、0eVであっても
良い。
ａ−Ｃ薄膜の形成に原料ガスとしてC2H2を例にとって説
明したが、ａ−Ｃ膜が形成出来る炭化水素（CnHm、但し
n,mともに正の整数）であれば良い。
明したが、ａ−Ｃ膜が形成出来る炭化水素（CnHm、但し
n,mともに正の整数）であれば良い。
さらに、この薄膜トランジスタは液晶表示パネル以外の
ディバイスに用いられるものであっても良く、また、遮
光層を具える構造のものであれば、他の部分の構成は問
わずこの発明を適用することが出来る。
ディバイスに用いられるものであっても良く、また、遮
光層を具える構造のものであれば、他の部分の構成は問
わずこの発明を適用することが出来る。
（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の薄膜ト
ランジスタによれば、ａ−Ｃ薄膜を遮光層として使用す
るのであるから、フォトリソ、エッチング工程が必要と
ならず、従来の金属遮光層を具える薄膜トランジスタの
場合に比べて薄膜トランジスタの製造工程が簡単かつ容
易となる。
ランジスタによれば、ａ−Ｃ薄膜を遮光層として使用す
るのであるから、フォトリソ、エッチング工程が必要と
ならず、従来の金属遮光層を具える薄膜トランジスタの
場合に比べて薄膜トランジスタの製造工程が簡単かつ容
易となる。
さらに、ａ−Ｃ薄膜を高抵抗層として形成することが出
来、しかも、硬度、耐酸性及び耐アルカリ性等も優れて
いるので、遮光のみならず、パッシベーション層として
の役割を兼用させることが出来、従って、所要に応じて
従来のパッシベーション膜を省略することも出来、工程
が簡単となる。
来、しかも、硬度、耐酸性及び耐アルカリ性等も優れて
いるので、遮光のみならず、パッシベーション層として
の役割を兼用させることが出来、従って、所要に応じて
従来のパッシベーション膜を省略することも出来、工程
が簡単となる。
第１図〜第３図はこの発明の薄膜トランジスタの実施例
を説明するための、液晶表示パネルの要部を示す断面
図、 第４図〜第６図はこの発明の説明に供するａ−Ｃ薄膜の
特性曲線図、 第７図は従来の薄膜トランジスタを説明するための、液
晶表示パネルの要部を示す断面図である。 10……薄膜トランジスタ、12……ａ−Ｃ遮光膜 71……ガラス基板、72……ゲート電極 73……ゲート絶縁膜、74……能動層 75……低抵抗層、76……ソース電極 77……ドレイン電極 79……パッシベーション層 80……アース電極、81……表示電極 82……保護膜。
を説明するための、液晶表示パネルの要部を示す断面
図、 第４図〜第６図はこの発明の説明に供するａ−Ｃ薄膜の
特性曲線図、 第７図は従来の薄膜トランジスタを説明するための、液
晶表示パネルの要部を示す断面図である。 10……薄膜トランジスタ、12……ａ−Ｃ遮光膜 71……ガラス基板、72……ゲート電極 73……ゲート絶縁膜、74……能動層 75……低抵抗層、76……ソース電極 77……ドレイン電極 79……パッシベーション層 80……アース電極、81……表示電極 82……保護膜。
Claims (3)
- 【請求項１】能動層と、ゲート電極と、ソース電極と、
ドレイン電極と、遮光層とを具える薄膜トランジスタに
おいて、 該遮光膜を非晶質炭素薄膜で形成したことを特徴とする
薄膜トランジスタ。 - 【請求項２】非晶質炭素薄膜の光学的バンドギャップは
0eVまたは0eV以外の1.0eV以下の値であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の薄膜トランジスタ。 - 【請求項３】非晶質炭素薄膜は、原料である炭化水素ガ
ス（CnHm）（但し、n,mは正の整数）に対してB2H6を100
〜10000ppm添加して得られた薄膜とすることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60085233A JPH0666471B2 (ja) | 1985-04-20 | 1985-04-20 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60085233A JPH0666471B2 (ja) | 1985-04-20 | 1985-04-20 | 薄膜トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61244068A JPS61244068A (ja) | 1986-10-30 |
| JPH0666471B2 true JPH0666471B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=13852843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60085233A Expired - Lifetime JPH0666471B2 (ja) | 1985-04-20 | 1985-04-20 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666471B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63157476A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ |
| EP0327336B1 (en) * | 1988-02-01 | 1997-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic devices incorporating carbon films |
| DE3809092A1 (de) * | 1988-03-18 | 1989-09-28 | Graetz Nokia Gmbh | Duennschichttransistor mit lichtschutz aus amorphem kohlenstoff und verfahren zur herstellung des lichtschutzes |
| US5076670A (en) * | 1989-10-13 | 1991-12-31 | Hughes Aircraft Company | Isolated pixel liquid crystal light valve structure |
| JPH07112053B2 (ja) * | 1990-04-13 | 1995-11-29 | 富士ゼロックス株式会社 | 薄膜スイッチング素子アレイ |
| JPH05216060A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 空間光変調素子及びその製造方法 |
| EP0856592A1 (en) * | 1997-02-04 | 1998-08-05 | N.V. Bekaert S.A. | A coating comprising layers of diamond like carbon and diamond like nanocomposite compositions |
| DE69803365T2 (de) | 1997-02-04 | 2002-10-31 | N.V. Bekaert S.A., Zwevegem | Beschichtung enthaltend filme aus diamantartigem kohlenstoff und diamantartigem nanokomposit |
| US6927826B2 (en) | 1997-03-26 | 2005-08-09 | Semiconductor Energy Labaratory Co., Ltd. | Display device |
| JPH10268360A (ja) | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JPH11307782A (ja) | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US6475836B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR101343293B1 (ko) * | 2010-04-30 | 2013-12-18 | 샤프 가부시키가이샤 | 회로 기판 및 표시 장치 |
| CN105575819A (zh) * | 2016-02-26 | 2016-05-11 | 华南理工大学 | 一种顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
-
1985
- 1985-04-20 JP JP60085233A patent/JPH0666471B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61244068A (ja) | 1986-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6329672B1 (en) | Thin film transistor having a second gate metal layer preventing formation of hillocks | |
| KR100257158B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
| US7323371B2 (en) | Deposition method of insulating layers having low dielectric constant of semiconductor device, a thin film transistor substrate using the same and a method of manufacturing the same | |
| US5061648A (en) | Method of fabricating a thin-film transistor | |
| KR101675114B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| US5071779A (en) | Method for producing a silicon thin film transistor | |
| KR100338125B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| US6746905B1 (en) | Thin film transistor and manufacturing process therefor | |
| JPH0666471B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH0990405A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH1041519A (ja) | 液晶表示装置の製造方法及びその製造方法による液晶表示装置 | |
| US5719078A (en) | Method for making a thin film transistor panel used in a liquid crystal display having a completely self-aligned thin film transistor | |
| KR100343307B1 (ko) | 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR20140064040A (ko) | 표시 기판 및 이의 제조 방법 | |
| US6043113A (en) | Method of forming self-aligned thin film transistor | |
| JPH04360583A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH01309378A (ja) | 薄膜半導体素子 | |
| KR100483522B1 (ko) | 이중게이트절연막을갖는박막트랜지스터액정표시장치및그제조방법 | |
| JPH0564862B2 (ja) | ||
| JPS60111472A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08181319A (ja) | 薄膜トランジスタとその製造方法 | |
| KR100490041B1 (ko) | 액정표시장치용박막트랜지스터및제조방법 | |
| KR20040050768A (ko) | 구동회로 일체형 액정표시장치용 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR100790934B1 (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JPH0277159A (ja) | 薄膜半導体素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |