JPH0667408A - 位相シフトマスクの白欠陥修正方法 - Google Patents
位相シフトマスクの白欠陥修正方法Info
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- JPH0667408A JPH0667408A JP22275192A JP22275192A JPH0667408A JP H0667408 A JPH0667408 A JP H0667408A JP 22275192 A JP22275192 A JP 22275192A JP 22275192 A JP22275192 A JP 22275192A JP H0667408 A JPH0667408 A JP H0667408A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフトマスクのシフター材の欠落部を修
正する。 【構成】 白欠陥部の酸発生剤に電離放射線によって酸
（Ｈ+ ）を発生させるか、もしくＨ+ のイオンビームを
照射して酸を発生させ、発生した酸に水を吸着させた後
に、吸着した水と有機ケイ素化合物をＣＶＤ法によって
反応させて、欠落部にシフター材（ＳｉＯ2 ）を堆積さ
せる。 【効果】 修正していない部分と同等の特性のシフター
が形成できる。
正する。 【構成】 白欠陥部の酸発生剤に電離放射線によって酸
（Ｈ+ ）を発生させるか、もしくＨ+ のイオンビームを
照射して酸を発生させ、発生した酸に水を吸着させた後
に、吸着した水と有機ケイ素化合物をＣＶＤ法によって
反応させて、欠落部にシフター材（ＳｉＯ2 ）を堆積さ
せる。 【効果】 修正していない部分と同等の特性のシフター
が形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の
高密度集積回路の製造に用いられる位相シフトマスクの
製造において、位相シフトマスクのシフター層および透
明基板上の白欠陥の修正方法に関する。
高密度集積回路の製造に用いられる位相シフトマスクの
製造において、位相シフトマスクのシフター層および透
明基板上の白欠陥の修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】位相シフトマスクのシフターの黒欠陥の
修正は、集束イオンビーム（ＦＩＢ）やレーザービーム
等で余分のシフターを除去することで可能であるが、シ
フターの白欠陥すなわち、シフターの必要な部分にシフ
ターが形成されないという欠陥の場合には、従来のクロ
ムマスクでの白欠陥修正のように精度良くシフター材を
堆積させることは困難であることから、現在のところ確
立した白欠陥修正方法はなしに等しい。
修正は、集束イオンビーム（ＦＩＢ）やレーザービーム
等で余分のシフターを除去することで可能であるが、シ
フターの白欠陥すなわち、シフターの必要な部分にシフ
ターが形成されないという欠陥の場合には、従来のクロ
ムマスクでの白欠陥修正のように精度良くシフター材を
堆積させることは困難であることから、現在のところ確
立した白欠陥修正方法はなしに等しい。
【０００３】白欠陥修正技術は、例えば特開平３−２５
９１４７号がある。これはシフター層形成前に、クロム
パターン上に位相が１８０度反転する平坦化層を設け、
その上にシフター層を形成させる。次にこのマスクのシ
フター欠陥部を平坦化層までエッチングすることによ
り、シフター層と同位相にするという修正方法もある
が、シフター層を２回成膜しているので、工程数が増
え、複雑になるという問題がある。
９１４７号がある。これはシフター層形成前に、クロム
パターン上に位相が１８０度反転する平坦化層を設け、
その上にシフター層を形成させる。次にこのマスクのシ
フター欠陥部を平坦化層までエッチングすることによ
り、シフター層と同位相にするという修正方法もある
が、シフター層を２回成膜しているので、工程数が増
え、複雑になるという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、位相シフト
マスクの製造において生じた白欠陥を精度良く修正する
ことが可能な白欠陥の修正方法を提供するものである。
マスクの製造において生じた白欠陥を精度良く修正する
ことが可能な白欠陥の修正方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題に
鑑み、シフター層の白欠陥に精度良くシフター材を堆積
させることを鋭意検討した結果、白欠陥部の酸発生剤に
電離放射線によって酸（Ｈ+ ）を発生させるか、もしく
はＨ+ のイオンビームを照射して酸を発生させ、発生し
た酸に水を吸着させた後に、吸着した水と有機ケイ素化
合物をＣＶＤ法によって反応させて、欠落部にシフター
材（ＳｉＯ2 ）を堆積させることによって、高精度に白
欠陥を修正できることをみいだし、かかる知見に基ずい
て本発明を完成させたものである。
鑑み、シフター層の白欠陥に精度良くシフター材を堆積
させることを鋭意検討した結果、白欠陥部の酸発生剤に
電離放射線によって酸（Ｈ+ ）を発生させるか、もしく
はＨ+ のイオンビームを照射して酸を発生させ、発生し
た酸に水を吸着させた後に、吸着した水と有機ケイ素化
合物をＣＶＤ法によって反応させて、欠落部にシフター
材（ＳｉＯ2 ）を堆積させることによって、高精度に白
欠陥を修正できることをみいだし、かかる知見に基ずい
て本発明を完成させたものである。
【０００６】図１に本発明によるシフターの白欠陥修正
の工程を示す。図１（ａ）は、石英基板１上に、クロム
パターン２、シフターパターン３、エッチストッパー層
４を有するレベンソン型の位相シフトレチクルである。
図１（ａ）のようにシフター層３に白欠陥５が存在す
る。次に図１（ｂ）に示すように、欠陥部をエッチスト
ッパー層まで矩形にエッチングする。次に図１（ｃ）に
示すように、位相シフトレチクル上に、酸発生剤の含有
膜６をＬＢ法、ＯＭＢＤ法により、０．５〜１０ｎｍの
膜厚になるよう成膜する。ここで酸発生剤には、オルソ
ジアゾナフトキノン、１、１−ビス（ｐ−クロロフェニ
ル）−２，２，２−トリクロロエタン、１，２，５，
６，９，１０−ヘキサブロモシクロデカン、１，１０−
ジブロモデカン、１，１−ビス（ｐ−クロロフェニル）
−２，２−ジクロロエタン、４，４’−ジクロロ−２−
（トリクロロメチル）ベンズヒドロール、１，１−ビス
（クロロフェニル）２，２，２−トリクロロエタノール
またはヘキサクロロジメチルスルホン、およびその誘導
体等を用いる。次いで、図１（ｄ）に示すように、酸発
生層に常法に従ってアライメントを行い電子線露光装置
等の電離放射線７によって白欠陥部に描画すると、露光
部にＨ+ ８が発生する。次いで、図１（ｅ）に示すよう
に酸発生部に水（Ｈ2 Ｏ）９が吸着するので、ＣＶＤ装
置においてアルコキシシランガス１０との反応により図
１（ｆ）に示すように、露光部に選択的にＳｉＯ2 １１
が堆積し、正常なシフター層となる。この際、修正箇所
の膜厚が他の部分の膜厚と同じ厚さとなるように、水晶
振動子膜厚計などで成膜速度を測定し、形成されるＳｉ
Ｏ2 の膜厚を管理することが好ましい。
の工程を示す。図１（ａ）は、石英基板１上に、クロム
パターン２、シフターパターン３、エッチストッパー層
４を有するレベンソン型の位相シフトレチクルである。
図１（ａ）のようにシフター層３に白欠陥５が存在す
る。次に図１（ｂ）に示すように、欠陥部をエッチスト
ッパー層まで矩形にエッチングする。次に図１（ｃ）に
示すように、位相シフトレチクル上に、酸発生剤の含有
膜６をＬＢ法、ＯＭＢＤ法により、０．５〜１０ｎｍの
膜厚になるよう成膜する。ここで酸発生剤には、オルソ
ジアゾナフトキノン、１、１−ビス（ｐ−クロロフェニ
ル）−２，２，２−トリクロロエタン、１，２，５，
６，９，１０−ヘキサブロモシクロデカン、１，１０−
ジブロモデカン、１，１−ビス（ｐ−クロロフェニル）
−２，２−ジクロロエタン、４，４’−ジクロロ−２−
（トリクロロメチル）ベンズヒドロール、１，１−ビス
（クロロフェニル）２，２，２−トリクロロエタノール
またはヘキサクロロジメチルスルホン、およびその誘導
体等を用いる。次いで、図１（ｄ）に示すように、酸発
生層に常法に従ってアライメントを行い電子線露光装置
等の電離放射線７によって白欠陥部に描画すると、露光
部にＨ+ ８が発生する。次いで、図１（ｅ）に示すよう
に酸発生部に水（Ｈ2 Ｏ）９が吸着するので、ＣＶＤ装
置においてアルコキシシランガス１０との反応により図
１（ｆ）に示すように、露光部に選択的にＳｉＯ2 １１
が堆積し、正常なシフター層となる。この際、修正箇所
の膜厚が他の部分の膜厚と同じ厚さとなるように、水晶
振動子膜厚計などで成膜速度を測定し、形成されるＳｉ
Ｏ2 の膜厚を管理することが好ましい。
【０００７】ＣＶＤ法によるＨ+ 発生部分にＳｉＯ2 を
堆積させる方法は、大阪府立大（工）白井らにより、メ
タクリル酸エステルと１，２，３，４−テトラヒドロナ
フチリデンイミノ−ｐ−スチレンスルホナートとのラジ
カル共重合体を光照射して、Ｈ+ （酸）を発生させ、Ｃ
ＶＤ装置にてアルコキシシランガスに曝することによ
り、均一なＳｉＯ2膜が得られることが報告されている
（例えば、９１年第４０回高分子予稿集ｐ−３６９
７）。
堆積させる方法は、大阪府立大（工）白井らにより、メ
タクリル酸エステルと１，２，３，４−テトラヒドロナ
フチリデンイミノ−ｐ−スチレンスルホナートとのラジ
カル共重合体を光照射して、Ｈ+ （酸）を発生させ、Ｃ
ＶＤ装置にてアルコキシシランガスに曝することによ
り、均一なＳｉＯ2膜が得られることが報告されている
（例えば、９１年第４０回高分子予稿集ｐ−３６９
７）。
【０００８】本発明におけるＳｉＯ2 の成膜は、表面に
存在するＨ+ に水素結合に起因する静電引力によって水
（Ｈ2 Ｏ）が選択的に吸着するものと考えられる。そし
て、Ｈ+ および水（Ｈ2 Ｏ）存在下においてアルコキシ
シランガスが次式のように反応してＳｉＯ2 を析出す
る。 ｎＳｉ（ＯＲ）4 ＋４ｎＨ2 Ｏ → ｎＳｉ（ＯＨ）4 ＋４ｎＲＯ ｎＳｉ（ＯＨ）4 → ｎＳｉＯ2 ＋２ｎＨ2 Ｏ また、Ｈ+を発生させる方法は、酸発生剤に代えてＨ+
のイオンビームを用いて白欠陥部に直接Ｈ+ を打ち込む
方法でも良い。その工程を図２に示す。図２（ａ）は、
シフターに白欠陥を有する位相シフトレチクル（レベン
ソン型）２１である。この基板を図２（ｂ）に示すよう
に白欠陥部にＨ+ イオンビーム２２を照射して、Ｈ+ 層
を形成する。次いで、図２（ｃ）に示すようにＣＶＤ装
置に移し、Ｈ2 Ｏ圧力約１０-1ｔｏｒｒとし、アルコキ
シシランガス２３を流しながら反応をさせると、図２
（ｃ）に示すようにＳｉＯ2 ２４が堆積し、シフター層
が修正される。
存在するＨ+ に水素結合に起因する静電引力によって水
（Ｈ2 Ｏ）が選択的に吸着するものと考えられる。そし
て、Ｈ+ および水（Ｈ2 Ｏ）存在下においてアルコキシ
シランガスが次式のように反応してＳｉＯ2 を析出す
る。 ｎＳｉ（ＯＲ）4 ＋４ｎＨ2 Ｏ → ｎＳｉ（ＯＨ）4 ＋４ｎＲＯ ｎＳｉ（ＯＨ）4 → ｎＳｉＯ2 ＋２ｎＨ2 Ｏ また、Ｈ+を発生させる方法は、酸発生剤に代えてＨ+
のイオンビームを用いて白欠陥部に直接Ｈ+ を打ち込む
方法でも良い。その工程を図２に示す。図２（ａ）は、
シフターに白欠陥を有する位相シフトレチクル（レベン
ソン型）２１である。この基板を図２（ｂ）に示すよう
に白欠陥部にＨ+ イオンビーム２２を照射して、Ｈ+ 層
を形成する。次いで、図２（ｃ）に示すようにＣＶＤ装
置に移し、Ｈ2 Ｏ圧力約１０-1ｔｏｒｒとし、アルコキ
シシランガス２３を流しながら反応をさせると、図２
（ｃ）に示すようにＳｉＯ2 ２４が堆積し、シフター層
が修正される。
【０００９】
【作用】本発明の方法はシフター層の白欠陥部に精度良
くシフター材（ＳｉＯ2 ）をＣＶＤ法により、直接に堆
積させることにより、高精度に白欠陥を修正でき、修正
された位相シフターは、無修正の位相シフターと同等の
特性を示す。
くシフター材（ＳｉＯ2 ）をＣＶＤ法により、直接に堆
積させることにより、高精度に白欠陥を修正でき、修正
された位相シフターは、無修正の位相シフターと同等の
特性を示す。
【００１０】
実施例１ レベンソン型位相シフトレチクルのシフター白欠陥があ
るフォトマスクにメタクリル酸エステルと１，２，３，
４−テトラヒドロナフチリデンイミノｐ−スチレンスル
ホナート（ＮＩＳＳ）とのラジカル共重合体を、ＯＭＢ
Ｄ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置によって１０-8Ｔｏｒｒ以
下の超高真空とし、試料を抵抗加熱によって徐々に加熱
し、分子線となるように蒸発させて堆積させた。圧力を
水晶振動子膜厚計でモニターしながら蒸着し、厚さ５０
ｎｍの均一な膜を得た。
るフォトマスクにメタクリル酸エステルと１，２，３，
４−テトラヒドロナフチリデンイミノｐ−スチレンスル
ホナート（ＮＩＳＳ）とのラジカル共重合体を、ＯＭＢ
Ｄ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置によって１０-8Ｔｏｒｒ以
下の超高真空とし、試料を抵抗加熱によって徐々に加熱
し、分子線となるように蒸発させて堆積させた。圧力を
水晶振動子膜厚計でモニターしながら蒸着し、厚さ５０
ｎｍの均一な膜を得た。
【００１１】これに、加速電圧１０ｋＶの電子線露光装
置により、１．５μＣ／cm2 の照射量で欠陥部位を露光
した。露光後大気中で１時間放置して水分子を吸着さ
せ、次いでＣＶＤ装置でＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 を流
量２００ＳＣＣＭ、ガス圧１×１０-1Ｔｏｒｒで、３０
分間曝すると、欠陥部にＳｉＯ2 が堆積し、欠陥が修正
された。この修正された位相シフター層は、無修正のシ
フター層とかわりなく、ｉ線で０．３μｍＬ／Ｓのレジ
ストパターンを形成することができた。
置により、１．５μＣ／cm2 の照射量で欠陥部位を露光
した。露光後大気中で１時間放置して水分子を吸着さ
せ、次いでＣＶＤ装置でＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 を流
量２００ＳＣＣＭ、ガス圧１×１０-1Ｔｏｒｒで、３０
分間曝すると、欠陥部にＳｉＯ2 が堆積し、欠陥が修正
された。この修正された位相シフター層は、無修正のシ
フター層とかわりなく、ｉ線で０．３μｍＬ／Ｓのレジ
ストパターンを形成することができた。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のシフター
層白欠陥を白欠陥部に生成したＨ+ に吸着したＨ2 Ｏと
アルコキシシランとのＣＶＤ法による反応によって、Ｓ
ｉＯ2を形成したので、無修正のシフター層と特性が変
わらないシフター層に修正できた。
層白欠陥を白欠陥部に生成したＨ+ に吸着したＨ2 Ｏと
アルコキシシランとのＣＶＤ法による反応によって、Ｓ
ｉＯ2を形成したので、無修正のシフター層と特性が変
わらないシフター層に修正できた。
【図１】本発明によるシフター層白欠陥の修正方法の１
実施例を説明するである。
実施例を説明するである。
【図２】本発明によるシフター層白欠陥の修正方法の他
の実施例を説明するである。
の実施例を説明するである。
１…石英基板、２…クロムパターン、３…シフターパタ
ーン、４…エッチストーッパー層、５…白欠陥部、６…
酸発生剤、７…電離放射線、８…酸（Ｈ+）、９…水
（Ｈ2 Ｏ）、１０…アルコキシシランガス、１１…シフ
ター材（ＳｉＯ2）、２１…位相シフトマスクレクチ
ル、２２…Ｈ+ イオンビーム、２３…アルコキシシラン
ガス、２４…シフター材（ＳｉＯ2 ）
ーン、４…エッチストーッパー層、５…白欠陥部、６…
酸発生剤、７…電離放射線、８…酸（Ｈ+）、９…水
（Ｈ2 Ｏ）、１０…アルコキシシランガス、１１…シフ
ター材（ＳｉＯ2）、２１…位相シフトマスクレクチ
ル、２２…Ｈ+ イオンビーム、２３…アルコキシシラン
ガス、２４…シフター材（ＳｉＯ2 ）
Claims (6)
- 【請求項１】 位相シフトマスクの白欠陥修正方法にお
いて、位相シフトマスクの白欠陥部に、酸（Ｈ+ ）を発
生させ、発生した酸に吸着した水をＣＶＤ法により有機
ケイ素化合物と反応させ選択的に欠陥部にＳｉＯ2 を堆
積させることを特徴とする位相シフトマスクの白欠陥修
正方法。 - 【請求項２】 欠陥部のシフター層をストッパー層まで
エッチングした後に酸発生を行うことを特徴とする請求
項１記載の位相シフトマスクの白欠陥修正方法。 - 【請求項３】 酸発生が、成膜した酸発生剤の含有層へ
の電離放射線の照射、水素イオンビームの照射によって
行うことを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク
の白欠陥修正方法。 - 【請求項４】 酸発生剤の含有層を、ＬＢ法、スピンコ
ート法もしくはＯＭＢＤ法により、０．５〜１０ｎｍの
膜厚に成膜することを特徴とする請求項３記載の位相シ
フトマスクの白欠陥修正方法。 - 【請求項５】 電離放射線が電子線もしくはレーザーで
あることを特徴とする請求項３記載の位相シフトマスク
の白欠陥修正方法。 - 【請求項６】 有機ケイ素化合物がＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣＨ
3 ）3 、Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）4 、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）3 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 から選ばれるアルコキシ
シランであることを特徴とする請求項１記載の位相シフ
トマスクの白欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22275192A JP3219315B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 位相シフトマスクの白欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22275192A JP3219315B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 位相シフトマスクの白欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0667408A true JPH0667408A (ja) | 1994-03-11 |
| JP3219315B2 JP3219315B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=16787342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22275192A Expired - Fee Related JP3219315B2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 位相シフトマスクの白欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3219315B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7678712B2 (en) | 2005-03-22 | 2010-03-16 | Honeywell International, Inc. | Vapor phase treatment of dielectric materials |
| US7709371B2 (en) | 2003-01-25 | 2010-05-04 | Honeywell International Inc. | Repairing damage to low-k dielectric materials using silylating agents |
| US7858294B2 (en) | 2000-06-23 | 2010-12-28 | Honeywell International Inc. | Method to restore hydrophobicity in dielectric films and materials |
| US7915181B2 (en) | 2003-01-25 | 2011-03-29 | Honeywell International Inc. | Repair and restoration of damaged dielectric materials and films |
| US7915159B2 (en) | 2004-09-15 | 2011-03-29 | Honeywell International Inc. | Treating agent materials |
-
1992
- 1992-08-21 JP JP22275192A patent/JP3219315B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7858294B2 (en) | 2000-06-23 | 2010-12-28 | Honeywell International Inc. | Method to restore hydrophobicity in dielectric films and materials |
| US7709371B2 (en) | 2003-01-25 | 2010-05-04 | Honeywell International Inc. | Repairing damage to low-k dielectric materials using silylating agents |
| US7915181B2 (en) | 2003-01-25 | 2011-03-29 | Honeywell International Inc. | Repair and restoration of damaged dielectric materials and films |
| US7915159B2 (en) | 2004-09-15 | 2011-03-29 | Honeywell International Inc. | Treating agent materials |
| US8475666B2 (en) | 2004-09-15 | 2013-07-02 | Honeywell International Inc. | Method for making toughening agent materials |
| US7678712B2 (en) | 2005-03-22 | 2010-03-16 | Honeywell International, Inc. | Vapor phase treatment of dielectric materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3219315B2 (ja) | 2001-10-15 |
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