JPH0668589B2 - 強誘電性液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶素子Info
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- JPH0668589B2 JPH0668589B2 JP4734086A JP4734086A JPH0668589B2 JP H0668589 B2 JPH0668589 B2 JP H0668589B2 JP 4734086 A JP4734086 A JP 4734086A JP 4734086 A JP4734086 A JP 4734086A JP H0668589 B2 JPH0668589 B2 JP H0668589B2
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- liquid crystal
- ferroelectric liquid
- electrode
- auxiliary electrode
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は液晶表示素子や液晶−光シャッター等に用いら
れる液晶素子に関し、詳しくは強誘電性液晶を用いた液
晶素子に関するものである。
れる液晶素子に関し、詳しくは強誘電性液晶を用いた液
晶素子に関するものである。
［開示の概要］ 本明細書及び図面は、強誘電性液晶を用いた液晶素子に
おいて、ストライプ状の電極に沿って接した金属フィル
ムで形成した補助電極をスペーサーで被覆することによ
り、補助電極の段差による配向欠陥をなくすことができ
るようにしたものである。
おいて、ストライプ状の電極に沿って接した金属フィル
ムで形成した補助電極をスペーサーで被覆することによ
り、補助電極の段差による配向欠陥をなくすことができ
るようにしたものである。
［従来の技術］ 近年、強誘電性液晶素子は、その高速応答性とメモリー
性から高精細大型ディスプレイへの応用が考えられてい
る。このような液晶素子の構成としては、交差した走査
電極群と信号電極群の交差部を画素とする単純マトリク
ス構造が一般に用いられている。この構造は高精細にな
ると電極の幅が狭くなり、電極の１ラインあたりの抵抗
値が高くなるため、１ライン中で電圧値にばらつきが生
じ、駆動に必要な電圧が各画素に十分に印加されないこ
とがあった。そこでこの欠点を解決するため、透明電極
に金属補助配線を設けることが行なわれている。この配
線を設けることにより抵抗値は下がり、電圧のばらつき
は少なくなる。
性から高精細大型ディスプレイへの応用が考えられてい
る。このような液晶素子の構成としては、交差した走査
電極群と信号電極群の交差部を画素とする単純マトリク
ス構造が一般に用いられている。この構造は高精細にな
ると電極の幅が狭くなり、電極の１ラインあたりの抵抗
値が高くなるため、１ライン中で電圧値にばらつきが生
じ、駆動に必要な電圧が各画素に十分に印加されないこ
とがあった。そこでこの欠点を解決するため、透明電極
に金属補助配線を設けることが行なわれている。この配
線を設けることにより抵抗値は下がり、電圧のばらつき
は少なくなる。
［発明が解決しようとする問題点］ 現在、強誘電性液晶で最も実用性が高いものは、カイラ
ルスメクティック相を持つものである。しかしながら、
この液晶相は基板との界面に段差があると配向欠陥を生
じ、均一なモノドメインが得られなかった。したがっ
て、前述したように金属補助線を設けると基板上に段差
を生じ、均一なモノドメインとならず適正な駆動特性が
得られないという欠点があった。
ルスメクティック相を持つものである。しかしながら、
この液晶相は基板との界面に段差があると配向欠陥を生
じ、均一なモノドメインが得られなかった。したがっ
て、前述したように金属補助線を設けると基板上に段差
を生じ、均一なモノドメインとならず適正な駆動特性が
得られないという欠点があった。
本発明は、上記従来例の欠点を除去し、適正な駆動特性
を得ることのできる強誘電性液晶素子を提供することを
目的とするものである。
を得ることのできる強誘電性液晶素子を提供することを
目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］ 上記問題点を解決するための手段を、実施例に対応する
第１図を用いて説明すると、本発明は一対の基板１，２
間に強誘電性液晶８を挟持し、互いに交差する走査電極
群３と信号電極群４を設けたマトリクス構造の液晶素子
であって、前記走査電極群３と信号電極群４のうち少な
くとも一方が、該電極の長手方向に沿って接した金属膜
で形成した補助電極５を有し、一方の補助電極がセル厚
（平行基板間の間隔）を保持するためのストライプ状の
スペーサー７に被覆されていることを特徴とする強誘電
性液晶素子である。
第１図を用いて説明すると、本発明は一対の基板１，２
間に強誘電性液晶８を挟持し、互いに交差する走査電極
群３と信号電極群４を設けたマトリクス構造の液晶素子
であって、前記走査電極群３と信号電極群４のうち少な
くとも一方が、該電極の長手方向に沿って接した金属膜
で形成した補助電極５を有し、一方の補助電極がセル厚
（平行基板間の間隔）を保持するためのストライプ状の
スペーサー７に被覆されていることを特徴とする強誘電
性液晶素子である。
［作用］ ストライプ状の駆動電極に沿って設けられた補助電極
は、同じ方向に形成されるストライプ状のスペーサーに
よって覆われるため、補助電極による段差は除去され
る。この場合、基板表面の配向処理はストライプの方向
と直交する方向に施されるが、前述したように基板上の
段差が除去されているため、界面での配向欠陥を防止す
ることができる。一方、対向する側の基板においては、
駆動電極と補助電極のストライプの方向と同じ方向に配
向処理が施される。すなわち、液晶分子の配向方向と直
交する方向においては段差を有するが、平行方向の段差
はない。この平行方向における段差の場合、液晶分子の
配向欠陥を生じる割合が非常に少ないため、配向方向と
直交する基板上の補助電極だけをスペーサーで覆うこと
により、上下基板の界面から良好なモノドメイン構造を
形成させることができる。
は、同じ方向に形成されるストライプ状のスペーサーに
よって覆われるため、補助電極による段差は除去され
る。この場合、基板表面の配向処理はストライプの方向
と直交する方向に施されるが、前述したように基板上の
段差が除去されているため、界面での配向欠陥を防止す
ることができる。一方、対向する側の基板においては、
駆動電極と補助電極のストライプの方向と同じ方向に配
向処理が施される。すなわち、液晶分子の配向方向と直
交する方向においては段差を有するが、平行方向の段差
はない。この平行方向における段差の場合、液晶分子の
配向欠陥を生じる割合が非常に少ないため、配向方向と
直交する基板上の補助電極だけをスペーサーで覆うこと
により、上下基板の界面から良好なモノドメイン構造を
形成させることができる。
［実施例］ 本発明の一実施例を第１図及び第２図と共に説明する。
第１図は第２図のＸ−Ｘ′断面に相当する素子の部分断
面図、第２図は素子の平面図である。図において、ガラ
ス基板２はストライプ状の信号電極群４と、この信号電
極群４の一端にAl（アルミニウム）膜で形成した補助電
極５を有し、基板表面には一様にポリイミド被膜６が形
成されている。このガラス基板２には、さらにセル厚を
保持するためのスペーサー７が補助電極５を覆うように
形成されている。一方、ガラス基板１も同様にしてスト
ライプ状の走査電極群３，補助電極５（図示せず），ポ
リイミド被膜６が形成されている。この２枚の基板は、
上下電極群が互いに交差するよう配置され、内部には強
誘電性液晶８が充填されている。
第１図は第２図のＸ−Ｘ′断面に相当する素子の部分断
面図、第２図は素子の平面図である。図において、ガラ
ス基板２はストライプ状の信号電極群４と、この信号電
極群４の一端にAl（アルミニウム）膜で形成した補助電
極５を有し、基板表面には一様にポリイミド被膜６が形
成されている。このガラス基板２には、さらにセル厚を
保持するためのスペーサー７が補助電極５を覆うように
形成されている。一方、ガラス基板１も同様にしてスト
ライプ状の走査電極群３，補助電極５（図示せず），ポ
リイミド被膜６が形成されている。この２枚の基板は、
上下電極群が互いに交差するよう配置され、内部には強
誘電性液晶８が充填されている。
次に、この素子の具体的な作成例について述べる。
まず、ガラス基板２の全面にEB蒸着によりITO(Indium-T
in-Oxide)層1000Åを形成し、100μｍピッチで90μｍ幅
のストライプ電極をフォトレジストによりパターニング
して信号電極群４とした。次に補助電極５を形成するた
め、全面にAlを蒸着後、フォトレジストにより信号電極
端上に層厚1000Å，幅５μｍでパターニングを行った。
次に、これらの電極上にポリイミド被膜600Åをスピナ
ーにより塗布した。このポリイミド被膜６には、日立化
成社製PIQ（商品名）を用い、250℃で１時間焼成した。
in-Oxide)層1000Åを形成し、100μｍピッチで90μｍ幅
のストライプ電極をフォトレジストによりパターニング
して信号電極群４とした。次に補助電極５を形成するた
め、全面にAlを蒸着後、フォトレジストにより信号電極
端上に層厚1000Å，幅５μｍでパターニングを行った。
次に、これらの電極上にポリイミド被膜600Åをスピナ
ーにより塗布した。このポリイミド被膜６には、日立化
成社製PIQ（商品名）を用い、250℃で１時間焼成した。
次に補助電極５上にストライプ状スペーサーを形成する
ため、前記ポリイミド被膜６上に1.5μｍでポリイミド
を全面に塗布し、フォトレジストによりパターニングし
て幅15μｍ，層厚２μｍのスペーサー７を形成した。こ
のスペーサーにより補助電極５による段差は解消され、
ガラス基板２の液晶の接する基板面に急激な段差はな
い。
ため、前記ポリイミド被膜６上に1.5μｍでポリイミド
を全面に塗布し、フォトレジストによりパターニングし
て幅15μｍ，層厚２μｍのスペーサー７を形成した。こ
のスペーサーにより補助電極５による段差は解消され、
ガラス基板２の液晶の接する基板面に急激な段差はな
い。
一方、対向するガラス基板１の作成工程は、スペーサー
７を形成しないこと以外は前記ガラス基板２の場合と同
様である。
７を形成しないこと以外は前記ガラス基板２の場合と同
様である。
このガラス基板１には前記スペーサー７が形成されてい
ないため、基板上には補助電極５による段差がある。し
かしながら、本発明者らは一軸性配向処理方向に液晶層
厚の段差がある場合、特にスメクチック相を有する強誘
電性液晶においては配向欠陥を生じる割合が非常に小さ
いことを見いだした。
ないため、基板上には補助電極５による段差がある。し
かしながら、本発明者らは一軸性配向処理方向に液晶層
厚の段差がある場合、特にスメクチック相を有する強誘
電性液晶においては配向欠陥を生じる割合が非常に小さ
いことを見いだした。
したがってガラス基板１のポリイミド被膜６の膜厚をや
や厚めの1500Åに設定して平行方向の段差をある程度緩
和するとともに、配向処理の方向を基板上のストライプ
電極方向と平行とすることにより、界面において欠陥の
ない良好なモノドメインを得ることができる。配向処理
はラビング法を用い、前述したようにガラス基板１はス
トライプ電極と平行にガラス基板２はストライプ電極と
垂直にそれぞれラビング処理を施した。
や厚めの1500Åに設定して平行方向の段差をある程度緩
和するとともに、配向処理の方向を基板上のストライプ
電極方向と平行とすることにより、界面において欠陥の
ない良好なモノドメインを得ることができる。配向処理
はラビング法を用い、前述したようにガラス基板１はス
トライプ電極と平行にガラス基板２はストライプ電極と
垂直にそれぞれラビング処理を施した。
このようにして得られた基板を、電極群が互いに直交す
るよう貼り合わせて液晶セルを形成した。
るよう貼り合わせて液晶セルを形成した。
実施例１ このようにして作成された液晶セルに、以下に示す３成
分からなる強誘電性液晶を封入した。
分からなる強誘電性液晶を封入した。
偏光顕微鏡による相観察から、上記３成分混合液晶のSm
C*相（カイラルスメクティックＣ相）の温度範囲は４〜
35℃であった。この３成分混合液晶を前記液晶セルに封
入、封止後、等方相まで昇温し、0.5℃／ｈで徐冷する
ことにより配向処理を行った。この液晶セルを直交ニコ
ルに設定した偏光顕微鏡で観察すると、配向欠陥の非常
に少ないモノドメインの形成が確認された。
C*相（カイラルスメクティックＣ相）の温度範囲は４〜
35℃であった。この３成分混合液晶を前記液晶セルに封
入、封止後、等方相まで昇温し、0.5℃／ｈで徐冷する
ことにより配向処理を行った。この液晶セルを直交ニコ
ルに設定した偏光顕微鏡で観察すると、配向欠陥の非常
に少ないモノドメインの形成が確認された。
さらに、このセルの基板端から導線を引き出し、各画素
にパルス電圧印加したところ、１msecで±15Ｖの電圧で
反転し、第１と第２の安定状態を持つ双安定性を示し
た。
にパルス電圧印加したところ、１msecで±15Ｖの電圧で
反転し、第１と第２の安定状態を持つ双安定性を示し
た。
このように、各画素は一定電圧で一様に反転し、１ライ
ン中での電圧のばらつきが実用上ないことが確認され
た。
ン中での電圧のばらつきが実用上ないことが確認され
た。
実施例２ 液晶材料として以下に示すDOBAMBC を封入し、それ以外はすべて前記実施例１と同様の実験
を行ったところ、十分均一なモノドメイン配向を得るこ
とができた。また、反転に必要な駆動電圧は１msecで±
16Ｖであり、前記実施例１と同様に良好な駆動特性が得
られた。
を行ったところ、十分均一なモノドメイン配向を得るこ
とができた。また、反転に必要な駆動電圧は１msecで±
16Ｖであり、前記実施例１と同様に良好な駆動特性が得
られた。
本発明で用いるスペーサー７としては、前述の実施例で
用いたポリイミドの他に、感光性ポリイミド、感光性ポ
リアミド、フォトレジスト材、ポリアミド、フェノール
樹脂等を用いることができる。また、補助電極５として
は、Alの他にCr（クロム）、Ag（銀）、Cu（銅）などが
使用できる。
用いたポリイミドの他に、感光性ポリイミド、感光性ポ
リアミド、フォトレジスト材、ポリアミド、フェノール
樹脂等を用いることができる。また、補助電極５として
は、Alの他にCr（クロム）、Ag（銀）、Cu（銅）などが
使用できる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば補助電極の段差に
よる配向欠陥をなくし、基板との界面において均一なモ
ノドメインを得ることができる。したがって強誘電性液
晶を用いた場合でも適正な駆動特性を得ることができ
る。
よる配向欠陥をなくし、基板との界面において均一なモ
ノドメインを得ることができる。したがって強誘電性液
晶を用いた場合でも適正な駆動特性を得ることができ
る。
第１図は実施例を示す部分断面図、第２図は実施例を示
す平面図である。 １，２…ガラス基板、３…走査電極群、 ４…信号電極群、５…補助電極、 ６…ポリイミド被膜、７…スペーサー、 ８…強誘電性液晶。
す平面図である。 １，２…ガラス基板、３…走査電極群、 ４…信号電極群、５…補助電極、 ６…ポリイミド被膜、７…スペーサー、 ８…強誘電性液晶。
Claims (2)
- 【請求項１】一対の基板間に強誘電性液晶を挟持し、互
いに交差する走査電極と信号電極を設けたマトリクス構
造の液晶素子であって、前記走査電極と信号電極のうち
少なくとも一方が該電極の長手方向に沿って接した金属
フィルムで形成した補助電極を有し、該補助電極がセル
厚を保持するためのストライプ状のスペーサーに被覆さ
れていることを特徴とする強誘電性液晶素子。 - 【請求項２】前記強誘電性液晶がスメクティック相であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の強誘
電性液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4734086A JPH0668589B2 (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 強誘電性液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4734086A JPH0668589B2 (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 強誘電性液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62205319A JPS62205319A (ja) | 1987-09-09 |
| JPH0668589B2 true JPH0668589B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=12772454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4734086A Expired - Fee Related JPH0668589B2 (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 強誘電性液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0668589B2 (ja) |
Families Citing this family (134)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144435A (en) | 1995-04-28 | 2000-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device, process for producing same and liquid crystal apparatus |
| US7230670B2 (en) | 2001-10-05 | 2007-06-12 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method for fabricating LCD |
| US6819391B2 (en) | 2001-11-30 | 2004-11-16 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display panel having dummy column spacer with opened portion |
| KR100685948B1 (ko) | 2001-12-14 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| US7292304B2 (en) | 2001-12-17 | 2007-11-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and method for fabricating the same comprising a dummy column spacer to regulate a liquid crystal flow and a supplemental dummy column spacer formed substantially parallel and along the dummy column spacer |
| KR100652045B1 (ko) | 2001-12-21 | 2006-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100652046B1 (ko) | 2001-12-22 | 2006-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100685949B1 (ko) | 2001-12-22 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| US7362407B2 (en) | 2002-02-01 | 2008-04-22 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method of fabricating liquid crystal display device |
| KR100510718B1 (ko) | 2002-02-04 | 2005-08-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조 장치 |
| JP2003233080A (ja) | 2002-02-05 | 2003-08-22 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 合着装置及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
| KR100510719B1 (ko) | 2002-02-05 | 2005-08-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR100469354B1 (ko) | 2002-02-06 | 2005-02-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR100469353B1 (ko) | 2002-02-06 | 2005-02-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자용 합착 장치 |
| US7410109B2 (en) | 2002-02-07 | 2008-08-12 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal dispensing apparatus with nozzle protecting device |
| KR100672640B1 (ko) | 2002-02-07 | 2007-01-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Ｕｖ조사장치 및 그를 이용한 액정표시소자의 제조방법 |
| KR100817129B1 (ko) | 2002-02-07 | 2008-03-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 패널의 절단 장치 및 그 방법 |
| KR100789454B1 (ko) | 2002-02-09 | 2007-12-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 패널의 절단 장치 및 그 방법 |
| KR100832292B1 (ko) | 2002-02-19 | 2008-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 패널의 절단 장치 |
| KR100505180B1 (ko) | 2002-02-20 | 2005-08-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 노즐세정장치를 구비한 액정적하장치 및 액정적하방법 |
| KR100789455B1 (ko) | 2002-02-20 | 2007-12-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 패널의 절단 방법 |
| KR100532083B1 (ko) | 2002-02-20 | 2005-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 일체화된 니들시트를 가진 액정적하장치 |
| KR100672641B1 (ko) | 2002-02-20 | 2007-01-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| US6824023B2 (en) | 2002-02-20 | 2004-11-30 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal dispensing apparatus |
| CN100385300C (zh) | 2002-02-20 | 2008-04-30 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 液晶显示器的制造方法 |
| KR100469359B1 (ko) | 2002-02-20 | 2005-02-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자용 합착 장치 |
| US7006202B2 (en) | 2002-02-21 | 2006-02-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Mask holder for irradiating UV-rays |
| KR100469508B1 (ko) | 2002-02-22 | 2005-02-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 스프링의 장력조정에 의해 액정적하량을 제어가 가능한액정적하장치 |
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