JPH0669014B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH0669014B2 JPH0669014B2 JP61038852A JP3885286A JPH0669014B2 JP H0669014 B2 JPH0669014 B2 JP H0669014B2 JP 61038852 A JP61038852 A JP 61038852A JP 3885286 A JP3885286 A JP 3885286A JP H0669014 B2 JPH0669014 B2 JP H0669014B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light source
- alignment
- wavelength
- optical system
- exposure
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は、ICやLSI等の集積回路の微細パターンを
ウエハー面上に投影露光するための露光装置、特に露光
用とアライメント用とでそれぞれ異なる波長の光を用い
る露光装置に関する。
ウエハー面上に投影露光するための露光装置、特に露光
用とアライメント用とでそれぞれ異なる波長の光を用い
る露光装置に関する。
(発明の背景) 従来、ICやLSI等の集積回路の微細パターンをウエ
ハー面上に投影して焼き付けるための露光装置において
は、特に高い解像力を有する投影光学系が要求されてお
り、そのため、マスクパターンを照明する露光用光源に
は、超高圧水銀灯の発光スペクトル中の436nmまたは
365nmが用いられている。また、その露光装置には、
マスクパターンをウエハー上に正確に投影・焼付けする
ために、そのウエハーとフォトマスクの両者の相対位置
関係を検出するための、アライメント光学系が設けられ
ている。また、そのアライメント検出のための光源に
は、フォトマスクとウエハーとの相対位置関係を観察に
よって容易に行うことができるように、例えば632.
8nmの波長をもつHe−Neレーザ等が一般に用いられ
ている。
ハー面上に投影して焼き付けるための露光装置において
は、特に高い解像力を有する投影光学系が要求されてお
り、そのため、マスクパターンを照明する露光用光源に
は、超高圧水銀灯の発光スペクトル中の436nmまたは
365nmが用いられている。また、その露光装置には、
マスクパターンをウエハー上に正確に投影・焼付けする
ために、そのウエハーとフォトマスクの両者の相対位置
関係を検出するための、アライメント光学系が設けられ
ている。また、そのアライメント検出のための光源に
は、フォトマスクとウエハーとの相対位置関係を観察に
よって容易に行うことができるように、例えば632.
8nmの波長をもつHe−Neレーザ等が一般に用いられ
ている。
さらに、そのアライメント光学系には、アライメント精
度の向上を図るために投影光学系の全部またはその一部
を利用するいわゆるTTL方式が従来から多く採用され
ている。このTTL方式において、ウエハー上のアライ
メントマークとマスク上のアライメントマークとを同時
に観察するためには、露光用の使用波長とアライメント
用の使用波長の双方に対して色収差を良好に補正するこ
とが要求される。この場合、露光に用いられる短い波長
λIを例えば436nm、アライメントに使用される長い
長波λ2を例えば632.8nmとし、その2波長で色収
差補正を行うと第6図に示す曲線A(破線にて示す。)
のような色収差補正状態となる。
度の向上を図るために投影光学系の全部またはその一部
を利用するいわゆるTTL方式が従来から多く採用され
ている。このTTL方式において、ウエハー上のアライ
メントマークとマスク上のアライメントマークとを同時
に観察するためには、露光用の使用波長とアライメント
用の使用波長の双方に対して色収差を良好に補正するこ
とが要求される。この場合、露光に用いられる短い波長
λIを例えば436nm、アライメントに使用される長い
長波λ2を例えば632.8nmとし、その2波長で色収
差補正を行うと第6図に示す曲線A(破線にて示す。)
のような色収差補正状態となる。
ところで実際の光源は第6図中でΔλにて示すようにあ
る波長幅を有しており、そのため、波長λIでは完全に
色収差が補正されても、この波長λIの前後の波長幅Δ
λに相当する波長では、軸上色収差が大となり、その色
収差量が投影光学系の解像力を大きく低下させる原因と
なる。従って、第6図中で曲線Aにて示すような2色補
正の投影光学系においては、例えば超高圧水銀灯の43
6nmのスペクトルは、波長幅が約±5nmあるので、波長
域10μの範囲で色収差をほぼ完全に補正しなければ所
望の高解像力は得られない。
る波長幅を有しており、そのため、波長λIでは完全に
色収差が補正されても、この波長λIの前後の波長幅Δ
λに相当する波長では、軸上色収差が大となり、その色
収差量が投影光学系の解像力を大きく低下させる原因と
なる。従って、第6図中で曲線Aにて示すような2色補
正の投影光学系においては、例えば超高圧水銀灯の43
6nmのスペクトルは、波長幅が約±5nmあるので、波長
域10μの範囲で色収差をほぼ完全に補正しなければ所
望の高解像力は得られない。
そこで、上記のような2波長に対して色収差補正された
投影光学系を用いても高解像力が得られるように、露光
用光源として、波長幅を狭く制御できる、例えばエキシ
マレーザのような光源を用いる露光装置が、例えば特開
昭60−222862号公報によって開示され、既に公
知である。
投影光学系を用いても高解像力が得られるように、露光
用光源として、波長幅を狭く制御できる、例えばエキシ
マレーザのような光源を用いる露光装置が、例えば特開
昭60−222862号公報によって開示され、既に公
知である。
この公知の露光装置では、第6図中で曲線B(実線にて
示す。)にて示す如く、2波長に対して色収差が補正さ
れた投影光学系を用い、波長λ1(248.5nm)にて
露光を行い、波長λ2(632.8nm)でアライメント
を行っている。しかしながら、この従来公知の露光装置
においては、露光およびアライメントに用いられる光源
としては、双方共に波長幅の狭いレーザ光源に限られ、
従来からこの種の装置の露光用光源として扱い馴れてい
る超高圧水銀ランプやハロケンランプ等を使用できない
欠点がある。さらにまた、アライメント用の波長が一つ
に限られているため、ウエハー上のフォトレジストの条
件によっては、アライメント信号が必ずしも精度よく検
出できるとは限らないという難点があった。
示す。)にて示す如く、2波長に対して色収差が補正さ
れた投影光学系を用い、波長λ1(248.5nm)にて
露光を行い、波長λ2(632.8nm)でアライメント
を行っている。しかしながら、この従来公知の露光装置
においては、露光およびアライメントに用いられる光源
としては、双方共に波長幅の狭いレーザ光源に限られ、
従来からこの種の装置の露光用光源として扱い馴れてい
る超高圧水銀ランプやハロケンランプ等を使用できない
欠点がある。さらにまた、アライメント用の波長が一つ
に限られているため、ウエハー上のフォトレジストの条
件によっては、アライメント信号が必ずしも精度よく検
出できるとは限らないという難点があった。
(発明の目的) 本発明は、上記従来装置の欠点を解決し、従来から使用
されている超高圧水銀灯やハロゲンランプ等の色収差補
正が必要とされるスペクトル幅の光に対しても色収差が
良好に補正されて露光用光源として用いることができ、
しかも解像力が高く、極めてアライメント精度の良好な
露光装置を提供することを目的とする。
されている超高圧水銀灯やハロゲンランプ等の色収差補
正が必要とされるスペクトル幅の光に対しても色収差が
良好に補正されて露光用光源として用いることができ、
しかも解像力が高く、極めてアライメント精度の良好な
露光装置を提供することを目的とする。
(発明の概要) 上記の目的を達成するために本発明は、フォトマスク上
のパターンを照明するための露光用光源を含むパターン
照明光学系と、その露光用光源によって照明されたパタ
ーンをウェハー面上に結像させる投影光学系と、フォト
マスクとウェハーとにそれぞれ設けられたアライメント
マークを照明するためのアライメント用光源を含むアラ
イメント照明光学系と、投影光学系を介してマスクパタ
ーンとウェハーとの相対位置関係の検知を行うためのア
ライメント光学系とを備え、その投影光学系には、波長
を関数とする軸上収差が少なくとも2つの極値を有する
ような結像系を用い、露光用光源として、レーザー光源
ばかりでなく、色収差補正を必要とする波長幅の光でも
使用できるように構成することを技術的要点とするもの
である。
のパターンを照明するための露光用光源を含むパターン
照明光学系と、その露光用光源によって照明されたパタ
ーンをウェハー面上に結像させる投影光学系と、フォト
マスクとウェハーとにそれぞれ設けられたアライメント
マークを照明するためのアライメント用光源を含むアラ
イメント照明光学系と、投影光学系を介してマスクパタ
ーンとウェハーとの相対位置関係の検知を行うためのア
ライメント光学系とを備え、その投影光学系には、波長
を関数とする軸上収差が少なくとも2つの極値を有する
ような結像系を用い、露光用光源として、レーザー光源
ばかりでなく、色収差補正を必要とする波長幅の光でも
使用できるように構成することを技術的要点とするもの
である。
次に、本発明の実施例を添付の図面に基づいて詳しく説
明する。
明する。
第1図は本発明の一実施例を示す露光装置の光学系配置
図で、第2図は第1図とは異なる本発明の実施例を示す
露光装置の光学系配置、第3図は第1図及び第2図に示
す実施例における色収差補正の原理を説明するための軸
上色収差曲線図である。
図で、第2図は第1図とは異なる本発明の実施例を示す
露光装置の光学系配置、第3図は第1図及び第2図に示
す実施例における色収差補正の原理を説明するための軸
上色収差曲線図である。
第1図において、露光用光源の超高圧水銀ランプ1から
発した光は、楕円反射鏡2によって集光された後、コリ
メータレンズ3により平行光束となり、露光波長を所定
のスペクトル幅(波長幅)に制限するバントパスフィル
ター4A、フライアイレンズにて構成されたオプチカル
インテグレータ4Bおよびコンデンサーレンズ5を介し
て、投影原板のフォトマスク(以下「レチクル」と称す
る。)6を照明する。なお、露光用光源1乃至コンデン
サーレンズ5をもってパターン照明光学系が構成され
る。このパターン照明光学系1〜5によって照明された
レチクル6上のパターンは、後で詳しく述べられる投影
光学系7によってウェハー8上のフォトレジスト(感光
層)に投影され、露光、焼付けが行われる。
発した光は、楕円反射鏡2によって集光された後、コリ
メータレンズ3により平行光束となり、露光波長を所定
のスペクトル幅(波長幅)に制限するバントパスフィル
ター4A、フライアイレンズにて構成されたオプチカル
インテグレータ4Bおよびコンデンサーレンズ5を介し
て、投影原板のフォトマスク(以下「レチクル」と称す
る。)6を照明する。なお、露光用光源1乃至コンデン
サーレンズ5をもってパターン照明光学系が構成され
る。このパターン照明光学系1〜5によって照明された
レチクル6上のパターンは、後で詳しく述べられる投影
光学系7によってウェハー8上のフォトレジスト(感光
層)に投影され、露光、焼付けが行われる。
一方、アライメント用光源として2個の互いに異なる波
長の光を発振するレーザー光源10A及び10Bが設け
られ、一方のレーザー光源10Aからの光は半透過鏡1
1を透過し、他方のレーザー光源10Bからの光はその
半透過鏡11で反射された後、共に集光レンズ12、視
野絞り13、半透過鏡14、第2アライメント対物レン
ズ16、第1アライメント対物レンズ15及びミラー1
7を介してレチクル6上のアライメントマークRを照明
し、さらに、前記の投影光学系7を介してウェハー8上
のアライメントマークSを落射照明する。アライメント
用照明光として2つの異なる波長を用いる理由について
は、後で詳述する。
長の光を発振するレーザー光源10A及び10Bが設け
られ、一方のレーザー光源10Aからの光は半透過鏡1
1を透過し、他方のレーザー光源10Bからの光はその
半透過鏡11で反射された後、共に集光レンズ12、視
野絞り13、半透過鏡14、第2アライメント対物レン
ズ16、第1アライメント対物レンズ15及びミラー1
7を介してレチクル6上のアライメントマークRを照明
し、さらに、前記の投影光学系7を介してウェハー8上
のアライメントマークSを落射照明する。アライメント
用照明光として2つの異なる波長を用いる理由について
は、後で詳述する。
このレーザー光源10A、10Bからのレーザー光によ
って照明されるウェハー8上のアライメントマークS
の、投影光学系によって拡大投影された中間像は、レチ
クル6上のアライメントマークRと重ねられ、さらに、
その量疊された双方のアライメントマークRとSの像
は、第1アライメント対物レンズ15、第2アライメン
ト対物レンズ16により、半透過鏡14の後方に配置さ
れたITV用撮像管18の受光面上に結像される。これ
により、レチクル6上のアライメントマークRに対する
ウェハー8上のアライメントマークSの相対的位置ずれ
量が、そのITV撮像管18を介して検出され、アライ
メントの状態が精度よく、明瞭に確認される。なお、半
透過鏡11のかわりに、光路上に挿脱される可動ミラー
を設け、この可動ミラーによりレーザー光源10Aの光
を必要に応じて10Bの光に切り換えるようにしても良
い。また、2つのアライメント光を必要としない場合に
は、一方のレーザー光源10B及び半透過鏡11は削除
される。
って照明されるウェハー8上のアライメントマークS
の、投影光学系によって拡大投影された中間像は、レチ
クル6上のアライメントマークRと重ねられ、さらに、
その量疊された双方のアライメントマークRとSの像
は、第1アライメント対物レンズ15、第2アライメン
ト対物レンズ16により、半透過鏡14の後方に配置さ
れたITV用撮像管18の受光面上に結像される。これ
により、レチクル6上のアライメントマークRに対する
ウェハー8上のアライメントマークSの相対的位置ずれ
量が、そのITV撮像管18を介して検出され、アライ
メントの状態が精度よく、明瞭に確認される。なお、半
透過鏡11のかわりに、光路上に挿脱される可動ミラー
を設け、この可動ミラーによりレーザー光源10Aの光
を必要に応じて10Bの光に切り換えるようにしても良
い。また、2つのアライメント光を必要としない場合に
は、一方のレーザー光源10B及び半透過鏡11は削除
される。
第2図では、露光用の光源に、それぞれ異なる波長の光
を発振するレーザー光源1A、1Bを設け、双方のレー
ザー光を半透過鏡2Aを介して、ビームイクスパンダー
3Aに導き、さらに、オプチカル・インテグレーター4
B及びコンデンサーレンズ5を介してレチクル6を照明
するように構成されている。露光用光源として、2個の
レーザー光源1A、1Bを設けた理由については、後で
詳しく述べる。なお、アライメント用光源として1個の
レーザー光源10Aを使用するが、その他の構成は、第
1図の実施例と同様であるから、同じ作用をする部材に
は、第1図の実施例と同じ符号を付し、その構成につい
ての詳しい説明は省略する。
を発振するレーザー光源1A、1Bを設け、双方のレー
ザー光を半透過鏡2Aを介して、ビームイクスパンダー
3Aに導き、さらに、オプチカル・インテグレーター4
B及びコンデンサーレンズ5を介してレチクル6を照明
するように構成されている。露光用光源として、2個の
レーザー光源1A、1Bを設けた理由については、後で
詳しく述べる。なお、アライメント用光源として1個の
レーザー光源10Aを使用するが、その他の構成は、第
1図の実施例と同様であるから、同じ作用をする部材に
は、第1図の実施例と同じ符号を付し、その構成につい
ての詳しい説明は省略する。
次に、レチクル6上のパターン投影と、アライメントマ
ークSの像のレチクル6上へ結像との双方の作用を行な
う投影光学系7の色収差補正について詳しく説明する。
ークSの像のレチクル6上へ結像との双方の作用を行な
う投影光学系7の色収差補正について詳しく説明する。
レチクル6上のパターンの像をウェハー8上に投影する
投影光学系7の解像力を高めるためには、投影光学系7
の開口数NAを大きくする共に、使用する光の波長を短
くする必要がある。また、この開口数NAと、使用波長
λと、軸上の色収差の許容範囲を定める焦点深度dとの
間には、一般に次式のような関係がある。
投影光学系7の解像力を高めるためには、投影光学系7
の開口数NAを大きくする共に、使用する光の波長を短
くする必要がある。また、この開口数NAと、使用波長
λと、軸上の色収差の許容範囲を定める焦点深度dとの
間には、一般に次式のような関係がある。
d=λ/(2NA2) ここで、レチクル6上のアライメントマークRとウェハ
ー8上のアライメントマークSとの相対的位置ずれを検
出するアライメントにおいては、信号検出方法を工夫す
れば像性能をあまり厳しくする必要がないため、焦点深
度の許容値はかなり大きくてよい。しかし、レチクル6
上のパターンをウェハ8上に投影する露光においては、
焦点深度は使用波長が短いため極めて小さいものとな
る。
ー8上のアライメントマークSとの相対的位置ずれを検
出するアライメントにおいては、信号検出方法を工夫す
れば像性能をあまり厳しくする必要がないため、焦点深
度の許容値はかなり大きくてよい。しかし、レチクル6
上のパターンをウェハ8上に投影する露光においては、
焦点深度は使用波長が短いため極めて小さいものとな
る。
一方、焦点深度が関係する軸上色収差の振舞いは、通常
は、従来装置の投影光学系の収差補正曲線(第6図)に
示すように1つの極値P0しか持たず、従って、許容値
(焦点深度)の大きいアライメント側で軸上色収差の補
正を行なうと、露光側の短い波長では、その許される許
容値(焦点深度)に対応する波長幅Δλが極めて狭い光
源しか使用できない。しかし、投影光学系7の構成ガラ
スの内に、螢石(CaF2)、弗化リチウム(LiF)等のような
異常分散を示す光学材料を用いて色収差補正を行なう
と、波長を関数とする軸上色収差の振舞いを、第3図に
示すように少なくとも2つの極値P1及びP2を有する
曲線の状態にすることができる。
は、従来装置の投影光学系の収差補正曲線(第6図)に
示すように1つの極値P0しか持たず、従って、許容値
(焦点深度)の大きいアライメント側で軸上色収差の補
正を行なうと、露光側の短い波長では、その許される許
容値(焦点深度)に対応する波長幅Δλが極めて狭い光
源しか使用できない。しかし、投影光学系7の構成ガラ
スの内に、螢石(CaF2)、弗化リチウム(LiF)等のような
異常分散を示す光学材料を用いて色収差補正を行なう
と、波長を関数とする軸上色収差の振舞いを、第3図に
示すように少なくとも2つの極値P1及びP2を有する
曲線の状態にすることができる。
この第3図に示す軸上色収差曲線において、横軸X1で
は、波長λI、λIIIおよびλIVの3つの波長に対して
軸上色収差を0(ゼロ)に補正できることを示してい
る。この場合、最も短い波長λIは露光用、最も長い波
長λIVはアライメント用に使用され、中間の波長λIII
は露光用、アライメント用のいずれにも使用できる。ま
た、短波長側の極値P1に接する横軸X2では、波長λ
II(極値P1での波長)と、長波長側の極値P2より長
波長域にある波長λVの2つの波長に対して軸上色収差
を0(ゼロ)に補正できる。この場合、その極値P1近
辺では、投影光学系7の焦点深度(軸上色収差の許容範
囲)d2が小さくてもこの焦点深度d2に対応するスペ
クトル幅(波長幅)Δλ2は広くなる。従って、露光用
光源として、レーザー以外の例えば高圧水銀ランプ(第
1図参照)のようなスペクトル幅の広い光源の使用が可
能となる。また、この場合、長波長側の極値P2を超え
た長い波長λVに対しては、レーザー光源を用いて軸上
色収差の補正されたアライメントを行なうことができ
る。このアライメントにおいては、信号検出方法を工夫
すれば、焦点深度の許容値d5をかなり大きくとること
ができるので、この焦点深度d5に対応する使用可能な
波長範囲Δλ5が広くなる。従って、この波長範囲Δλ
5内で適当なレーザー光源(例えば第1図中の10A)
を選べばよい。なお、短波長側の極値P1近辺の波長
(例えば第3図中でλVI)の光をアライメントに使用す
る場合にも、露光に許される焦点深度(例えば第3図中
でd2)よりアライメント光の焦点深度d6は大きくと
れるので、アライメント用レーザー光源(例えば第1図
中で10B)の使用可能な波長の選択範囲(例えば第3
図中でΔλ6)を広くとることができ、この範囲Δλ6
内で、そのレーザー光源を適宜選択することが可能とな
る。
は、波長λI、λIIIおよびλIVの3つの波長に対して
軸上色収差を0(ゼロ)に補正できることを示してい
る。この場合、最も短い波長λIは露光用、最も長い波
長λIVはアライメント用に使用され、中間の波長λIII
は露光用、アライメント用のいずれにも使用できる。ま
た、短波長側の極値P1に接する横軸X2では、波長λ
II(極値P1での波長)と、長波長側の極値P2より長
波長域にある波長λVの2つの波長に対して軸上色収差
を0(ゼロ)に補正できる。この場合、その極値P1近
辺では、投影光学系7の焦点深度(軸上色収差の許容範
囲)d2が小さくてもこの焦点深度d2に対応するスペ
クトル幅(波長幅)Δλ2は広くなる。従って、露光用
光源として、レーザー以外の例えば高圧水銀ランプ(第
1図参照)のようなスペクトル幅の広い光源の使用が可
能となる。また、この場合、長波長側の極値P2を超え
た長い波長λVに対しては、レーザー光源を用いて軸上
色収差の補正されたアライメントを行なうことができ
る。このアライメントにおいては、信号検出方法を工夫
すれば、焦点深度の許容値d5をかなり大きくとること
ができるので、この焦点深度d5に対応する使用可能な
波長範囲Δλ5が広くなる。従って、この波長範囲Δλ
5内で適当なレーザー光源(例えば第1図中の10A)
を選べばよい。なお、短波長側の極値P1近辺の波長
(例えば第3図中でλVI)の光をアライメントに使用す
る場合にも、露光に許される焦点深度(例えば第3図中
でd2)よりアライメント光の焦点深度d6は大きくと
れるので、アライメント用レーザー光源(例えば第1図
中で10B)の使用可能な波長の選択範囲(例えば第3
図中でΔλ6)を広くとることができ、この範囲Δλ6
内で、そのレーザー光源を適宜選択することが可能とな
る。
第4図は、第1図に示す投影光学系7の一実施例の色収
差補正状態を示す曲線図で、一方の極値P1(波長
λ1)と他の別の点(波長λ3)との色収差を補正する
ことで、λ1を露光波長とし、λ3をアライメント波長
とする露光装置を構成している。この場合、λ1は殆ど
極値P1となっている部分を用いているので、露光用光
源がある程度のスペクトル幅Δλを有しても、軸上色収
差の発生は少ない。従って、第1図に示すように露光用
光源1としてレーザー以外の光源を用いることができ
る。具体的には、水銀スペクトル中のg線(436n
m)、i線(365nm)を中心波長とする光である。ま
た、λ3にはアライメント用のレーザーが用いられる。
この場合、具体的にはHe−Neレーザー(633n
m)、He−Cdレーザー(442nm)等である。
差補正状態を示す曲線図で、一方の極値P1(波長
λ1)と他の別の点(波長λ3)との色収差を補正する
ことで、λ1を露光波長とし、λ3をアライメント波長
とする露光装置を構成している。この場合、λ1は殆ど
極値P1となっている部分を用いているので、露光用光
源がある程度のスペクトル幅Δλを有しても、軸上色収
差の発生は少ない。従って、第1図に示すように露光用
光源1としてレーザー以外の光源を用いることができ
る。具体的には、水銀スペクトル中のg線(436n
m)、i線(365nm)を中心波長とする光である。ま
た、λ3にはアライメント用のレーザーが用いられる。
この場合、具体的にはHe−Neレーザー(633n
m)、He−Cdレーザー(442nm)等である。
さらに、λ1の近辺で軸上色収差が許容される範囲に別
のアライメント光(波長λ2)を設定することもでき
る。アライメント光が一種に限られると、ウェハー8上
のフォトレジスト等の、その波長での反射率、吸収率の
関係で十分なアライメント信号を検出できないことが有
るが、アライメント光としてλ2とλ3の2つの異なる
波長の光源あるいはそれ以上の複数の波長を用いること
により、上記のような欠点を解決することができる。
のアライメント光(波長λ2)を設定することもでき
る。アライメント光が一種に限られると、ウェハー8上
のフォトレジスト等の、その波長での反射率、吸収率の
関係で十分なアライメント信号を検出できないことが有
るが、アライメント光としてλ2とλ3の2つの異なる
波長の光源あるいはそれ以上の複数の波長を用いること
により、上記のような欠点を解決することができる。
また、軸上色収差を第5図に示すようにλ1、λ2、λ
3の3つの波長に対して0(ゼロ)に補正した場合、λ
1及びλ2を露光用波長とし、λ3をアライメント用波
長とすることができる。しかし、λ1、λ2は波長が短
いために十分なスペクトル幅を取ることができないの
で、レーザー光源を用いるのが適切である。具体的に
は、KrFエキシマレーザー(249nm)とXeClエ
キシマレーザー(308nm)などである。これらのレー
ザーは、インジェクシヨンロッキングにて用いることが
望ましい。この場合、第2図の実施例に示すように、2
つのエキシマレーザー1A、1Bが用いられ、半透過鏡
2Aを介して両者の光を用いて同時にパターン像を投影
するか、半透過鏡2Aのかわりに光軸上に挿脱される可
動ミラーを用いて両者の光を切り換えるように構成すれ
ばよい。このように、露光を複数の波長で行なうことに
より、ウェハーパターンの側壁面に発生する定在波によ
るヒダ状構造は軽減され、その側壁面を滑らかに仕上げ
ることができ、一層精密なパターンをウェハー8上に形
成させることが可能となる。
3の3つの波長に対して0(ゼロ)に補正した場合、λ
1及びλ2を露光用波長とし、λ3をアライメント用波
長とすることができる。しかし、λ1、λ2は波長が短
いために十分なスペクトル幅を取ることができないの
で、レーザー光源を用いるのが適切である。具体的に
は、KrFエキシマレーザー(249nm)とXeClエ
キシマレーザー(308nm)などである。これらのレー
ザーは、インジェクシヨンロッキングにて用いることが
望ましい。この場合、第2図の実施例に示すように、2
つのエキシマレーザー1A、1Bが用いられ、半透過鏡
2Aを介して両者の光を用いて同時にパターン像を投影
するか、半透過鏡2Aのかわりに光軸上に挿脱される可
動ミラーを用いて両者の光を切り換えるように構成すれ
ばよい。このように、露光を複数の波長で行なうことに
より、ウェハーパターンの側壁面に発生する定在波によ
るヒダ状構造は軽減され、その側壁面を滑らかに仕上げ
ることができ、一層精密なパターンをウェハー8上に形
成させることが可能となる。
また、別の組み合わせとして、波長λ1のみを露光波長
として用い、波長λ2およびλ3をアライメント波長と
することもできる。この場合には、第2図におけるレー
ザー光源1Bおよび半透過鏡2Aは削除され、アライメ
ント照明光学系側に第1図に示すようなレーザー光源1
0Bと半透過鏡11が追加される。このように2種のア
ライメント波長を用いることにより、前述の第4図での
説明と同様に、ウェハー8上の種々のフォトレジストに
対応させることが可能となる。
として用い、波長λ2およびλ3をアライメント波長と
することもできる。この場合には、第2図におけるレー
ザー光源1Bおよび半透過鏡2Aは削除され、アライメ
ント照明光学系側に第1図に示すようなレーザー光源1
0Bと半透過鏡11が追加される。このように2種のア
ライメント波長を用いることにより、前述の第4図での
説明と同様に、ウェハー8上の種々のフォトレジストに
対応させることが可能となる。
以上の如く本発明によれば、投影光学系として、波長を
関数とする軸上色収差が少なくとも2つの極値を有する
ような結像系を用いたので、露光光とアライメント光の
双方の色収差を補正しつつ、露光用光源に超高圧水銀ラ
ンプやハロゲンランプ等のようなスペクトル幅の広い従
来からの光源を用いることが可能となり、あるいは露光
用光源とアライメント用光源のいずれか一方に波長が互
いに異なる複数の光源を用いることができるので、露光
用光源にレーザーの様にスペクトル幅の十分細い光源を
用いた場合には二波長露光法により、ウェハ側のパター
ン側壁面に現れる定在波効果を軽減でき、またアライメ
ント用光源では、使用されるフォートレジストに適応し
たアライメント用波長を選択できる、高精度なアライメ
ントと露光とが可能な露光装置を実現することができ
る。
関数とする軸上色収差が少なくとも2つの極値を有する
ような結像系を用いたので、露光光とアライメント光の
双方の色収差を補正しつつ、露光用光源に超高圧水銀ラ
ンプやハロゲンランプ等のようなスペクトル幅の広い従
来からの光源を用いることが可能となり、あるいは露光
用光源とアライメント用光源のいずれか一方に波長が互
いに異なる複数の光源を用いることができるので、露光
用光源にレーザーの様にスペクトル幅の十分細い光源を
用いた場合には二波長露光法により、ウェハ側のパター
ン側壁面に現れる定在波効果を軽減でき、またアライメ
ント用光源では、使用されるフォートレジストに適応し
たアライメント用波長を選択できる、高精度なアライメ
ントと露光とが可能な露光装置を実現することができ
る。
第1図は本発明の一実施例を示す光学系配置図、第2図
は第1図とは別の本発明の実施例を示す光学系配置図、
第3図は、本発明の要部をなす投影光学系の軸上色収差
補正の原理を説明するための軸上色収差曲線図、第4図
は第1図に示す実施例に用いられた投影光学系の色収差
補正状態を示す軸上色収差曲線図、第5図は第2図に示
す実施例に用いられた投影光学系の色収差補正状態を示
す軸上色収差曲線図、第6図は従来公知の装置における
軸上色収差補正の状態を説明するための軸上色収差曲線
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1……超高圧水銀ランプ(パターン照明光学系) 1A、1B……エキシマレーザー(パターン照明光学
系) 3……コリメーターレンズ(パターン照明光学系) 3A……ビームイクスパンダー(パターン照明光学系) 4A……バンドパスフィルター(パターン照明光学系) 4B……オプチカルインテグレータ(パターン照明光学
系) 5……コンデンサーレンズ(パターン照明光学系) 6……レチクル(フォトマスク) 7……投影光学系、8……ウェハー 10A……レーザー光源(アライメント照明光学系) 10B……レーザー光源(アライメント照明光学系) 12……集光レンズ(アライメント照明光学系) 13……視野絞り(アライメント照明光学系) 14……半透過鏡(アライメント照明光学系) 15……第1アライメント対物レンズ(アライメント光
学系) 16……第2アライメント対物レンズ(アライメント光
学系) 17……ミラー(アライメント光学系)
は第1図とは別の本発明の実施例を示す光学系配置図、
第3図は、本発明の要部をなす投影光学系の軸上色収差
補正の原理を説明するための軸上色収差曲線図、第4図
は第1図に示す実施例に用いられた投影光学系の色収差
補正状態を示す軸上色収差曲線図、第5図は第2図に示
す実施例に用いられた投影光学系の色収差補正状態を示
す軸上色収差曲線図、第6図は従来公知の装置における
軸上色収差補正の状態を説明するための軸上色収差曲線
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1……超高圧水銀ランプ(パターン照明光学系) 1A、1B……エキシマレーザー(パターン照明光学
系) 3……コリメーターレンズ(パターン照明光学系) 3A……ビームイクスパンダー(パターン照明光学系) 4A……バンドパスフィルター(パターン照明光学系) 4B……オプチカルインテグレータ(パターン照明光学
系) 5……コンデンサーレンズ(パターン照明光学系) 6……レチクル(フォトマスク) 7……投影光学系、8……ウェハー 10A……レーザー光源(アライメント照明光学系) 10B……レーザー光源(アライメント照明光学系) 12……集光レンズ(アライメント照明光学系) 13……視野絞り(アライメント照明光学系) 14……半透過鏡(アライメント照明光学系) 15……第1アライメント対物レンズ(アライメント光
学系) 16……第2アライメント対物レンズ(アライメント光
学系) 17……ミラー(アライメント光学系)
Claims (6)
- 【請求項1】フォトマスク上のパターンを照明するため
の露光用光源を含むパターン照明光学系と、前記露光用
光源からの光によって照明される前記パターンをウエハ
ー面上に結像させる投影光学系と、前記フォトマスクと
前記ウエハーとにそれぞれ設けられたアライメントマー
クを照明するためのアライメント用光源を含むアライメ
ント照明光学系と、前記投影光学系を介して前記ウエハ
ーと前記フォトマスクの相対位置関係の検出を行うため
のアライメント光学系とを備え、前記投影光学系には、
波長を関数とする軸上色収差が少なくとも2つの極値を
有するような結像系を用いたことを特徴とする露光装
置。 - 【請求項2】前記露光用光源には、前記2つの極値(P
1,P2)のうちの短波長側の極値(P1)を含む波長
幅の広い光を発する光源(1)または、前記短波長側の
極値(P1)を狭む互いに異なる複数の波長の光を発す
る光源(1A,1B)を用い、前記アライメント用光源
には、前記2つの極値(P1,P2)のうちの長波長側
の極値(P2)より長い波長の光を発する光源(10
A)を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の露光装置。 - 【請求項3】前記2つの極値(P1,P2)のうち、一
方の極値(P1)は前記投影光学系(7)の焦点深度内
とし、該焦点深度内の極値(P1)近辺の波長の光を、
前記パターンを前記ウエハー(8)上に投影する露光光
としたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の露
光露置。 - 【請求項4】前記2つの極値(P1,P2)のうち、短
波長側の極値(P1)を前記投影光学系(7)の焦点深
度内とすると共に長波長側の極値(P2)を前記投影光
学系(7)の焦点深度外とし、該長波長側の極値
(P2)より長波長領域の波長によってアライメントを
行うことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の露光
装置。 - 【請求項5】前記アライメント用光源にはレーザ光源
(10A,10B)を用い、前記露光用光源には前記レ
ーザ光源より波長が短く且つ波長幅の広い光源(1)を
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の露
光装置。 - 【請求項6】前記露光用光源と前記アライメント用光源
のいずれか一方には互いに波長が異なる複数のレーザ光
源を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038852A JPH0669014B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 露光装置 |
| US07/016,120 US4798962A (en) | 1986-02-24 | 1987-02-18 | Multi-wavelength projection exposure and alignment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038852A JPH0669014B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196825A JPS62196825A (ja) | 1987-08-31 |
| JPH0669014B2 true JPH0669014B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=12536729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61038852A Expired - Lifetime JPH0669014B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4798962A (ja) |
| JP (1) | JPH0669014B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2797250B2 (ja) * | 1987-05-14 | 1998-09-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JPS6486518A (en) * | 1987-06-05 | 1989-03-31 | Hitachi Ltd | Reduction projection type position detection and device therefor |
| US5260771A (en) * | 1988-03-07 | 1993-11-09 | Hitachi, Ltd. | Method of making semiconductor integrated circuit, pattern detecting method, and system for semiconductor alignment and reduced stepping exposure for use in same |
| JP2773147B2 (ja) * | 1988-08-19 | 1998-07-09 | 株式会社ニコン | 露光装置の位置合わせ装置及び方法 |
| JPH03225815A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-04 | Canon Inc | 露光装置 |
| USRE36799E (en) * | 1990-06-13 | 2000-08-01 | Nikon Corporation | Projection optical apparatus using plural wavelengths of light |
| JP3033135B2 (ja) * | 1990-06-13 | 2000-04-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
| US5231467A (en) * | 1990-09-20 | 1993-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reflective alignment position signal producing apparatus |
| US5371570A (en) * | 1993-01-04 | 1994-12-06 | The University Of Rochester | Refractive/diffractive optical system for broad-band through-the-lens imaging of alignment marks on substrates in stepper machines |
| US5424839A (en) * | 1993-03-01 | 1995-06-13 | Hughes Training, Inc. | Method and apparatus for aligning visual images with visual display devices |
| DE69530757T2 (de) * | 1994-01-24 | 2004-03-18 | Asml Holding, N.V. | Gitter-gitter interferometrisches ausrichtsystem |
| JP2715895B2 (ja) * | 1994-01-31 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 光強度分布シミュレーション方法 |
| US6034378A (en) | 1995-02-01 | 2000-03-07 | Nikon Corporation | Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus |
| GB2431729A (en) * | 2005-10-29 | 2007-05-02 | Gsi Group Ltd | Optical fibre coupling structure with wedge shaped end |
| US20130207544A1 (en) | 2011-09-30 | 2013-08-15 | Pinebrook Imaging Technology, Ltd. | Illumination system |
| KR102604340B1 (ko) * | 2018-01-24 | 2023-11-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법 |
| JP2023003153A (ja) * | 2021-06-23 | 2023-01-11 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法および物品の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4362389A (en) * | 1980-02-19 | 1982-12-07 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for projection type mask alignment |
| JPS5979527A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Hitachi Ltd | パタ−ン検出装置 |
| JPS60222862A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-07 | Canon Inc | 露光装置 |
| US4682037A (en) * | 1984-07-10 | 1987-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus having an alignment light of a wavelength other than that of the exposure light |
-
1986
- 1986-02-24 JP JP61038852A patent/JPH0669014B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-02-18 US US07/016,120 patent/US4798962A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4798962A (en) | 1989-01-17 |
| JPS62196825A (ja) | 1987-08-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |