JPH0669075B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0669075B2 JPH0669075B2 JP61268546A JP26854686A JPH0669075B2 JP H0669075 B2 JPH0669075 B2 JP H0669075B2 JP 61268546 A JP61268546 A JP 61268546A JP 26854686 A JP26854686 A JP 26854686A JP H0669075 B2 JPH0669075 B2 JP H0669075B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base substrate
- resin
- semiconductor device
- lsi
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はLSI実装体に係り、とくにLSIと配線基板との接
続の信頼性を向上するのに好適な半導体装置に関する。
続の信頼性を向上するのに好適な半導体装置に関する。
従来よりLSIを配線基板にはんだ溶融によって接続する
技術は良く知られている。
技術は良く知られている。
この技術における制限は、LSIと配線基板との熱膨脹の
相異によって接続用はんだに大きな歪が繰返し発生して
遂には断線に至る点である。
相異によって接続用はんだに大きな歪が繰返し発生して
遂には断線に至る点である。
そこで、従来、前記の断線が発生しなようにLSIサイズ
を小さくするなどの設計的工夫がなされている。
を小さくするなどの設計的工夫がなされている。
前記歪を小さくするための一例として特開昭60−63951
号に記載され、これを第４図に示すように、LSI1が配線
基板２にはんだ４にて接続され、その周辺を粉粒体の入
った樹脂３により配線基板２に固着させるものが提案さ
れている。
号に記載され、これを第４図に示すように、LSI1が配線
基板２にはんだ４にて接続され、その周辺を粉粒体の入
った樹脂３により配線基板２に固着させるものが提案さ
れている。
この方式によれば、LSI1の熱膨脹をおさえ、はんだ４の
歪を少なくして熱疲労寿命を長くすることができる利点
がある。
歪を少なくして熱疲労寿命を長くすることができる利点
がある。
近年、この種の半導体装置においては、高密度化の要求
から配線基板として薄膜多層基板が使用されるようにな
ってきている。この薄膜多層基板はたとえば第５図に示
すようにセラミックなどのベース基板２上にポリイミド
などからなる樹脂を絶縁材料として多層化５をはかった
ものである。
から配線基板として薄膜多層基板が使用されるようにな
ってきている。この薄膜多層基板はたとえば第５図に示
すようにセラミックなどのベース基板２上にポリイミド
などからなる樹脂を絶縁材料として多層化５をはかった
ものである。
しかるに、第５図に示すように、粉粒体の入った樹脂３
でLSI1の周囲を包囲した場合、粉粒体の入った樹脂３と
ベース基板２との熱膨脹の差のため、温度変化によって
接着界面に応力が発生する。このとき、両樹脂3,5間の
接着強度に対して多層樹脂５とベース基板２との接着強
度は低く、とくに第６図に示すようにベース基板２の端
面では接着強度が弱く、反対に応力が最大になるため、
薄膜多層部分５がベース基板２からはく離する問題があ
る。
でLSI1の周囲を包囲した場合、粉粒体の入った樹脂３と
ベース基板２との熱膨脹の差のため、温度変化によって
接着界面に応力が発生する。このとき、両樹脂3,5間の
接着強度に対して多層樹脂５とベース基板２との接着強
度は低く、とくに第６図に示すようにベース基板２の端
面では接着強度が弱く、反対に応力が最大になるため、
薄膜多層部分５がベース基板２からはく離する問題があ
る。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、優れ
た信頼性を有する半導体装置を提供することにある。
た信頼性を有する半導体装置を提供することにある。
前記の目的は、ベース基板上に粉粒体の入った樹脂と直
接接着するための直接接着部を設置することにより達成
される。
接接着するための直接接着部を設置することにより達成
される。
前記薄膜多層部のはく離は、粉粒体の入った樹脂で接着
された部分の最外縁部に最も多く発生しやすいことがわ
かった。
された部分の最外縁部に最も多く発生しやすいことがわ
かった。
これは、樹脂とベース基板との熱膨脹の差が最も大きな
理由であって、この熱膨脹の差によって大きな応力が薄
膜多層部に加わると同時にその大きな応力は最外縁部に
加わるので、ベース基板からはく離する方向に力が働く
ためである。
理由であって、この熱膨脹の差によって大きな応力が薄
膜多層部に加わると同時にその大きな応力は最外縁部に
加わるので、ベース基板からはく離する方向に力が働く
ためである。
そこで、本発明は、前記最外縁部の薄膜多層部を除去し
てセラミックなどからなるベース基板上に直接粉粒体の
入った樹脂を接着したので、応力に対する接着強度は、
薄膜多層部よりも大きくなって最外縁部の粉粒体の入っ
た樹脂がベース基板からはがれにくくなる。
てセラミックなどからなるベース基板上に直接粉粒体の
入った樹脂を接着したので、応力に対する接着強度は、
薄膜多層部よりも大きくなって最外縁部の粉粒体の入っ
た樹脂がベース基板からはがれにくくなる。
また粉粒体の入った樹脂の内側に位置する薄膜多層部は
最外縁部の粉粒体の入った樹脂がベース基板上からはが
れない限りこの樹脂に包囲され、ベース基板からはく離
する力が働かないので、ベース基板からはく離すること
がない。
最外縁部の粉粒体の入った樹脂がベース基板上からはが
れない限りこの樹脂に包囲され、ベース基板からはく離
する力が働かないので、ベース基板からはく離すること
がない。
以下、本発明の一実施例を示す第１図について説明す
る。第１図は本発明の一実施例である半導体を示す図で
ある。
る。第１図は本発明の一実施例である半導体を示す図で
ある。
第１図に示すようにベース基板２上のはんだ４にてLSI1
と接続する薄膜多層部５の一部（最外縁部）が除去さ
れ、その部分2aのベース基板２上を露出させたのち、LS
I1を包囲するための粉粒体の入った樹脂３が前記ベース
基板２上の露出部分に直接接着している。
と接続する薄膜多層部５の一部（最外縁部）が除去さ
れ、その部分2aのベース基板２上を露出させたのち、LS
I1を包囲するための粉粒体の入った樹脂３が前記ベース
基板２上の露出部分に直接接着している。
本発明による半導体は前記の如く構成されているから、
粉粒体の入った樹脂３とベース基板２との熱膨脹の差に
よって発生する応力に対する接着強度が薄膜多層部５の
それよりも大きくなるので、粉粒体の入った樹脂３がベ
ース基板２からはがれるのを防止することができる。
粉粒体の入った樹脂３とベース基板２との熱膨脹の差に
よって発生する応力に対する接着強度が薄膜多層部５の
それよりも大きくなるので、粉粒体の入った樹脂３がベ
ース基板２からはがれるのを防止することができる。
また、薄膜多層部５は粉粒体の入った樹脂３に包囲され
ているため、粉粒体の入った樹脂３がベース基板２から
はがれない限りベース基板２からはく離する力が働かな
いのでベース基板２からはく離するのを防止することが
できる。
ているため、粉粒体の入った樹脂３がベース基板２から
はがれない限りベース基板２からはく離する力が働かな
いのでベース基板２からはく離するのを防止することが
できる。
つぎに第２図は本発明の他の一実施例であるベース基板
上に複数のLSIを搭載した半導体を示し、第３図は第２
図に示す半導体の他の一実施例を示す。
上に複数のLSIを搭載した半導体を示し、第３図は第２
図に示す半導体の他の一実施例を示す。
第２図においては、LSI1毎に薄膜多層部５′が分割さ
れ、かつ各薄膜多層部５′の最外縁部を除去してその部
分2aのベース基板２上を露出し、この部分2aに薄膜多層
部５′を包囲する粉粒体の入った樹脂３が直接接着して
いる。
れ、かつ各薄膜多層部５′の最外縁部を除去してその部
分2aのベース基板２上を露出し、この部分2aに薄膜多層
部５′を包囲する粉粒体の入った樹脂３が直接接着して
いる。
また第３図においては、複数個のLSI1と接続する１個の
薄膜多層部５″の最外縁部を除去してその部分2aのベー
ス基板２上を露出し、この部分2aに薄膜多層部５″を包
囲する粉粒体の入った樹脂３が直接接着している。
薄膜多層部５″の最外縁部を除去してその部分2aのベー
ス基板２上を露出し、この部分2aに薄膜多層部５″を包
囲する粉粒体の入った樹脂３が直接接着している。
したがって、第２図および第３図に示す半導体において
も前記第１図に示す半導体と同様の効果を得ることがで
きる。
も前記第１図に示す半導体と同様の効果を得ることがで
きる。
本発明によれば粉粒体の入った樹脂および薄膜多層部が
ベース基板上からはく離するのを防止することができる
ので、優れた信頼性を得ることができる。
ベース基板上からはく離するのを防止することができる
ので、優れた信頼性を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例である半導体装置を示す図、
第２図は本発明の他の一実施例である半導体装置を示す
図、第３図は本発明のさらに他の一実施例である半導体
装置を示す図、第４図は従来の半導体装置の一例を示す
図、第５図は従来の半導体装置の他の一例を示す図、第
６図は従来の半導体装置のさらに他の一例を示す図であ
る。 １……LSI、２……ベース基板、３……粉粒体の入った
樹脂、５……薄膜多層部。
第２図は本発明の他の一実施例である半導体装置を示す
図、第３図は本発明のさらに他の一実施例である半導体
装置を示す図、第４図は従来の半導体装置の一例を示す
図、第５図は従来の半導体装置の他の一例を示す図、第
６図は従来の半導体装置のさらに他の一例を示す図であ
る。 １……LSI、２……ベース基板、３……粉粒体の入った
樹脂、５……薄膜多層部。
Claims (2)
- 【請求項１】ベース基板上に樹脂を絶縁層として形成し
た多層配線基板と、この多層配線基板上にはんだにて溶
融接続するLSIと、このLSIを包囲する粉粒体の入った樹
脂とを有し、かつ、前記粉粒体の入った樹脂を前記ベー
ス基板上に直接接着するように構成したことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】前記ベース基板上に前記粉粒体の入った樹
脂が直接接着している領域は、前記多層配線基板の最外
周部であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268546A JPH0669075B2 (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268546A JPH0669075B2 (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124425A JPS63124425A (ja) | 1988-05-27 |
| JPH0669075B2 true JPH0669075B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=17460030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61268546A Expired - Lifetime JPH0669075B2 (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669075B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5469333A (en) * | 1993-05-05 | 1995-11-21 | International Business Machines Corporation | Electronic package assembly with protective encapsulant material on opposing sides not having conductive leads |
| JP4288517B2 (ja) * | 1998-07-01 | 2009-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3639272B2 (ja) | 2002-08-30 | 2005-04-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182752A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Hitachi Ltd | 樹脂被覆電子装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-11-13 JP JP61268546A patent/JPH0669075B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63124425A (ja) | 1988-05-27 |
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