JPH0669408A - 高周波電力増幅用半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高周波電力増幅用半導体装置において、回路
基板上の回路パターンを簡略化する。また、高周波電力
増幅用半導体装置の小型化を図る。 【構成】 高周波電力増幅用半導体装置において、機能
の異なるリード端子２を多方向の位置に配設する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高周波電力増幅用半導
体装置（増幅用混成集積回路装置）に関し、特に、小型
化、高密度化が可能な高周波電力増幅用半導体装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、高周波電力増幅用半導体装置(増
幅用混成集積回路装置)１０１は、図５(外観構成を示す
斜視図)に示すように、放熱板に取り付ける必要上、単
一方向にリード端子１０２を配設している。尚、リード
端子１０２(Ｐin)は入力ピン、リード端子１０２(Ｖap
c）はコントロールピン、リード端子１０２(Ｖdd)は電
源ピン、リード端子１０２（Ｐout)は出力ピンである。
そして、高周波電力増幅用半導体装置１０１は、図６
（回路構成を示す模式図）に示すように、リード端子１
０２を一方向から引き出しているため、配線基板上の回
路パターン１０３にクロス配線(交差配線)１０４を有す
る。尚、図６中、１０５は増幅用半導体素子である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の高
周波電力増幅用半導体装置(増幅用混成集積回路装置)１
０１について検討した結果、以下の問題点を見い出し
た。

【０００４】（１）クロス配線１０４による浮遊容量が
生じて発振したり、信号の歪みを生じたりするという問
題があった。

【０００５】（２）パワーアップのため多段にする必要
があるが、その際に、浮遊容量を考慮すると、多段にす
ることができない。したがって、半導体素子、リード端
子、抵抗体等の配設面積に制限があり、小型化を図るこ
とができないという問題があった。

【０００６】本発明の目的は、高周波電力増幅用半導体
装置の配線基板上の回路パターンを簡略化することが可
能な技術を提供することにある。

【０００７】本発明の他の目的は、高周波電力増幅用半
導体装置の小型化を図ることが可能な技術を提供するこ
とにある。

【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１０】すなわち、高周波電力増幅用半導体装置に
おいて、機能の異なるリード端子を多方向の位置に配設
した高周波電力増幅用半導体装置である。

【００１１】

【作用】前述した手段によれば、一方向から引き出して
いたリード端子を多方向の位置に配設することにより、
回路基板(アートワーク)上の回路パターンの設計を容易
にし、バイアスライン等のクロス配線(交差配線)を廃止
できるので、配線基板上の回路パターンを簡略化するこ
とができると共に、高周波電力増幅用半導体装置の小型
化を図ることができる。

【００１２】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。

【００１３】図１は、本発明の一実施例である高周波電
力増幅用半導体装置の外観構成を示す斜視図、図２は、
図１に示すＡ−Ａ切断線で切った断面図、図３は、前記
高周波電力増幅用半導体装置の回路構成を示す模式図で
ある。

【００１４】図１及び図２において、１は高周波電力増
幅用半導体装置、２はリード端子、３は回路基板、４は
放熱板、５は増幅用半導体素子、６はコンデンサー、抵
抗、コイル等の回路素子、７は複数個の電極パッドを配
置した接続用タブ、８はボンディングワイヤ、９は封止
用キャップである。尚、リード端子２(Ｐin)は入力ピ
ン、リード端子２(Ｖapc）はコントロールピン、リード
端子２(Ｖdd)は電源ピン、リード端子２(Ｐout）は出力
ピンである。

【００１５】図１及び図２に示すように、本実施例の高
周波電力増幅用半導体装置１は、放熱板４上に回路基板
３を塔載している。この回路基板３上にはリード端子２
のインナー部、増幅用半導体素子５、回路素子６、接続
用タブ７等が塔載され、これらは回路基板３に電気的に
接続される。回路基板３は、放熱板４及び封止用キャッ
プ９で封止される。尚、増幅用半導体素子５は、ボンデ
ィングワイヤ８を介して接続用タブ７に電気的に接続さ
れる。

【００１６】前記高周波電力増幅用半導体装置１は、機
能の異なるリード端子２を多方向の位置に配設してい
る。

【００１７】このように構成することにより、図３に示
すように、高周波電力増幅用半導体装置１の回路パター
ン１０の設計を容易にし、バイアスライン等のクロス配
線を廃止できるので、回路基板３上の回路パターン１０
を簡略化することができると共に、高周波電力増幅用半
導体装置１の小型化を図ることができる。

【００１８】図４は、本発明の応用例であるＡＤＣシス
テムの概略構成を説明するための図であり、（ａ）は多
段式高周波電力増幅用半導体装置の回路構成を示す模式
図、(ｂ)はＡＤＣシステムの概略構成を示す模式図であ
る。

【００１９】図４において、１１は多段式の回路パター
ン、１１Ａはアナログ用の多段式高周波電力増幅用半導
体装置、１１Ｂはデジタル用の多段式高周波電力増幅用
半導体装置、１２はリード端子、１３は増幅用半導体素
子、１４はマザーボードである。尚、リード端子１２
(Ｐin)は入力ピン、リード端子１２(Ｖapc）はコントロ
ールピン、リード端子１２(Ｖdd)は電源ピン、リード端
子１２(Ｐout）は出力ピンである。

【００２０】例えばＡＤＣシステムのようにアナログ用
の高周波電力増幅用半導体装置１１Ａとデジタル用の高
周波電力増幅用半導体装置１１Ｂとが必要な場合には、
図４に示すように、高周波電力増幅用半導体装置１１Ａ
のリード端子１２と高周波電力増幅用半導体装置１１Ａ
のリード端子１２とのリード配置を逆くにしてマザーボ
ード１３に実装し、マザーボード１３の実装効率を向上
することができる。

【００２１】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

【００２２】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００２３】一方向から引き出していたリード端子を多
方向の位置に配設することにより、高周波電力増幅用半
導体装置の回路パターンの設計を容易にし、バイアスラ
イン等のクロス配線を廃止できるので、回路基板上の回
路パターンを簡略化することができると共に、高周波電
力増幅用半導体装置の小型化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例である高周波電力増幅用半
導体装置の外観構成を示す斜視図、

【図２】 図１に示すＡ−Ａ切断線で切った断面図、

【図３】 前記高周波電力増幅用半導体装置の回路構成
を示す模式図、

【図４】 本発明の応用例であるＡＤＣシステムの概略
構成を説明するための図、

【図５】 従来の高周波電力増幅用半導体装置の外観構
成を示す斜視図、

【図６】 従来の高周波電力増幅用半導体装置の回路構
成を示す模式図。

【符号の説明】

１…高周波電力増幅用半導体装置、２…リード端子、３
…回路基板、４…放熱板、５…増幅用半導体素子、６…
回路素子、７…接続用タブ、８…ボンディングワイヤ、
９…封止用キャップ、１０回路パターン、多段式回路パ
ターン、１１Ａ…アナログ用の多段式高周波電力増幅用
半導体装置、１１Ｂ…デジタル用の多段式高周波電力増
幅用半導体装置、１２…リード端子、１３…増幅用半導
体素子、１４…マザーボード。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波電力増幅用半導体装置において、
   機能の異なるリード端子を多方向の位置に配設したこと
   を特徴とする高周波電力増幅用半導体装置。