JPH0670925B2 - 薄膜磁気ヘッド用基板材料 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド用基板材料Info
- Publication number
- JPH0670925B2 JPH0670925B2 JP63152238A JP15223888A JPH0670925B2 JP H0670925 B2 JPH0670925 B2 JP H0670925B2 JP 63152238 A JP63152238 A JP 63152238A JP 15223888 A JP15223888 A JP 15223888A JP H0670925 B2 JPH0670925 B2 JP H0670925B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic head
- thin film
- film magnetic
- substrate material
- tic
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はコンピューターの周辺装置であるフロッピーデ
ィスク装置やムードディスク装置に組み込まれる磁気ヘ
ッドの基板材料に関し、特に薄膜磁気ヘッド用非磁性基
板に関するものである。
ィスク装置やムードディスク装置に組み込まれる磁気ヘ
ッドの基板材料に関し、特に薄膜磁気ヘッド用非磁性基
板に関するものである。
高密度記録用磁気ヘッドとして従来のフェライトを使用
したヘッドに変り、最近では薄膜磁気ヘッドが注目され
て来ている。
したヘッドに変り、最近では薄膜磁気ヘッドが注目され
て来ている。
ここで薄膜磁気ヘッド用基板材料としてはAl2O3-TiCセ
ラミックスが用いられている。その理由としては、他材
料に比較し高硬度かつ高強度なため高密度磁気記録用と
して使われる金属系の記録媒体との接触起動停止に対し
高い耐久性を示す事があげられる。
ラミックスが用いられている。その理由としては、他材
料に比較し高硬度かつ高強度なため高密度磁気記録用と
して使われる金属系の記録媒体との接触起動停止に対し
高い耐久性を示す事があげられる。
しかしながらAl2O3-TiCセラミックスよりなる薄膜磁気
ヘッドは、焼結性が悪いために、基板材料として必要
な緻密なものを得るためには焼結温度を1850〜1900℃の
高温としなければならないこと、機械加工性が悪いた
めに小型化の要求に対応できないこと等の欠点があげら
れる。
ヘッドは、焼結性が悪いために、基板材料として必要
な緻密なものを得るためには焼結温度を1850〜1900℃の
高温としなければならないこと、機械加工性が悪いた
めに小型化の要求に対応できないこと等の欠点があげら
れる。
本発明は斯る欠点を除去するため研究したもので、その
技術的課題は焼結性及び機械加工性に優れた薄膜磁気ヘ
ッド用基板材料を提供することにある。
技術的課題は焼結性及び機械加工性に優れた薄膜磁気ヘ
ッド用基板材料を提供することにある。
本発明は上述の欠点を改善する様構成したもので、薄膜
磁気ヘッド用基板材料において、主成分と，添加物とか
らなるセラミックスであって，前記主成分は15〜60wt％
のTiCと残部が実質的にAl2O3とからなり，前記添加物は
前記セラミックスの総重量に対して，総量で0.1〜1wt％
含有され,Ti,Zr,Nb,Ta,Cr,Mo,及びＷの夫々の珪化物か
らなる群から選択された少なくとも一種の金属珪化物か
らなることを特徴とし，その焼結性、及び加工性を改良
したものである。
磁気ヘッド用基板材料において、主成分と，添加物とか
らなるセラミックスであって，前記主成分は15〜60wt％
のTiCと残部が実質的にAl2O3とからなり，前記添加物は
前記セラミックスの総重量に対して，総量で0.1〜1wt％
含有され,Ti,Zr,Nb,Ta,Cr,Mo,及びＷの夫々の珪化物か
らなる群から選択された少なくとも一種の金属珪化物か
らなることを特徴とし，その焼結性、及び加工性を改良
したものである。
つまり本発明において金属珪化物の添加は焼結性を改善
し、特に0.1〜1.0wt％の添加量の時最大となる。このこ
とは、添加物は主成分の粒成長を抑えながら緻密化を進
行させるため、相対密度が高いにもかかわらず、得られ
た焼結性は機械加工性に優れたものとなる。このような
効果は添加量が0.1wt％未満では得られずまた1wt％を超
えると焼結時に粒界層における液層の生成が著しくなり
焼結性は向上するものの粒径は大きくなり、また同時に
粒界強度も低下しピッカース硬度Hv、抗折強度Ｆともに
劣化するためチッピング発生率も高くなる。また主成分
に関しては、TiCとAl2O3の合計に対するTiC量が15wt％
未満ではHvが2000kg/mm2以下となり、また60wt％を超え
ると焼結性が著しく低下するため主成分のTiC量は15〜6
0wt％が望ましい。
し、特に0.1〜1.0wt％の添加量の時最大となる。このこ
とは、添加物は主成分の粒成長を抑えながら緻密化を進
行させるため、相対密度が高いにもかかわらず、得られ
た焼結性は機械加工性に優れたものとなる。このような
効果は添加量が0.1wt％未満では得られずまた1wt％を超
えると焼結時に粒界層における液層の生成が著しくなり
焼結性は向上するものの粒径は大きくなり、また同時に
粒界強度も低下しピッカース硬度Hv、抗折強度Ｆともに
劣化するためチッピング発生率も高くなる。また主成分
に関しては、TiCとAl2O3の合計に対するTiC量が15wt％
未満ではHvが2000kg/mm2以下となり、また60wt％を超え
ると焼結性が著しく低下するため主成分のTiC量は15〜6
0wt％が望ましい。
以下本発明は実施例に従い詳細に説明する。
平均粒径0.1〜0.5μｍ、純度99％以上のAl2O3,TiC,TiSi
2，ZrSi2，NbSi2，TaSi2，CrSi2，MoSi2，WSi2の各粉末
原料を第１表に示す組成比となる様に秤量しNo.1〜10の
各試料とした。表中の主成分TiC及びAl2O3は、主成分の
組成（wt％）を示し、添加物の量は、主成分及び添加物
の総量に対する重量比（wt％）で示している。
2，ZrSi2，NbSi2，TaSi2，CrSi2，MoSi2，WSi2の各粉末
原料を第１表に示す組成比となる様に秤量しNo.1〜10の
各試料とした。表中の主成分TiC及びAl2O3は、主成分の
組成（wt％）を示し、添加物の量は、主成分及び添加物
の総量に対する重量比（wt％）で示している。
試料No.1〜５が本発明の適用例であり試料No.5〜10は比
較のためのものである。
較のためのものである。
No.1〜No.10の各試料をそれぞれの前述の様に秤量後エ
タノールを溶媒とし、ボールミルにて20〜40時間混合し
た。次に、過、乾燥後、有機系バインダーを添加し、
たて30mm×よこ30mm×高さ10mmのブロックに加圧成型し
た。次に1750℃の温度でこのブロックをAr気流中にて２
時間の焼結を行った。焼結後Arガスを圧力媒体として用
い圧力1000kg/cm2、温度1650℃、２時間保持の条件で熱
間等静圧圧縮成形（HIP）処理を行った。
タノールを溶媒とし、ボールミルにて20〜40時間混合し
た。次に、過、乾燥後、有機系バインダーを添加し、
たて30mm×よこ30mm×高さ10mmのブロックに加圧成型し
た。次に1750℃の温度でこのブロックをAr気流中にて２
時間の焼結を行った。焼結後Arガスを圧力媒体として用
い圧力1000kg/cm2、温度1650℃、２時間保持の条件で熱
間等静圧圧縮成形（HIP）処理を行った。
以上の工程より得られた試料の材料特性の評価として相
対密度、ビッカース硬度Hv、抗折強度Ｆ、の測定を行っ
た。また各試料よりたて5mm×よこ5mm×20mmの角柱を切
り出した後、この角柱の隣接する5mm×20mmの２面を鏡
面加工し陵部に生じた２×２μｍ以上のチッピング数を
1000倍の倍率を有する光学顕微鏡を用いてカウントして
1cm当りの発生率に換算し加工性の評価とした。さらに
組織観察を行い平均粒径を求めた。
対密度、ビッカース硬度Hv、抗折強度Ｆ、の測定を行っ
た。また各試料よりたて5mm×よこ5mm×20mmの角柱を切
り出した後、この角柱の隣接する5mm×20mmの２面を鏡
面加工し陵部に生じた２×２μｍ以上のチッピング数を
1000倍の倍率を有する光学顕微鏡を用いてカウントして
1cm当りの発生率に換算し加工性の評価とした。さらに
組織観察を行い平均粒径を求めた。
以上の結果を第１表に組成の値とともに記載した。
この表から、試料No.6の無添加例に比較し、TiSi2，ZrS
i2，NbSi2，TaSi2，CrSi2，MoSi2，WSi2，の少なくとも
一種以上を0.1〜1wt％添加した時平均粒径1.2〜1.1μｍ
の小粒径組織であるにもかかわらず相対密度99.96〜99.
98％と高密度で、かつHv,F,チッピングの発生率ともに
向上している。
i2，NbSi2，TaSi2，CrSi2，MoSi2，WSi2，の少なくとも
一種以上を0.1〜1wt％添加した時平均粒径1.2〜1.1μｍ
の小粒径組織であるにもかかわらず相対密度99.96〜99.
98％と高密度で、かつHv,F,チッピングの発生率ともに
向上している。
しかし添加量が0.1wt％未満の時（試料No.7,8）焼結性
の改善は見られず相対密度は90％程度しか得られず、機
械強度も低くこのためチッピング発生率も高い。
の改善は見られず相対密度は90％程度しか得られず、機
械強度も低くこのためチッピング発生率も高い。
これに対し、添加量が1wt％を超えると焼結性は向上し
ているものの粒成長が顕著になり、かつHv,Fの低下チッ
ピング発生率の増加が観察された。
ているものの粒成長が顕著になり、かつHv,Fの低下チッ
ピング発生率の増加が観察された。
〔発明の効果〕 以上述べた如く本発明によれば、小粒径組織かつ緻密で
かつ機械加工性に優れた薄膜磁気ヘッド用高密度Al2O3-
TiCセラミックス基板材料の提供が可能となった。
かつ機械加工性に優れた薄膜磁気ヘッド用高密度Al2O3-
TiCセラミックス基板材料の提供が可能となった。
Claims (1)
- 【請求項１】主成分と，添加物とからなるセラミックス
であって， 前記主成分は15〜60wt％のTiCと残部が実質的にAl2O3と
からなり， 前記添加物は前記セラミックスの総重量に対して，総量
で0.1〜1wt％含有され,Ti,Zr,Nb,Ta,Cr,Mo,及びＷの夫
々の珪化物からなる群から選択された少なくとも一種の
金属珪化物からなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド用
基板材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152238A JPH0670925B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 薄膜磁気ヘッド用基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152238A JPH0670925B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 薄膜磁気ヘッド用基板材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319914A JPH01319914A (ja) | 1989-12-26 |
| JPH0670925B2 true JPH0670925B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=15536108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63152238A Expired - Fee Related JPH0670925B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 薄膜磁気ヘッド用基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0670925B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066408A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-16 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜磁気ヘッド用セラミックス基板 |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63152238A patent/JPH0670925B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01319914A (ja) | 1989-12-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |