JPH0670964B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH0670964B2
JPH0670964B2 JP59086633A JP8663384A JPH0670964B2 JP H0670964 B2 JPH0670964 B2 JP H0670964B2 JP 59086633 A JP59086633 A JP 59086633A JP 8663384 A JP8663384 A JP 8663384A JP H0670964 B2 JPH0670964 B2 JP H0670964B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
insulating film
polycrystalline silicon
region
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59086633A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60231319A (ja
Inventor
良一 向井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP59086633A priority Critical patent/JPH0670964B2/ja
Publication of JPS60231319A publication Critical patent/JPS60231319A/ja
Publication of JPH0670964B2 publication Critical patent/JPH0670964B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
    • H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H10P14/3808—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H10P14/3814—Continuous wave laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2902—Materials being Group IVA materials
    • H10P14/2905—Silicon, silicon germanium or germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3202—Materials thereof
    • H10P14/3204—Materials thereof being Group IVA semiconducting materials
    • H10P14/3211—Silicon, silicon germanium or germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3202—Materials thereof
    • H10P14/3238—Materials thereof being insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3242—Structure
    • H10P14/3244—Layer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3242—Structure
    • H10P14/3244—Layer structure
    • H10P14/3251—Layer structure consisting of three or more layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3451—Structure
    • H10P14/3452—Microstructure
    • H10P14/3458—Monocrystalline
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
    • H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H10P14/3818—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using particle beams
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
    • H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H10P14/382—Scanning of a beam

Landscapes

  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）発明の技術分野 本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に非晶質の絶
縁物基体上に、半導体装置を形成するための単結晶半導
体層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法の改良
に関する。
（ｂ）技術の背景 近時、分離耐圧が高く且つ寄生容量が小さい利点を持つ
誘電体（絶縁層）分離構造の半導体集積回路装置（IC）
が提供されている。又半導体ICの高集積化を図るため
に、半導体IC上に絶縁膜を介して更に半導体ICを積層す
る三次元ICが注目され始めている。
（ｃ）従来技術と問題点 上記誘電体分離構造及び三次元構造の半導体ICにおいて
は、非晶質の絶縁物基体即ち絶縁膜上に単結晶半導体島
状領域が設けられ、この単結晶半導体島状領域上に半導
体装置が形成される。
上記単結晶半導体島状領域は絶縁膜上に成長せしめられ
た多結晶半導体層を単結晶化することによって形成さ
れ、この際用いられるが、レーザ，電子線，熱線等のエ
ネルギー線照射による単結晶化技術である。
この単結晶化技術において重要なのは形成された単結晶
島状領域が結晶粒界を持たない完全な単結晶層よりなる
ことであり、其の為には多結晶半導体島状領域をエネル
ギー線照射によって加熱溶融し再結晶させる際の冷却
が、溶融された半導体層の一個所からその周囲に向かっ
て順次なされて行くことである。
初期の単結晶化技術においては、多結晶半導体層に直に
エネルギー線を照射する方法が用いられていた。即ち例
えば多結晶シリコン層に対して吸収効率の高いアルゴン
（Ar）レーザ・ビームで該多結晶シリコン層上を走査
し、該多結晶シリコン層を順次溶融し再結晶させていた
が、この方法においては溶融されたシリコン層の冷却が
その周囲からも多くなされるので、生成された単結晶シ
リコン層の周辺部に結晶粒界が多発し、半導体装置を形
成することが可能な領域が極めて狭く制限されるという
問題があった。
そこで上記問題を解消するべく提供されたのが傍熱型レ
ーザ・ヒーティング（Indirect Laser Heating）法等と
呼ぶ間接加熱の方法である。
第１図は従来の傍熱型レーザ・ヒーティング法による単
結晶シリコン島状領域の形成方法を示す模式断面図であ
る。
この図に示すように従来は、 0.5〜１〔μｍ〕程度の厚さを有する非晶質の絶縁物基
体例えば二酸化シリコン（SiO2）絶縁膜基体１上に、単
結晶化しようとする4000〜5000〔Å〕程度の厚さ，所望
の幅及び長さを有する多結晶シリコン島状領域２を形成
し、 該多結晶シリコン島状領域の表面に、例えば窒化シリコ
ン（Si3N4）膜とSiO2膜との積層構造よりなる分離用絶
縁膜（セパレーション・キャップと称する）３を形成
し、 該SiO2絶縁膜基体１上にレーザ吸収層として、前記多結
晶シリコン島状領域２を覆う厚さ2000〜2500〔Å〕程度
の多結晶シリコン層４を形成し、 該多結晶シリコン層４における前記多結晶シリコン島状
領域２の上部領域を該多結晶シリコン島状領域２の幅よ
りも大きいビーム・スポット径を有する所望強度のArレ
ーザ・ビームＬで走査して該多結晶シリコン層４を高温
に加熱し、該高温に加熱された多結晶シリコン層４を熱
源にして該多結晶シリコン島状領域２を間接的に加熱溶
融して単結晶化し、 しかる後図示しないが多結晶シリコン層４及び分離用絶
縁膜３を除去して、該絶縁膜１上に単結晶シリコン島状
領域を形成していた。
かかる傍熱型レーザ・ヒーティング法においては、溶融
されたシリコン島状領域の上部及び側面が加熱源となっ
た多結晶シリコン層４で覆われていることによって、該
シリコン島状領域２の冷却がその中心近傍から優先して
行われるので、周辺部から発生する結晶粒界をなくして
良質の単結晶シリコン島状領域が形成される。
然しながら上記従来方法においては、単結晶化しようと
する多結晶シリコン島状領域２が、レーザ・ビームの吸
収効率が悪いために高温に加熱されない絶縁膜１上に直
接載設されているために、冷却が他部より比較的速く行
われる該島状領域の下面の周辺部５を含む全体に溶融さ
れたシリコン島状領域が再結晶する際の該が発生し勝ち
であり、そのため一基板上に完全な単結晶シリコン島状
領域の形成歩留りが80〜100〔％〕の範囲でばらつくと
いう問題があった。
（ｄ）発明の目的 本発明は上記傍熱型レーザ・ヒーティング法等の間接加
熱方式の単結晶化技術において、完全な単結晶半導体島
状領域の形成歩留りのばらつきをさらに減少せしめる目
的でなされたものである （ｅ）発明の構成 上記目的は本発明により絶縁物基体上の熱伝導体として
機能する第１の層、第１の層における島状領域面上の第
１の絶縁膜、第１の絶縁膜上の単結晶化のための半導体
島状領域よりなる積層と、半導体島状領域の上表面及び
側面を覆う分離用絶縁膜と保温膜として機能する第２の
絶縁膜とを形成し、さらに第２の絶縁膜を含む基体面上
をエネルギー線吸収体として機能する第２の層で覆い、
第２の層上からエネルギー線を照射し、結晶核が半導体
島状領域の中心部近傍にのみ発生するように第１、第２
の層及び第１、第２の絶縁膜の厚さが選ばれ、第２の層
中に発生された熱が第２の絶縁膜を介し、また第１の層
と第１の絶縁膜とを介し半導体島状領域に供給されるよ
うにして半導体島状領域が単結晶化されることを特徴と
する半導体装置の製造方法によって達成される。
即ち本発明においては、単結晶化しようとする半導体島
状領域と該島状領域が載設される絶縁物基体との間に熱
伝導層と第１の絶縁膜を介在せしめ、該半導体島状領域
をさらに第２の絶縁膜を覆い、かつこの第２の絶縁膜を
含む基体上をエネルギー線吸収層で覆い、この吸収層上
をエネルギー線で照射することにより、そこに発生した
熱が半導体島状領域に上部から供給されるばかりでなく
熱伝導層を介して下部からも供給されることによって、
間接的に加熱溶融された該半導体島状領域が冷却単結晶
化される際の結晶核が、該半導体島状領域の中心近傍の
みに発生するようにしたものである。
かくして単結晶半導体島状領域周辺部から結晶粒界が発
生することが防止され、完全な単結晶半導体島状領域の
形成歩留りのばらつきが殆ど無くなる。
（ｆ）発明の実施例 以下本発明の要旨を、単結晶シリコン島状領域を形成す
る際の実施例について、図を参照して具体的に説明す
る。
第２図（ａ）〜（ｅ）は一実施例の工程断面図、第３図
は他の一実施例の工程断面図である。
第２図（ａ）参照 第１の実施例においては、図示しないシリコン基板面等
に通常の方法で形成された0.5〜１〔μｍ〕程度の厚さ
の例えばSiO2絶縁膜基体11上に、通常の減圧化学気相成
長法で熱伝導層として機能する例えば厚さ500〜1000
〔Å〕程度の第１の多結晶シリコン層12を形成し、次い
で同じく減圧化学気相成長法により該第１の多結晶シリ
コン層12上に第１の絶縁膜として機能し、且つ熱の伝導
率が比較的大きい100〔Å〕程度の窒化シリコン膜13を
形成し、次いで同じく減圧化学気相成長法により該窒化
シリコン膜13上に例えば厚さ4000〜5000〔Å〕程度の第
２の多結晶シリコン層を形成し、次いで通常ドライ・エ
ッチング手段により該第２の多結晶シリコン層のパター
ンニングを行って、単結晶化しようとする例えば幅20
〔μｍ〕長さ60〔μｍ〕程度の多結晶シリコン島状領域
14を形成する。
第２図（ｂ）参照 次いで熱酸化法により、該多結晶シリコン島状領域14の
表面に分離用絶縁膜（セパレーション・キャップ）とし
て機能する厚さ例えば350〜400〔Å〕程度のSiO215膜を
第２の絶縁膜として形成し、次いで所定の選択エッチン
グ手段により表出している窒化シリコン膜13を除去す
る。
第２図（ｃ）参照 次いで前記同様減圧化学気相成長法により該多結晶シリ
コン島状領域14が配設されている第１の多結晶シリコン
層12上に、Arレーザ吸収層として機能する厚さ例えば20
00〜2500〔Å〕程度の第２の層としての第３の多結晶シ
リコン層16を形成する。
第２図（ｄ）参照 次いで該第３の多結晶シリコン層16上に図示しない反射
防止膜を形成した後、該第３の多結晶シリコン層16にお
ける該多結晶シリコン島状領域14の上部領域を、該多結
晶シリコン島状領域14の幅よりも大きなビーム・スポッ
ト径例えば50〔μｍ〕程度のビーム・スポット径を有し
10〔Ｗ〕程度の出力を有するArレーザ・ビームＬで、該
多結晶シリコン島状領域14の長さ方向に順次走査する。
（走査速度は10〔cm/sec〕程度） 上記構造においては、シリコン島状領域14の上部及び側
面がレーザ吸収層である第３の多結晶シリコン層16に覆
われ且つ下部に熱伝導率の大きい第１の多結晶シリコン
層12が配設されているので、上記レーザ・ビーム照射に
よって溶融されたシリコン島状領域14は該島状領域２を
包むこれら給熱部から離れた中心部近傍から周辺部に向
かって順次冷却され単結晶化されて行く。かくして結晶
粒界が存在しない完全な単結晶島状領域24が形成され
る。
なお該実施例において完全な単結晶島状領域の形成歩留
りの変動は、一基板当たり95〜100〔％〕の範囲に抑え
られた。
第２図（ｅ）参照 次いで通常のドライ・エッチング手段により図示しない
反射防止膜，第３の多結晶シリコン層16及びSiO2膜（分
離用絶縁膜）15を除法し、次いで単結晶島状領域24の周
囲に表出している第１の多結晶シリコン層12を除去し、
SiO2絶縁膜基体11上に窒化シリコン絶縁膜13及び第１の
多結晶シリコン層12を下部に有する単結晶シリコン島状
領域24を形成する。
以後図示しないが、このようにして一SiO2絶縁膜基体11
上に多数個形成された単結晶シリコン島状領域24に通常
の方法で半導体装置が形成される。
第３図は第２の実施例における単結晶化に際しての構造
を示したものである。同図において11はSiO2絶縁膜基
体、12は厚さ500〔Å〕程度の第１の層としての第１の
多結晶シリコン層、14は単結晶化される厚さ4000〜5000
〔Å〕，幅20〔μｍ〕，長さ60〔μｍ〕程度の多結晶シ
リコン島状領域、16は第２の層としての第３の多結晶シ
リコン層、21は厚さ300〔Å〕程度の第１のSiO2絶縁
膜、22は厚さ350〜400〔Å〕程度の第２のSiO2絶縁膜、
23は厚さ800〔Å〕程度の窒化シリコン膜、ＬはArレー
ザ・ビームを表している。
なおここで第１の多結晶シリコン層12は前記実施例同様
熱伝導層として機能し、第1,第２のSiO2絶縁膜21,22は
分離絶縁層及び保温層として機能し、窒化シリコン膜23
は第３の多結晶シリコン層の剥離防止層として機能し、
第３の多結晶シリコン層16は前記実施例同様レーザ吸収
層として機能する。かかる構造においても、溶融したシ
リコン島状領域14は、周囲が保温層として機能する第1,
第２のSiO2絶縁膜21,22を介して第１の多結晶シリコン
層12,第３の多結晶シリコン層16等よりなる給熱層によ
って囲まれているので、冷却は該シリコン島状領域14の
中心部近傍から始まり、該中心部近傍を核にして周辺部
に向かって単結晶層が成長する。従って結晶粒界のない
完全な多結晶シリコン島状領域が形成される。
なお上記実施例においては、シリコンよりなるエネルギ
ー線吸収層と該シリコン層に高効率で吸収されるArレー
ザとの組合せでシリコン島状領域の加熱を行ったが、該
エネルギー線吸収層とエネルギー線との組合せは上記実
施例に限られるものではない。但し吸収効率は出来るだ
け高い事が望ましい。
又エネルギー線にはレーザ以外に、電子線，熱線等も用
いられる。
なお又本発明は、絶縁物基体上にシリコン以外の半導体
単結晶島状領域を形成する際にも適用される。
（ｇ）発明の効果 以上説明したように本発明によれば、絶縁物基体上に、
周辺部に結晶粒界が形成されない完全な単結晶半導体島
状領域を極めて変動の少ない高歩留りで形成できる。
従って本発明は、誘電体分離構造あるいは三次元構造の
半導体集積回路装置を製造する際に有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の単結晶島状領域形成方法を示す模式断面
図、第２図は本発明の方法における一実施例の工程断面
図で、第３図は同じく他の一実施例の工程断面図であ
る。 図において、11はSiO2絶縁膜基体、12は第１の多結晶シ
リコン層、13は窒化シリコン膜、14は多結晶シリコン島
状領域、15はSiO2膜、16は第３の多結晶シリコン層、Ｌ
はArレーザ・ビームをしめす。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁物基体上の熱伝導体として機能する第
    １の層、第１の層における島状領域面上の第１の絶縁
    膜、第１の絶縁膜上の単結晶化のための半導体島状領域
    よりなる積層と、半導体島状領域の上表面及び側面を覆
    う分離用絶縁膜と保温膜として機能する第２の絶縁膜と
    を形成し、さらに第２の絶縁膜を含む基体面上をエネル
    ギー線吸収体として機能する第２の層で覆い、第２の層
    上からエネルギー線を照射し、結晶核が半導体島状領域
    の中心部近傍にのみ発生するように第１、第２の層及び
    第１、第２の絶縁膜の厚さが選ばれ、第２の層中に発生
    された熱が第２の絶縁膜を介し、また第１の層と第１の
    絶縁膜とを介し半導体島状領域に供給されるようにして
    半導体島状領域が単結晶化されることを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
JP59086633A 1984-04-28 1984-04-28 半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JPH0670964B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59086633A JPH0670964B2 (ja) 1984-04-28 1984-04-28 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59086633A JPH0670964B2 (ja) 1984-04-28 1984-04-28 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60231319A JPS60231319A (ja) 1985-11-16
JPH0670964B2 true JPH0670964B2 (ja) 1994-09-07

Family

ID=13892425

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59086633A Expired - Lifetime JPH0670964B2 (ja) 1984-04-28 1984-04-28 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0670964B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5264072A (en) * 1985-12-04 1993-11-23 Fujitsu Limited Method for recrystallizing conductive films by an indirect-heating with a thermal-conduction-controlling layer

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，［４４（１０），１５Ｍａｙ１９８４，ＰＰ．９９４−９９６
第３０回応物学会連合講演会予稿集Ｐ．５１８Ｎｏ．７ａ−Ｎ−６

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60231319A (ja) 1985-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5371381A (en) Process for producing single crystal semiconductor layer and semiconductor device produced by said process
EP0127323B1 (en) A process for producing a single crystal semiconductor island on an insulator
JPS5939790A (ja) 単結晶の製造方法
JPH0793258B2 (ja) 導電体膜の再結晶化方法
JPH0343769B2 (ja)
JPH0450746B2 (ja)
JPH027415A (ja) Ｓｏｉ薄膜形成方法
JPH0670964B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US4678538A (en) Process for the production of an insulating support on an oriented monocrystalline silicon film with localized defects
JP2699325B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5856457A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3047424B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6159820A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62219510A (ja) 単結晶島状領域の形成方法
JPH01168050A (ja) 積層型半導体装置
JPS5939791A (ja) 単結晶の製造方法
JP2993107B2 (ja) 半導体薄膜の製造方法
JPH0236050B2 (ja)
JP2745055B2 (ja) 単結晶半導体薄膜の製造方法
JP2526380B2 (ja) 多層半導体基板の製造方法
JPS6149411A (ja) シリコン膜の単結晶化方法
JPS59158515A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63265464A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0793259B2 (ja) 半導体薄膜結晶層の製造方法
JPS5961117A (ja) 半導体装置の製造方法