JPH0670996B2 - 配線の形成方法 - Google Patents
配線の形成方法Info
- Publication number
- JPH0670996B2 JPH0670996B2 JP17343985A JP17343985A JPH0670996B2 JP H0670996 B2 JPH0670996 B2 JP H0670996B2 JP 17343985 A JP17343985 A JP 17343985A JP 17343985 A JP17343985 A JP 17343985A JP H0670996 B2 JPH0670996 B2 JP H0670996B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は配線の形成方法に関し、特に電界めつき法を用
いた半導体装置の配線の形成方法に関する。
いた半導体装置の配線の形成方法に関する。
半導体装置の配線の形成方法の中で、電界めつき法を用
いた形成方法は配線厚さを容易に厚くできるため、低抵
抗配線、大電流用配線等の形成に広く用いられている。
ただ電界めつき法では微細配線の形成は容易ではないの
で、微細配線を含む半導体装置では特に電流容量が大き
い箇所にのみ比較的粗なパターンの選択電界めつきによ
り形成された配線を設置し、微細なパターンの配線は別
途形成する方法が用いられている。このような配線の形
成方法としては従来より第３図に示される方法が多く用
いられている。この方法によれば、まず、第３図(a)に
おいて、半導体基板12上に絶縁膜22を被着し、更にその
上に配線用金属膜として例えばTi,Pt,Auを順次積層した
金属膜32を被着し、配線加工用マスク42を形成する。次
にイオンミリング法によりエッチングを行い、配線加工
用マスク42を除去して電極形成部の金属膜32のパターン
を形成する（第３図(b)）。この表面に対しめつき用給
電金属膜除去時の保護のための絶縁膜52を形成し（第３
図(c)）、Ti,Auよりなる積層金属膜をめつき用給電金属
膜62として全面に被着し（第３図(d)）、続いてめつき
用マスク72を形成し、電界めつき法によりAu膜82を選択
的に形成する（第３図(e)）。更にめつき用マスク72を
除去し（第３図(f)）、Au膜82,83をマスクとしてめつき
用給電金属膜62をイオンミリング法により除去して第３
図(g)に示す配線を完成するものである。
いた形成方法は配線厚さを容易に厚くできるため、低抵
抗配線、大電流用配線等の形成に広く用いられている。
ただ電界めつき法では微細配線の形成は容易ではないの
で、微細配線を含む半導体装置では特に電流容量が大き
い箇所にのみ比較的粗なパターンの選択電界めつきによ
り形成された配線を設置し、微細なパターンの配線は別
途形成する方法が用いられている。このような配線の形
成方法としては従来より第３図に示される方法が多く用
いられている。この方法によれば、まず、第３図(a)に
おいて、半導体基板12上に絶縁膜22を被着し、更にその
上に配線用金属膜として例えばTi,Pt,Auを順次積層した
金属膜32を被着し、配線加工用マスク42を形成する。次
にイオンミリング法によりエッチングを行い、配線加工
用マスク42を除去して電極形成部の金属膜32のパターン
を形成する（第３図(b)）。この表面に対しめつき用給
電金属膜除去時の保護のための絶縁膜52を形成し（第３
図(c)）、Ti,Auよりなる積層金属膜をめつき用給電金属
膜62として全面に被着し（第３図(d)）、続いてめつき
用マスク72を形成し、電界めつき法によりAu膜82を選択
的に形成する（第３図(e)）。更にめつき用マスク72を
除去し（第３図(f)）、Au膜82,83をマスクとしてめつき
用給電金属膜62をイオンミリング法により除去して第３
図(g)に示す配線を完成するものである。
しかしながらこのような方法によるときには、めつき給
電用金属膜を被着する工程が必要となり、配線の形成工
程が複雑化し、更にめつき給電用金属膜を被着するため
の被着装置が必要になるという重大な欠点がある。また
先に配線32が下地に形成されているため、これらによつ
て生じる段差によつてめつき用給電金属膜が段切れを起
こすことがしばしばあり、しかも段切れを生じないよう
にめつき用給電金属膜を例えばバイアススパツタ蒸着法
等により被着して段部の被着膜厚を充分に厚くすると、
後工程のめつき用給電膜の除去の際に段部に金属膜がエ
ッチングされずに残り、配線間短絡を起こすという問題
があつた。
電用金属膜を被着する工程が必要となり、配線の形成工
程が複雑化し、更にめつき給電用金属膜を被着するため
の被着装置が必要になるという重大な欠点がある。また
先に配線32が下地に形成されているため、これらによつ
て生じる段差によつてめつき用給電金属膜が段切れを起
こすことがしばしばあり、しかも段切れを生じないよう
にめつき用給電金属膜を例えばバイアススパツタ蒸着法
等により被着して段部の被着膜厚を充分に厚くすると、
後工程のめつき用給電膜の除去の際に段部に金属膜がエ
ッチングされずに残り、配線間短絡を起こすという問題
があつた。
本発明の目的は、上記従来の欠点を除去した配線の形成
方法を提供することにある。
方法を提供することにある。
本発明は同一層上の配線として厚さが薄い第１の配線と
厚さが厚い第２の配線とを混載する半導体装置の配線の
形成方法において、第１の配線用の金属膜を被着する工
程と、少なくともめつき給電路を残して該配線用の金属
膜をエッチング加工して第１の配線の一部を形成する工
程と、該配線用の金属膜をめつき給電路に用いて第１の
配線用金属の一部に選択めつきを行い、第２の配線を形
成する工程と、第１の配線用の金属膜をエッチング加工
して第１および第２の配線を完成させる工程とを行うこ
とを特徴とする配線の形成方法である。
厚さが厚い第２の配線とを混載する半導体装置の配線の
形成方法において、第１の配線用の金属膜を被着する工
程と、少なくともめつき給電路を残して該配線用の金属
膜をエッチング加工して第１の配線の一部を形成する工
程と、該配線用の金属膜をめつき給電路に用いて第１の
配線用金属の一部に選択めつきを行い、第２の配線を形
成する工程と、第１の配線用の金属膜をエッチング加工
して第１および第２の配線を完成させる工程とを行うこ
とを特徴とする配線の形成方法である。
以下に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図(a)〜(e)は本発明の一実施例を説明するために工
程順に示した平面図、第２図(a)〜(d)は第１図(a)〜(e)
の各工程に対する第１図(a)に示したＡ−Ａ部の断面図
である。
程順に示した平面図、第２図(a)〜(d)は第１図(a)〜(e)
の各工程に対する第１図(a)に示したＡ−Ａ部の断面図
である。
まず、第２図(a)において、半導体基板11上に絶縁膜と
してSiO2膜21を被着し、その上に0.1μｍの厚さのTi、
0.1μｍの厚さのPt、0.4μｍ厚さのAuを順次積層してな
る厚さ0.6μｍの配線用金属31をスパツタ法により被着
した後、第１図(a)のようにホトレジスト膜41によりマ
スクを形成する。
してSiO2膜21を被着し、その上に0.1μｍの厚さのTi、
0.1μｍの厚さのPt、0.4μｍ厚さのAuを順次積層してな
る厚さ0.6μｍの配線用金属31をスパツタ法により被着
した後、第１図(a)のようにホトレジスト膜41によりマ
スクを形成する。
次に第２図(b)に示すようにイオンミリング法により配
線金属31を加工した後、ホトレジスト膜41を除去し、厚
さが薄い方の配線の一部を形成する。このとき、めつき
用給電路として配線用金属31の一部（311,312,313）を
残置する（第１図(b)）。
線金属31を加工した後、ホトレジスト膜41を除去し、厚
さが薄い方の配線の一部を形成する。このとき、めつき
用給電路として配線用金属31の一部（311,312,313）を
残置する（第１図(b)）。
第２図(c)において、厚さ３μｍのホトレジスト膜を用
いてめつき用マスク71を形成する（第１図(c)）。
いてめつき用マスク71を形成する（第１図(c)）。
第２図(d)において、配線用金属を給電路として用いて
電界めつき法によりAuを２μｍの厚さ被着し、めつき用
マスク71を除去して厚さが厚い方の配線としてAuめつき
膜81を形成する（第１図(d)）。厚さが厚い方の配線は
配線用金属31を下層に、めつき膜81を上層にして形成さ
れており、厚さは2.6μｍとなる。
電界めつき法によりAuを２μｍの厚さ被着し、めつき用
マスク71を除去して厚さが厚い方の配線としてAuめつき
膜81を形成する（第１図(d)）。厚さが厚い方の配線は
配線用金属31を下層に、めつき膜81を上層にして形成さ
れており、厚さは2.6μｍとなる。
続いて第１図(e)に示すように配線用金属31を用いて形
成されためつき用給電路を、ホトレジスト膜をマスクと
してイオンミリング法により除去し、配線を完成する。
成されためつき用給電路を、ホトレジスト膜をマスクと
してイオンミリング法により除去し、配線を完成する。
以上の説明より明らかなように本発明によれば配線用金
属膜をめつき給電路として利用するために、めつき給電
用金属膜を被着する工程は不要となるために配線の形成
工程が簡単となり、製品歩留りを著しく向上できる。ま
ためつき給電用金属膜を被着する装置も不要となる。し
かも配線用金属膜の下には構造物はないのでめつき給電
路の段切れ問題も皆無となり、めつき給電路の除去にも
何ら困難を伴わないので、その効果は大きい。
属膜をめつき給電路として利用するために、めつき給電
用金属膜を被着する工程は不要となるために配線の形成
工程が簡単となり、製品歩留りを著しく向上できる。ま
ためつき給電用金属膜を被着する装置も不要となる。し
かも配線用金属膜の下には構造物はないのでめつき給電
路の段切れ問題も皆無となり、めつき給電路の除去にも
何ら困難を伴わないので、その効果は大きい。
第１図(a)〜(e)は本発明の一実施例を工程順に示した平
面図、第２図(a)〜(d)は第１図のＡ−Ａ断面図を工程順
に示した断面図、第３図(a)〜(g)は従来の配線の形成方
法の一例を工程順に示した断面図である。 11,12……半導体基板、21,22……絶縁膜、31,32……配
線用金属膜、41,42……ホトレジスト膜、52……絶縁
膜、62……めつき用給電金属膜、71,72……めつき用マ
スク、81,82……Auめつき膜
面図、第２図(a)〜(d)は第１図のＡ−Ａ断面図を工程順
に示した断面図、第３図(a)〜(g)は従来の配線の形成方
法の一例を工程順に示した断面図である。 11,12……半導体基板、21,22……絶縁膜、31,32……配
線用金属膜、41,42……ホトレジスト膜、52……絶縁
膜、62……めつき用給電金属膜、71,72……めつき用マ
スク、81,82……Auめつき膜
Claims (1)
- 【請求項１】同一層上の配線として厚さが薄い第１の配
線と厚さが厚い第２の配線とを混載する半導体装置の配
線の形成方法において、第１の配線用の金属膜を被着す
る工程と、少なくともめつき給電路を残して該配線用の
金属膜をエツチング加工して第１の配線の一部を形成す
る工程と、該配線用の金属膜をめつき給電路に用いて第
１の配線用金属の一部に選択めつきを行ない、第２の配
線を形成する工程と、第１の配線用の金属膜をエツチン
グ加工し、第１および第２の配線を完成させる工程とを
行うことを特徴とする配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17343985A JPH0670996B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17343985A JPH0670996B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 配線の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233442A JPS6233442A (ja) | 1987-02-13 |
| JPH0670996B2 true JPH0670996B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=15960488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17343985A Expired - Lifetime JPH0670996B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0670996B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5001980A (en) * | 1988-12-29 | 1991-03-26 | Komori Printing Machinery Co., Ltd. | Delivery apparatus for sheet-fed printing press |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP17343985A patent/JPH0670996B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6233442A (ja) | 1987-02-13 |
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