JPH023926A - 配線の形成方法 - Google Patents
配線の形成方法Info
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- JPH023926A JPH023926A JP15442488A JP15442488A JPH023926A JP H023926 A JPH023926 A JP H023926A JP 15442488 A JP15442488 A JP 15442488A JP 15442488 A JP15442488 A JP 15442488A JP H023926 A JPH023926 A JP H023926A
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- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
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Landscapes
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は配線の形成方法に関し、特に半導体装置の金め
つき配線を含む配線の形成方法に関する。
つき配線を含む配線の形成方法に関する。
従来の金めつき配線を含む配線の形成方法を第３図を用
いて説明する。
いて説明する。
まず第３図（ａ）に示すように、半導体基板１の上にＳ
ｉＣ２等からなる絶縁Ｍ２を形成した後、スパッタ蒸着
法によりＴｉ等からなる下層の金属膜３Ａ及び金膜４を
形成する。
ｉＣ２等からなる絶縁Ｍ２を形成した後、スパッタ蒸着
法によりＴｉ等からなる下層の金属膜３Ａ及び金膜４を
形成する。
次に第３図（ｂ）に示すように、フォトレジスト５を形
成したのち開口部１０を設け、この開口部１０に電解め
っき法により金めつき層７を形成する。
成したのち開口部１０を設け、この開口部１０に電解め
っき法により金めつき層７を形成する。
次に第３図（Ｃ）に示すように金めつき層７を完全に覆
うようなフォトレジストからなるマスク８を形成する。
うようなフォトレジストからなるマスク８を形成する。
次に第１−図（ｄ）に示すように、マスク８を用いスパ
ッタ蒸着した金Ｍ４及び下層の金属膜３Ａを除去するこ
とにより下層の金属膜３Ａと金膜４とからなる第１の配
線及び、下層の金属膜３Ａ、金膜４及び金めつき層７と
からなる第２の配線を形成していた。
ッタ蒸着した金Ｍ４及び下層の金属膜３Ａを除去するこ
とにより下層の金属膜３Ａと金膜４とからなる第１の配
線及び、下層の金属膜３Ａ、金膜４及び金めつき層７と
からなる第２の配線を形成していた。
上述した従来の配線の形成方法は、金めつき層７を形成
した後、金めつき層７を完全に覆うフォトレジストから
なるマスク８で電解金めっき時の給電用金属であるスパ
ッタ蒸着しな金膜４及び下層の金属膜３Ａを除去するよ
うになっているので、金めつき層７が２〜３μｍと厚い
場合、金めつき層７を完全に覆うマスク８の膜厚も厚く
しなければならないため、微細な配線形成が困難である
という欠点がある。
した後、金めつき層７を完全に覆うフォトレジストから
なるマスク８で電解金めっき時の給電用金属であるスパ
ッタ蒸着しな金膜４及び下層の金属膜３Ａを除去するよ
うになっているので、金めつき層７が２〜３μｍと厚い
場合、金めつき層７を完全に覆うマスク８の膜厚も厚く
しなければならないため、微細な配線形成が困難である
という欠点がある。
本発明の１配線の形成方法は、絶縁膜上に給電用金属膜
及び金膜を順次形成する工程と、前記金膜を選択的に除
去する工程と、電解めっき法により前記金膜の一部上に
金めつき層を形成する工程と、前記金めっき層及び金膜
をマスクとして前記給電用金属膜を除去する工程とを含
んで構成される。
及び金膜を順次形成する工程と、前記金膜を選択的に除
去する工程と、電解めっき法により前記金膜の一部上に
金めつき層を形成する工程と、前記金めっき層及び金膜
をマスクとして前記給電用金属膜を除去する工程とを含
んで構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｂ）は本発明第１の実施例を説明する
ための工程順に示した半導体チップの断面図である。
ための工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ＞に示すように、半導体基板１上に５１
０２Ｍ等からなる厚さ１μｍの絶縁膜２を形成したのち
、スパッタ蒸着法によりＴｉからなる厚さ０．１μｍの
給電用金属膜３と厚さ０．５）ｘｍの金膜４を形成する
。次でフォトレジスト膜を形成したのちバターニングし
配線パターンを転写したマスク５を形成する。
０２Ｍ等からなる厚さ１μｍの絶縁膜２を形成したのち
、スパッタ蒸着法によりＴｉからなる厚さ０．１μｍの
給電用金属膜３と厚さ０．５）ｘｍの金膜４を形成する
。次でフォトレジスト膜を形成したのちバターニングし
配線パターンを転写したマスク５を形成する。
次に第１図（ｂ）に示すように、マスク５を用い、金膜
４をイオンミリング法により選択的に除去したのち、マ
スク５を除く。
４をイオンミリング法により選択的に除去したのち、マ
スク５を除く。
次に第１図（Ｃ）に示すように、金膜４の一部上に開口
したフォトレジストからなるマスク６を形成したのち、
給電用金属膜３を電解金めっきの給電金属として金めつ
き層７を形成する。
したフォトレジストからなるマスク６を形成したのち、
給電用金属膜３を電解金めっきの給電金属として金めつ
き層７を形成する。
次に第１図（ｄ）に示すように、マスク６を除去したの
ち金めっき層７及び金膜４をマスクに給電用金属膜３を
反応性イオンエツチング法により除去し、給電用金属Ｊ
ＩＭ３と金膜４からなる第１．の配線及び給電用金属膜
３、金属４及び金めつき層７からなる低抵抗の第２の配
線を形成する。
ち金めっき層７及び金膜４をマスクに給電用金属膜３を
反応性イオンエツチング法により除去し、給電用金属Ｊ
ＩＭ３と金膜４からなる第１．の配線及び給電用金属膜
３、金属４及び金めつき層７からなる低抵抗の第２の配
線を形成する。
このように第１の実施例によれば、配線の幅は第１図（
ｂ）に示した金Ｍ４の幅と同一に形成できるなめ、微細
な配線を形成することができる。
ｂ）に示した金Ｍ４の幅と同一に形成できるなめ、微細
な配線を形成することができる。
第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず第２図（ａ）に示すように、半導体基板１上に絶縁
膜２、給電用金属膜３及びスパッタ蒸着法による金膜４
を形成した後、フォトレジストからなるマスク５を形成
し電解めっき法により金めつき層７を金膜４以上の膜厚
に形成する。
膜２、給電用金属膜３及びスパッタ蒸着法による金膜４
を形成した後、フォトレジストからなるマスク５を形成
し電解めっき法により金めつき層７を金膜４以上の膜厚
に形成する。
次に第２図（ｂ）に示すように、マスク５を除去したの
ち、金めつき層７をマスクとしてイオンミリング法によ
り金膜４を除去する。
ち、金めつき層７をマスクとしてイオンミリング法によ
り金膜４を除去する。
次に第２図（ｃ）に示すように、フォトレジストで金め
つき層７の一部上に開口したマスク８を形成したのち電
解めっき法により、第２の金めつき層９を形成する。
つき層７の一部上に開口したマスク８を形成したのち電
解めっき法により、第２の金めつき層９を形成する。
次に第２図（ｄ）に示すように金めつき層７と金膜４と
をマスクとして、反応性イオンエツチング法により給電
用金属膜３を除去し、給電用金属膜３、金膜４、金めつ
き層７からなる第１の配線と、この上面に第２の金めつ
き層９を有する第２の配線を形成する。
をマスクとして、反応性イオンエツチング法により給電
用金属膜３を除去し、給電用金属膜３、金膜４、金めつ
き層７からなる第１の配線と、この上面に第２の金めつ
き層９を有する第２の配線を形成する。
この第２の実施例では、金めつき層７をスパッタ蒸着の
金Ｍ４より厚く形成するようになっているので、配線形
成後の金膜の厚さを第１の実施例よりも厚くすることが
できるので配線抵抗をより低減できる利点がある。
金Ｍ４より厚く形成するようになっているので、配線形
成後の金膜の厚さを第１の実施例よりも厚くすることが
できるので配線抵抗をより低減できる利点がある。
尚、上記実施例においては給電用金属膜としてＴｉを用
いた場合について説明したが、これに限定されるもので
はな（、’Ｉ” ｉ ＮやＰＬ等を用いることができる
。
いた場合について説明したが、これに限定されるもので
はな（、’Ｉ” ｉ ＮやＰＬ等を用いることができる
。
以上説明したように本発明は、絶縁膜上に給電用金属膜
及び金膜を形成した後、金膜の一部を除去し、電解めっ
き法により金膜の一部上に、金めつき屑を形成した後、
金めつき層及び金膜をマスクとして、給電用金属膜を除
去することにより、微細な配線を形成できるという効果
がある。従って半導体装置をより小型化できる。
及び金膜を形成した後、金膜の一部を除去し、電解めっ
き法により金膜の一部上に、金めつき屑を形成した後、
金めつき層及び金膜をマスクとして、給電用金属膜を除
去することにより、微細な配線を形成できるという効果
がある。従って半導体装置をより小型化できる。
第１図（ａ） 〜＜ｄ）及び第２図（ａ） 〜（ｄ）は
本発明の第１及び第２実施例を説明するための工程順に
示した半導体チップの断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は
従来の配線の形成方法を説明するための工程順に示した
半導体チップの断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁体、３・・・給電用
金属膜、３Ａ・・・下層の金属膜、４・・・金膜、５．
６．８・・・マスク、７・・・金めつき層、９・・・第
２の金めつき層。 力 ？ 図
本発明の第１及び第２実施例を説明するための工程順に
示した半導体チップの断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は
従来の配線の形成方法を説明するための工程順に示した
半導体チップの断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁体、３・・・給電用
金属膜、３Ａ・・・下層の金属膜、４・・・金膜、５．
６．８・・・マスク、７・・・金めつき層、９・・・第
２の金めつき層。 力 ？ 図
Claims (1)
- 絶縁膜上に給電用金属膜及び金膜を順次形成する工程と
、前記金膜を選択的に除去する工程と、電解めっき法に
より前記金膜の一部上に金めっき層を形成する工程と、
前記金めっき層及び金膜をマスクとして前記給電用金属
膜を除去する工程とを含むことを特徴とする配線の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15442488A JPH023926A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15442488A JPH023926A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023926A true JPH023926A (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=15583867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15442488A Pending JPH023926A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH023926A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6599834B2 (en) * | 2001-05-28 | 2003-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process of manufacturing a semiconductor device with an electroplated wiring layer |
| JP2006346109A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Toyota Motor Corp | 生体情報検出センサー及び生体状態検出装置 |
-
1988
- 1988-06-21 JP JP15442488A patent/JPH023926A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6599834B2 (en) * | 2001-05-28 | 2003-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process of manufacturing a semiconductor device with an electroplated wiring layer |
| JP2006346109A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Toyota Motor Corp | 生体情報検出センサー及び生体状態検出装置 |
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