JPH0671479A - 活性金属ろう - Google Patents
活性金属ろうInfo
- Publication number
- JPH0671479A JPH0671479A JP24870392A JP24870392A JPH0671479A JP H0671479 A JPH0671479 A JP H0671479A JP 24870392 A JP24870392 A JP 24870392A JP 24870392 A JP24870392 A JP 24870392A JP H0671479 A JPH0671479 A JP H0671479A
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- JP
- Japan
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- brazing
- metal
- active metal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミックスと金属のろう付け時にＴｉが金
属側に移動するのを抑えて、ろう付け界面が弱くなるの
を防ぐことができ、しかもＴｉの含有量を多くしても加
工性を損なわずにろう付け継手の強度を向上させること
のできる活性金属ろうを提供する。 【構成】 上層がＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｎ系にＴｉを３
％未満含有させた合金、中間層がＴｉ又はＺｒ若しくは
Ｈｆ、下層がＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｎ系の合金よりなる
三層クラッドろうであって、ろう材の融点が 650℃以
上、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの含有量が総量で 3.5〜10％であ
ることを特徴とする活性金属ろう。
属側に移動するのを抑えて、ろう付け界面が弱くなるの
を防ぐことができ、しかもＴｉの含有量を多くしても加
工性を損なわずにろう付け継手の強度を向上させること
のできる活性金属ろうを提供する。 【構成】 上層がＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｎ系にＴｉを３
％未満含有させた合金、中間層がＴｉ又はＺｒ若しくは
Ｈｆ、下層がＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｎ系の合金よりなる
三層クラッドろうであって、ろう材の融点が 650℃以
上、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの含有量が総量で 3.5〜10％であ
ることを特徴とする活性金属ろう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックスと金属の
接合に用いる活性金属ろうに関する。
接合に用いる活性金属ろうに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、セラミックスと金属の接合に用い
るろう材としては、 Ａｇ( 71〜73％ )−Ｃｕ( 27〜29％ )／Ｔｉ／Ａｇ(
71〜73％ )−Ｃｕ( 27〜29％ ) Ａｇ71％−Ｃｕ27％−Ｔｉ２％ Ａｇ60％−Ｃｕ30％−Ｉｎ10％／Ｔｉ／Ａｇ60％−Ｃ
ｕ30％−Ｉｎ10％ Ａｇ60％−Ｃｕ30％−Ｓｎ10％／Ｔｉ／Ａｇ60％−Ｃ
ｕ30％−Ｓｎ10％ などのろう材が用いられている。ところで、これらのろ
う材は、ろう付け時にＴｉが金属側に移動してきて、ろ
う付け界面が弱くなるという問題がある。また接合する
セラミックスによってはＴｉ量が少なく、ろう付けがう
まくいかない場合がある。この為、Ｔｉ量を多くして
（３％以上）溶解鋳造し、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉのろう材を
作ることが行われるが、ＣｕＴｉの金属間化合物が生成
されて板や線に加工することが困難になる。
るろう材としては、 Ａｇ( 71〜73％ )−Ｃｕ( 27〜29％ )／Ｔｉ／Ａｇ(
71〜73％ )−Ｃｕ( 27〜29％ ) Ａｇ71％−Ｃｕ27％−Ｔｉ２％ Ａｇ60％−Ｃｕ30％−Ｉｎ10％／Ｔｉ／Ａｇ60％−Ｃ
ｕ30％−Ｉｎ10％ Ａｇ60％−Ｃｕ30％−Ｓｎ10％／Ｔｉ／Ａｇ60％−Ｃ
ｕ30％−Ｓｎ10％ などのろう材が用いられている。ところで、これらのろ
う材は、ろう付け時にＴｉが金属側に移動してきて、ろ
う付け界面が弱くなるという問題がある。また接合する
セラミックスによってはＴｉ量が少なく、ろう付けがう
まくいかない場合がある。この為、Ｔｉ量を多くして
（３％以上）溶解鋳造し、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉのろう材を
作ることが行われるが、ＣｕＴｉの金属間化合物が生成
されて板や線に加工することが困難になる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、セラ
ミックスと金属のろう付け時にＴｉが金属側に移動する
のを抑えて、ろう付け界面が弱くなるのを防ぐことがで
き、しかもＴｉの含有量を多くしても加工性を損なわず
にろう付け継手の強度を向上させることのできる活性金
属ろうを提供しようとするものである。
ミックスと金属のろう付け時にＴｉが金属側に移動する
のを抑えて、ろう付け界面が弱くなるのを防ぐことがで
き、しかもＴｉの含有量を多くしても加工性を損なわず
にろう付け継手の強度を向上させることのできる活性金
属ろうを提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の活性金属ろうは、上層がＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−
Ｓｎ系にＴｉを３％未満含有させた合金、中間層がＴｉ
又はＺｒ若しくはＨｆ、下層がＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｎ
系の合金よりなる三層クラッドろうであって、ろう材の
融点が 650℃以上、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの含有量が総量で
3.5〜10％であることを特徴とするものである。本発明
の活性金属ろうに於いて、上層をＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓ
ｎ系にＴｉを３％未満含有させた合金とした理由は、上
層のろう材を溶融鋳造した際、ＣｕＴｉの金属間化合物
を生成させず、板や線に加工するのを容易にする為であ
る。また、上層のろう材のみにＴｉを含有させた理由
は、上層のろう材をセラミックス側に配して、ろう付け
の活性を高め、ろう付け継手の強度を向上させるためで
ある。さらに、ろう材の融点を 650℃以上としたのはＴ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆの活性化を促進してろう付け強度を確保
するためである。さらにまた、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ含有量
を総量で 3.5〜10％とした理由は、ろう材中のこれら活
性金属の含有量を多くして、ろう付け継手の強度を向上
させる為である。
の本発明の活性金属ろうは、上層がＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−
Ｓｎ系にＴｉを３％未満含有させた合金、中間層がＴｉ
又はＺｒ若しくはＨｆ、下層がＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｎ
系の合金よりなる三層クラッドろうであって、ろう材の
融点が 650℃以上、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの含有量が総量で
3.5〜10％であることを特徴とするものである。本発明
の活性金属ろうに於いて、上層をＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓ
ｎ系にＴｉを３％未満含有させた合金とした理由は、上
層のろう材を溶融鋳造した際、ＣｕＴｉの金属間化合物
を生成させず、板や線に加工するのを容易にする為であ
る。また、上層のろう材のみにＴｉを含有させた理由
は、上層のろう材をセラミックス側に配して、ろう付け
の活性を高め、ろう付け継手の強度を向上させるためで
ある。さらに、ろう材の融点を 650℃以上としたのはＴ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆの活性化を促進してろう付け強度を確保
するためである。さらにまた、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ含有量
を総量で 3.5〜10％とした理由は、ろう材中のこれら活
性金属の含有量を多くして、ろう付け継手の強度を向上
させる為である。
【０００５】
【作用】上記構成の活性金属ろうは、セラミックスと金
属のろう付けに於いて、Ｔｉを含有させた上層のろう材
をセラミックス側に配してろう付けを行うと、上層のろ
う材中のＴｉがセラミックス側へ移動し、これに追従し
て中間層のＴｉ又はＺｒ若しくはＨｆがセラミックス側
へ移動し、金属側へはＴｉ又はＺｒ若しくはＨｆが殆ん
ど移動しなくなる。従って、金属側はろう付け界面が弱
くなることがなく、ろう付け強度が高くなり、一方セラ
ミックス側はセラミックスへのぬれ性も良くなり、また
ろう付けが著しく活性化し、ろう付け強度が高くなり、
ろう付け継手全体としての強度が向上する。さらに、Ｔ
ｉ又はＺｒ若しくはＨｆがあるので熱膨張係数も小さく
なり、セラミックスへの応力緩和になる。
属のろう付けに於いて、Ｔｉを含有させた上層のろう材
をセラミックス側に配してろう付けを行うと、上層のろ
う材中のＴｉがセラミックス側へ移動し、これに追従し
て中間層のＴｉ又はＺｒ若しくはＨｆがセラミックス側
へ移動し、金属側へはＴｉ又はＺｒ若しくはＨｆが殆ん
ど移動しなくなる。従って、金属側はろう付け界面が弱
くなることがなく、ろう付け強度が高くなり、一方セラ
ミックス側はセラミックスへのぬれ性も良くなり、また
ろう付けが著しく活性化し、ろう付け強度が高くなり、
ろう付け継手全体としての強度が向上する。さらに、Ｔ
ｉ又はＺｒ若しくはＨｆがあるので熱膨張係数も小さく
なり、セラミックスへの応力緩和になる。
【０００６】
【実施例】本発明の活性金属ろうの実施例を従来例と共
に説明する。下記の表１の左欄に示す成分組成の実施例
１〜３の三層クラッドろうと、従来例１〜３の合金ろう
及び従来例４の三層クラッドろうとを、縦５mm、横５m
m、長さ20mmのＡｌ2 Ｏ3 のブロックと縦５mm、横５m
m、長さ20ｍのＦｅ−Ｎｉ42％のブロックとの端面を接
合するのに用いた。ろう寸法は縦５mm、横５mm、厚さ0.
07mmで、ろう付けは真空中（１×10-4〜10-5Ｔｏｒ
ｒ）、昇温速度20℃／min 、ろう付け温度は表１の中央
欄に示す温度に10分間保持し、その後炉冷する条件でろ
う付けを行った。ろう付け後の上記Ａｌ2 Ｏ3 ブロック
とＦｅ−Ｎｉ42％ブロックのろう付け強度を４点曲げ試
験で測定した処、下記の表１の右欄に示すような結果を
得た。
に説明する。下記の表１の左欄に示す成分組成の実施例
１〜３の三層クラッドろうと、従来例１〜３の合金ろう
及び従来例４の三層クラッドろうとを、縦５mm、横５m
m、長さ20mmのＡｌ2 Ｏ3 のブロックと縦５mm、横５m
m、長さ20ｍのＦｅ−Ｎｉ42％のブロックとの端面を接
合するのに用いた。ろう寸法は縦５mm、横５mm、厚さ0.
07mmで、ろう付けは真空中（１×10-4〜10-5Ｔｏｒ
ｒ）、昇温速度20℃／min 、ろう付け温度は表１の中央
欄に示す温度に10分間保持し、その後炉冷する条件でろ
う付けを行った。ろう付け後の上記Ａｌ2 Ｏ3 ブロック
とＦｅ−Ｎｉ42％ブロックのろう付け強度を４点曲げ試
験で測定した処、下記の表１の右欄に示すような結果を
得た。
【０００７】
【表１】
【０００８】上記の表１で明らかなように従来例１〜４
のろう材はろう付け強度が低いのに対し、実施例１〜３
のろう材は著しくろう付け強度が高いことが判る。
のろう材はろう付け強度が低いのに対し、実施例１〜３
のろう材は著しくろう付け強度が高いことが判る。
【０００９】
【発明の効果】以上の通り本発明の活性金属ろうは、セ
ラミックスと金属とのろう付け時に、Ｔｉ又はＺｒ若し
くはＨｆがセラミック側へ移動し、金属側へは殆んど移
動しない。従って、金属側は、ろう付け界面が弱くなる
ことがなく、ろう付け強度が高くなり、一方セラミック
側はろう付けが著しく活性化し、ろう付け強度が高くな
り、ろう付け継手全体の含有量が多くて加工性が損なわ
れることがない。
ラミックスと金属とのろう付け時に、Ｔｉ又はＺｒ若し
くはＨｆがセラミック側へ移動し、金属側へは殆んど移
動しない。従って、金属側は、ろう付け界面が弱くなる
ことがなく、ろう付け強度が高くなり、一方セラミック
側はろう付けが著しく活性化し、ろう付け強度が高くな
り、ろう付け継手全体の含有量が多くて加工性が損なわ
れることがない。
Claims (1)
- 【請求項１】 上層がＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｎ系にＴ
ｉを３％未満含有させた合金、中間層がＴｉ又はＺｒ若
しくはＨｆ、下層がＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｎ系の合金よ
りなる三層クラッドろうであって、ろう材の融点が 650
℃以上、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの含有量が総量で 3.5〜10％
であることを特徴とする活性金属ろう。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4248703A JP2986624B2 (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 活性金属ろう |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4248703A JP2986624B2 (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 活性金属ろう |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0671479A true JPH0671479A (ja) | 1994-03-15 |
| JP2986624B2 JP2986624B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=17182080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4248703A Expired - Lifetime JP2986624B2 (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 活性金属ろう |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2986624B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115894064A (zh) * | 2022-11-18 | 2023-04-04 | 大连海外华昇电子科技有限公司 | 一种低银含陶瓷金属化用amb浆料及其制备方法 |
-
1992
- 1992-08-25 JP JP4248703A patent/JP2986624B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115894064A (zh) * | 2022-11-18 | 2023-04-04 | 大连海外华昇电子科技有限公司 | 一种低银含陶瓷金属化用amb浆料及其制备方法 |
| CN115894064B (zh) * | 2022-11-18 | 2023-11-14 | 大连海外华昇电子科技有限公司 | 一种低银含陶瓷金属化用amb浆料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2986624B2 (ja) | 1999-12-06 |
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