JPH0671888A - 記録装置 - Google Patents
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Abstract
録媒体に向けて飛翔させる形式の記録装置に関するもの
で、特に薄膜発熱抵抗体の構成の簡略化、熱効率とイン
ク吐出周波数の大幅な向上を目的とする。 【構成】 オリフィス近傍に設けられた発熱抵抗体はC
r−Si−SiOまたはTa−Si−SiO合金薄膜抵
抗体3/Ni薄膜導体4で構成されている。また、イン
ク通路8のインク溜め9側端部に、インク溜め側に向か
って拡がる空間を形成し、該空間内に前記発熱抵抗体、
あるいは別の発熱抵抗体を設ける。
Description
てインク液滴を記録媒体に向けて飛翔させる形式の記録
装置に関するものである。
に気化させ、その膨張力によってインク液滴をオリフィ
スから吐出させる方式のインクジェット記録装置は特開
昭48−9622号公報、特開昭54−51837号公
報等によって開示されている。
抗体にパルス通電することであり、その具体的な方法が
社団法人、日本工業技術振興協会主催のハードコピー先
端技術研究会(1992年2月26日開催)、またはHe
wlett-Packard-Journal,Aug.1988で発表されている。こ
れら従来の発熱抵抗体の共通する基本的構成は、図20
に示すように、薄膜抵抗体13と薄膜導体14を酸化防
止層15で被覆し、この上に該酸化防止層15のキャビ
テーション破壊を防ぐ目的で、耐キャビテーション層1
6、17を1〜2層被覆するというものであった。
い最大の原因は薄膜抵抗体13にある。すなわち、従来
より該薄膜抵抗体として使用できる程度に比抵抗が大き
く、耐熱性、耐パルス性に富む材料としてはTaAl、
HfB2など多くの材料が知られ、また利用されている
が、これらは全て酸化雰囲気中で加熱すると焼損してし
まうため、厚さ数μmのSiO2やSi3N4酸化防止層
15で被覆しなければならなかった。前記薄膜抵抗体を
インク中で使用しても、インク中の溶存空気によって酸
化されてしまうので事情は同じである。
気泡が急激に消滅する際、キャビテーションが発生する
が、該キャビテーションは酸化防止層15にクラックを
発生させ易く、ひいては薄膜抵抗体13の焼損事故につ
ながる恐れがある。そこで、上記問題点を解決する目的
で、約0.4μmの厚さのTa薄膜を耐キャビテーショ
ン層16として用いるのが一般的である。
容量の大きい2層の保護層(薄膜抵抗体の50〜100
倍)を通してインクをパルス加熱(パルス幅5〜10μ
s)しなければならないので、加熱の時間が遅れてしま
う不都合があったと同時に、気泡の消滅時においてもな
お、発熱抵抗体表面は高い温度を保ったままとなり、不
要な気泡(弱いながらも)を再発生させてしまってい
た。これは、当然のことながらインクの安定な吐出の障
害となり、吐出周期の短縮の隘路になっている。
る耐酸化性のある材料の開発が試みられてはいるが、実
用レベルには到達していないのが現状である。
吐出周期の短縮の試み(特開昭61−106259号公
報、特開昭62−240558号公報)がなされている
が、前者は原理的にも吐出周期の短縮につながらず、後
者は隣接ノズルへの影響が大きいクロストークの問題を
解決できないので、いずれの方法も実用化されていない
のが現状である。
抱えている従来の発熱抵抗体を抜本的に改善するために
は、水性インク中での使用に耐え得る耐酸化性、耐キャ
ビテーション性及び耐電食性に富む薄膜抵抗体材料を開
発しなければならない。それと同時に、水性インク中で
の使用に耐え得る薄膜導体材料も開発する必要がある。
勿論、この2つの材料とも、保護層を必要としないこと
が前提となる。そして、この保護層のない発熱抵抗体だ
けでも上述したようにインク吐出周期の短縮に貢献する
が、更に大きな短縮効果を図るべく新方式を開発し、併
せて低コスト、高信頼性、高熱効率でかつ高速印字の可
能なインクジェットプリンタを提供することが本発明の
目的である。
近傍に設けられた発熱抵抗体にパルス通電することによ
って液滴状インクを該吐出口から吐出させて記録する記
録装置において、前記発熱抵抗体をCr−Si−SiO
またはTa−Si−SiO合金薄膜抵抗体とNi薄膜導
体とで構成することによって達成される。そして、前記
Cr−Si−SiOまたはTa−Si−SiO合金薄膜
抵抗体の形状を非対称とすることにより、上記目的は更
に効率よく達成される。
めと、オリフィスと、該インク溜めとオリフィスを連通
するインク流路と、該インク流路内の前記オリフィス近
傍に設けられた発熱抵抗体を有する記録装置の前記イン
ク流路端部に、インク溜め側に向かって拡がる空間を形
成し、該インク流路内の該空間に前記発熱抵抗体あるい
は別の発熱抵抗体を設けることによって達成される。
体は、実施例で詳細に説明するように、水性インク中で
の過剰な投入エネルギ(必要印加エネルギの2倍)と1
μsという非常に短いパルス駆動の条件で10億パルス
以上の寿命を示す。しかも、従来の発熱抵抗体に比べ、
必要印加エネルギは1/30以下と大幅に低減できる。
ンク溜め側に向かって広がる空間を形成したインク流路
の該空間内に吐出用または加圧用の発熱抵抗体を設ける
ことによって、該発熱抵抗体の発熱に伴って発生する気
泡の拡大と収縮に異方性が生じ、クロストークを発生さ
せることなくインクの高速補充が可能となる。
録するインクジェットプリントヘッドに使用される本発
明の発熱抵抗体の断面図である。
01号公報に開示され、1982年San Diego
で開催されたElectronics Components Conferenceにて
発表されたCr−Si−SiO合金薄膜抵抗体3を約7
00Åの厚さで形成し、この上に厚さ約2000ÅのN
i薄膜導体4、4´を積層した後、フォトエッチングに
よって、例えば幅、長さ共に約40μmの発熱抵抗体形
状に形成する。この時、Cr−Si−SiO合金薄膜抵
抗体3のエッチングには沸硝酸系のエッチング液を用い
るため、図2で示すようにガラス基板1の上には約15
00Åの厚さのTa2O5熱酸化膜2を予め形成しておい
て該ガラス基板1の保護をしておいてもよい。
すような構成のインクジェットプリントヘッドに用い、
インク溜め9、インク流路8、オリフィス7に満たされ
たインクをCr−Si−SiO合金薄膜抵抗体3のパル
ス加熱によってオリフィス7から液滴として吐出させ、
オリフィス前面におかれた記録紙(図示せず)に記録す
る。
抵抗体が水性インク中でどのような特性を示すのかにつ
いて説明する。
膜抵抗体が耐酸化性に優れた材料であることは、前述の
特開昭58−84401号公報等で明らかである。そこ
で、本出願人は前記Cr−Si−SiO合金薄膜抵抗体
の優れた特性に着目し、水性インク中での耐電食性及び
耐キャビテーション性も良好であろうことを予測した。
このように考えると、残された課題は充分な耐電食性の
ある薄膜導体の開発と、発熱抵抗体としての総合性能の
評価、確認である。
を、図6にはこれを用いて評価した各種金属薄膜の耐電
食特性を示す。
1000Åとした金属薄膜を、1分間水中にて直流電圧
を印加し、印加電圧と電食量との関係を調べたものであ
る。インク中ではなくて水中での試験としたのは、既に
使用されているいくつかの水性インクのPHが7.0と
中性だからであり、普遍性があるからである。
NiまたはTa、W、Mo、AlまたはCrの順に良好
なこと、Cr−Si−SiO合金薄膜抵抗体と積層して
選択ウエットエッチングができること(Taは不可)、
実装技術面からも取り扱いやすいことなどから、薄膜導
体としてNiが最適材料であることが分かった。
に評価した結果を図7に示す。すなわち、20V/10
μm程度の電圧で20〜30分間、連続して印加しても
ほとんど電食しないことが分かる。
4、4´に印加される電圧と時間について見ると、後述
するようにパルス駆動条件は1μsの印加パルス幅で
0.5〜1W/dotとなる。Cr−Si−SiO合金
薄膜抵抗体3の抵抗値は約2000Ωなので、Ni薄膜
導体4、4´間に印加する電圧は32〜45Vとなる。
また、前記Cr−Si−SiO合金薄膜抵抗体3の長さ
は約40μmとしたので、8〜12V/10μmのパル
ス電圧がNi薄膜導体間に印加されることになる。従っ
て、仮にパルス電圧が10億パルス印加されると、実質
的な電圧印加時間は1μs×10億パルス=17分間と
なり、図7の結果から考えると全く問題にならない条件
(電圧裕度で3倍以上、印加エネルギで10倍以上)で
あることが分かる。
体3と厚さ約2000ÅのNi薄膜導体4、4´からな
る保護層を有さない発熱抵抗体について、水中にてステ
ップアップストレステスト(以下SSTとする)を行な
った。その結果を図8に示す。なお、図8には前記発熱
抵抗体の空気中でのSST結果についても記されてい
る。
中での破壊電力が1/2.5と小さいことが分かる。こ
れは明らかに、水中ではキャビテーションによる破壊が
主因であることを示している。しかし、実際に駆動する
電力は後述するように0.5〜1W/dotなので、前
述のキャビテーション破壊電力は実駆動電力の10〜2
0倍と大きく、耐キャビテーション性に何の問題もない
ことが分かる。しかも、耐電食性についても予測通りの
寿命を示すことが推測できる。
浸し、1μs、2W/dotの過電力を10億パルス印
加してみたが、抵抗値には何の変化も認められず、実寿
命の点でもなんら問題のない特性を示した。そして、前
記発熱抵抗体を図3、4に示すインクジェットプリント
ヘッドに採用して印字性能を評価したところ、既に市販
されている他社のヘッドに比べ、表1に示すような大幅
な特性の向上を得られることが分かった。
同一印字条件で必要印字エネルギが1/30〜1/60
と大幅に小さくなり、吐出周波数が25〜60%も向上
したのである。これは、保護層のない発熱抵抗体による
直接加熱と1μsという超短パルス加熱、並びに気泡の
収縮時には既に発熱抵抗体表面が充分低い温度まで冷さ
れていることによって発熱抵抗体上で再発泡現象が起こ
らず、インクのメニスカスの復帰が速く行われるように
なったことによる。また、必要印字エネルギが数10分
の1と小さくなることも、薄膜抵抗体の50〜100倍
の厚さの保護層を必要とする従来の発熱抵抗体と比較す
ればその理由は明らかである。そしてこの事実は、従来
のヘッドに投入されるエネルギの98〜99%がヘッド
基板とインクの加熱(発泡以外の)に使用されているこ
とを示しており、インクの焦げつき易さやヘッドの温度
制御が不可欠であることなどをよく示している。
示す。
抗体の形状が台形となっている発熱抵抗体が記載されて
いる。しかし、前記薄膜抵抗体の上には厚い保護層があ
るため、該保護層を介してインクに伝わる熱は均一なも
のとなり、「薄膜抵抗体の台形形状」というメリットを
生かしきれないでいた。
記載の保護層のない発熱抵抗体を用い、Cr−Si−S
iO合金薄膜抵抗体21または31をインク流路の方向
に対して非対称とすることによって気泡の発生とその拡
大に方向性を持たせ、インクへの圧力をオリフィス方向
には強く、インク溜方向には相対的に弱くすることにあ
る。すなわち、前記Cr−Si−SiO合金薄膜抵抗体
21、31の発熱面温度分布をインク流路の方向に対し
て非対称とし、気泡の発生と拡大を異方的にすること
で、インク溜方向への逆流速度が遅くなり、その分だけ
インク溜方向からのインク供給速度が速くなり、次の吐
出に必要なインクを吐出口付近に速やかに補充すること
ができるようになるのである。そして前述したインクの
速やかなる補充は吐出周波数を向上させ、印字速度が遅
いというバブルジェットプリンタの弱点を改善できる。
の形状は本実施例に示した以外であっても非対称であれ
ばよい。
抵抗体を用いても、インク吐出周期の大幅な短縮が可能
な新方式を本実施例で説明する。そして実施例1で述べ
た保護層を不要とする発熱抵抗体をこれに用いれば、イ
ンクの吐出周期は更なる改善を見せ、前述したように熱
効率が従来の30〜60倍となる。そこで、本実施例で
は実施例1で述べた発熱抵抗体を用いた例を示し、吐出
周波数が更に大幅に向上することを説明する。
れた流路内で発生する気泡の拡大、収縮のシミュレーシ
ョン結果を図11を用いて説明する。
抵抗体の昇温領域は円形とする。図11の(a)では、
円形発熱抵抗体41のある基板上にインクの動きを規制
するものがない状態での気泡の拡大を一定時間毎に見た
ものである。上段が上から見たもの、下段がその側面図
である。(b)は、上方への気泡の拡大を規制する天板
を設けた状態、(c)は更に側壁を設けた場合で、現在
実用化されているインクジェットプリントヘッドの1つ
はこの方式を採用している。前記(a)〜(c)のイン
クの運動空間は発熱抵抗体41に対して対称であり、気
泡の拡大時における周辺へのインクの流出と収縮時にお
けるインク流入は発熱抵抗体41を中心として対称とな
っている。
発熱抵抗体41が置かれた場合、より大きな空間へのイ
ンクの流出速度が相対的に遅くなる一方、非対称形状に
拡大した減圧気泡の収縮時には、より大きな空間からの
インクの流入量が多くなることも加わって、気泡の消滅
点はより狭い流路側に移るのである。すなわち、気泡の
拡大、収縮の両時点でインクを一定方向に流す異方的な
力(ポンピング作用)を発生させることができるのであ
る。
を拡げることで非対称空間を形成したが、天板の一方を
拡げたり、基板に溝を設けて拡大空間を形成したり、こ
れらを組み合わせたりする方法を採用しても同様の効果
が得られることはいうまでもない。
吐出周波数を決定している要因について詳しく説明す
る。
必要条件の1つは、オリフィス先端部に形成される安定
なメニスカスにあることはよく知られている。すなわ
ち、インクの吐出によって大きく窪んだメニスカスが再
び元の位置に復帰できて始めて再吐出が可能となるので
ある。一方、この大きく窪んだメニスカスを元の位置に
復帰させる力は、インク通路壁とインク間に働く表面張
力を利用することしかできないのが現状である。すなわ
ち、メニスカスが自然に復帰するのを待つしかないので
ある。
の場合、メニスカスの最大後退時はインク吐出の完了時
点である約30μs後となっている。しかし、前述のよ
うにメニスカスの復帰には表面張力を利用しているた
め、その復帰にはインク吐出の完了時間の約10倍の2
00〜300μsの時間が必要となり、これが吐出周波
数を決定づけているのである。
細に見ることとする。前記厚い保護層の表面温度の上昇
は発熱抵抗体自身の昇温から数μs程度の遅れがある。
しかも、気泡発生後、前記保護層表面が断熱状態になっ
てもなお、保護層表面は数μsの間昇温を続ける。パル
ス加熱終了後、基板への熱流出によって発熱抵抗体は冷
却されるが、保護層と薄膜抵抗体下層の断熱層による時
定数から評価すると、気泡の消滅する30μs時点の保
護層表面温度はなお100〜200℃の高温状態にあ
る。そのため、インクは再加熱され、弱いながらも気泡
が再発生してしまう。この再発泡がメニスカスの復帰に
悪影響を与え、復帰時間を必要以上に長くするのであ
る。
施例1に記載の発熱抵抗体は、1μsという短パルス駆
動であって、しかもインクへの熱伝導の時間的な遅れが
全く生じない。従って、薄膜抵抗体下層の断熱層の厚さ
も従来の数分の1の厚さ(SiO2で1〜2μm)とす
ることができ、気泡消滅時の発熱抵抗体の温度は常温近
くまで冷却される。従って、前述したような気泡の再発
生を生ずることがなくなり、メニスカスの復帰が速くな
り、吐出周波数の向上につながるようになった。
ため、本実施例では既に述べたポンピング作用を利用す
ることによって、上記メニスカスの復帰を人工的に速
め、これによって吐出周波数の大幅な改善を行った具体
例を説明する。
3、図4に示したインクジェットプリントヘッドに上記
加圧用発熱抵抗体20を加え、吐出用発熱抵抗体10と
直列に接続して同時にパルス加熱する方法を記してい
る。
のエネルギが加圧用発熱抵抗体20に印加されるよう、
その抵抗値を1/2とし、該加圧用発熱抵抗体20によ
るクロストークの発生を抑制している。吐出用発熱抵抗
体10と加圧用発熱抵抗体20との距離は150〜25
0μm程度離れていれば充分であり、加圧用発熱抵抗体
20と側壁端(インク通路端であり、インク溜めに至
近)との距離は100〜150μm、そしてインク通路
はインク溜めに向かって拡げられた空間を有し、通路端
近くにインク溜めを設けることでクロストークを発生さ
せずに吐出インクの高速補充が可能となっている。
ントヘッドに水性インクを満たし、共通電極4´と個別
電極4間に0.5〜1W/dot、1μsのパルス電圧
を印加してインクの吐出特性を評価したところ、吐出周
波数を15〜18KHzまで上げることができた。但
し、15KHz以上では吐出方向の不安定さが見られる
場合があり、より高速化するためには尚一層の改善が必
要であることが分かった。しかし、本実施例での15K
Hz以下の安定した駆動は従来の技術(3〜4KHz)
を大幅に越える高速印字を達成できることを示し、低電
力化と共にヘッドの温度制御を大幅に簡易化でき、この
ヘッドを用いたプリンタ等の高性能化(3〜4倍の高速
印字)、低コスト化を達成できた。
ての制約は特にないが、実施例2で示したようなインク
吐出方向に非対称の形状の発熱抵抗体を用いれば、該発
熱抵抗体自体に気泡の異方性を生じさせる力が発生する
ため、オリフィス7へインクを押し出す力や、インクを
インク流路8へ送り込む力が更に増幅されることとな
り、より好ましい。
有し、オリフィスの向きがインク通路と同一方向である
点で相違する実施例を図14、図15に示す。ここで、
実施例3と同一の符号は同じものを指す。
発熱抵抗体10と加圧用発熱抵抗体20が形成されてい
る。一方、ガラス等の材料からなる天板6には、インク
流路8と、インク溜め9と、前記インク流路8の端部が
インク溜め9側に向かって拡がるような空間が形成され
ている。そして、前記吐出用発熱抵抗体10の位置はオ
リフィス7近傍であり、前記加圧用発熱抵抗体20の位
置は前記空間内であって、双方の発熱抵抗体とも他のイ
ンク流路への干渉を防止するため夫々のインク流路8内
に形成されている。
抵抗体20には制約は特にないが、実施例1に記載のC
r−Si−SiO合金薄膜抵抗体とNi薄膜導体で形成
されたものであれば更なる高速印字を達成できる。ま
た、インク吐出方向に非対称の形状の発熱抵抗体を用い
れば、該発熱抵抗体自体に気泡の異方性を生じさせる力
が発生するため、オリフィス7へインクを押し出す力
や、インクをインク流路8へ送り込む力が更に増幅され
ることとなり、より好ましい。
示す断面図である。動作、その他の特性は実施例4とほ
とんど同じであるので省略する。本実施例が実施例4と
異なるところは、インク流路8内の空間を隔壁5を用い
て設けた点である。こうすることによって天板となるガ
ラス基板をフォトエッチングによって作成する工程が簡
略化でき、得られる効果は実施例4と同等という利点が
ある。しかしこの方法は、インク流路アレーのピッチを
更に細かくする場合には限界がある。この場合は実施例
4と実施例5の方法を併用してもよい。
作用を持つ図11(d)の構成を吐出用発熱抵抗体とす
る実施例を図18、図19に示す。本実施例は上記実施
例4、5を簡素化したもので、性能的な差はほとんどな
いといってよい。
実施例1で示した保護層なしの発熱抵抗体、保護層を必
要とする従来の発熱抵抗体のいずれを用いても吐出周波
数の大幅な向上(2〜3倍化)が可能であるが、実施例
1で示したCr−Si−SiO合金薄膜抵抗体/Ni薄
膜導体構成の発熱抵抗体を用いれば熱効率は約50倍と
なり、吐出周波数が更に20〜30%向上することは実
施例2で述べた通りである。すなわち、本ヘッドの吐出
周波数も15KHz程度までは安定に稼働させることが
できる領域であり、実施例2との唯一の相違点はインク
の吐出速度が約1/2の7m/sと遅いことである。
インク通路端を拡げて空間を作るだけの側壁厚さが必要
であるが、これはインク通路列の作製可能密度、すなわ
ちドット密度の若干の低下となるので、高密度印字が必
要な場合はオリフィス列を傾斜させて印字する方法を採
用する必要がある。この発熱抵抗体に対しても、実施例
2に示した非対称形状とすることでクロストークなどの
マージンを増加させることができることはいうまでもな
いであろう。
抵抗体が前記Cr−Si−SiO合金薄膜抵抗体同様に
優れた耐酸化性能を持つ材料であることが知られている
(特開昭53−110374号公報及び特開昭57−6
1582号公報に記載)。すなわち、Ta−Si−Si
O合金薄膜抵抗体も前記Cr−Si−SiO合金薄膜抵
抗体と同じように非常に硬い材料であり、従って耐キャ
ビテーション性に優れた材料であろうことが推定でき
る。そこで、実施例1のCr−Si−SiO合金薄膜抵
抗体をTa−Si−SiO合金薄膜抵抗体に置き換え、
実施例1と同様にNi薄膜導体を用いて発熱抵抗体(図
1)を作成し、SSTを行なった。
抗体の結果(図8)とほぼ同一の特性を示した。僅かな
相違点は、Cr−Si−SiO合金薄膜抵抗体の場合、
抵抗値変化率がマイナス側に変化した後破断するのに対
し、Ta−Si−SiO合金薄膜抵抗体では徐々にプラ
ス側に変化して破断することだけであった。勿論、水性
インク中での寿命試験でも何ら問題となる変化が認めら
れなかったことはいうまでもない。
を用いた発熱抵抗体で実施例2〜6と同様の試作、評価
を行なったが、Cr−Si−SiO合金薄膜抵抗体を用
いた場合とほぼ同様の結果を得られたことはいうまでも
ない。
な2層構造とすることができ、その製造工程を約1/3
と大幅に簡略化することができる。しかも、1μSとい
う超短パルス駆動と、気泡消滅時において発熱抵抗体が
常温近くまで温度低下するという冷却効率のよさは、イ
ンク吐出周期の大幅な短縮を可能とし、更に30〜60
倍の熱効率の向上は消費電力の削減のみに止まらず、ヘ
ッドの温度制御を容易にして、インク吐出の安定化に大
きく貢献できる。
インク吐出周期の大幅な短縮を可能とし、インクジェッ
トプリンタの唯一ともいえる欠点となっていた遅い印字
速度を抜本的に改善できる。
トヘッド用発熱抵抗体の断面図である。
ッド用発熱抵抗体の断面図である。
である。
略斜視図である。
る。
る。
である。
示す平面図である。
を示す平面図である。
である。
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
i−SiO合金薄膜抵抗体、4、4´は薄膜導体、5は
隔壁、6は天板、7はオリフィス、8はインク通路、9
はインク溜めである。
Claims (6)
- 【請求項1】 インク吐出口近傍に設けられた発熱抵抗
体にパルス通電することによって液滴状インクを該吐出
口から吐出させて記録する記録装置において、前記発熱
抵抗体がCr−Si−SiOまたはTa−Si−SiO
合金薄膜抵抗体とNi薄膜導体からなることを特徴とす
る記録装置。 - 【請求項2】 前記Cr−Si−SiOまたはTa−S
i−SiO合金薄膜抵抗体がインク流路の方向に対して
非対称形状となっていることを特徴とする請求項1記載
の記録装置。 - 【請求項3】 インク溜めと、インク吐出口と、該イン
ク溜めとインク吐出口を連通するインク流路と、該イン
ク流路内の前記インク吐出口近傍に設けられた発熱抵抗
体を有する記録装置であって、前記インク流路端部に、
インク溜め側に向かって拡がる空間を形成し、該インク
流路内の該空間に前記発熱抵抗体を設けることを特徴と
する記録装置。 - 【請求項4】 インク溜めと、インク吐出口と、該イン
ク溜めとインク吐出口を連通するインク流路と、該イン
ク流路内の前記インク吐出口近傍に設けられた発熱抵抗
体を有する記録装置であって、前記インク流路端部に、
インク溜め側に向かって拡がる空間を形成し、該インク
流路内の該空間に前記発熱抵抗体とは別の発熱抵抗体を
設けることを特徴とする記録装置。 - 【請求項5】 前記各発熱抵抗体はCr−Si−SiO
またはTa−Si−SiO合金薄膜抵抗体とNi薄膜導
体からなることを特徴とする請求項3、4記載の記録装
置。 - 【請求項6】 前記Cr−Si−SiOまたはTa−S
i−SiO合金薄膜抵抗体がインク流路の方向に対して
非対称形状となっていることを特徴とする請求項5記載
の記録装置。
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