JPH08207291A - インク噴射記録ヘッドの製造方法および記録装置 - Google Patents
インク噴射記録ヘッドの製造方法および記録装置Info
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本願発明は、熱エネルギを利用してインク液
滴を記録媒体に向けて飛翔させる形式の記録装置に関す
るもので、大規模高集積密度のフルカラーインク噴射記
録ヘッドとその製造法を提供することを目的とする。 【構成】 Ｓｉウエハに駆動用ＬＳＩと薄膜ヒ−タを形
成し、この上にインク通路用隔壁を形成後、Ｓｉウエハ
の両面から異方性エッチングによってインク溝と連結穴
を形成する。その後、オリフィスプレ−トを接着後、フ
ォトエッチングによってインク吐出口を形成する。これ
らは薄膜プロセスのみで構成されており、数万ノズルか
ら数１０万ノズルを一括して製造できる方法である。
滴を記録媒体に向けて飛翔させる形式の記録装置に関す
るもので、大規模高集積密度のフルカラーインク噴射記
録ヘッドとその製造法を提供することを目的とする。 【構成】 Ｓｉウエハに駆動用ＬＳＩと薄膜ヒ−タを形
成し、この上にインク通路用隔壁を形成後、Ｓｉウエハ
の両面から異方性エッチングによってインク溝と連結穴
を形成する。その後、オリフィスプレ−トを接着後、フ
ォトエッチングによってインク吐出口を形成する。これ
らは薄膜プロセスのみで構成されており、数万ノズルか
ら数１０万ノズルを一括して製造できる方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱エネルギを利用して
インク液滴を記録媒体に向けて飛翔させる形式の記録装
置に関するものである。
インク液滴を記録媒体に向けて飛翔させる形式の記録装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】パルス加熱によってインクの一部を急速
に気化させ、その膨張力によってインク液滴をオリフィ
スから吐出させる方式のインクジェット記録装置は特開
昭４８−９６２２号公報、特開昭５４−５１８３７号公
報等によって開示されている。
に気化させ、その膨張力によってインク液滴をオリフィ
スから吐出させる方式のインクジェット記録装置は特開
昭４８−９６２２号公報、特開昭５４−５１８３７号公
報等によって開示されている。
【０００３】このパルス加熱の最も簡便な方法は発熱抵
抗体にパルス通電することであり、その具体的な方法が
日経メカニカル１９９２年１２月２８日号５８ページ、
及びHewlett-Packard-Journal,Aug.1988で発表されてい
る。これら従来の発熱抵抗体の共通する基本的構成は、
薄膜抵抗体と薄膜導体を酸化防止層で被覆し、この上に
該酸化防止層のキャビテーション破壊を防ぐ目的で、耐
キャビテーション層を１〜２層被覆するというものであ
った。
抗体にパルス通電することであり、その具体的な方法が
日経メカニカル１９９２年１２月２８日号５８ページ、
及びHewlett-Packard-Journal,Aug.1988で発表されてい
る。これら従来の発熱抵抗体の共通する基本的構成は、
薄膜抵抗体と薄膜導体を酸化防止層で被覆し、この上に
該酸化防止層のキャビテーション破壊を防ぐ目的で、耐
キャビテーション層を１〜２層被覆するというものであ
った。
【０００４】この複雑な多層構造を抜本的に簡略化する
ものとして、特開平０６−７１８８８号公報に記載のよ
うに、前記酸化防止層と耐キャビテーション層を不要と
する発熱抵抗体を用いて印字する方法がある。この場合
は、薄膜抵抗体がインクと直接接触しているため、パル
ス加熱によるインクの急激な気化とそれによるインクの
吐出特性が大幅に改善され、熱効率の大幅な改善と吐出
周波数の向上を図ることができた。このような画期的な
性能を実現できた最大の理由は、耐パルス性、耐酸化
性、耐電食性に優れたＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ又はＴａ−Ｓ
ｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体とＮｉ薄膜導体から構成され
る発熱抵抗体を用いたことにあり、如何なる保護層も必
要としないことによる。
ものとして、特開平０６−７１８８８号公報に記載のよ
うに、前記酸化防止層と耐キャビテーション層を不要と
する発熱抵抗体を用いて印字する方法がある。この場合
は、薄膜抵抗体がインクと直接接触しているため、パル
ス加熱によるインクの急激な気化とそれによるインクの
吐出特性が大幅に改善され、熱効率の大幅な改善と吐出
周波数の向上を図ることができた。このような画期的な
性能を実現できた最大の理由は、耐パルス性、耐酸化
性、耐電食性に優れたＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ又はＴａ−Ｓ
ｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体とＮｉ薄膜導体から構成され
る発熱抵抗体を用いたことにあり、如何なる保護層も必
要としないことによる。
【０００５】このように、従来技術に比較して、大幅に
小さな投入エネルギでインク噴射が可能となったので、
この発熱抵抗体を駆動用ＬＳＩチップ上のデバイス領域
に近接して形成しても、もはやＬＳＩデバイスを加熱し
て温度上昇をもたらすこともなく、非常に簡単な構成の
モノリシックＬＳＩヘッドを実現することができるよう
になった。これについては本出願人が先に出願した特開
平０６−２３８９０１号及び特開平０６−２９７７１４
号に記載の通りである。この新しい技術によって、多く
のインク噴射ノズルを持つオンデマンド型インクジェッ
トプリントヘッドが高密度に、しかも２次元的に集積化
して製造することができるようになり、しかもその駆動
を制御する配線本数が大幅に削減できるので実装方法も
非常に簡略化することができた。
小さな投入エネルギでインク噴射が可能となったので、
この発熱抵抗体を駆動用ＬＳＩチップ上のデバイス領域
に近接して形成しても、もはやＬＳＩデバイスを加熱し
て温度上昇をもたらすこともなく、非常に簡単な構成の
モノリシックＬＳＩヘッドを実現することができるよう
になった。これについては本出願人が先に出願した特開
平０６−２３８９０１号及び特開平０６−２９７７１４
号に記載の通りである。この新しい技術によって、多く
のインク噴射ノズルを持つオンデマンド型インクジェッ
トプリントヘッドが高密度に、しかも２次元的に集積化
して製造することができるようになり、しかもその駆動
を制御する配線本数が大幅に削減できるので実装方法も
非常に簡略化することができた。
【０００６】更に保護層の不要な薄膜発熱抵抗体の優れ
た発泡消滅特性（特願平０５−２７２４５１号）を利用
すれば、この発熱抵抗体面と垂直又はほぼ垂直方向にイ
ンク滴を吐出させる方式のサーマルインクジェットプリ
ントヘッドにおいては、新しい駆動方法によってクロス
トークを大幅に低減できることが明らかとなった（特願
平０６−４９２０２号参照）。このことは、個別インク
通路の長さを短くしてインクの流路抵抗を小さくできる
ことを示しており、吐出インクの補充時間の短縮、すな
わち印字速度の大幅な向上も達成できた。
た発泡消滅特性（特願平０５−２７２４５１号）を利用
すれば、この発熱抵抗体面と垂直又はほぼ垂直方向にイ
ンク滴を吐出させる方式のサーマルインクジェットプリ
ントヘッドにおいては、新しい駆動方法によってクロス
トークを大幅に低減できることが明らかとなった（特願
平０６−４９２０２号参照）。このことは、個別インク
通路の長さを短くしてインクの流路抵抗を小さくできる
ことを示しており、吐出インクの補充時間の短縮、すな
わち印字速度の大幅な向上も達成できた。
【０００７】なお、特開平０６−２９７７１４号、並び
に本発明は一見すると特開昭５９−１３８４７２号公報
記載のヘッド構造と類似のものと見られ易いが、構造的
には大きな相達点がある。それは、同公報記載の実施例
の共通液室（本願の共通インク通路）の幅（特開昭５９
−１３８４７２号公報のｌ寸法から決定される）が２〜
８５０ｍｍという範囲にあるのに対し、本願の共通イン
ク通路は同一基板に作られているインク溝と一体的につ
ながっており、しかもこれら全てを含めた幅が０．２ｍ
ｍ程度という桁違いに小さいものであるという違いであ
る。
に本発明は一見すると特開昭５９−１３８４７２号公報
記載のヘッド構造と類似のものと見られ易いが、構造的
には大きな相達点がある。それは、同公報記載の実施例
の共通液室（本願の共通インク通路）の幅（特開昭５９
−１３８４７２号公報のｌ寸法から決定される）が２〜
８５０ｍｍという範囲にあるのに対し、本願の共通イン
ク通路は同一基板に作られているインク溝と一体的につ
ながっており、しかもこれら全てを含めた幅が０．２ｍ
ｍ程度という桁違いに小さいものであるという違いであ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上に述べたように、新
しい駆動方法を発明（特願平０６−４９２０２号）した
ことによってクロストークを大幅に低減できるようにな
り、印字速度の大幅な向上も達成することができた。そ
こでこの発明を大規模高集積密度の一体型サーマルイン
クジェットプリントヘッド（本発明者の発明になる特開
平０６−２９７７１４号）に適用してその高性能化を図
ったところ、ヘッドの構造面に若干の変更を加えること
でこれが達成できると共に、製造技術的にも大幅な改善
が行えることが明らかとなった。更に、保護層の不要な
発熱抵抗体に加えてヘッド構成材料と製造法を改善する
ことにより、従来技術での限界吐出口列密度を３倍以上
にも高密度化できることも明らかとなった。また、イン
ク吐出用オリフィスが２次元的大規模且つ高密度に集積
して形成されているオリフィスプレ−トに対しても、正
確にその表面層のみに撥水処理をほどこすことができ、
オリフィスプレートに対するクリーニング作業の削除又
は大巾な削減を図ることもできることが明らかとなっ
た。
しい駆動方法を発明（特願平０６−４９２０２号）した
ことによってクロストークを大幅に低減できるようにな
り、印字速度の大幅な向上も達成することができた。そ
こでこの発明を大規模高集積密度の一体型サーマルイン
クジェットプリントヘッド（本発明者の発明になる特開
平０６−２９７７１４号）に適用してその高性能化を図
ったところ、ヘッドの構造面に若干の変更を加えること
でこれが達成できると共に、製造技術的にも大幅な改善
が行えることが明らかとなった。更に、保護層の不要な
発熱抵抗体に加えてヘッド構成材料と製造法を改善する
ことにより、従来技術での限界吐出口列密度を３倍以上
にも高密度化できることも明らかとなった。また、イン
ク吐出用オリフィスが２次元的大規模且つ高密度に集積
して形成されているオリフィスプレ−トに対しても、正
確にその表面層のみに撥水処理をほどこすことができ、
オリフィスプレートに対するクリーニング作業の削除又
は大巾な削減を図ることもできることが明らかとなっ
た。
【０００９】本発明の目的は、ノズル配列密度を従来技
術の３倍以上として１６００ｄｐｉのヘッドを実現し、
しかもこのノズル列を高密度に２次元的に配列したヘッ
ド基板を薄膜プロセスのみを用いて効果的に製造できる
方法を提供することである。また、オリフィスプレート
の表面層のみを撥水処理できる方法を提供し、ヘッドク
リーニングの削除又は大巾な削減が可能なプリンタを提
供することである。
術の３倍以上として１６００ｄｐｉのヘッドを実現し、
しかもこのノズル列を高密度に２次元的に配列したヘッ
ド基板を薄膜プロセスのみを用いて効果的に製造できる
方法を提供することである。また、オリフィスプレート
の表面層のみを撥水処理できる方法を提供し、ヘッドク
リーニングの削除又は大巾な削減が可能なプリンタを提
供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、Ｓｉ基板の
第１面上に形成された薄膜抵抗体と薄膜導体からなる複
数個の発熱抵抗体と、該発熱抵抗体を駆動するべく同一
Ｓｉ基板上に形成され、前記発熱抵抗体に接続された駆
動用ＬＳＩと、前記複数個の発熱抵抗体に順次パルス通
電することによって該発熱抵抗体と垂直又はほぼ垂直方
向にインク滴を吐出する複数個の吐出口と、該複数個の
吐出口のそれぞれに対応して該Ｓｉ基板上に設けられた
複数個の個別インク通路と、該個別インク通路の全てが
連通するべく前記Ｓｉ基板上に設けられた共通インク通
路と、該共通インク通路の全長にわたって導通されるよ
う前記Ｓｉ基板に設けられた１本のインク溝と、該イン
ク溝が前記Ｓｉ基板の第１面の裏面である第２面と連通
するべく該Ｓｉ基板の第２面に穿たれた少なくとも１個
の連結穴とからなるＳｉ基板のヘッドチップと、所定の
インク供給路を有し、前記ヘッドチップを搭載するフレ
ームとで構成されたインク噴射記録ヘッドにおいて、
（１）Ｓｉウエハの第１面に駆動用ＬＳＩを形成する工
程と、（２）該Ｓｉウエハの第１面に薄膜抵抗体及び薄
膜導体を形成する工程と、（３）該Ｓｉウエハの第１面
に前記インク通路を構成する隔壁層を形成する工程と、
（４）該Ｓｉウエハの両面からＳｉ異方性エッチングに
よって前記インク溝及び連結穴を形成する工程と、
（５）該Ｓｉウエハの第１面にオリフィスプレートを接
着する工程と、（６）該オリフィスプレートにフォトエ
ッチングによって前記吐出口を形成する工程と、（７）
該Ｓｉウエハを切断してヘッドチップに分割する工程
と、（８）前記フレームに前記ヘッドチップをダイボン
ディングし、配線実装して組み立てる工程、を含む製造
方法によって達成される。
第１面上に形成された薄膜抵抗体と薄膜導体からなる複
数個の発熱抵抗体と、該発熱抵抗体を駆動するべく同一
Ｓｉ基板上に形成され、前記発熱抵抗体に接続された駆
動用ＬＳＩと、前記複数個の発熱抵抗体に順次パルス通
電することによって該発熱抵抗体と垂直又はほぼ垂直方
向にインク滴を吐出する複数個の吐出口と、該複数個の
吐出口のそれぞれに対応して該Ｓｉ基板上に設けられた
複数個の個別インク通路と、該個別インク通路の全てが
連通するべく前記Ｓｉ基板上に設けられた共通インク通
路と、該共通インク通路の全長にわたって導通されるよ
う前記Ｓｉ基板に設けられた１本のインク溝と、該イン
ク溝が前記Ｓｉ基板の第１面の裏面である第２面と連通
するべく該Ｓｉ基板の第２面に穿たれた少なくとも１個
の連結穴とからなるＳｉ基板のヘッドチップと、所定の
インク供給路を有し、前記ヘッドチップを搭載するフレ
ームとで構成されたインク噴射記録ヘッドにおいて、
（１）Ｓｉウエハの第１面に駆動用ＬＳＩを形成する工
程と、（２）該Ｓｉウエハの第１面に薄膜抵抗体及び薄
膜導体を形成する工程と、（３）該Ｓｉウエハの第１面
に前記インク通路を構成する隔壁層を形成する工程と、
（４）該Ｓｉウエハの両面からＳｉ異方性エッチングに
よって前記インク溝及び連結穴を形成する工程と、
（５）該Ｓｉウエハの第１面にオリフィスプレートを接
着する工程と、（６）該オリフィスプレートにフォトエ
ッチングによって前記吐出口を形成する工程と、（７）
該Ｓｉウエハを切断してヘッドチップに分割する工程
と、（８）前記フレームに前記ヘッドチップをダイボン
ディングし、配線実装して組み立てる工程、を含む製造
方法によって達成される。
【００１１】上記目的は、前記Ｓｉウエハの結晶方位が
（１００）又は（１１０）である単結晶Ｓｉウエハであ
ることにより達成される。
（１００）又は（１１０）である単結晶Ｓｉウエハであ
ることにより達成される。
【００１２】前記薄膜抵抗体が反応性スパッタ法によっ
て形成されるＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ又はＴａ−Ｓｉ−Ｓｉ
Ｏ合金薄膜抵抗体であり、前記薄膜導体が高速スパッタ
法によって形成されるＮｉ薄膜導体であること、或いは
前記Ｎｉ薄膜導体は高速スパッタ法及び電気めっき法に
よって形成されることによって効果的に達成される。
て形成されるＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ又はＴａ−Ｓｉ−Ｓｉ
Ｏ合金薄膜抵抗体であり、前記薄膜導体が高速スパッタ
法によって形成されるＮｉ薄膜導体であること、或いは
前記Ｎｉ薄膜導体は高速スパッタ法及び電気めっき法に
よって形成されることによって効果的に達成される。
【００１３】前記ヘッドチップの複数個分が同一Ｓｉ基
板上に並列に形成されたヘッドチップを同数のインク供
給路を有するフレームにダイボンディングし、配線実装
して組み立てることにより達成される。
板上に並列に形成されたヘッドチップを同数のインク供
給路を有するフレームにダイボンディングし、配線実装
して組み立てることにより達成される。
【００１４】前記隔壁層を耐熱性樹脂とし、その熱分解
開始温度を４００℃以上とすることにより達成される。
開始温度を４００℃以上とすることにより達成される。
【００１５】前記オリフィスプレートを耐熱性樹脂と
し、フォトエッチングによる前記吐出口の形成を反応性
ドライエッチング法とすること、或いは前記オリフィス
プレートは、（１）前記耐熱性樹脂プレートを前記Ｓｉ
ウエハに貼付する工程と、（２）前記耐熱性樹脂プレー
トの表面に金属薄膜を形成する工程と、（３）前記金属
薄膜のオリフィス相当部分をフォトエッチングする工程
と、（４）前記耐熱性樹脂プレートの前記金属薄膜エッ
チング部分を反応性ドライエッチングする工程と、
（５）前記金属薄膜の表面に、該金属薄膜を電極として
撥水性被膜を形成する工程を経て形成されることにより
達成される。
し、フォトエッチングによる前記吐出口の形成を反応性
ドライエッチング法とすること、或いは前記オリフィス
プレートは、（１）前記耐熱性樹脂プレートを前記Ｓｉ
ウエハに貼付する工程と、（２）前記耐熱性樹脂プレー
トの表面に金属薄膜を形成する工程と、（３）前記金属
薄膜のオリフィス相当部分をフォトエッチングする工程
と、（４）前記耐熱性樹脂プレートの前記金属薄膜エッ
チング部分を反応性ドライエッチングする工程と、
（５）前記金属薄膜の表面に、該金属薄膜を電極として
撥水性被膜を形成する工程を経て形成されることにより
達成される。
【００１６】また、前記インク溝の幅を１００〜２００
μｍの範囲、前記連結穴の穴径を３００〜６００μｍ×
６００〜１０００μｍの範囲とし、該連結穴が１００〜
３００個の吐出口に対して１個の割合で穿たれているこ
とにより達成される。
μｍの範囲、前記連結穴の穴径を３００〜６００μｍ×
６００〜１０００μｍの範囲とし、該連結穴が１００〜
３００個の吐出口に対して１個の割合で穿たれているこ
とにより達成される。
【００１７】前記フレームを、該ヘッドチップの第２面
に並ぶ複数の連結穴又は連結穴列のそれぞれをカバーす
る如く設けられた複数個のフレーム側インク穴又はイン
ク溝と、該フレーム側インク穴又はインク溝のそれぞれ
と連通する複数個のインク供給口とを有するものとする
こと、前記ヘッドチップの複数個分が同一フレーム上に
実装されること、によって達成される。
に並ぶ複数の連結穴又は連結穴列のそれぞれをカバーす
る如く設けられた複数個のフレーム側インク穴又はイン
ク溝と、該フレーム側インク穴又はインク溝のそれぞれ
と連通する複数個のインク供給口とを有するものとする
こと、前記ヘッドチップの複数個分が同一フレーム上に
実装されること、によって達成される。
【００１８】
【作用】上記のようなプロセスでインク噴射ヘッドを製
造することによって、以下に示すような作用を得ること
ができる。
造することによって、以下に示すような作用を得ること
ができる。
【００１９】（１）駆動用ＬＳＩの製造中に形成される
ＳｉＯ2層を発熱抵抗体の断熱層として利用できると共
に、インク溝形成時におけるフォトマスクとしても利用
でき、工程数を削除できる。
ＳｉＯ2層を発熱抵抗体の断熱層として利用できると共
に、インク溝形成時におけるフォトマスクとしても利用
でき、工程数を削除できる。
【００２０】（２）インク溝と連結穴が同時に形成で
き、工程数を削減できる。
き、工程数を削減できる。
【００２１】（３）オリフィスプレートの吐出口を該プ
レート接着後のフォトエッチングによって形成すること
により、発熱抵抗体と吐出口の位置合わせが容易とな
り、１６００ｄｐｉという従来技術の３倍以上の高集積
密度のヘッドも製造可能となる。
レート接着後のフォトエッチングによって形成すること
により、発熱抵抗体と吐出口の位置合わせが容易とな
り、１６００ｄｐｉという従来技術の３倍以上の高集積
密度のヘッドも製造可能となる。
【００２２】（４）オリフィスプレートのフォトエッチ
ングを反応性ドライエッチングとすることによって、円
筒形状の吐出口とすることができ、温度によって印字濃
度が変化せず、また、サテライトドロップも発生しない
ヘッドとすることができる（本発明者の特許出願、特願
平０６−２１０６０号、特願平０６−１５６９４９号参
照）。 また、３〜１０°傾斜させた円筒形状の吐出口とするこ
とも可能で、これはラインヘッドのような長尺ヘッドを
製造する上で不可欠な方法を提供できる（本発明者の特
許出願、特願平０５−３１８２７２号参照）。
ングを反応性ドライエッチングとすることによって、円
筒形状の吐出口とすることができ、温度によって印字濃
度が変化せず、また、サテライトドロップも発生しない
ヘッドとすることができる（本発明者の特許出願、特願
平０６−２１０６０号、特願平０６−１５６９４９号参
照）。 また、３〜１０°傾斜させた円筒形状の吐出口とするこ
とも可能で、これはラインヘッドのような長尺ヘッドを
製造する上で不可欠な方法を提供できる（本発明者の特
許出願、特願平０５−３１８２７２号参照）。
【００２３】（５）狭いインク溝とこれに沿って設けら
れる比較的少ない連結穴は、ヘッド製造時におけるＳｉ
ウエハの割れによる歩留低下を防ぐ。
れる比較的少ない連結穴は、ヘッド製造時におけるＳｉ
ウエハの割れによる歩留低下を防ぐ。
【００２４】（６）オリフィスプレートの表面層のみに
撥水処理ができるので、ヘッドクリーニングの削除又は
大巾な削減が可能となる。
撥水処理ができるので、ヘッドクリーニングの削除又は
大巾な削減が可能となる。
【００２５】（７）Ｓｉウエハ上に薄膜プロセスのみを
用いて数万〜数１０万ノズルを一括して製造することが
できるので、大規模高集積密度のヘッドを安価に提供で
きる。
用いて数万〜数１０万ノズルを一括して製造することが
できるので、大規模高集積密度のヘッドを安価に提供で
きる。
【００２６】（８）従来技術のプリンタに不可欠であっ
た種々の制御機構等（ヘッド温度の制御、駆動パルス巾
制御、カラーバランス制御、等々）を削除できるプリン
タを実現できる。
た種々の制御機構等（ヘッド温度の制御、駆動パルス巾
制御、カラーバランス制御、等々）を削除できるプリン
タを実現できる。
【００２７】
【実施例】以下、図面を用いて実施例を説明する。
【００２８】〔実施例１〕図１は本発明になるインク噴
射記録ヘッドの１ノズル列分の断面図であり、この断面
図に示されているＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’断面図
の各々を図２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。インク
吐出ノズル１２の配列密度が４００ｄｐｉ（ドット／イ
ンチ）のヘッドを例に、その製造方法を以下に示す。
射記録ヘッドの１ノズル列分の断面図であり、この断面
図に示されているＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’断面図
の各々を図２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。インク
吐出ノズル１２の配列密度が４００ｄｐｉ（ドット／イ
ンチ）のヘッドを例に、その製造方法を以下に示す。
【００２９】（１）の工程 Ｓｉウエハ１の第１面に駆動用ＬＳＩデバイス２を形成
する。これには（１１０）Ｓｉウエハ用に若干の変更が
加えられた標準的なバイポーラＬＳＩ製造プロセスが適
用される。なお、ここに言う標準的なバイポーラＬＳＩ
製造プロセスとは、（１００）Ｓｉウエハ又は（１０
０）から約４度傾いたＳｉウエハ（４°ＯＦＦ Ｓｉウ
エハ）に対して確立されているバイポーラＬＳＩ製造プ
ロセスのことである。そしてインク溝１４が配置される
部分のＳｉＯ2膜をフォトエッチングによって除去して
おく。これはＳｉ異方性エッチングの時のフォトレジス
トとして用いるための準備である。
する。これには（１１０）Ｓｉウエハ用に若干の変更が
加えられた標準的なバイポーラＬＳＩ製造プロセスが適
用される。なお、ここに言う標準的なバイポーラＬＳＩ
製造プロセスとは、（１００）Ｓｉウエハ又は（１０
０）から約４度傾いたＳｉウエハ（４°ＯＦＦ Ｓｉウ
エハ）に対して確立されているバイポーラＬＳＩ製造プ
ロセスのことである。そしてインク溝１４が配置される
部分のＳｉＯ2膜をフォトエッチングによって除去して
おく。これはＳｉ異方性エッチングの時のフォトレジス
トとして用いるための準備である。
【００３０】なお、このＳｉＯ2膜はＬＳＩ製造工程中
に形成されているもので、熱酸化ＳｉＯ2膜、ＳＯＧ膜
（スピンオングラスＳｉＯ2膜）、ＰＳＧ膜（リン入り
ＳｉＯ2膜）並びにＡｌ多層配線用層間ＳｉＯ2膜等の積
層膜からなっており、合計膜厚約２μｍである。また、
ここでは駆動用ＬＳＩデバイス２をバイポーラとする例
を示したが、ＢｉＣＭＯＳ，ＰｏｗｅｒＭＯＳとするこ
とも可能であり、どれを選択するかはウエハの製造コス
トとチップサイズ、並びに製造歩留まり等を総合して決
定される。
に形成されているもので、熱酸化ＳｉＯ2膜、ＳＯＧ膜
（スピンオングラスＳｉＯ2膜）、ＰＳＧ膜（リン入り
ＳｉＯ2膜）並びにＡｌ多層配線用層間ＳｉＯ2膜等の積
層膜からなっており、合計膜厚約２μｍである。また、
ここでは駆動用ＬＳＩデバイス２をバイポーラとする例
を示したが、ＢｉＣＭＯＳ，ＰｏｗｅｒＭＯＳとするこ
とも可能であり、どれを選択するかはウエハの製造コス
トとチップサイズ、並びに製造歩留まり等を総合して決
定される。
【００３１】図１、２に示される駆動用配線導体７は次
の（２）工程で形成される薄膜発熱抵抗体３を駆動する
ための配線であり、電源、グランドの他、データ、クロ
ック、ラッチなどの駆動信号を伝えるための配線であ
る。外部からはこの基板の片側に配線されている接続端
子から各配線導体に信号などが入力されるようになって
いる。なお、スルーホール接続部６は駆動用ＬＳＩデバ
イス２と各薄膜発熱抵抗体３とを個別配線導体４で接続
するための接続点である。
の（２）工程で形成される薄膜発熱抵抗体３を駆動する
ための配線であり、電源、グランドの他、データ、クロ
ック、ラッチなどの駆動信号を伝えるための配線であ
る。外部からはこの基板の片側に配線されている接続端
子から各配線導体に信号などが入力されるようになって
いる。なお、スルーホール接続部６は駆動用ＬＳＩデバ
イス２と各薄膜発熱抵抗体３とを個別配線導体４で接続
するための接続点である。
【００３２】（２）の工程 前記Ｓｉウエハ１にＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ又はＴａ−Ｓｉ
−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体とＮｉ金属薄膜をスパッタ法で
形成し、フォトエッチングで薄膜発熱抵抗体３、個別薄
膜導体４、共通薄膜導体５を形成する。これらの形成方
法については、本発明者の特許出願、特開平０６−７１
８８８号、特願平０５−９０１２３号、特願平０５−２
７２４５２号等に詳しく記載したので省略するが、合金
薄膜抵抗体は酸素を含むアルゴン雰囲気中での反応性ス
パッタ法で、Ｎｉ金属薄膜は高磁場中での高速スパッタ
法で形成する。尚、これらのヒータとＳｉウエハの間に
は、上に述べたＬＳＩの製造中に形成されている約２μ
ｍ厚さのＳｉＯ2層があり、これをヒータの断熱層とし
て利用する。また、合金薄膜抵抗体の膜厚は約０．１μ
ｍ、Ｎｉ薄膜は約１μｍ、このヒータの抵抗値は約３０
０Ωである。
−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体とＮｉ金属薄膜をスパッタ法で
形成し、フォトエッチングで薄膜発熱抵抗体３、個別薄
膜導体４、共通薄膜導体５を形成する。これらの形成方
法については、本発明者の特許出願、特開平０６−７１
８８８号、特願平０５−９０１２３号、特願平０５−２
７２４５２号等に詳しく記載したので省略するが、合金
薄膜抵抗体は酸素を含むアルゴン雰囲気中での反応性ス
パッタ法で、Ｎｉ金属薄膜は高磁場中での高速スパッタ
法で形成する。尚、これらのヒータとＳｉウエハの間に
は、上に述べたＬＳＩの製造中に形成されている約２μ
ｍ厚さのＳｉＯ2層があり、これをヒータの断熱層とし
て利用する。また、合金薄膜抵抗体の膜厚は約０．１μ
ｍ、Ｎｉ薄膜は約１μｍ、このヒータの抵抗値は約３０
０Ωである。
【００３３】（３）の工程 前記Ｓｉウエハ１の第１面に２０μｍ厚さのポリイミド
を積層させ、有機ケイ素系レジストを用いたフォトドラ
イエッチングによって隔壁８を形成する。この場合のエ
ッチングはドライエッチング、特に反応性ドライエッチ
ング法の採用が微細化の点で優れている。この反応性ド
ライエッチングは電子サイクロトロン共鳴によって励起
させた酸素プラズマによって行ったが、垂直にきれいな
形状で隔壁を形成することができ、個別インク通路９と
共通インク通路１０が形成される。
を積層させ、有機ケイ素系レジストを用いたフォトドラ
イエッチングによって隔壁８を形成する。この場合のエ
ッチングはドライエッチング、特に反応性ドライエッチ
ング法の採用が微細化の点で優れている。この反応性ド
ライエッチングは電子サイクロトロン共鳴によって励起
させた酸素プラズマによって行ったが、垂直にきれいな
形状で隔壁を形成することができ、個別インク通路９と
共通インク通路１０が形成される。
【００３４】ポリイミド材料による隔壁８の形成方法と
しては、感光性ポリイミドの塗布、露光、現像、硬化と
いう方法を用いる方が簡単であるが、現時点ではその膜
厚は１０μｍ程度が限界であり、その厚膜化が待たれて
いる。しかし、インク吐出ノズル１２の配列密度が８０
０ｄｐｉと超高密度の場合は隔壁８の厚さは１０μｍ程
度でも良く、現時点でも利用可能である。このように隔
壁８の構成材料に耐熱性樹脂を用いる例は今まで例がな
い。
しては、感光性ポリイミドの塗布、露光、現像、硬化と
いう方法を用いる方が簡単であるが、現時点ではその膜
厚は１０μｍ程度が限界であり、その厚膜化が待たれて
いる。しかし、インク吐出ノズル１２の配列密度が８０
０ｄｐｉと超高密度の場合は隔壁８の厚さは１０μｍ程
度でも良く、現時点でも利用可能である。このように隔
壁８の構成材料に耐熱性樹脂を用いる例は今まで例がな
い。
【００３５】従来は、耐熱性の低い感光性レジスト材料
を用いるのが通例であったため、発熱抵抗体の表面温度
のパルス発熱（３００℃以上）に耐え得るように、これ
から充分に離れた位置（約１０μｍ）に隔壁を形成しな
ければならず、ノズルの配列密度は４００ｄｐｉが従来
技術の最大値となっていた。
を用いるのが通例であったため、発熱抵抗体の表面温度
のパルス発熱（３００℃以上）に耐え得るように、これ
から充分に離れた位置（約１０μｍ）に隔壁を形成しな
ければならず、ノズルの配列密度は４００ｄｐｉが従来
技術の最大値となっていた。
【００３６】これに対して本願発明では、図４に例示す
るように、発熱抵抗体３の温度が３００℃以上に上昇し
ても、隔壁材料として熱分解開始温度が４００℃を超え
るポリイミドのような耐熱性樹脂を用いる限り、信頼性
の高い隔壁として使用できるのである。すなわち、８０
０ｄｐｉ（Ｗ＝２２μｍ、Ｔ＝９μｍ、Ｈ＝１７μｍ）
のヘッドに対し、フォトエッチングによる製造誤差を考
えても充分に信頼性の高い隔壁が形成できるのである。
そして、図５に示すように、一本のインク溝の両側に８
００ｄｐｉのノズル列を形成することによって、１６０
０ｄｐｉの配列密度を持つフルカラー用ラインヘッドも
製作可能となるのである。このためには次に述べる
（５）と（６）の工程のノズル形成プロセスが必須とな
ることは言うまでもない。
るように、発熱抵抗体３の温度が３００℃以上に上昇し
ても、隔壁材料として熱分解開始温度が４００℃を超え
るポリイミドのような耐熱性樹脂を用いる限り、信頼性
の高い隔壁として使用できるのである。すなわち、８０
０ｄｐｉ（Ｗ＝２２μｍ、Ｔ＝９μｍ、Ｈ＝１７μｍ）
のヘッドに対し、フォトエッチングによる製造誤差を考
えても充分に信頼性の高い隔壁が形成できるのである。
そして、図５に示すように、一本のインク溝の両側に８
００ｄｐｉのノズル列を形成することによって、１６０
０ｄｐｉの配列密度を持つフルカラー用ラインヘッドも
製作可能となるのである。このためには次に述べる
（５）と（６）の工程のノズル形成プロセスが必須とな
ることは言うまでもない。
【００３７】（４）の工程 前記Ｓｉウエハ１の裏面に連結穴１５のためのフォトレ
ジストを形成し、ウエハの両面からＳｉ異方性エッチン
グによってインク溝１４と連結穴１５を同時に形成す
る。異方性エッチング液としてはヒドラジン水溶液、Ｋ
ＯＨ水溶液、エチレンジアミン水溶液等が利用でき、
（１１０）Ｓｉウエハの場合は図１に示すように垂直に
エッチングされるのが特徴である。一方、（１００）又
は４°ＯＦＦＳｉウエハを利用する場合は図６に示すよ
うに約５５°の傾斜を持ってエッチングされるので、Ｓ
ｉ基板の開口面は若干広くしておく必要がある。異方性
エッチングは、このようにＳｉ単結晶の（１１０）又は
（１００）面と（１１１）面とのエッチング速さが極端
に違う性質を利用したもので、通常の等方性エッチング
では不可能な加工も出来るという特徴を持っている。本
願発明は、発熱抵抗体３とＳｉ基板１の間に設けなけれ
ばならない断熱層として駆動用ＬＳＩ製造工程中に形成
されるＳｉＯ2膜を利用し、しかもそれをそのまま異方
性エッチング用レジストとしても用い、しかもインク溝
と連結穴を一回のエッチングで同時に形成するところに
大きな特徴がある。
ジストを形成し、ウエハの両面からＳｉ異方性エッチン
グによってインク溝１４と連結穴１５を同時に形成す
る。異方性エッチング液としてはヒドラジン水溶液、Ｋ
ＯＨ水溶液、エチレンジアミン水溶液等が利用でき、
（１１０）Ｓｉウエハの場合は図１に示すように垂直に
エッチングされるのが特徴である。一方、（１００）又
は４°ＯＦＦＳｉウエハを利用する場合は図６に示すよ
うに約５５°の傾斜を持ってエッチングされるので、Ｓ
ｉ基板の開口面は若干広くしておく必要がある。異方性
エッチングは、このようにＳｉ単結晶の（１１０）又は
（１００）面と（１１１）面とのエッチング速さが極端
に違う性質を利用したもので、通常の等方性エッチング
では不可能な加工も出来るという特徴を持っている。本
願発明は、発熱抵抗体３とＳｉ基板１の間に設けなけれ
ばならない断熱層として駆動用ＬＳＩ製造工程中に形成
されるＳｉＯ2膜を利用し、しかもそれをそのまま異方
性エッチング用レジストとしても用い、しかもインク溝
と連結穴を一回のエッチングで同時に形成するところに
大きな特徴がある。
【００３８】なお、上記した異方性エッチング液はＮｉ
薄膜やポリイミド隔壁を若干エッチングする場合もあ
り、このためエッチング時間を極力短くしなければなら
ないケースもある。この場合には、上記（１）または
（２）の工程後、Ｓｉウエハの第１面を保護した状態で
第２面にフォト異方性エッチングで深い連結穴１５を形
成しておく方法が有効となる。このようなウエハを
（４）工程で両面から異方性エッチングを行うと、イン
ク溝１４の形成を連結穴１５の追加エッチングの時間は
１/５〜１/１０に短縮でき、実害のない加工ができる。
薄膜やポリイミド隔壁を若干エッチングする場合もあ
り、このためエッチング時間を極力短くしなければなら
ないケースもある。この場合には、上記（１）または
（２）の工程後、Ｓｉウエハの第１面を保護した状態で
第２面にフォト異方性エッチングで深い連結穴１５を形
成しておく方法が有効となる。このようなウエハを
（４）工程で両面から異方性エッチングを行うと、イン
ク溝１４の形成を連結穴１５の追加エッチングの時間は
１/５〜１/１０に短縮でき、実害のない加工ができる。
【００３９】さて、インク溝１４の幅はＳｉ基板１の強
度低下、オリフィスプレート１１のたわみ及びチップサ
イズなどの観点から狭い方がよいが、連結穴１５の個数
を少なくし、しかもインク溝１４との組合せによるイン
クの流路抵抗を大きくしないためには広い方がよい。そ
して、共通インク通路１０の流路抵抗よりは十分小さく
することも考慮すると、インク溝１４の幅は１００〜２
００μｍが適当である。そして、このインク溝１４の断
面積と同等の断面積を連結穴１５の最小断面積とする
と、連結穴１５の基板面での穴径は（３００〜６００）
μｍ×（６００〜１０００）μｍの範囲とするのが適当
である。これらに対する実際のインク吐出のデータにつ
いては後に述べる。
度低下、オリフィスプレート１１のたわみ及びチップサ
イズなどの観点から狭い方がよいが、連結穴１５の個数
を少なくし、しかもインク溝１４との組合せによるイン
クの流路抵抗を大きくしないためには広い方がよい。そ
して、共通インク通路１０の流路抵抗よりは十分小さく
することも考慮すると、インク溝１４の幅は１００〜２
００μｍが適当である。そして、このインク溝１４の断
面積と同等の断面積を連結穴１５の最小断面積とする
と、連結穴１５の基板面での穴径は（３００〜６００）
μｍ×（６００〜１０００）μｍの範囲とするのが適当
である。これらに対する実際のインク吐出のデータにつ
いては後に述べる。
【００４０】（５）の工程 オリフィスプレート１１として、前記Ｓｉウエハ１の第
１面に厚さ約６０μｍのポリイミドフィルム（厚さ約１
０μｍのエポキシ接着層を含む）を接着硬化させる。こ
のフィルムの厚さは吐出インク量と密接に関係してお
り、ノズルの配列密度が３００〜８００ｄｐｉの範囲で
は２０〜８０μｍの範囲から選択するのが良い。
１面に厚さ約６０μｍのポリイミドフィルム（厚さ約１
０μｍのエポキシ接着層を含む）を接着硬化させる。こ
のフィルムの厚さは吐出インク量と密接に関係してお
り、ノズルの配列密度が３００〜８００ｄｐｉの範囲で
は２０〜８０μｍの範囲から選択するのが良い。
【００４１】（６）の工程 このポリイミドフィルムに前記（３）の工程で説明した
のと同じフォトドライエッチングで４０μｍφのインク
吐出口１２を４００ｄｐｉの配列密度で発熱抵抗体３の
真上に形成する。この反応性ドライエッチングは２０μ
ｍφのインク吐出口を８００ｄｐｉの密度できれいな形
状であけることができることを確認している。
のと同じフォトドライエッチングで４０μｍφのインク
吐出口１２を４００ｄｐｉの配列密度で発熱抵抗体３の
真上に形成する。この反応性ドライエッチングは２０μ
ｍφのインク吐出口を８００ｄｐｉの密度できれいな形
状であけることができることを確認している。
【００４２】なお、前記（５）と（６）の工程は、多く
のノズル列を形成した薄いオリフィスプレートをインク
通路の形成されている基板に位置合わせしながら接着す
る従来方法に比較し、格段の位置合わせ精度と製造歩留
まりの向上が達成できることは更めて説明するまでもな
いことであろう。そして、８００ｄｐｉあるいは１６０
０ｄｐｉという大規模高集積密度のヘッド（図５参照）
においては、この方法以外で製造することは不可能であ
る。また、長尺のラインヘッドを製造する場合、本発明
者による特許出願、特願平０５−３１８２７２号記載の
傾斜ノズル技術を利用すると容易に製造することが可能
となる。即ち、ドライエッチング装置内に設置する基板
の傾きを３〜１０゜傾斜させることで、インク吐出口を
垂直方向から３〜１０゜傾けてきれいに形成できる方法
があり、これが利用できる。
のノズル列を形成した薄いオリフィスプレートをインク
通路の形成されている基板に位置合わせしながら接着す
る従来方法に比較し、格段の位置合わせ精度と製造歩留
まりの向上が達成できることは更めて説明するまでもな
いことであろう。そして、８００ｄｐｉあるいは１６０
０ｄｐｉという大規模高集積密度のヘッド（図５参照）
においては、この方法以外で製造することは不可能であ
る。また、長尺のラインヘッドを製造する場合、本発明
者による特許出願、特願平０５−３１８２７２号記載の
傾斜ノズル技術を利用すると容易に製造することが可能
となる。即ち、ドライエッチング装置内に設置する基板
の傾きを３〜１０゜傾斜させることで、インク吐出口を
垂直方向から３〜１０゜傾けてきれいに形成できる方法
があり、これが利用できる。
【００４３】（７）の工程 前記Ｓｉウエハ１を規定の寸法に切断してヘッドチップ
に分割する。
に分割する。
【００４４】（８）の工程 前記ヘッドチップを所定のインク供給路を有するフレー
ム１７にダイボンディングし、配線実装することによっ
てプリントヘッドとして完成する。
ム１７にダイボンディングし、配線実装することによっ
てプリントヘッドとして完成する。
【００４５】このヘッドがＡ４フルカラー用ラインヘッ
ドの場合の実装例を図３、図７、図８、図９に示す。な
お、図３は図７に示すＤ−Ｄ’断面図であり、図１に示
すモノクロ用のヘッド基板（１、８、１１）が、４色
（イエロー、マゼンタ、シアン、ブラック）一体のヘッ
ドチップ（１、８、１１）としてフレーム１７上にダイ
ボンディングされている。
ドの場合の実装例を図３、図７、図８、図９に示す。な
お、図３は図７に示すＤ−Ｄ’断面図であり、図１に示
すモノクロ用のヘッド基板（１、８、１１）が、４色
（イエロー、マゼンタ、シアン、ブラック）一体のヘッ
ドチップ（１、８、１１）としてフレーム１７上にダイ
ボンディングされている。
【００４６】図３におけるヘッドチップ（１、８、１
１）の幅は約６．８ｍｍであり、この中に約１．６ｍｍ
間隔で４色のノズル列（図７参照）が配置されている。
各色のインクはフレーム１７に設けられたインク供給パ
イプ１９のインク供給穴１８を通してフレーム１７側の
インク溝１６に供給され、このインク溝１６と平行して
形成されているＳｉ基板１内のインク溝１４へは、これ
らと平行して間歇的にあけられているＳｉ基板内の連結
穴１５を通して供給される。この連結穴１５は１００〜
３００個のインク吐出ノズルに対して１個の割合で形成
されているが、そのサイズ等、詳細は後で説明する。
１）の幅は約６．８ｍｍであり、この中に約１．６ｍｍ
間隔で４色のノズル列（図７参照）が配置されている。
各色のインクはフレーム１７に設けられたインク供給パ
イプ１９のインク供給穴１８を通してフレーム１７側の
インク溝１６に供給され、このインク溝１６と平行して
形成されているＳｉ基板１内のインク溝１４へは、これ
らと平行して間歇的にあけられているＳｉ基板内の連結
穴１５を通して供給される。この連結穴１５は１００〜
３００個のインク吐出ノズルに対して１個の割合で形成
されているが、そのサイズ等、詳細は後で説明する。
【００４７】本実施例では４００ｄｐｉの４色フルカラ
−用ラインヘッドの例を示すが、単色又は２〜３色のマ
ルチカラ−用とか、ノズル数を少なくした走査型ヘッド
を作れることは説明するまでもないであろう。
−用ラインヘッドの例を示すが、単色又は２〜３色のマ
ルチカラ−用とか、ノズル数を少なくした走査型ヘッド
を作れることは説明するまでもないであろう。
【００４８】図３に示すＡ４フルカラーラインヘッドを
オリフィスプレート１１側から見た外観図を図７に、こ
の側面図を図８に、図７のＥ−Ｅ’断面の拡大図を図９
に示す。図７に示すように、Ａ４フルカラーラインヘッ
ドの４列に並ぶインク吐出ノズル列１２が４００ｄｐｉ
の密度で約２１０mmの長さで配置されている。これを半
導体分野で現在実用されている５インチ又は６インチＳ
ｉ基板から製造するため、１／２サイズのラインヘッド
チップ（１、８、１１）を作り、対称に作られた２チッ
プを中央部で突き合わせて１個のフレーム１７上にダイ
ボンディングして組み立てる。右側のヘッドを駆動する
電源と信号線は、Ｓｉ基板１の右端部からテープキャリ
ア２０によってフレーム１７の裏側に固定されているコ
ネクタ２１に接続される。押え金具２２はテープキャリ
ア２０の固定に利用される。Ｓｉ基板１の右端部で配線
とテープキャリア２０とが一括ボンディングされている
部分は樹脂モールドによって保護されているが、詳細な
構造は省略した。また、コネクタ２１の内部構造につい
ても省略した。なお、左側のヘッドについては左端部で
上記と同一の接続実装が行われていることは説明するま
でもないことである。
オリフィスプレート１１側から見た外観図を図７に、こ
の側面図を図８に、図７のＥ−Ｅ’断面の拡大図を図９
に示す。図７に示すように、Ａ４フルカラーラインヘッ
ドの４列に並ぶインク吐出ノズル列１２が４００ｄｐｉ
の密度で約２１０mmの長さで配置されている。これを半
導体分野で現在実用されている５インチ又は６インチＳ
ｉ基板から製造するため、１／２サイズのラインヘッド
チップ（１、８、１１）を作り、対称に作られた２チッ
プを中央部で突き合わせて１個のフレーム１７上にダイ
ボンディングして組み立てる。右側のヘッドを駆動する
電源と信号線は、Ｓｉ基板１の右端部からテープキャリ
ア２０によってフレーム１７の裏側に固定されているコ
ネクタ２１に接続される。押え金具２２はテープキャリ
ア２０の固定に利用される。Ｓｉ基板１の右端部で配線
とテープキャリア２０とが一括ボンディングされている
部分は樹脂モールドによって保護されているが、詳細な
構造は省略した。また、コネクタ２１の内部構造につい
ても省略した。なお、左側のヘッドについては左端部で
上記と同一の接続実装が行われていることは説明するま
でもないことである。
【００４９】この右半分と左半分のヘッドは、お互いに
インクの供給と駆動を完全に独立して行うことも可能と
なっている。そして、中央部での突合せ位置における印
字ドット位置の配列を乱すことなく、２個のヘッドチッ
プを容易に加工、組み立てる方法として、前にも述べた
本発明者の特許出願（特願平０５−３１８２７２号）に
なる技術を適用することは言うまでもない。なお、テー
プキャリア２０によって接続しなければならない電源、
信号線の本数は５〜６本／各色なので、ヘッドチップ端
面でギャングボンディングしなければならない端子密度
は約４本／mmであり、接続実装技術としては容易なレベ
ルである。
インクの供給と駆動を完全に独立して行うことも可能と
なっている。そして、中央部での突合せ位置における印
字ドット位置の配列を乱すことなく、２個のヘッドチッ
プを容易に加工、組み立てる方法として、前にも述べた
本発明者の特許出願（特願平０５−３１８２７２号）に
なる技術を適用することは言うまでもない。なお、テー
プキャリア２０によって接続しなければならない電源、
信号線の本数は５〜６本／各色なので、ヘッドチップ端
面でギャングボンディングしなければならない端子密度
は約４本／mmであり、接続実装技術としては容易なレベ
ルである。
【００５０】このようにして製作したラインヘッド３１
を用いたＡ４フルカラープリンタの一実施例の断面図を
図１０に示す。図１０の詳細については本発明者の特許
出願、特開平０６−２９７７１４号、特願平０６−６５
００５号、特願平０６−１００１４３号、特願平０６−
１３７１９８号に記載したので省略するが、プリヒーテ
ィングと真空吸着搬送によって、普通紙、再生紙に対し
ても滲みのない高品質のフルカラー印刷が２０〜３０ｐ
ｐｍという超高速（従来技術の約１００倍）で印刷乾燥
することが可能となったのである。
を用いたＡ４フルカラープリンタの一実施例の断面図を
図１０に示す。図１０の詳細については本発明者の特許
出願、特開平０６−２９７７１４号、特願平０６−６５
００５号、特願平０６−１００１４３号、特願平０６−
１３７１９８号に記載したので省略するが、プリヒーテ
ィングと真空吸着搬送によって、普通紙、再生紙に対し
ても滲みのない高品質のフルカラー印刷が２０〜３０ｐ
ｐｍという超高速（従来技術の約１００倍）で印刷乾燥
することが可能となったのである。
【００５１】以下、図１０に示す構成のプリンタに種々
の条件で製作したラインヘッドを実装し、印字評価した
結果について説明する。なお、ヘッドの駆動条件は、ヒ
ータへの投入エネルギ密度が２．５Ｗ／５０μｍ□×１
μＳであり、本発明者の特許出願、特願平０５−２７２
４５１号記載のゆらぎ核沸騰を利用している。また、奇
数列のノズルを０．２μＳの時間差で順次駆動させ、そ
の後で偶数列のノズルを同じく０．２μＳの時間差で順
次駆動、左半分と右半分のヘッドは同時に駆動させる方
法を採用しており、約０．３４ｍｓで１ライン分（３３
４０ドット×４色）の印字が完了する。この駆動方法
も、本発明者の特許出願、特願平０５−２３１９１３号
記載の吐出インク液滴が飛翔中に合体して印字品質を低
下させることのないヘッド駆動方法、並びに特願平０６
−４９２０２号記載のクロストークのないヘッド駆動方
法であり、高品質印字の可能な方法である。なお、記録
紙の搬送速度は１ライン／０．７ｍｓ（インク吐出繰り
返し周波数≒１．５ＫＨｚ）としており、Ａ４用紙で約
１５ｐｐｍの印刷速度に相当している。
の条件で製作したラインヘッドを実装し、印字評価した
結果について説明する。なお、ヘッドの駆動条件は、ヒ
ータへの投入エネルギ密度が２．５Ｗ／５０μｍ□×１
μＳであり、本発明者の特許出願、特願平０５−２７２
４５１号記載のゆらぎ核沸騰を利用している。また、奇
数列のノズルを０．２μＳの時間差で順次駆動させ、そ
の後で偶数列のノズルを同じく０．２μＳの時間差で順
次駆動、左半分と右半分のヘッドは同時に駆動させる方
法を採用しており、約０．３４ｍｓで１ライン分（３３
４０ドット×４色）の印字が完了する。この駆動方法
も、本発明者の特許出願、特願平０５−２３１９１３号
記載の吐出インク液滴が飛翔中に合体して印字品質を低
下させることのないヘッド駆動方法、並びに特願平０６
−４９２０２号記載のクロストークのないヘッド駆動方
法であり、高品質印字の可能な方法である。なお、記録
紙の搬送速度は１ライン／０．７ｍｓ（インク吐出繰り
返し周波数≒１．５ＫＨｚ）としており、Ａ４用紙で約
１５ｐｐｍの印刷速度に相当している。
【００５２】試作評価した４００ｄｐｉのＡ４フルカラ
ーラインヘッドは、Ｓｉ基板の厚さを４００μｍ、（１
１０）Ｓｉ基板の場合のインク溝１４の幅を１００μ
ｍ、連結穴１５の幅を３００μｍ、長さを６００μｍと
し、いずれも深さは２００μｍ強とした。（１００）又
は４°ＯＦＦ Ｓｉ基板の場合は、インク溝１４の開口
幅を２００μｍ、連結穴の開口幅を６００μｍ、長さを
１０００μｍとし、インク溝１４と連結穴１５の実質的
な断面積を（１１０）Ｓｉ基板の場合とほぼ同等として
インク液路としての流路抵抗をそろえて評価した。ま
た、フレーム側インク溝１６の幅は５００μｍ、深さは
２０００μｍとし、インク供給穴１８は２５００μｍφ
とした。
ーラインヘッドは、Ｓｉ基板の厚さを４００μｍ、（１
１０）Ｓｉ基板の場合のインク溝１４の幅を１００μ
ｍ、連結穴１５の幅を３００μｍ、長さを６００μｍと
し、いずれも深さは２００μｍ強とした。（１００）又
は４°ＯＦＦ Ｓｉ基板の場合は、インク溝１４の開口
幅を２００μｍ、連結穴の開口幅を６００μｍ、長さを
１０００μｍとし、インク溝１４と連結穴１５の実質的
な断面積を（１１０）Ｓｉ基板の場合とほぼ同等として
インク液路としての流路抵抗をそろえて評価した。ま
た、フレーム側インク溝１６の幅は５００μｍ、深さは
２０００μｍとし、インク供給穴１８は２５００μｍφ
とした。
【００５３】この試作評価の主眼点は、本発明のヘッド
構造でインクが円滑に供給できるかどうかを印字結果か
ら評価することであり、特にこの実施例では、インク吐
出繰り返し周波数が約１．５ＫＨｚと遅い場合の上記連
結穴の最少値（１個の連結穴でカバーできる最大ノズル
数）を明らかにするのが目的である。そこで、１個の連
結穴でカバーできるノズル数を２００個、３００個、４
００個、となるように連結穴を均等にあけ、印字デュー
ティを２５％、５０％、１００％として印字させ、イン
ク供給不良によってもたらされる印画濃度の低下を調べ
たところ表１に示す結果を得た。
構造でインクが円滑に供給できるかどうかを印字結果か
ら評価することであり、特にこの実施例では、インク吐
出繰り返し周波数が約１．５ＫＨｚと遅い場合の上記連
結穴の最少値（１個の連結穴でカバーできる最大ノズル
数）を明らかにするのが目的である。そこで、１個の連
結穴でカバーできるノズル数を２００個、３００個、４
００個、となるように連結穴を均等にあけ、印字デュー
ティを２５％、５０％、１００％として印字させ、イン
ク供給不良によってもたらされる印画濃度の低下を調べ
たところ表１に示す結果を得た。
【００５４】
【表１】
【００５５】この結果とほとんど同じ結果を（１００）
Ｓｉ基板のヘッドの場合も得ている。すなわち、この程
度の断面積を持つインク溝１４と連結穴１５において
は、３００ノズルに対して１個の割合で連結穴を設けれ
ば充分であること、この値はインク吐出周波数を低くす
れば余裕ができるが、高くすれば２００〜２５０ノズル
／連結穴程度にする必要があることを示している。
Ｓｉ基板のヘッドの場合も得ている。すなわち、この程
度の断面積を持つインク溝１４と連結穴１５において
は、３００ノズルに対して１個の割合で連結穴を設けれ
ば充分であること、この値はインク吐出周波数を低くす
れば余裕ができるが、高くすれば２００〜２５０ノズル
／連結穴程度にする必要があることを示している。
【００５６】一方、図５に示す１６００ｄｐｉのヘッド
で上記と同じインク溝１４と連結穴１５とした場合、ノ
ズル径を２０μｍφにして片側のノズル配列密度を８０
０ｄｐｉとして評価したところ、インク吐出周波数が同
じ１．５ＫＨｚ（Ａ４用紙で約４ｐｐｍの印刷速度）で
はその印字結果は表１と同じ結果となった。これはノズ
ルから吐出する単位時間当たりのインク量が、上記の４
００ｄｐｉヘッドと１６００ｄｐｉヘッドで同じなの
で、当然の結果とも言えよう。また、この１６００ｄｐ
ｉヘッドを長期連続印字させた場合の印字品質を評価し
たところ、何らの品質劣化も認められなかった。このこ
とは、隔壁材料にポリイミドという優れた耐熱性樹脂を
用いたことと、保護層不要の発熱抵抗体を用いて隔壁を
過加熱しないヘッドとしたこと、また、ヘッド温度の変
化があっても印刷濃度が変化しないヘッドとなっている
こと、によることは明らかである。そして、このような
１６００ｄｐｉという超高密度で高集積ノズルのヘッド
の製造についても、フォトドライエッチングを含む本発
明のヘッド製造方法によって初めて可能となったのであ
る。
で上記と同じインク溝１４と連結穴１５とした場合、ノ
ズル径を２０μｍφにして片側のノズル配列密度を８０
０ｄｐｉとして評価したところ、インク吐出周波数が同
じ１．５ＫＨｚ（Ａ４用紙で約４ｐｐｍの印刷速度）で
はその印字結果は表１と同じ結果となった。これはノズ
ルから吐出する単位時間当たりのインク量が、上記の４
００ｄｐｉヘッドと１６００ｄｐｉヘッドで同じなの
で、当然の結果とも言えよう。また、この１６００ｄｐ
ｉヘッドを長期連続印字させた場合の印字品質を評価し
たところ、何らの品質劣化も認められなかった。このこ
とは、隔壁材料にポリイミドという優れた耐熱性樹脂を
用いたことと、保護層不要の発熱抵抗体を用いて隔壁を
過加熱しないヘッドとしたこと、また、ヘッド温度の変
化があっても印刷濃度が変化しないヘッドとなっている
こと、によることは明らかである。そして、このような
１６００ｄｐｉという超高密度で高集積ノズルのヘッド
の製造についても、フォトドライエッチングを含む本発
明のヘッド製造方法によって初めて可能となったのであ
る。
【００５７】なお、このラインヘッドを１．５ＫＨｚで
印字する時は問題がないが、例えば５ＫＨｚで高速印字
する時には、フレームへのインク供給口１８（１９）の
数は２個程度、１０ＫＨｚでは３個程度に増やす方がイ
ンク供給が円滑となる。
印字する時は問題がないが、例えば５ＫＨｚで高速印字
する時には、フレームへのインク供給口１８（１９）の
数は２個程度、１０ＫＨｚでは３個程度に増やす方がイ
ンク供給が円滑となる。
【００５８】〔実施例２〕インク吐出周波数が高くなる
と、１個の連結穴でカバーできるノズルの数が少なくな
る。これを調べるために、前記実施例と全く同一構造の
ヘッドであるが、ノズル数が５１２×４列のシリアルス
キャンタイプのヘッドを作り、インク吐出周波数を１０
ＫＨｚとして印字させた場合の印字品質を評価した。前
記実施例１が２個のヘッドチップを１個のフレーム上に
実装したのに対し、この実施例のヘッドは１個のヘッド
チップを１個のフレーム上に実装してあり、奇数列のノ
ズルからの吐出を０．２μＳおきに順次行い、引き続き
偶数列のノズルからの吐出を０．２μＳおきに行って、
１０２μＳで５１２ノズルの吐出が完了する。このヘッ
ドについても１個の連結穴１５でカバーできるノズル数
を１００個、１５０個、２００個となるように連結穴を
あけ、同じく印字デューティを２５％、５０％、１００
％として評価した。その結果を表２に示すが、連結穴を
１００ノズルに対し１個の割合で設ければ充分であるこ
とが分かる。
と、１個の連結穴でカバーできるノズルの数が少なくな
る。これを調べるために、前記実施例と全く同一構造の
ヘッドであるが、ノズル数が５１２×４列のシリアルス
キャンタイプのヘッドを作り、インク吐出周波数を１０
ＫＨｚとして印字させた場合の印字品質を評価した。前
記実施例１が２個のヘッドチップを１個のフレーム上に
実装したのに対し、この実施例のヘッドは１個のヘッド
チップを１個のフレーム上に実装してあり、奇数列のノ
ズルからの吐出を０．２μＳおきに順次行い、引き続き
偶数列のノズルからの吐出を０．２μＳおきに行って、
１０２μＳで５１２ノズルの吐出が完了する。このヘッ
ドについても１個の連結穴１５でカバーできるノズル数
を１００個、１５０個、２００個となるように連結穴を
あけ、同じく印字デューティを２５％、５０％、１００
％として評価した。その結果を表２に示すが、連結穴を
１００ノズルに対し１個の割合で設ければ充分であるこ
とが分かる。
【００５９】
【表２】
【００６０】ヘッドチップの製造、並びに組み立て中に
おける破損を防ぐためには、チップの折り曲げ強度を極
力低下させてはならない。このためには、チップに設け
るインク溝は極力狭く、連結穴も小さくて少ないことが
良いことは明らかである。上に述べた実施例はいくつか
行った試作の中で最もバランスのとれたインク溝と連結
穴のサイズであり、これを基にして連結穴の配置数の最
適化を行った結果を示している。したがって、インク溝
と連結穴をこれより大きくすると連結穴の配置数は若干
少なくはなる。しかし、Ｓｉ基板の強度低下などをもた
らし、総合的には劣ることになる。
おける破損を防ぐためには、チップの折り曲げ強度を極
力低下させてはならない。このためには、チップに設け
るインク溝は極力狭く、連結穴も小さくて少ないことが
良いことは明らかである。上に述べた実施例はいくつか
行った試作の中で最もバランスのとれたインク溝と連結
穴のサイズであり、これを基にして連結穴の配置数の最
適化を行った結果を示している。したがって、インク溝
と連結穴をこれより大きくすると連結穴の配置数は若干
少なくはなる。しかし、Ｓｉ基板の強度低下などをもた
らし、総合的には劣ることになる。
【００６１】〔実施例３〕Ｎｉ薄膜導体はＡｌ等の導体
材料に比べ電気抵抗率が大きく、ラインヘッドのような
規模の大きなヘッドを形成する場合、即ち共通薄膜導体
の配線長が長くなる場合には、配線抵抗を大きくしない
ように、膜厚を増やさなければならない。
材料に比べ電気抵抗率が大きく、ラインヘッドのような
規模の大きなヘッドを形成する場合、即ち共通薄膜導体
の配線長が長くなる場合には、配線抵抗を大きくしない
ように、膜厚を増やさなければならない。
【００６２】しかし、膜厚を増やす場合には次のような
問題が生ずる。
問題が生ずる。
【００６３】１．スパッタ法によりＮｉ膜を形成する場
合、成膜中の基板温度が高いこと、また高速の原子やイ
オンが膜内に注入され体積膨張すること等により、形成
されたＮｉ膜中に圧縮応力が残留してしまう。このため
膜厚を大きくするに従って膜の応力も増加し、基板から
の膜の剥離や基板の変形、破損を引き起こし易くなる。
合、成膜中の基板温度が高いこと、また高速の原子やイ
オンが膜内に注入され体積膨張すること等により、形成
されたＮｉ膜中に圧縮応力が残留してしまう。このため
膜厚を大きくするに従って膜の応力も増加し、基板から
の膜の剥離や基板の変形、破損を引き起こし易くなる。
【００６４】２．スパッタ法で厚い膜を形成するには長
時間かかる為、エネルギー消費の増加と生産性の低下を
引き起こす。
時間かかる為、エネルギー消費の増加と生産性の低下を
引き起こす。
【００６５】３．膜形成後の導体パターンを形成する工
程でのエッチング時間も膜厚に比例して長くなり、サイ
ドエッチ量の増加によるパターン解像度の低下とフォト
レジストの剥離による不良率の増加を引き起こす。
程でのエッチング時間も膜厚に比例して長くなり、サイ
ドエッチ量の増加によるパターン解像度の低下とフォト
レジストの剥離による不良率の増加を引き起こす。
【００６６】これらの問題点を解決するための具体的な
実施例を以下に示す。なお、ここではＮｉ薄膜導体を厚
くする工程のみを説明するが、その他は実施例１と同じ
であるので省略する。
実施例を以下に示す。なお、ここではＮｉ薄膜導体を厚
くする工程のみを説明するが、その他は実施例１と同じ
であるので省略する。
【００６７】先ず、図１１の（ａ）工程で示す約１μｍ
厚さのＳｉＯ2が形成されているＳｉ基板１上に、
（ｂ）工程でＣｒ-Ｓｉ-ＳｉＯ合金薄膜抵抗体３、Ｎｉ
薄膜導体４ａ、５ａを連続スパッタ法で形成する。な
お、これらの薄膜の厚さは各々０.１μｍ、０.１μｍで
ある。厚さ０.１μｍのＮｉ薄膜の圧縮応力も実用的に
は無視できるほどに十分小さい。
厚さのＳｉＯ2が形成されているＳｉ基板１上に、
（ｂ）工程でＣｒ-Ｓｉ-ＳｉＯ合金薄膜抵抗体３、Ｎｉ
薄膜導体４ａ、５ａを連続スパッタ法で形成する。な
お、これらの薄膜の厚さは各々０.１μｍ、０.１μｍで
ある。厚さ０.１μｍのＮｉ薄膜の圧縮応力も実用的に
は無視できるほどに十分小さい。
【００６８】続いて（ｃ）工程では上記２層膜上にフォ
トレジスト３０を塗布し、露光現像後、形成されるべき
導体以外の部分に硬化したフォトレジスト３０が残るよ
うにする。この時のフォトレジスト３０の膜厚は次工程
で形成するＮｉメッキ薄膜導体４ｂ、５ｂよりも厚く塗
布する必要がある。本実施例では膜厚２μｍのＮｉメッ
キ薄膜導体４ｂ、５ｂを形成するためフォトレジスト３
０は５μｍの厚さとした。なお、フォトレジストとして
は東京応化製メッキ厚膜用レジストのＰＭＥＲＰ−ＡＲ
９００を用いた。またフォトレジストの代わりに例えば
日立化成製 フォテックＳＲ−３０００のようなドライ
フィルムレジストを用いても同様な工程を達成できるこ
とはいうまでもない。
トレジスト３０を塗布し、露光現像後、形成されるべき
導体以外の部分に硬化したフォトレジスト３０が残るよ
うにする。この時のフォトレジスト３０の膜厚は次工程
で形成するＮｉメッキ薄膜導体４ｂ、５ｂよりも厚く塗
布する必要がある。本実施例では膜厚２μｍのＮｉメッ
キ薄膜導体４ｂ、５ｂを形成するためフォトレジスト３
０は５μｍの厚さとした。なお、フォトレジストとして
は東京応化製メッキ厚膜用レジストのＰＭＥＲＰ−ＡＲ
９００を用いた。またフォトレジストの代わりに例えば
日立化成製 フォテックＳＲ−３０００のようなドライ
フィルムレジストを用いても同様な工程を達成できるこ
とはいうまでもない。
【００６９】次に、メッキの前処理として基板を５％塩
酸中に10分間浸し、Ｎｉ薄膜導体４ａ、５ａの表面をラ
イトエッチングする。ライトエッチング後は水洗を行
う。
酸中に10分間浸し、Ｎｉ薄膜導体４ａ、５ａの表面をラ
イトエッチングする。ライトエッチング後は水洗を行
う。
【００７０】（ｄ）工程では、フォトレジスト３０の無
い部分（導体部）にメッキによりＮｉ薄膜導体４ｂ、５
ｂを形成する。本実施例のメッキ条件は表３に示すよう
にスルファミン酸ニッケルを主体とするメッキ浴用い
た。
い部分（導体部）にメッキによりＮｉ薄膜導体４ｂ、５
ｂを形成する。本実施例のメッキ条件は表３に示すよう
にスルファミン酸ニッケルを主体とするメッキ浴用い
た。
【００７１】
【表３】
【００７２】メッキ時間は４分間で、膜厚２μｍのＮｉ
膜を形成することが出来た。なお、メッキ液としては硫
酸ニッケルを主体とするワット浴や塩化ニッケルを主体
とする塩化ニッケル浴等でも同様なＮｉ膜を形成できる
ことはいうまでもない。
膜を形成することが出来た。なお、メッキ液としては硫
酸ニッケルを主体とするワット浴や塩化ニッケルを主体
とする塩化ニッケル浴等でも同様なＮｉ膜を形成できる
ことはいうまでもない。
【００７３】次に、（ｅ）工程でフォトレジスト３０を
剥離する。このようにして形成したＮｉ薄膜導体４ｂ、
５ｂは導体部の幅４０μｍで配線間隔は２２μｍであ
る。
剥離する。このようにして形成したＮｉ薄膜導体４ｂ、
５ｂは導体部の幅４０μｍで配線間隔は２２μｍであ
る。
【００７４】続いて、（ｆ）工程ではＮｉのエッチング
液である硝酸、酢酸、硫酸混合液に１分間漬けて０．１
μｍ厚さのスパッタによるＮｉ薄膜導体４ａ、５ａ全部
とメッキによるＮｉ薄膜導体４ｂ、５ｂの表面層約０.
１μｍをエッチングする。これによりＮｉ導体部が形成
される。本工程はメッキ工程で生じたＮｉ薄膜導体４
ｂ、５ｂのエッジ部のバリやヒゲといった欠陥をエッチ
ングにより修正する工程でもある。
液である硝酸、酢酸、硫酸混合液に１分間漬けて０．１
μｍ厚さのスパッタによるＮｉ薄膜導体４ａ、５ａ全部
とメッキによるＮｉ薄膜導体４ｂ、５ｂの表面層約０.
１μｍをエッチングする。これによりＮｉ導体部が形成
される。本工程はメッキ工程で生じたＮｉ薄膜導体４
ｂ、５ｂのエッジ部のバリやヒゲといった欠陥をエッチ
ングにより修正する工程でもある。
【００７５】（ｇ）工程では、フォトレジストを塗布し
Ｃｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体のパターンをエッチ
ングにより形成する。エッチング液には５％フッ酸を用
いた。 なお、上記実施例に用いたＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ
合金薄膜抵抗体に代えて、Ｔａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜
抵抗体を用いても、全く同様の結果を得られることは容
易に理解されよう。このようにして厚いＮｉ薄膜導体を
効率良く形成することができた。これ以降は実施例１に
おける（３）の工程に入る。
Ｃｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体のパターンをエッチ
ングにより形成する。エッチング液には５％フッ酸を用
いた。 なお、上記実施例に用いたＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ
合金薄膜抵抗体に代えて、Ｔａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜
抵抗体を用いても、全く同様の結果を得られることは容
易に理解されよう。このようにして厚いＮｉ薄膜導体を
効率良く形成することができた。これ以降は実施例１に
おける（３）の工程に入る。
【００７６】〔実施例４〕以下、図面を用い、オリフィ
スプレ−ト表面層のみに撥水性被膜をコ−トすることが
できる具体的な実施例を説明する。
スプレ−ト表面層のみに撥水性被膜をコ−トすることが
できる具体的な実施例を説明する。
【００７７】図１２（ａ）は、実施例１に示したヘッド
製造方法を示す概略工程図である。この方法によって作
られるヘッドのオリフィスプレート１１は、耐熱性樹脂
プレ−トのみで構成されていた。一方、本実施例のヘッ
ドのオリフィスプレート１１は、図１３に示すように、
この樹脂膜４１の上に厚さ０．０５〜１μｍの望みの厚
さの金属薄膜４２と、この金属薄膜４２の表面に強固に
付着している厚さ０．０１〜５μｍの間の望みの厚さの
撥水性被膜４３とから構成されている。この具体的な製
造方法は図１２（ｂ）、及び次に示す通りである。
製造方法を示す概略工程図である。この方法によって作
られるヘッドのオリフィスプレート１１は、耐熱性樹脂
プレ−トのみで構成されていた。一方、本実施例のヘッ
ドのオリフィスプレート１１は、図１３に示すように、
この樹脂膜４１の上に厚さ０．０５〜１μｍの望みの厚
さの金属薄膜４２と、この金属薄膜４２の表面に強固に
付着している厚さ０．０１〜５μｍの間の望みの厚さの
撥水性被膜４３とから構成されている。この具体的な製
造方法は図１２（ｂ）、及び次に示す通りである。
【００７８】実施例１に示した（５）の工程の完了後、
この上に０．１μｍの厚さのＮｉ薄膜４２を高速スパッ
タ法で形成し、有機ケイ素系レジストを用いたフォトエ
ッチングによってＮｉ薄膜４２にインク吐出口に相当す
る穴を形成する。そしてこのレジストを残したまま、電
子サイクロトロン共鳴によって励起させた酸素プラズマ
によるドライエッチングによってポリイミドフィルム４
１に垂直にノズル穴１２をあける。このノズル穴１２は
任意の角度に傾斜させてあけることも可能であり、本発
明者の特許出願発明（特願平05-318272号）に記載した
ように、図７に示すラインヘッドを組み立てる上で不可
欠な実用技術となっている。このあと、有機ケイ素系レ
ジストを除去し、Ｎｉ薄膜４２を被めっき電極とするめ
っき法によって撥水性被膜４３をこのＮｉ薄膜４２の表
面のみに形成する。この撥水性被膜４３をめっきによっ
て形成する方法は複合めっきとして古くから良く知られ
ており、フッ素樹脂とかフッ化グラファイト微粒子をＮ
ｉめっき液に分散させてめっきすると、その被膜は非常
に優れた撥水性を示す。また最近の研究では、接触角が
１８０゜に近い超撥水性被膜を形成することも可能（化
学４６巻７号(1991)P477、他）と言われている。
この上に０．１μｍの厚さのＮｉ薄膜４２を高速スパッ
タ法で形成し、有機ケイ素系レジストを用いたフォトエ
ッチングによってＮｉ薄膜４２にインク吐出口に相当す
る穴を形成する。そしてこのレジストを残したまま、電
子サイクロトロン共鳴によって励起させた酸素プラズマ
によるドライエッチングによってポリイミドフィルム４
１に垂直にノズル穴１２をあける。このノズル穴１２は
任意の角度に傾斜させてあけることも可能であり、本発
明者の特許出願発明（特願平05-318272号）に記載した
ように、図７に示すラインヘッドを組み立てる上で不可
欠な実用技術となっている。このあと、有機ケイ素系レ
ジストを除去し、Ｎｉ薄膜４２を被めっき電極とするめ
っき法によって撥水性被膜４３をこのＮｉ薄膜４２の表
面のみに形成する。この撥水性被膜４３をめっきによっ
て形成する方法は複合めっきとして古くから良く知られ
ており、フッ素樹脂とかフッ化グラファイト微粒子をＮ
ｉめっき液に分散させてめっきすると、その被膜は非常
に優れた撥水性を示す。また最近の研究では、接触角が
１８０゜に近い超撥水性被膜を形成することも可能（化
学４６巻７号(1991)P477、他）と言われている。
【００７９】ここでの試作評価では、フッ素樹脂（ＰＴ
ＦＥ）と同等の約１１０゜の接触角を示す複合Ｎｉめっ
き被膜と、約１４０゜の接触角を示すフッ化グラファイ
ト系の複合Ｎｉめっき被膜を被覆して評価した。その結
果、吐出インク量のノズル間の差は認められず、インク
のオリフィス面への付着もクリーニングが不必要と考え
られる程度に低減することも確認できた。特にフッ化グ
ラファイト系の複合Ｎｉめっき被膜は完全にクリーニン
グが不要となり、実際のプリンタを構成する上でクリー
ニングが削除できる大きな効果が得られた。
ＦＥ）と同等の約１１０゜の接触角を示す複合Ｎｉめっ
き被膜と、約１４０゜の接触角を示すフッ化グラファイ
ト系の複合Ｎｉめっき被膜を被覆して評価した。その結
果、吐出インク量のノズル間の差は認められず、インク
のオリフィス面への付着もクリーニングが不必要と考え
られる程度に低減することも確認できた。特にフッ化グ
ラファイト系の複合Ｎｉめっき被膜は完全にクリーニン
グが不要となり、実際のプリンタを構成する上でクリー
ニングが削除できる大きな効果が得られた。
【００８０】なお、図１２（ｂ）の工程において、金属
薄膜があらかじめ形成されている二層構造のポリイミド
フィルムを用いるとスパッタ工程が省略できることは明
らかで、金属薄膜もＮｉ以外の金属であっても差しつか
えない。なぜならば、この金属がインクによって腐食す
る可能性があっても、その表面が複合Ｎｉめっき被膜で
保護されるからである。
薄膜があらかじめ形成されている二層構造のポリイミド
フィルムを用いるとスパッタ工程が省略できることは明
らかで、金属薄膜もＮｉ以外の金属であっても差しつか
えない。なぜならば、この金属がインクによって腐食す
る可能性があっても、その表面が複合Ｎｉめっき被膜で
保護されるからである。
【００８１】なお、樹脂膜４１上に形成する金属薄膜４
２の厚さは０．０５μｍ〜１μｍ程度あれば被めっき電
極として充分使用することができ、また、この上にめっ
きによって形成する撥水性被膜４３の厚さも薄いものは
１００オングストローム程度（０．０１μｍ）のものも
開発されている。これは撥水性のあるフッ素化合物の有
機錯体からなるめっき液で、フッ素化合物と金属を有機
リン酸によって結合する方法と言われている。このよう
に、撥水性被膜は０．０１〜５μｍの厚さで望みの厚さ
のものがオリフィスプレートの表面層のみに被覆するこ
とができ、場合によっては接触角が１８０゜という、水
が完全にはじかれる超撥水処理さえできるのである。ま
た、フッ素樹脂微粒子を分散させたフッ素系電着塗装法
によって金属薄膜４２の表面に数μｍの厚さで接触角が
１７０°を越える超撥水性被膜を形成することも可能
で、この場合も完全にヘッドのクリ−ニングが不要とな
ることを確認している。
２の厚さは０．０５μｍ〜１μｍ程度あれば被めっき電
極として充分使用することができ、また、この上にめっ
きによって形成する撥水性被膜４３の厚さも薄いものは
１００オングストローム程度（０．０１μｍ）のものも
開発されている。これは撥水性のあるフッ素化合物の有
機錯体からなるめっき液で、フッ素化合物と金属を有機
リン酸によって結合する方法と言われている。このよう
に、撥水性被膜は０．０１〜５μｍの厚さで望みの厚さ
のものがオリフィスプレートの表面層のみに被覆するこ
とができ、場合によっては接触角が１８０゜という、水
が完全にはじかれる超撥水処理さえできるのである。ま
た、フッ素樹脂微粒子を分散させたフッ素系電着塗装法
によって金属薄膜４２の表面に数μｍの厚さで接触角が
１７０°を越える超撥水性被膜を形成することも可能
で、この場合も完全にヘッドのクリ−ニングが不要とな
ることを確認している。
【００８２】
【発明の効果】本発明によれば、以下に示す多くの効果
を得ることができる。
を得ることができる。
【００８３】（１）駆動用ＬＳＩの製造中に形成される
ＳｉＯ2層を発熱抵抗体の断熱層として利用できると共
に、インク溝形成時におけるフォトマスクとしても利用
でき、工程数を削除できる。
ＳｉＯ2層を発熱抵抗体の断熱層として利用できると共
に、インク溝形成時におけるフォトマスクとしても利用
でき、工程数を削除できる。
【００８４】（２）インク溝と連結穴が同時に形成で
き、工程数を削減できる。
き、工程数を削減できる。
【００８５】（３）オリフィスプレートの吐出口を該プ
レート接着後のフォトエッチングによって形成すること
により、発熱抵抗体と吐出口の位置合わせが容易とな
り、１６００ｄｐｉという従来技術の３倍以上の高集積
密度のヘッドも製造可能となる。
レート接着後のフォトエッチングによって形成すること
により、発熱抵抗体と吐出口の位置合わせが容易とな
り、１６００ｄｐｉという従来技術の３倍以上の高集積
密度のヘッドも製造可能となる。
【００８６】（４）オリフィスプレートのフォトエッチ
ングを反応性ドライエッチングとすることによって、円
筒形状の吐出口とすることができ、温度によって印字濃
度が変化せず、また、サテライトドロップも発生しない
ヘッドとすることができる（本発明者の特許出願、特願
平０６−２１０６０号、特願平０６−１５６９４９号参
照）。また、３〜１０°傾斜させた円筒形状の吐出口と
することも可能で、これはラインヘッドのような長尺ヘ
ッドを製造する上で不可欠な方法を提供できる（本発明
者の特許出願、特願平０５−３１８２７２号参照）。
ングを反応性ドライエッチングとすることによって、円
筒形状の吐出口とすることができ、温度によって印字濃
度が変化せず、また、サテライトドロップも発生しない
ヘッドとすることができる（本発明者の特許出願、特願
平０６−２１０６０号、特願平０６−１５６９４９号参
照）。また、３〜１０°傾斜させた円筒形状の吐出口と
することも可能で、これはラインヘッドのような長尺ヘ
ッドを製造する上で不可欠な方法を提供できる（本発明
者の特許出願、特願平０５−３１８２７２号参照）。
【００８７】（５）狭いインク溝とこれに沿って設けら
れる比較的少ない連結穴は、ヘッド製造時におけるＳｉ
ウエハの割れによる歩留低下を防ぐ。 （６）オリフィスプレートの表面層のみに撥水処理がで
きるので、ヘッドクリーニングの削除又は大巾な削減が
可能となる。
れる比較的少ない連結穴は、ヘッド製造時におけるＳｉ
ウエハの割れによる歩留低下を防ぐ。 （６）オリフィスプレートの表面層のみに撥水処理がで
きるので、ヘッドクリーニングの削除又は大巾な削減が
可能となる。
【００８８】（７）Ｓｉウエハ上に薄膜プロセスのみを
用いて数万〜数１０万ノズルを一括して製造することが
できるので、大規模高集積密度のヘッドを安価に提供で
きる。
用いて数万〜数１０万ノズルを一括して製造することが
できるので、大規模高集積密度のヘッドを安価に提供で
きる。
【００８９】（８）従来技術のプリンタに不可欠であっ
た種々の制御機構等（ヘッド温度の制御、駆動パルス巾
制御、カラーバランス制御、等々）を削除できるプリン
タを実現できる。
た種々の制御機構等（ヘッド温度の制御、駆動パルス巾
制御、カラーバランス制御、等々）を削除できるプリン
タを実現できる。
【図１】本発明になるインク噴射記録ヘッドの一実施例
の１ノズル列分の断面図である。
の１ノズル列分の断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明になるＡ４フルカラー用ラインヘッドの
一実施例の断面図である。
一実施例の断面図である。
【図４】本発明になるインク噴射記録ヘッドの細部拡大
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明になる１６００ｄｐｉフルカラーヘッド
の一実施例の１色分のノズル列を示す断面図である。
の一実施例の１色分のノズル列を示す断面図である。
【図６】他の実施例の１ノズル列分の断面図である。
【図７】本発明になるＡ４フルカラーラインヘッドの正
面図である。
面図である。
【図８】図７の側面図である。
【図９】図７のＥ−Ｅ’拡大断面図である。
【図１０】本発明のヘッドの印字評価に用いた高速フル
カラープリンタの断面図である。
カラープリンタの断面図である。
【図１１】本発明の発熱抵抗体と導体の製造工程を示す
説明図でる。
説明図でる。
【図１２】（ａ）本発明が適用されるヘッドの製造工程
の一実施例と、（ｂ）オリフィスプレ−ト形成工程の詳
細を示す工程図である。
の一実施例と、（ｂ）オリフィスプレ−ト形成工程の詳
細を示す工程図である。
【図１３】本発明になるオリフィスプレ−トのノズル付
近の断面図である。
近の断面図である。
1.シリコン基板 2.駆動用ＬＳＩデバイス領域 3.薄膜
発熱抵抗体 4.個別薄膜導体 5.共通薄膜導体（グラン
ド） 6.スルーホール接続部 7.駆動用配線導体（電
源、データ、クロック他） 8.隔壁 9.個別インク通路
10.共通インク通路 11.オリフィスプレート 12.イ
ンク吐出ノズル 13.吐出インク 14.インク溝 15.連
結穴 16.フレーム側インク溝（又は穴） 17.フレーム
18.インク供給口 19.インク供給パイプ 20.テープ
キャリア 21.コネクタ 22.押え金具23.ＳｉＯ2層 3
1.Ａ４フルカラーラインヘッド 32.プリヒータ 33.真
空吸着搬送器 34.記録媒体 35.35′第１排気スリット
36.第２排気スリット 37.ヘッドクリーナ 38.ヘッ
ドキャップ 41.樹脂膜（耐熱性樹脂プレ−ト） 42.金
属薄膜 43.撥水性被膜
発熱抵抗体 4.個別薄膜導体 5.共通薄膜導体（グラン
ド） 6.スルーホール接続部 7.駆動用配線導体（電
源、データ、クロック他） 8.隔壁 9.個別インク通路
10.共通インク通路 11.オリフィスプレート 12.イ
ンク吐出ノズル 13.吐出インク 14.インク溝 15.連
結穴 16.フレーム側インク溝（又は穴） 17.フレーム
18.インク供給口 19.インク供給パイプ 20.テープ
キャリア 21.コネクタ 22.押え金具23.ＳｉＯ2層 3
1.Ａ４フルカラーラインヘッド 32.プリヒータ 33.真
空吸着搬送器 34.記録媒体 35.35′第１排気スリット
36.第２排気スリット 37.ヘッドクリーナ 38.ヘッ
ドキャップ 41.樹脂膜（耐熱性樹脂プレ−ト） 42.金
属薄膜 43.撥水性被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 一夫 茨城県ひたちなか市武田1060番地 日立工 機株式会社内 (72)発明者 町田 治 茨城県ひたちなか市武田1060番地 日立工 機株式会社内
Claims (16)
- 【請求項１】 Ｓｉ基板の第１面上に形成された薄膜抵
抗体と薄膜導体からなる複数個の発熱抵抗体と、該発熱
抵抗体を駆動するべく同一Ｓｉ基板上に形成され、前記
発熱抵抗体に接続された駆動用ＬＳＩと、前記複数個の
発熱抵抗体に順次パルス通電することによって該発熱抵
抗体と垂直又はほぼ垂直方向にインク滴を吐出する複数
個の吐出口と、該複数個の吐出口のそれぞれに対応して
該Ｓｉ基板上に設けられた複数個の個別インク通路と、
該個別インク通路の全てが連通するべく前記Ｓｉ基板上
に設けられた共通インク通路と、該共通インク通路の全
長にわたって導通されるよう前記Ｓｉ基板に設けられた
１本のインク溝と、該インク溝が前記Ｓｉ基板の第１面
の裏面である第２面と連通するべく該Ｓｉ基板の第２面
に穿たれた少なくとも１個の連結穴とからなるＳｉ基板
のヘッドチップと、所定のインク供給路を有し、前記ヘ
ッドチップを搭載するフレームとで構成されたインク噴
射記録ヘッドを製造する方法であって、（１）Ｓｉウエ
ハの第１面に駆動用ＬＳＩを形成する工程と、（２）該
Ｓｉウエハの第１面に薄膜抵抗体及び薄膜導体を形成す
る工程と、（３）該Ｓｉウエハの第１面に前記インク通
路を構成する隔壁層を形成する工程と、（４）該Ｓｉウ
エハの両面からＳｉ異方性エッチングによって前記イン
ク溝及び連結穴を形成する工程と、（５）該Ｓｉウエハ
の第１面にオリフィスプレートを接着する工程と、
（６）該オリフィスプレートにフォトエッチングによっ
て前記吐出口を形成する工程と、（７）該Ｓｉウエハを
切断してヘッドチップに分割する工程と、（８）前記フ
レームに前記ヘッドチップをダイボンディングし、配線
実装して組み立てる工程、を含むことを特徴とするイン
ク噴射記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記Ｓｉウエハの結晶方位が（１００）
又は（１１０）である単結晶Ｓｉウエハであることを特
徴とする請求項１記載のインク噴射記録ヘッドの製造方
法。 - 【請求項３】 前記薄膜抵抗体が反応性スパッタ法によ
って形成されるＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ又はＴａ−Ｓｉ−Ｓ
ｉＯ合金薄膜抵抗体であり、前記薄膜導体が高速スパッ
タ法によって形成されるＮｉ薄膜導体であることを特徴
とする請求項１記載のインク噴射記録ヘッドの製造方
法。 - 【請求項４】 前記Ｎｉ薄膜導体は高速スパッタ法及び
電気めっき法によって形成されることを特徴とする請求
項３記載のインク噴射記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 請求項４の製造方法において、前記Ｎｉ
薄膜導体は、（１）高速スパッタ法により第１のＮｉ薄
膜を形成する工程と、（２）前記第１のＮｉ薄膜の表面
をライトエッチングする工程と、（３）前記第１のＮｉ
薄膜の上に電気メッキ法により第２のＮｉ薄膜を形成す
る工程と、を含むことを特徴とするインク噴射記録ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項６】 前記ヘッドチップの複数個分が同一Ｓｉ
基板上に並列に形成されたヘッドチップを同数のインク
供給路を有するフレームにダイボンディングし、配線実
装して組み立てることを特徴とする請求項１記載のイン
ク噴射記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項７】 前記隔壁層を耐熱性樹脂とし、その熱分
解開始温度を４００℃以上とすることを特徴とする請求
項１記載のインク噴射記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 前記オリフィスプレートを耐熱性樹脂と
し、フォトエッチングによる前記吐出口の形成を反応性
ドライエッチング法とすることを特徴とする請求項１記
載のインク噴射記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項９】 請求項８の製造方法において、前記オリ
フィスプレートは、（１）前記耐熱性樹脂プレートを前
記Ｓｉウエハに貼付する工程と、（２）前記耐熱性樹脂
プレートの表面に金属薄膜を形成する工程と、（３）前
記金属薄膜のオリフィス相当部分をフォトエッチングす
る工程と、（４）前記耐熱性樹脂プレートの前記金属薄
膜エッチング部分を反応性ドライエッチングする工程
と、（５）前記金属薄膜の表面に、該金属薄膜を電極と
して撥水性被膜を形成する工程を経て形成されることを
特徴とするインク噴射記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１０】 前記耐熱性樹脂プレートの膜厚は２０
〜８０μｍであることを特徴とする請求項８及び９記載
のインク噴射記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１１】 前記金属薄膜の膜厚は０．０５〜１μ
ｍであることを特徴とする請求項９記載のインク噴射記
録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１２】 前記撥水性被膜の膜厚は０．０１〜５
μｍであることを特徴とする請求項９記載のインク噴射
記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１３】 前記インク溝の幅を１００〜２００μ
ｍの範囲、前記連結穴の穴径を３００〜６００μｍ×６
００〜１０００μｍの範囲とし、該連結穴が１００〜３
００個の吐出口に対して１個の割合で穿たれていること
を特徴とする請求項１記載のインク噴射記録ヘッドの製
造方法。 - 【請求項１４】 前記フレームは、該ヘッドチップの第
２面に並ぶ複数の連結穴又は連結穴列のそれぞれをカバ
ーする如く設けられた複数個のフレーム側インク穴又は
インク溝と、該フレーム側インク穴又はインク溝のそれ
ぞれと連通する複数個のインク供給口とを有するもので
あることを特徴とする請求項１及び６記載のインク噴射
記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１５】 前記ヘッドチップの複数個分が同一フ
レーム上に実装されることを特徴とする請求項１、６及
び１４記載のインク噴射記録ヘッドの製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１〜１５のいずれかに記載の方
法によって製造されたインク噴射記録ヘッドを搭載する
ことを特徴とする記録装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13518595A JP3515830B2 (ja) | 1994-07-14 | 1995-06-01 | インク噴射記録ヘッドチップの製造方法、インク噴射記録ヘッドの製造方法および記録装置 |
| US08/502,179 US5697144A (en) | 1994-07-14 | 1995-07-13 | Method of producing a head for the printer |
| DE19525765A DE19525765A1 (de) | 1994-07-14 | 1995-07-14 | Drucker und Verfahren zum Herstellen eines Kopfes für den Drucker |
| US08/630,598 US5621524A (en) | 1994-07-14 | 1996-04-10 | Method for testing ink-jet recording heads |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16215194 | 1994-07-14 | ||
| JP20198594 | 1994-08-26 | ||
| JP30607694 | 1994-12-09 | ||
| JP6-162151 | 1994-12-09 | ||
| JP6-201985 | 1994-12-09 | ||
| JP6-306076 | 1994-12-09 | ||
| JP13518595A JP3515830B2 (ja) | 1994-07-14 | 1995-06-01 | インク噴射記録ヘッドチップの製造方法、インク噴射記録ヘッドの製造方法および記録装置 |
Related Child Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000302624A Division JP2001088278A (ja) | 1994-07-14 | 2000-10-02 | 記録装置 |
| JP2001151681A Division JP3464790B2 (ja) | 1994-07-14 | 2001-05-21 | インク噴射記録ヘッドチップおよび記録装置 |
| JP2003347179A Division JP3672559B2 (ja) | 1994-07-14 | 2003-10-06 | インク噴射記録ヘッドチップの製造方法、インク噴射記録ヘッドの製造方法、および記録装置 |
| JP2003347144A Division JP2004009744A (ja) | 1994-07-14 | 2003-10-06 | インクジェットプリントヘッドおよび記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08207291A true JPH08207291A (ja) | 1996-08-13 |
| JP3515830B2 JP3515830B2 (ja) | 2004-04-05 |
Family
ID=27471897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13518595A Expired - Fee Related JP3515830B2 (ja) | 1994-07-14 | 1995-06-01 | インク噴射記録ヘッドチップの製造方法、インク噴射記録ヘッドの製造方法および記録装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5697144A (ja) |
| JP (1) | JP3515830B2 (ja) |
| DE (1) | DE19525765A1 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6578950B2 (en) | 2000-08-28 | 2003-06-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Line head and image recording method |
| US6595622B2 (en) | 2001-03-29 | 2003-07-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Ink jet printhead with thick substrate providing reduced warpage |
| JP2004148824A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Hewlett-Packard Development Co Lp | スロット付き基板および形成方法 |
| US6786576B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-09-07 | Masao Mitani | Inkjet recording head with minimal ink drop ejecting capability |
| US6962407B2 (en) | 2000-06-07 | 2005-11-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Inkjet recording head, method of manufacturing the same, and inkjet printer |
| US7118193B2 (en) | 1999-12-22 | 2006-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid ejecting recording head and liquid ejecting recording apparatus |
| JP2008055915A (ja) * | 2007-11-05 | 2008-03-13 | Canon Inc | 液体吐出記録ヘッド |
| JP2014083772A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP2014210370A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | キヤノンファインテック株式会社 | インクジェットヘッドの物流用充填液、インクジェットヘッドおよびインクジェットヘッドの物流方法 |
| US9493011B2 (en) | 2013-04-18 | 2016-11-15 | Canon Finetech Inc. | Filling liquid for distribution of ink jet head, ink jet head, and distribution method for ink jet head |
| JP2020075419A (ja) * | 2018-11-08 | 2020-05-21 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5852460A (en) * | 1995-03-06 | 1998-12-22 | Hewlett-Packard Company | Inkjet print cartridge design to decrease deformation of the printhead when adhesively sealing the printhead to the print cartridge |
| US6729002B1 (en) * | 1995-09-05 | 2004-05-04 | Seiko Epson Corporation | Method of producing an ink jet recording head |
| US5870123A (en) * | 1996-07-15 | 1999-02-09 | Xerox Corporation | Ink jet printhead with channels formed in silicon with a (110) surface orientation |
| JP3423551B2 (ja) * | 1996-12-13 | 2003-07-07 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッド製造方法及びインクジェット記録ヘッド |
| AUPP398798A0 (en) * | 1998-06-09 | 1998-07-02 | Silverbrook Research Pty Ltd | Image creation method and apparatus (ij43) |
| US7022250B2 (en) * | 1997-07-15 | 2006-04-04 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of fabricating an ink jet printhead chip with differential expansion actuators |
| US7337532B2 (en) * | 1997-07-15 | 2008-03-04 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of manufacturing micro-electromechanical device having motion-transmitting structure |
| US6682174B2 (en) | 1998-03-25 | 2004-01-27 | Silverbrook Research Pty Ltd | Ink jet nozzle arrangement configuration |
| US7011390B2 (en) * | 1997-07-15 | 2006-03-14 | Silverbrook Research Pty Ltd | Printing mechanism having wide format printing zone |
| US7287836B2 (en) * | 1997-07-15 | 2007-10-30 | Sil;Verbrook Research Pty Ltd | Ink jet printhead with circular cross section chamber |
| US7195339B2 (en) | 1997-07-15 | 2007-03-27 | Silverbrook Research Pty Ltd | Ink jet nozzle assembly with a thermal bend actuator |
| US6935724B2 (en) | 1997-07-15 | 2005-08-30 | Silverbrook Research Pty Ltd | Ink jet nozzle having actuator with anchor positioned between nozzle chamber and actuator connection point |
| US6712453B2 (en) | 1997-07-15 | 2004-03-30 | Silverbrook Research Pty Ltd. | Ink jet nozzle rim |
| US6513908B2 (en) | 1997-07-15 | 2003-02-04 | Silverbrook Research Pty Ltd | Pusher actuation in a printhead chip for an inkjet printhead |
| US6582059B2 (en) * | 1997-07-15 | 2003-06-24 | Silverbrook Research Pty Ltd | Discrete air and nozzle chambers in a printhead chip for an inkjet printhead |
| US7556356B1 (en) | 1997-07-15 | 2009-07-07 | Silverbrook Research Pty Ltd | Inkjet printhead integrated circuit with ink spread prevention |
| US7465030B2 (en) | 1997-07-15 | 2008-12-16 | Silverbrook Research Pty Ltd | Nozzle arrangement with a magnetic field generator |
| US7468139B2 (en) | 1997-07-15 | 2008-12-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of depositing heater material over a photoresist scaffold |
| US6648453B2 (en) * | 1997-07-15 | 2003-11-18 | Silverbrook Research Pty Ltd | Ink jet printhead chip with predetermined micro-electromechanical systems height |
| US6471336B2 (en) * | 1997-07-15 | 2002-10-29 | Silverbrook Research Pty Ltd. | Nozzle arrangement that incorporates a reversible actuating mechanism |
| US6188415B1 (en) | 1997-07-15 | 2001-02-13 | Silverbrook Research Pty Ltd | Ink jet printer having a thermal actuator comprising an external coil spring |
| JPH1199649A (ja) | 1997-09-30 | 1999-04-13 | Canon Inc | インクジェットヘッド、その製造方法、及びインクジェット装置 |
| JP3408130B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2003-05-19 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッドおよびその製造方法 |
| TW368479B (en) * | 1998-05-29 | 1999-09-01 | Ind Tech Res Inst | Manufacturing method for ink passageway |
| US6886917B2 (en) * | 1998-06-09 | 2005-05-03 | Silverbrook Research Pty Ltd | Inkjet printhead nozzle with ribbed wall actuator |
| US6161270A (en) * | 1999-01-29 | 2000-12-19 | Eastman Kodak Company | Making printheads using tapecasting |
| US6238584B1 (en) * | 1999-03-02 | 2001-05-29 | Eastman Kodak Company | Method of forming ink jet nozzle plates |
| US6310641B1 (en) | 1999-06-11 | 2001-10-30 | Lexmark International, Inc. | Integrated nozzle plate for an inkjet print head formed using a photolithographic method |
| US6575562B1 (en) | 1999-11-16 | 2003-06-10 | Lexmark International, Inc. | Performance inkjet printhead chip layouts and assemblies |
| US6585352B1 (en) * | 2000-08-16 | 2003-07-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Compact high-performance, high-density ink jet printhead |
| US7731904B2 (en) * | 2000-09-19 | 2010-06-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for making probe support and apparatus used for the method |
| JP2002144584A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-21 | Sony Corp | プリンタ、プリンタヘッド及びプリンタヘッドの製造方法 |
| JP2002355977A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-12-10 | Canon Inc | 撥液部材、該撥液部材を用いたインクジェットヘッド、それらの製造方法及びインクの供給方法 |
| US6646830B2 (en) | 2001-06-07 | 2003-11-11 | International Business Machines Corporation | Monolithic magnetic read-while-write head apparatus and method of manufacture |
| US6543879B1 (en) * | 2001-10-31 | 2003-04-08 | Hewlett-Packard Company | Inkjet printhead assembly having very high nozzle packing density |
| US6746107B2 (en) * | 2001-10-31 | 2004-06-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Inkjet printhead having ink feed channels defined by thin-film structure and orifice layer |
| US6698092B2 (en) * | 2001-10-31 | 2004-03-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Methods and systems for forming a die package |
| US6932453B2 (en) * | 2001-10-31 | 2005-08-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Inkjet printhead assembly having very high drop rate generation |
| US6704996B2 (en) | 2002-04-30 | 2004-03-16 | Lexmark International, Inc. | Method for making ink jet printheads |
| US6540334B1 (en) | 2002-04-30 | 2003-04-01 | Lexmark International, Inc. | Method for making ink jet printheads |
| JP4126553B2 (ja) * | 2003-10-07 | 2008-07-30 | ソニー株式会社 | 液体吐出装置 |
| CN100540313C (zh) * | 2003-10-24 | 2009-09-16 | 索尼株式会社 | 头模块和液体喷射装置以及它们的制造方法 |
| US7152951B2 (en) * | 2004-02-10 | 2006-12-26 | Lexmark International, Inc. | High resolution ink jet printhead |
| US7097280B2 (en) * | 2004-02-12 | 2006-08-29 | Lexmark International, Inc. | Printheads having improved heater chip construction |
| US7429335B2 (en) * | 2004-04-29 | 2008-09-30 | Shen Buswell | Substrate passage formation |
| US7290860B2 (en) * | 2004-08-25 | 2007-11-06 | Lexmark International, Inc. | Methods of fabricating nozzle plates |
| US7178904B2 (en) * | 2004-11-11 | 2007-02-20 | Lexmark International, Inc. | Ultra-low energy micro-fluid ejection device |
| DE602007004770D1 (de) * | 2006-05-31 | 2010-04-01 | Konica Minolta Holdings Inc | Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdüsenplatte und Verfahren zur Herstellung eines Tintenstrahlkopfs |
| US7677701B2 (en) * | 2006-09-28 | 2010-03-16 | Lexmark International, Inc. | Micro-fluid ejection head with embedded chip on non-conventional substrate |
| JP2011023463A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Denso Corp | 半導体モジュール |
| JP6000715B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2016-10-05 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP6164908B2 (ja) * | 2013-04-23 | 2017-07-19 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5761582A (en) * | 1980-10-01 | 1982-04-14 | Toshiba Corp | Thermal printing head method of manufacutre thereof |
| JPS5884401A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-20 | 株式会社日立製作所 | 抵抗体 |
| JPH02244628A (ja) * | 1989-03-16 | 1990-09-28 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03169559A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-23 | Seiko Epson Corp | インクジェットヘッドの製造方法 |
| JPH03227251A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-10-08 | Xerox Corp | 多色ルーフシューター型印字ヘッド |
| JPH05206286A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
| JPH05318738A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-03 | Ricoh Co Ltd | 液滴噴射記録ヘッド |
| JPH06996A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-11 | Hitachi Koki Co Ltd | 液滴吐出器 |
| JPH0669428A (ja) * | 1992-08-20 | 1994-03-11 | Canon Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH0671883A (ja) * | 1992-08-04 | 1994-03-15 | Sony Corp | インクジェットプリントヘッド及びインクジェットプリンタ |
| JPH0671888A (ja) * | 1992-05-29 | 1994-03-15 | Hitachi Koki Co Ltd | 記録装置 |
| JPH0671884A (ja) * | 1992-08-04 | 1994-03-15 | Sony Corp | インクジェットプリントヘッド及びインクジェットプリンタ |
| JPH06155752A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-03 | Seiko Epson Corp | インクジェット記録ヘッドの撥水処理方法 |
| JPH06171092A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-06-21 | Fuji Xerox Co Ltd | サーマルインクジェットヘッド |
| JPH06179263A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Fuji Xerox Co Ltd | インクジェットヘッド |
| JPH06188186A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Sony Corp | 昇華性反射防止膜とその形成方法、およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451837A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Ricoh Co Ltd | Ink jet head device |
| JPS59138472A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-08 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘッド |
| JPH06238901A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-08-30 | Hitachi Koki Co Ltd | インク噴射記録装置 |
| JP3212178B2 (ja) * | 1993-04-16 | 2001-09-25 | 富士写真フイルム株式会社 | インクジェットプリントヘッド及びインクジェットプリンタの記録方法 |
-
1995
- 1995-06-01 JP JP13518595A patent/JP3515830B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-07-13 US US08/502,179 patent/US5697144A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-07-14 DE DE19525765A patent/DE19525765A1/de not_active Ceased
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5761582A (en) * | 1980-10-01 | 1982-04-14 | Toshiba Corp | Thermal printing head method of manufacutre thereof |
| JPS5884401A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-20 | 株式会社日立製作所 | 抵抗体 |
| JPH02244628A (ja) * | 1989-03-16 | 1990-09-28 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03169559A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-23 | Seiko Epson Corp | インクジェットヘッドの製造方法 |
| JPH03227251A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-10-08 | Xerox Corp | 多色ルーフシューター型印字ヘッド |
| JPH05206286A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
| JPH05318738A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-03 | Ricoh Co Ltd | 液滴噴射記録ヘッド |
| JPH0671888A (ja) * | 1992-05-29 | 1994-03-15 | Hitachi Koki Co Ltd | 記録装置 |
| JPH06996A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-11 | Hitachi Koki Co Ltd | 液滴吐出器 |
| JPH0671884A (ja) * | 1992-08-04 | 1994-03-15 | Sony Corp | インクジェットプリントヘッド及びインクジェットプリンタ |
| JPH0671883A (ja) * | 1992-08-04 | 1994-03-15 | Sony Corp | インクジェットプリントヘッド及びインクジェットプリンタ |
| JPH0669428A (ja) * | 1992-08-20 | 1994-03-11 | Canon Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH06155752A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-03 | Seiko Epson Corp | インクジェット記録ヘッドの撥水処理方法 |
| JPH06171092A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-06-21 | Fuji Xerox Co Ltd | サーマルインクジェットヘッド |
| JPH06179263A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Fuji Xerox Co Ltd | インクジェットヘッド |
| JPH06188186A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Sony Corp | 昇華性反射防止膜とその形成方法、およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7118193B2 (en) | 1999-12-22 | 2006-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid ejecting recording head and liquid ejecting recording apparatus |
| US6962407B2 (en) | 2000-06-07 | 2005-11-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Inkjet recording head, method of manufacturing the same, and inkjet printer |
| US7043837B2 (en) | 2000-06-07 | 2006-05-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of manufacture of inkjet printer head |
| US6578950B2 (en) | 2000-08-28 | 2003-06-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Line head and image recording method |
| US6595622B2 (en) | 2001-03-29 | 2003-07-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Ink jet printhead with thick substrate providing reduced warpage |
| US6786576B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-09-07 | Masao Mitani | Inkjet recording head with minimal ink drop ejecting capability |
| JP2004148824A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Hewlett-Packard Development Co Lp | スロット付き基板および形成方法 |
| JP2008055915A (ja) * | 2007-11-05 | 2008-03-13 | Canon Inc | 液体吐出記録ヘッド |
| JP2014083772A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP2014210370A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | キヤノンファインテック株式会社 | インクジェットヘッドの物流用充填液、インクジェットヘッドおよびインクジェットヘッドの物流方法 |
| US9493011B2 (en) | 2013-04-18 | 2016-11-15 | Canon Finetech Inc. | Filling liquid for distribution of ink jet head, ink jet head, and distribution method for ink jet head |
| JP2020075419A (ja) * | 2018-11-08 | 2020-05-21 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5697144A (en) | 1997-12-16 |
| JP3515830B2 (ja) | 2004-04-05 |
| DE19525765A1 (de) | 1996-01-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010814 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040119 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080123 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100123 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110123 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110123 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140123 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |