JPH0673245B2 - 高誘電率磁器材料 - Google Patents
高誘電率磁器材料Info
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- JPH0673245B2 JPH0673245B2 JP61293412A JP29341286A JPH0673245B2 JP H0673245 B2 JPH0673245 B2 JP H0673245B2 JP 61293412 A JP61293412 A JP 61293412A JP 29341286 A JP29341286 A JP 29341286A JP H0673245 B2 JPH0673245 B2 JP H0673245B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁器コンデンサ等に用いられるBaTiO3系の高誘
電率磁器材料に関する。
電率磁器材料に関する。
（従来の技術） 従来、高誘電率磁器材料として、BaTiO3系の磁器材料が
知られている。これを磁器コンデンサとして用いる場合
には、該磁器材料の素体表面にAg、Ag-Pd等の高価な貴
金属を含む電極を形成するようにしている。そして、製
造コストを低減する目的から、従来の貴金属電極材料に
代えて、Al、Ni、Cu、Zn等の卑金属電極材料が用いられ
るようになってきた。
知られている。これを磁器コンデンサとして用いる場合
には、該磁器材料の素体表面にAg、Ag-Pd等の高価な貴
金属を含む電極を形成するようにしている。そして、製
造コストを低減する目的から、従来の貴金属電極材料に
代えて、Al、Ni、Cu、Zn等の卑金属電極材料が用いられ
るようになってきた。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、前記のようにBaTiO3系の磁器素体に卑金
属電極を大気中で焼付け形成すると、卑金属電極の焼付
け時に素体表面が還元されて絶縁破壊を起し易くなると
いう不都合を有する。
属電極を大気中で焼付け形成すると、卑金属電極の焼付
け時に素体表面が還元されて絶縁破壊を起し易くなると
いう不都合を有する。
本発明は、前記従来の不都合を解消し、絶縁破壊を起す
ことなく卑金属電極を形成でき、しかも誘電率εが14,5
00以上、誘電損失tanδが2.0％以下で絶縁抵抗IRが1010
Ω以上の高誘電率磁器材料を提供することを目的とす
る。
ことなく卑金属電極を形成でき、しかも誘電率εが14,5
00以上、誘電損失tanδが2.0％以下で絶縁抵抗IRが1010
Ω以上の高誘電率磁器材料を提供することを目的とす
る。
（問題点を解決するための手段） 本発明の高誘電率磁器材料は、主成分であるBax Ti2-xO
3（但し、0.94≦×≦1.06）に対して、CaO 10〜17mol
％、SnO210〜17mol％、CeO2１×10-3〜4mol％並びにAl-
Si系鉱化剤１×10-3〜3wt％を配合して成る。
3（但し、0.94≦×≦1.06）に対して、CaO 10〜17mol
％、SnO210〜17mol％、CeO2１×10-3〜4mol％並びにAl-
Si系鉱化剤１×10-3〜3wt％を配合して成る。
ここで、主成分のBax Ti2-xO3のｘを0.94〜1.06とした
のは、卑金属電極を使用した場合、ｘが0.94よりも小さ
いと絶縁抵抗IRが小さくなり、ｘが1.06よりも大きいと
焼成温度を高くする必要があり、焼成時に素地に反りが
発生するからである。
のは、卑金属電極を使用した場合、ｘが0.94よりも小さ
いと絶縁抵抗IRが小さくなり、ｘが1.06よりも大きいと
焼成温度を高くする必要があり、焼成時に素地に反りが
発生するからである。
CaOを10〜17mol％としたのは、卑金属電極を使用した場
合、10mol％よりも少ないと誘電率εが小さくなり且つ
誘電損失tanδが大きくなり、17mol％よりも多いと誘電
率ε並びに絶縁抵抗IRが小さくなるからである。
合、10mol％よりも少ないと誘電率εが小さくなり且つ
誘電損失tanδが大きくなり、17mol％よりも多いと誘電
率ε並びに絶縁抵抗IRが小さくなるからである。
SnO2を10〜17mol％としたのは、卑金属電極を使用した
場合、10mol％よりも少なくても、17mol％よりも多くて
も、誘電率ε並びに絶縁抵抗IRが小さくなり且つ誘電損
失tanδが大きくなるからである。
場合、10mol％よりも少なくても、17mol％よりも多くて
も、誘電率ε並びに絶縁抵抗IRが小さくなり且つ誘電損
失tanδが大きくなるからである。
CeO2を１×10-3〜4mol％としたのは、卑金属電極を使用
した場合、１×10-3mol％よりも少なくても、4mol％よ
りも多くても、誘電率εが小さくなり且つ誘電損失tan
δが大きくなるからである。
した場合、１×10-3mol％よりも少なくても、4mol％よ
りも多くても、誘電率εが小さくなり且つ誘電損失tan
δが大きくなるからである。
Si-Al系鉱化剤を１×10-3〜3wt％としたのは、卑金属電
極を使用した場合、１×10-3wt％よりも少ないと誘電損
失tanδが大きくなり、3wt％よりも多いと誘電率εが小
さくなり且つ誘電損失tanδが大きくなるからである。
極を使用した場合、１×10-3wt％よりも少ないと誘電損
失tanδが大きくなり、3wt％よりも多いと誘電率εが小
さくなり且つ誘電損失tanδが大きくなるからである。
Al-Si系鉱化剤としては、Al2O3とSiO2の混合物、Al2O3
及びSiO2を主成分とする蛙目粘土、カオリン等の鉱化剤
が用いられる。
及びSiO2を主成分とする蛙目粘土、カオリン等の鉱化剤
が用いられる。
尚、前記組成の本発明の高誘電率磁器材料は、該組成と
なるように夫々の成分について炭酸塩等を出発原料とし
て製造できることは云うまでもない。
なるように夫々の成分について炭酸塩等を出発原料とし
て製造できることは云うまでもない。
（実施例） 次に本発明の実施例に付、比較例と共に説明する。
実施例１ まず、表１に示す組成になるように、原料を秤量し、ボ
ールミルで湿式混合してから乾燥した。次いでこれを11
00〜1250℃で２時間仮焼し、得られた粉末をボールミル
で湿式粉砕してから乾燥した。次いで、得られた粉末に
ポリビニルアルコール系バインダーを添加して造粒し、
得られた造粒粉末を直径10.0mm、厚さ0.3mmの円板状に
成形した。次いで、得られた成形体を1350〜1400℃で２
時間焼成し、得られた磁器素体に、Zn粉末とガラス成分
とを含む導電ペーストを塗布した試料と、Ag粉末を含む
導電ペーストを塗布した試料とを作成し700℃で焼付け
た。
ールミルで湿式混合してから乾燥した。次いでこれを11
00〜1250℃で２時間仮焼し、得られた粉末をボールミル
で湿式粉砕してから乾燥した。次いで、得られた粉末に
ポリビニルアルコール系バインダーを添加して造粒し、
得られた造粒粉末を直径10.0mm、厚さ0.3mmの円板状に
成形した。次いで、得られた成形体を1350〜1400℃で２
時間焼成し、得られた磁器素体に、Zn粉末とガラス成分
とを含む導電ペーストを塗布した試料と、Ag粉末を含む
導電ペーストを塗布した試料とを作成し700℃で焼付け
た。
次に、以上のようにして得られたZn系導電ペーストを焼
付けた試料については、誘電率ε、誘電損失tanδ並び
に絶縁抵抗IRを、またAg系導電性ペーストを焼付けた試
料については絶縁抵抗IRのみを測定し、その結果を表２
に示した。
付けた試料については、誘電率ε、誘電損失tanδ並び
に絶縁抵抗IRを、またAg系導電性ペーストを焼付けた試
料については絶縁抵抗IRのみを測定し、その結果を表２
に示した。
実施例２〜11 組成を表１に示す各種組成にした以外は実施例１と同様
にして、Zn系導電ペーストを焼付けた各種試料とAg系導
電ペーストを焼付けた各種試料を作成すると共に電気的
諸特性を測定し、その結果を表２に示した。
にして、Zn系導電ペーストを焼付けた各種試料とAg系導
電ペーストを焼付けた各種試料を作成すると共に電気的
諸特性を測定し、その結果を表２に示した。
比較例１〜14 組成を表１に示す各種組成にした以外は実施例１と同様
にして、Zn系導電ペーストを焼付けた各種試料とAg系導
電ペーストを焼付けた各種試料を作成すると共に電気的
諸特性を測定し、その結果を表２に示した。
にして、Zn系導電ペーストを焼付けた各種試料とAg系導
電ペーストを焼付けた各種試料を作成すると共に電気的
諸特性を測定し、その結果を表２に示した。
表１、表２から明らかなように、実施例１〜11の全てに
ついて、卑金属電極を焼付ける場合においても、絶縁破
壊を起すことなく、誘電率εが14,500以上、誘電損失ta
nδが2.0％以下で絶縁抵抗IRが1010Ω以上の高誘電率磁
器材料であったことが確認された。
ついて、卑金属電極を焼付ける場合においても、絶縁破
壊を起すことなく、誘電率εが14,500以上、誘電損失ta
nδが2.0％以下で絶縁抵抗IRが1010Ω以上の高誘電率磁
器材料であったことが確認された。
（発明の効果） このように、本発明の高誘電率磁器材料は、主成分であ
るBax Ti2-xO3（ただし、0.94≦×≦1.06）に対して、C
aO 10〜17mol％、SnO210〜17mol％、CeO2１×10-3〜4mo
l％並びにAl-Si系鉱化剤１×10-3〜3wt％を配合するよ
うにしたので、卑金属電極を焼付けた場合にも絶縁破壊
することなく、誘電率εが14,500以上、誘電損失tanδ
が2.0％以下で絶縁抵抗IRが1010Ω以上と電気的特性に
優れる効果を有する。
るBax Ti2-xO3（ただし、0.94≦×≦1.06）に対して、C
aO 10〜17mol％、SnO210〜17mol％、CeO2１×10-3〜4mo
l％並びにAl-Si系鉱化剤１×10-3〜3wt％を配合するよ
うにしたので、卑金属電極を焼付けた場合にも絶縁破壊
することなく、誘電率εが14,500以上、誘電損失tanδ
が2.0％以下で絶縁抵抗IRが1010Ω以上と電気的特性に
優れる効果を有する。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−92399（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−143512（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−27518（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】主成分であるBax Ti2-xO3（ただし、0.94
≦×≦1.06）に対して、CaO 10〜17mol％、SnO210〜17m
ol％、CeO2１×10-3〜4mol％並びにAl-Si系鉱化剤１×1
0-3〜3wt％を配合して成る高誘電率磁器材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293412A JPH0673245B2 (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 高誘電率磁器材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293412A JPH0673245B2 (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 高誘電率磁器材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63148505A JPS63148505A (ja) | 1988-06-21 |
| JPH0673245B2 true JPH0673245B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=17794436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61293412A Expired - Lifetime JPH0673245B2 (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 高誘電率磁器材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673245B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58143512A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-26 | ニチコン株式会社 | 積層セラミツクコンデンサ |
-
1986
- 1986-12-11 JP JP61293412A patent/JPH0673245B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63148505A (ja) | 1988-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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