JPH0815005B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0815005B2 JPH0815005B2 JP61178436A JP17843686A JPH0815005B2 JP H0815005 B2 JPH0815005 B2 JP H0815005B2 JP 61178436 A JP61178436 A JP 61178436A JP 17843686 A JP17843686 A JP 17843686A JP H0815005 B2 JPH0815005 B2 JP H0815005B2
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Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は誘電体磁器組成物に関し、特に高い誘電率
を有する誘電体磁器組成物に関する。
を有する誘電体磁器組成物に関する。
(従来技術) 従来、この種の誘電体磁器組成物としては、BaTiO3系
磁器やSrTiO3−PbTiO3−Bi2O3−TiO2などを基本成分と
する磁器が用いられていた。
磁器やSrTiO3−PbTiO3−Bi2O3−TiO2などを基本成分と
する磁器が用いられていた。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、BaTiO3系磁器は静電容量の電圧依存性
が大きく、たとえば厚さ1mm当たり2〜5kVの高圧直流電
圧を印加すると、静電容量は−20〜−80%変化するとい
う欠点を有していた。
が大きく、たとえば厚さ1mm当たり2〜5kVの高圧直流電
圧を印加すると、静電容量は−20〜−80%変化するとい
う欠点を有していた。
また、SrTiO3−PbTiO3−Bi2O3−TiO2などを基本成分
とする磁器は、BaTiO3系磁器に比べて静電容量の電圧依
存性は小さいが、誘電率の温度変化率は大きく、さら
に、最適な誘電特性を得るための焼成温度が1200〜1350
℃と高いため、たとえば積層コンデンサを作成する場合
には、その内部電極として高融点を有する白金などの高
価な貴金属を使用しなければならなかった。
とする磁器は、BaTiO3系磁器に比べて静電容量の電圧依
存性は小さいが、誘電率の温度変化率は大きく、さら
に、最適な誘電特性を得るための焼成温度が1200〜1350
℃と高いため、たとえば積層コンデンサを作成する場合
には、その内部電極として高融点を有する白金などの高
価な貴金属を使用しなければならなかった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、誘電率が高
く、静電容量の電圧依存性と誘電率の温度変化率とがと
もに小さく、しかも、焼結温度が低い、誘電体磁器組成
物を提供することである。
く、静電容量の電圧依存性と誘電率の温度変化率とがと
もに小さく、しかも、焼結温度が低い、誘電体磁器組成
物を提供することである。
(問題点を解決するための手段) この発明は、SrTiO3を25〜50重量%、PbTiO3を10〜35
重量%、CaTiO3を5〜20重量%、Bi2O3を5〜35重量
%、TiO2を5〜18重量%、およびMnO2を0.02〜0.50重量
%含む主成分に対して、ガラス成分を0.2〜15重量%添
加してなり、かつ、ガラス成分は、Li2Oを10〜45モル
%、BaO,MgO,CaOおよびSrOのうち少なくとも1種を5〜
40モル%、SiO2およびTiO2をあわせて30〜70モル%(た
だし、SiO2は15モル%以上含まれる)、およびCuOを1
〜35モル%含む、誘電体磁器組成物である。
重量%、CaTiO3を5〜20重量%、Bi2O3を5〜35重量
%、TiO2を5〜18重量%、およびMnO2を0.02〜0.50重量
%含む主成分に対して、ガラス成分を0.2〜15重量%添
加してなり、かつ、ガラス成分は、Li2Oを10〜45モル
%、BaO,MgO,CaOおよびSrOのうち少なくとも1種を5〜
40モル%、SiO2およびTiO2をあわせて30〜70モル%(た
だし、SiO2は15モル%以上含まれる)、およびCuOを1
〜35モル%含む、誘電体磁器組成物である。
(発明の効果) この発明によれば、500以上の誘電率と1.5%以下の誘
電損失とを有し、5kV/mmの直流電圧を印加した際の誘電
率の変化率が−15%以下と小さく、また、温度による誘
電率の変化率も小さい誘電体磁器組成物を得ることがで
きる。
電損失とを有し、5kV/mmの直流電圧を印加した際の誘電
率の変化率が−15%以下と小さく、また、温度による誘
電率の変化率も小さい誘電体磁器組成物を得ることがで
きる。
また、この発明の組成物は、焼成温度が1100℃前後と
低いため、焼成コストが安くつき、たとえば積層コンデ
ンサなどを作成しても、その内部電極として白金などの
貴金属を用いなくてすむ。
低いため、焼成コストが安くつき、たとえば積層コンデ
ンサなどを作成しても、その内部電極として白金などの
貴金属を用いなくてすむ。
この発明の上述の目的,その他の目的,特徴および利
点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。
点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。
(実施例) 主成分の原料としてSrCO3,Pb3O4,CaCO3,Bi2O3,TiO
2およびMnO2を別表1の組成になるように秤量し混合し
た。この混合物をアルミナボールとともにポリエチレン
ポットに入れ16時間湿式混合し粉砕した。この粉砕物を
脱水乾燥した後、ジルコニア質の匣に入れ、950℃で2
時間仮焼した。この仮焼物100重量部に対して、別表2
に示した組成のガラス成分を、別表1に示した重量%だ
け添加し、さらに、バインダを加えてポリエチレンポッ
トで16時間湿式混合した。この混合物を蒸発乾燥し整粒
した後、加圧して直径10mm,厚さ1.2mmの円板に成形し
た。この成形物を980〜1250℃で2時間焼成し、得られ
た磁器の両主面に銀ペーストを塗布し、800℃で焼き付
けて電極を形成して試料とした。
2およびMnO2を別表1の組成になるように秤量し混合し
た。この混合物をアルミナボールとともにポリエチレン
ポットに入れ16時間湿式混合し粉砕した。この粉砕物を
脱水乾燥した後、ジルコニア質の匣に入れ、950℃で2
時間仮焼した。この仮焼物100重量部に対して、別表2
に示した組成のガラス成分を、別表1に示した重量%だ
け添加し、さらに、バインダを加えてポリエチレンポッ
トで16時間湿式混合した。この混合物を蒸発乾燥し整粒
した後、加圧して直径10mm,厚さ1.2mmの円板に成形し
た。この成形物を980〜1250℃で2時間焼成し、得られ
た磁器の両主面に銀ペーストを塗布し、800℃で焼き付
けて電極を形成して試料とした。
このようにして得た各試料の特性を、次のような条件
や測定方法によって測定し、別表3にその結果を示し
た。
や測定方法によって測定し、別表3にその結果を示し
た。
(1)焼成温度 (2)誘電率:1kHz,1V,温度20℃の条件。
(3)誘電損失:1kHz,1V,温度20℃の条件での損失係数t
anδの値。
anδの値。
(4)バイアス特性:5kV/mmの直流電圧を印加したとき
の誘電率の変化率の値。
の誘電率の変化率の値。
(5)温度特性:−25℃〜+85℃の温度範囲において、
誘電率を測定し、+20℃の誘電率に対する変化率の最大
値。
誘電率を測定し、+20℃の誘電率に対する変化率の最大
値。
なお、別表1ないし別表3中で*印を付したものはこ
の発明の範囲外のものであり、それ以外のものはこの発
明の範囲内のものである。
の発明の範囲外のものであり、それ以外のものはこの発
明の範囲内のものである。
別表1ないし別表3からもその一部が明らかなよう
に、この発明の組成の限定理由は次の通りである。
に、この発明の組成の限定理由は次の通りである。
(1)SrTiO3の添加が25重量%未満では、誘電損失が1.
5%を超えかつバイアス特性が悪くなるので好ましくな
い。また、SrTiO3の添加が50重量%を超えると誘電率が
500未満となり好ましくない。
5%を超えかつバイアス特性が悪くなるので好ましくな
い。また、SrTiO3の添加が50重量%を超えると誘電率が
500未満となり好ましくない。
(2)PbTiO3の添加が10重量%未満では、誘電率が500
未満となり好ましくない。また、PbTiO3の添加が35重量
%を超えると誘電損失が1.5%を超えかつバイアス特性
が悪くなるので好ましくない。
未満となり好ましくない。また、PbTiO3の添加が35重量
%を超えると誘電損失が1.5%を超えかつバイアス特性
が悪くなるので好ましくない。
(3)CaTiO3の添加が5重量%未満では、誘電損失が1.
5%を超えかつバイアス特性が悪くなるので好ましくな
い。また、CaTiO3が20重量%を超えると誘電率が500未
満となり好ましくない。
5%を超えかつバイアス特性が悪くなるので好ましくな
い。また、CaTiO3が20重量%を超えると誘電率が500未
満となり好ましくない。
(4)Bi2O3の添加が5重量%未満では、誘電率が500未
満となり好ましくない。また、Bi2O3の添加が35重量%
を超えると誘電損失が1.5%を超えるので好ましくな
い。
満となり好ましくない。また、Bi2O3の添加が35重量%
を超えると誘電損失が1.5%を超えるので好ましくな
い。
(5)TiO2の添加が5重量%未満では、誘電率が500未
満となり好ましくない。また、TiO2の添加が18重量%を
超えると誘電損失が1.5%を超えるので好ましくない。
満となり好ましくない。また、TiO2の添加が18重量%を
超えると誘電損失が1.5%を超えるので好ましくない。
(6)MnO2の添加が0.02重量%未満では、誘電損失が1.
5%を超え好ましくない。また、MnO2の添加が0.50重量
%を超えると焼結性が悪くなり好ましくない。
5%を超え好ましくない。また、MnO2の添加が0.50重量
%を超えると焼結性が悪くなり好ましくない。
(7)ガラス成分の添加が主成分に対して0.2重量%未
満では焼結温度が1100℃を超え好ましくない(試料番号
20,試料番号21および試料番号22参照)。また、ガラス
成分の添加が主成分に対して15重量%を超えると焼結体
が多孔質となりかつ誘電率が500未満となり好ましくな
い(試料番号23,試料番号24および試料番号25参照)。
満では焼結温度が1100℃を超え好ましくない(試料番号
20,試料番号21および試料番号22参照)。また、ガラス
成分の添加が主成分に対して15重量%を超えると焼結体
が多孔質となりかつ誘電率が500未満となり好ましくな
い(試料番号23,試料番号24および試料番号25参照)。
(8)添加するガラス成分中のLi2Oが10モル%未満で
は、焼結温度が1100℃を超え好ましくない(試料番号26
参照)。またLi2Oが45モル%超えると、ガラス成分の
溶融温度が800℃未満となり、ガラス成分が焼結助剤と
しての役割を果たせないので好ましくない。
は、焼結温度が1100℃を超え好ましくない(試料番号26
参照)。またLi2Oが45モル%超えると、ガラス成分の
溶融温度が800℃未満となり、ガラス成分が焼結助剤と
しての役割を果たせないので好ましくない。
(9)添加するガラス成分中に、BaO,MgO,CaOおよびSrO
のうち少なくとも1種が含まれる場合、これらが5モル
%未満では、またこれらが40モル%を超えると、焼結温
度が1100℃を超えるので好ましくない(試料番号27およ
び試料番号28参照)。
のうち少なくとも1種が含まれる場合、これらが5モル
%未満では、またこれらが40モル%を超えると、焼結温
度が1100℃を超えるので好ましくない(試料番号27およ
び試料番号28参照)。
(10)添加するガラス成分中のSiO2およびTiO2が合わせ
て30モル%未満では、またこれらが合わせて70モル%を
超えると、焼結温度が1100℃を超えるので好ましくな
い。
て30モル%未満では、またこれらが合わせて70モル%を
超えると、焼結温度が1100℃を超えるので好ましくな
い。
添加するガラス成分中のSiO2およびTiO2のうち、SiO2
が15モル%未満では、また、TiO2が含まれないと、焼結
温度の低減化を行うことができない(試料番号29および
試料番号30参照)。
が15モル%未満では、また、TiO2が含まれないと、焼結
温度の低減化を行うことができない(試料番号29および
試料番号30参照)。
ガラス成分中にCuOを添加すると、誘電損失および温
度特性を減少させることができる。しかし、CuOの添加
が1モル%未満では、Tanδが1.5%を超えるので好まし
くない。またCuOの添加が35モル%を超えると、データ
としては示さなかったが絶縁抵抗が小さくなるので好ま
しくない。
度特性を減少させることができる。しかし、CuOの添加
が1モル%未満では、Tanδが1.5%を超えるので好まし
くない。またCuOの添加が35モル%を超えると、データ
としては示さなかったが絶縁抵抗が小さくなるので好ま
しくない。
Claims (1)
- 【請求項1】SrTiO3を25〜50重量%、 PbTiO3を10〜35重量%、 CaTiO3を5〜20重量%、 Bi2O3を5〜35重量%、 TiO2を5〜18重量%、および MnO2を0.02〜0.50重量%含む主成分に対して、ガラス成
分を0.2〜15重量%添加してなり、かつ、前記ガラス成
分は、 Li2Oを10〜45モル%、 BaO,MgO,CaOおよびSrOのうち少なくとも1種を5〜40モ
ル%、 SiO2およびTiO2をあわせて30〜70モル%(ただし、SiO2
は15モル%以上含まれる)、および CuOを1〜35モル%含む、誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61178436A JPH0815005B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61178436A JPH0815005B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6334802A JPS6334802A (ja) | 1988-02-15 |
| JPH0815005B2 true JPH0815005B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=16048483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61178436A Expired - Fee Related JPH0815005B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815005B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0581481B1 (en) * | 1992-07-31 | 1997-04-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Bismuth layer compound |
| US6266230B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
-
1986
- 1986-07-28 JP JP61178436A patent/JPH0815005B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6334802A (ja) | 1988-02-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |