JPH0459265B2 - - Google Patents
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- JPH0459265B2 JPH0459265B2 JP59002346A JP234684A JPH0459265B2 JP H0459265 B2 JPH0459265 B2 JP H0459265B2 JP 59002346 A JP59002346 A JP 59002346A JP 234684 A JP234684 A JP 234684A JP H0459265 B2 JPH0459265 B2 JP H0459265B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
この発明は高誘電率系の誘電体磁器組成物に関
するものである。 従来、高誘電率系の誘電体磁器組成物としては
BaTiO3系磁器が広く実用化されてきた。しかし
ながら、このBaTiO3系磁器は厚み１mm当り２〜
5KVの高圧直流電圧を印加すると、静電容量の
電圧依存性が大きく、また温度変化に対して静電
容量が−20〜−50％も変化するという欠点が見ら
れ、このような欠点を改良したBaTiO3系磁器は
まだ出現していない。 一方、SrTiO3−PbTiO3−Bi2O3−TiO2などを
基本成分とする磁器組成物がBaTiO3系磁器に代
わつて実用化されている。この系の磁器組成物は
室温で500〜2000の誘電率を有し、かつその電圧
依存性がBaTiO3系磁器組成物にくらべて小さい
という特徴を有している。しかしながら、この
SaTiO3系磁器は誘電率の温度変化率が大きいと
いう欠点があつた。また、最適な誘電特性を得る
ための焼成温度が1240〜1320℃と高いため、積層
コンデンサを得る場合内部電極として白金などの
高価な貴金属を使用しなければならなかつた。 したがつて、この発明は上記した種々の問題点
を解決できる誘電体磁器組成物を提供することを
目的とする。 また、この発明は誘電率が500以上で、その直
流電圧依存性が小さく、さらには誘電率の温度に
対する変化が小さい誘電体磁器組成物を提供する
ことを目的とする。 さらに、この発明は低い温度で焼結が可能な誘
電体磁器組成物を提供することを目的とする。 すなわち、この発明の要旨とする誘電体磁器組
成物は次のとおりである。 SrTiO3 40〜65重量％ Bi2O3 19〜36重量％ TiO2 ６〜13重量％ NiO ３〜30重量％ からなる主成分100重量％に対し、ZnO0.5〜４重
量％、SiO2１〜４重量％が添加含有されている
ことを特徴とするものである。 以下、この発明を実施例にもとづいて詳細に説
明する。 まず、SrCO3，TiO2，Bi2O3，NiO，ZnOおよ
びSiO2を素原料として用い、第１表に示す組成
比率の磁器が得られるように秤量した。秤量原料
をポリエチレンポツトに入れ、アルミナボールを
用いて16時間湿式混合し、そののち脱水乾燥を行
つた。得られた粉末をジルコニア質の匣の中に入
れ、950℃の温度で２時間仮焼し、これを粉砕し
た。次に粉砕した材料を直径12mm、厚さ1.2mmの
円板に1000Kg／cm2の圧力で加圧成形した。この成
形物を1040〜1300℃の温度で２時間焼成した。焼
成して得られた磁器素体の両面に銀ペーストを塗
布し、空気中800℃の温度で30分間焼付けて電極
を形成して試料を作成した。 得られた試料について、周波数1KHzで誘電率
（ε）と誘電損失正接（tanδ）を測定した。また
試料に3KV／mmの直流電圧を重畳したときの誘
電率変化、すなわちバイアス特性を測定した。さ
らに、−25℃〜＋85℃の温度範囲において誘電率
の温度特性を測定し、＋25℃の誘電率に対する変
化率の最大値を求めた。これらの測定結果を第２
表に示した。また第２表には各試料の焼成温度を
示した。 なお、第１表中、※印を付したものはこの発明
の範囲外のものであり、それ以外はこの発明範囲
内のものである。
するものである。 従来、高誘電率系の誘電体磁器組成物としては
BaTiO3系磁器が広く実用化されてきた。しかし
ながら、このBaTiO3系磁器は厚み１mm当り２〜
5KVの高圧直流電圧を印加すると、静電容量の
電圧依存性が大きく、また温度変化に対して静電
容量が−20〜−50％も変化するという欠点が見ら
れ、このような欠点を改良したBaTiO3系磁器は
まだ出現していない。 一方、SrTiO3−PbTiO3−Bi2O3−TiO2などを
基本成分とする磁器組成物がBaTiO3系磁器に代
わつて実用化されている。この系の磁器組成物は
室温で500〜2000の誘電率を有し、かつその電圧
依存性がBaTiO3系磁器組成物にくらべて小さい
という特徴を有している。しかしながら、この
SaTiO3系磁器は誘電率の温度変化率が大きいと
いう欠点があつた。また、最適な誘電特性を得る
ための焼成温度が1240〜1320℃と高いため、積層
コンデンサを得る場合内部電極として白金などの
高価な貴金属を使用しなければならなかつた。 したがつて、この発明は上記した種々の問題点
を解決できる誘電体磁器組成物を提供することを
目的とする。 また、この発明は誘電率が500以上で、その直
流電圧依存性が小さく、さらには誘電率の温度に
対する変化が小さい誘電体磁器組成物を提供する
ことを目的とする。 さらに、この発明は低い温度で焼結が可能な誘
電体磁器組成物を提供することを目的とする。 すなわち、この発明の要旨とする誘電体磁器組
成物は次のとおりである。 SrTiO3 40〜65重量％ Bi2O3 19〜36重量％ TiO2 ６〜13重量％ NiO ３〜30重量％ からなる主成分100重量％に対し、ZnO0.5〜４重
量％、SiO2１〜４重量％が添加含有されている
ことを特徴とするものである。 以下、この発明を実施例にもとづいて詳細に説
明する。 まず、SrCO3，TiO2，Bi2O3，NiO，ZnOおよ
びSiO2を素原料として用い、第１表に示す組成
比率の磁器が得られるように秤量した。秤量原料
をポリエチレンポツトに入れ、アルミナボールを
用いて16時間湿式混合し、そののち脱水乾燥を行
つた。得られた粉末をジルコニア質の匣の中に入
れ、950℃の温度で２時間仮焼し、これを粉砕し
た。次に粉砕した材料を直径12mm、厚さ1.2mmの
円板に1000Kg／cm2の圧力で加圧成形した。この成
形物を1040〜1300℃の温度で２時間焼成した。焼
成して得られた磁器素体の両面に銀ペーストを塗
布し、空気中800℃の温度で30分間焼付けて電極
を形成して試料を作成した。 得られた試料について、周波数1KHzで誘電率
（ε）と誘電損失正接（tanδ）を測定した。また
試料に3KV／mmの直流電圧を重畳したときの誘
電率変化、すなわちバイアス特性を測定した。さ
らに、−25℃〜＋85℃の温度範囲において誘電率
の温度特性を測定し、＋25℃の誘電率に対する変
化率の最大値を求めた。これらの測定結果を第２
表に示した。また第２表には各試料の焼成温度を
示した。 なお、第１表中、※印を付したものはこの発明
の範囲外のものであり、それ以外はこの発明範囲
内のものである。
【表】
【表】
【表】
【表】
第１表、第２表から明らかなように、この発明
にかかる誘電体磁器組成物によれば、誘電率が
500以上、tanδが１％以下の値を示している。ま
た、バイアス特性は−８％以内と小さく、誘電率
変化率も小さいという特性を有している。さらに
は焼成温度が1100℃以下と低温であるため、積層
コンデンサを製造する場合に、内部電極として白
金などより安価な銀−パラジウム合金の使用が可
能となる。 この発明において組成範囲を限定した理由は次
のとおりである。つまり、SrTiO3が40重量％未
満になるとtanδが１％を超えるとともに温度特性
が悪くなり、65重量％を超えると誘電率が500未
満となる。Bi2O3が19重量％未満になると誘電率
が500未満となり、36重量％を超えるとtanδが１
％を超える。TiO2が６重量％未満になると誘電
率が500未満となり、13重量％を超えるとtanδが
１％を超える。NiOが３重量％未満になると誘電
率変化率が悪くなり、30重量％を超えると誘電率
が500未満になる。ZnOが0.5重量％未満になると
焼成温度が1100℃を超え、４重量％を超えると誘
電率が500未満となる。SiO2が１重量％未満にな
ると焼成温度が1100℃を超え、４重量％を超える
と誘電率が500未満となる。 以上この発明にかかる誘電体磁器組成物によれ
ば、誘電率が500以上でその直流電圧依存性が小
さく、さらに誘電率変化率の小さいものが得られ
る。また、この発明にかかる誘電体磁器組成物に
よれば低い温度で焼結が可能であるという特徴を
有する。
にかかる誘電体磁器組成物によれば、誘電率が
500以上、tanδが１％以下の値を示している。ま
た、バイアス特性は−８％以内と小さく、誘電率
変化率も小さいという特性を有している。さらに
は焼成温度が1100℃以下と低温であるため、積層
コンデンサを製造する場合に、内部電極として白
金などより安価な銀−パラジウム合金の使用が可
能となる。 この発明において組成範囲を限定した理由は次
のとおりである。つまり、SrTiO3が40重量％未
満になるとtanδが１％を超えるとともに温度特性
が悪くなり、65重量％を超えると誘電率が500未
満となる。Bi2O3が19重量％未満になると誘電率
が500未満となり、36重量％を超えるとtanδが１
％を超える。TiO2が６重量％未満になると誘電
率が500未満となり、13重量％を超えるとtanδが
１％を超える。NiOが３重量％未満になると誘電
率変化率が悪くなり、30重量％を超えると誘電率
が500未満になる。ZnOが0.5重量％未満になると
焼成温度が1100℃を超え、４重量％を超えると誘
電率が500未満となる。SiO2が１重量％未満にな
ると焼成温度が1100℃を超え、４重量％を超える
と誘電率が500未満となる。 以上この発明にかかる誘電体磁器組成物によれ
ば、誘電率が500以上でその直流電圧依存性が小
さく、さらに誘電率変化率の小さいものが得られ
る。また、この発明にかかる誘電体磁器組成物に
よれば低い温度で焼結が可能であるという特徴を
有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ SrTiO3 40〜65重量％ Bi2O3 19〜36重量％ TiO2 ６〜13重量％ NiO ３〜30重量％ からなる主成分100重量％に対し、ZnO0.5〜４重
量％、SiO2１〜４重量％が添加含有されてなる
ことを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002346A JPS60145951A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002346A JPS60145951A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145951A JPS60145951A (ja) | 1985-08-01 |
| JPH0459265B2 true JPH0459265B2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=11526715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59002346A Granted JPS60145951A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145951A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666219B2 (ja) * | 1989-02-22 | 1994-08-24 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックスコンデンサ |
| KR102061508B1 (ko) * | 2013-09-05 | 2020-01-02 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
-
1984
- 1984-01-09 JP JP59002346A patent/JPS60145951A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60145951A (ja) | 1985-08-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |