JPH0673323B2 - セラミックス体抵抗器の表面絶縁方法 - Google Patents
セラミックス体抵抗器の表面絶縁方法Info
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- JPH0673323B2 JPH0673323B2 JP61165078A JP16507886A JPH0673323B2 JP H0673323 B2 JPH0673323 B2 JP H0673323B2 JP 61165078 A JP61165078 A JP 61165078A JP 16507886 A JP16507886 A JP 16507886A JP H0673323 B2 JPH0673323 B2 JP H0673323B2
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、セラミックス抵抗体の表面にセラミックス絶
縁層を形成するセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法に
関する。
縁層を形成するセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法に
関する。
（従来の技術） 従来、セラミックス体抵抗器は、セラミックス抵抗体の
表面に合成樹脂やガラス質からなる絶縁塗料などによる
絶縁塗膜が形成されて絶縁されている。
表面に合成樹脂やガラス質からなる絶縁塗料などによる
絶縁塗膜が形成されて絶縁されている。
しかしながら、この合成樹脂からなる絶縁塗膜を形成し
たセラミックス体抵抗器を、例えばブラウン管内蔵用高
圧抵抗器などとして用いられた場合、高温によって絶縁
塗膜が害われたり、セラミックス抵抗体と絶縁塗膜との
熱膨脹係数の差によってセラミックス抵抗体から絶縁塗
膜が剥れたりして絶縁性が害われるおそれがある。さら
に、絶縁塗膜が合成樹脂製の場合には、絶縁塗膜とセラ
ミックス抵抗体との界面から吸湿し、沿面放電など生じ
るおそれがあり、絶縁塗膜がガラス質の場合には、均一
な絶縁塗膜厚が得られず局部的に沿面放電などを生ずる
おそれがある。
たセラミックス体抵抗器を、例えばブラウン管内蔵用高
圧抵抗器などとして用いられた場合、高温によって絶縁
塗膜が害われたり、セラミックス抵抗体と絶縁塗膜との
熱膨脹係数の差によってセラミックス抵抗体から絶縁塗
膜が剥れたりして絶縁性が害われるおそれがある。さら
に、絶縁塗膜が合成樹脂製の場合には、絶縁塗膜とセラ
ミックス抵抗体との界面から吸湿し、沿面放電など生じ
るおそれがあり、絶縁塗膜がガラス質の場合には、均一
な絶縁塗膜厚が得られず局部的に沿面放電などを生ずる
おそれがある。
このため、耐絶縁性および耐熱性を向上すべく、例えば
特開昭52-12450号公報や特開昭57-52101号公報に記載の
セラミックス体抵抗器の表面絶縁方法が知られている。
特開昭52-12450号公報や特開昭57-52101号公報に記載の
セラミックス体抵抗器の表面絶縁方法が知られている。
この特開昭52-12450号公報に記載のセラミックス体抵抗
器の表面絶縁方法は、新種類の金属酸化物を含有する酸
化亜鉛を主体とした混合物を成形・焼成してセラミック
ス抵抗体を形成し、このセラミックス抵抗体の外周面全
体に無機質接着剤を塗布し、さらにこのセラミックス抵
抗体を無機質接着剤と同質の無機質材料からなるケース
に収容した後に高温加熱して、セラミックス抵抗体の表
面に無機質接着剤および無機質材料のケースを一体的に
形成するものである。
器の表面絶縁方法は、新種類の金属酸化物を含有する酸
化亜鉛を主体とした混合物を成形・焼成してセラミック
ス抵抗体を形成し、このセラミックス抵抗体の外周面全
体に無機質接着剤を塗布し、さらにこのセラミックス抵
抗体を無機質接着剤と同質の無機質材料からなるケース
に収容した後に高温加熱して、セラミックス抵抗体の表
面に無機質接着剤および無機質材料のケースを一体的に
形成するものである。
しかし、この特開昭52-12450号公報に記載の方法は、セ
ラミックス抵抗体を絶縁層となるケースに収容する際
に、従来の絶縁塗膜を形成する方法と同様のセラミック
ス抵抗体の表面に無機質接着剤を塗布する製造工程が必
要で、製造過程に一工程が増え、製造が煩雑となるとと
もに、絶縁層となるケースの他に無機質接着剤が必要で
製造コストが増大する問題がある。
ラミックス抵抗体を絶縁層となるケースに収容する際
に、従来の絶縁塗膜を形成する方法と同様のセラミック
ス抵抗体の表面に無機質接着剤を塗布する製造工程が必
要で、製造過程に一工程が増え、製造が煩雑となるとと
もに、絶縁層となるケースの他に無機質接着剤が必要で
製造コストが増大する問題がある。
また、特開昭57-52101号公報に記載のセラミックス体抵
抗器の表面絶縁方法は、アルミナを主成分としてシリ
カ、カルシア、マグネシアおよび導電材として３〜10重
量％のカーボンを含有する抵抗混合物と、この混合物に
カーボンを含有しない組成の絶縁混合物とを、中心部に
抵抗混合物が位置し外周に絶縁混合物が位置するように
二重押し出し成形した後に非酸化性雰囲気中で焼成し、
さらに酸化性雰囲気で加熱酸化処理して、セラミックス
抵抗体の表面にセラミックス絶縁層を形成してセラミッ
クス体抵抗器を製造するものである。
抗器の表面絶縁方法は、アルミナを主成分としてシリ
カ、カルシア、マグネシアおよび導電材として３〜10重
量％のカーボンを含有する抵抗混合物と、この混合物に
カーボンを含有しない組成の絶縁混合物とを、中心部に
抵抗混合物が位置し外周に絶縁混合物が位置するように
二重押し出し成形した後に非酸化性雰囲気中で焼成し、
さらに酸化性雰囲気で加熱酸化処理して、セラミックス
抵抗体の表面にセラミックス絶縁層を形成してセラミッ
クス体抵抗器を製造するものである。
しかし、この特開昭57-52101号公報に記載の方法では、
抵抗混合物と絶縁混合物とを、絶縁混合物からなるセラ
ミックス絶縁層の厚さが均一となるように二重押し出し
成形するためには、大掛かりな押し出し装置が必要とな
るとともに、押し出し成形後の強度は低いため、亀裂な
どが生ずるおそれもあり、安価で容易にセラミックス体
抵抗器が得られない。
抵抗混合物と絶縁混合物とを、絶縁混合物からなるセラ
ミックス絶縁層の厚さが均一となるように二重押し出し
成形するためには、大掛かりな押し出し装置が必要とな
るとともに、押し出し成形後の強度は低いため、亀裂な
どが生ずるおそれもあり、安価で容易にセラミックス体
抵抗器が得られない。
（発明が解決しようとする問題点） 上述のように、特開昭52-12450号公報に記載の方法は、
製造過程に一工程が増え製造が煩雑となるとともに、別
途無機質接着剤が必要で製造コストが増大する。また、
特開昭57-52101号公報に記載の方法では、大掛かりな装
置が必要で安価で容易に製造できない問題がある。
製造過程に一工程が増え製造が煩雑となるとともに、別
途無機質接着剤が必要で製造コストが増大する。また、
特開昭57-52101号公報に記載の方法では、大掛かりな装
置が必要で安価で容易に製造できない問題がある。
本発明は、上記問題点に鑑み、耐絶縁性および耐熱性を
有した絶縁層の剥離を防止し、簡単な方法によりセラミ
ックス体抵抗器が容易に得られるセラミックス体抵抗器
の表面絶縁方法を提供することを目的とする。
有した絶縁層の剥離を防止し、簡単な方法によりセラミ
ックス体抵抗器が容易に得られるセラミックス体抵抗器
の表面絶縁方法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明のセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法は、セラ
ミックス抵抗体の表面にセラミックス絶縁層を形成する
セラミックス体抵抗器の表面絶縁方法において、前記セ
ラミックス抵抗体を焼成し、この焼成後のセラミックス
抵抗体を外周面に収縮間隙を介して前記セラミックス抵
抗体の熱膨脹係数と略等しい焼成前の筒状のセラミック
ス絶縁管に嵌挿した後に焼成して、セラミックス抵抗体
の表面にセラミックス絶縁層を形成するものである。
ミックス抵抗体の表面にセラミックス絶縁層を形成する
セラミックス体抵抗器の表面絶縁方法において、前記セ
ラミックス抵抗体を焼成し、この焼成後のセラミックス
抵抗体を外周面に収縮間隙を介して前記セラミックス抵
抗体の熱膨脹係数と略等しい焼成前の筒状のセラミック
ス絶縁管に嵌挿した後に焼成して、セラミックス抵抗体
の表面にセラミックス絶縁層を形成するものである。
また、本発明のセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法
は、セラミックス抵抗体の表面にセラミックス絶縁層を
形成するセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法におい
て、焼成前のセラミックス抵抗体を外周面に収縮間隙を
介して熱膨脹係数が略等しく、かつ、焼成収縮率が大き
い焼成前の筒状のセラミックス絶縁管に嵌挿した後焼成
して、セラミックス抵抗体の表面にセラミックス絶縁層
を形成するものである。
は、セラミックス抵抗体の表面にセラミックス絶縁層を
形成するセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法におい
て、焼成前のセラミックス抵抗体を外周面に収縮間隙を
介して熱膨脹係数が略等しく、かつ、焼成収縮率が大き
い焼成前の筒状のセラミックス絶縁管に嵌挿した後焼成
して、セラミックス抵抗体の表面にセラミックス絶縁層
を形成するものである。
（作用） 本発明のセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法は、焼成
後のセラミックス抵抗体を外周面に収縮間隙を介して熱
膨脹係数が略等しい焼成前の筒状のセラミックス絶縁管
に嵌挿した後に焼成してセラミックス絶縁管を収縮さ
せ、セラミックス抵抗体の表面に耐熱性を有したセラミ
ックス絶縁層を形成するため、セラミックス抵抗体とセ
ラミックス絶縁層との熱膨脹係数が略等しく、セラミッ
クス絶縁層の剥離が防止され、筒状のセラミックス絶縁
管にセラミックス抵抗体を嵌挿後に焼成するのみで、略
均一な厚さのセラミックス絶縁層が簡単な方法で容易に
得られる。
後のセラミックス抵抗体を外周面に収縮間隙を介して熱
膨脹係数が略等しい焼成前の筒状のセラミックス絶縁管
に嵌挿した後に焼成してセラミックス絶縁管を収縮さ
せ、セラミックス抵抗体の表面に耐熱性を有したセラミ
ックス絶縁層を形成するため、セラミックス抵抗体とセ
ラミックス絶縁層との熱膨脹係数が略等しく、セラミッ
クス絶縁層の剥離が防止され、筒状のセラミックス絶縁
管にセラミックス抵抗体を嵌挿後に焼成するのみで、略
均一な厚さのセラミックス絶縁層が簡単な方法で容易に
得られる。
また、本発明のセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法
は、焼成前のセラミックス抵抗体を外周面に収縮間隙を
介して熱膨脹係数が略等しく、かつ、焼成収縮率が大き
い焼成前の筒状のセラミックス絶縁管に嵌挿した後焼成
して、セラミックス抵抗体の表面に耐熱性を有したセラ
ミックス絶縁層を形成するため、セラミックス絶縁層の
剥離が防止され、筒状のセラミックス絶縁管にセラミッ
クス抵抗体を嵌挿後に焼成するのみで、一度の焼成で略
均一な厚さのセラミックス絶縁層が簡単な方法で容易に
安価に得られる。
は、焼成前のセラミックス抵抗体を外周面に収縮間隙を
介して熱膨脹係数が略等しく、かつ、焼成収縮率が大き
い焼成前の筒状のセラミックス絶縁管に嵌挿した後焼成
して、セラミックス抵抗体の表面に耐熱性を有したセラ
ミックス絶縁層を形成するため、セラミックス絶縁層の
剥離が防止され、筒状のセラミックス絶縁管にセラミッ
クス抵抗体を嵌挿後に焼成するのみで、一度の焼成で略
均一な厚さのセラミックス絶縁層が簡単な方法で容易に
安価に得られる。
（実施例） 以下、本発明のセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法の
一実施例を図面を参照して説明する。
一実施例を図面を参照して説明する。
第７図および第８図において、Ａはセラミックス体抵抗
器の製品で、この製品Ａは、例えば組成がSnO2＋Sb2O3
の導電材料と組成が2MgO・SiO2のセラミックス材料との
混合物からなる略円柱状のセラミックス抵抗体１の外周
面に、略均一な厚さの組成が2MgO・SiO2＋BaOのセラミ
ックス絶縁層３が設けられて形成されている。
器の製品で、この製品Ａは、例えば組成がSnO2＋Sb2O3
の導電材料と組成が2MgO・SiO2のセラミックス材料との
混合物からなる略円柱状のセラミックス抵抗体１の外周
面に、略均一な厚さの組成が2MgO・SiO2＋BaOのセラミ
ックス絶縁層３が設けられて形成されている。
次に、製品Ａの製造工程を図面を参照して説明する。
（１）まず、例えば組成がSnO2＋Sb2O3の導電材料と組
成が2MgO・SiO2のセラミックス材料とを混合し、円柱状
に成型して乾燥した後、1340℃で２時間焼成し、第１図
および第２図に示すような、直径が4.0mm、長さが20mm
の略円柱状の焼成セラミックス抵抗体１を形成する。
成が2MgO・SiO2のセラミックス材料とを混合し、円柱状
に成型して乾燥した後、1340℃で２時間焼成し、第１図
および第２図に示すような、直径が4.0mm、長さが20mm
の略円柱状の焼成セラミックス抵抗体１を形成する。
（２）また、例えば組成が2MgO・SiO2＋BaOの別にセラ
ミックス材料を円筒管状に形成して乾燥し、第３図およ
び第４図に示すように、焼成セラミックス抵抗体１の外
周面に収縮間隙を形成するように、例えば内径が5.0m
m、長さが25mm、厚さが0.25mmで、セラミックス抵抗体
１と熱膨脹係数が略等しいセラミックス絶縁管２を形成
する。
ミックス材料を円筒管状に形成して乾燥し、第３図およ
び第４図に示すように、焼成セラミックス抵抗体１の外
周面に収縮間隙を形成するように、例えば内径が5.0m
m、長さが25mm、厚さが0.25mmで、セラミックス抵抗体
１と熱膨脹係数が略等しいセラミックス絶縁管２を形成
する。
（３）次に、第５図および第６図に示すように、焼成セ
ラミックス抵抗体１に焼成前のセラミックス絶縁管２を
嵌挿した後、1280℃で２時間焼成してセラミックス絶縁
管２を収縮させ、第７図および第８図に示すようなセラ
ミックス抵抗体１の外面に厚さが0.20mm以上のセラミッ
クス絶縁層３を有するセラミックス体抵抗器の製品Ａを
形成する。
ラミックス抵抗体１に焼成前のセラミックス絶縁管２を
嵌挿した後、1280℃で２時間焼成してセラミックス絶縁
管２を収縮させ、第７図および第８図に示すようなセラ
ミックス抵抗体１の外面に厚さが0.20mm以上のセラミッ
クス絶縁層３を有するセラミックス体抵抗器の製品Ａを
形成する。
上記実施例によれば、焼成後のセラミックス抵抗体１
を、外周面に収縮間隙を介して熱膨脹係数が略等しい焼
成前の筒状のセラミックス絶縁管２に嵌挿した後に焼成
してセラミックス絶縁管２を収縮させるため、セラミッ
クス抵抗体１の表面に耐絶縁性を有した均一な厚さのセ
ラミックス絶縁層３を、筒状のセラミックス絶縁管２に
セラミックス抵抗体１を嵌挿後に焼成するのみで、簡単
な方法で容易に形成できる。
を、外周面に収縮間隙を介して熱膨脹係数が略等しい焼
成前の筒状のセラミックス絶縁管２に嵌挿した後に焼成
してセラミックス絶縁管２を収縮させるため、セラミッ
クス抵抗体１の表面に耐絶縁性を有した均一な厚さのセ
ラミックス絶縁層３を、筒状のセラミックス絶縁管２に
セラミックス抵抗体１を嵌挿後に焼成するのみで、簡単
な方法で容易に形成できる。
また、セラミックス抵抗体１とセラミックス絶縁層３と
の熱膨脹係数が略等しく、セラミックス絶縁層３の剥離
が防止でき、製品Ａに高圧抵抗器として信頼性の高い確
実な絶縁性を保持させることができる。
の熱膨脹係数が略等しく、セラミックス絶縁層３の剥離
が防止でき、製品Ａに高圧抵抗器として信頼性の高い確
実な絶縁性を保持させることができる。
次に、本発明のセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法の
他の実施例を第９図ないし第16図を参照して説明する。
他の実施例を第９図ないし第16図を参照して説明する。
（１）まず、例えば組成がSnO2＋Sb2O3の導電材料と組
成が2MgO・SiO2のセラミックス材料とを混合して円柱状
に成型して乾燥し、第９図および第10図に示すように、
直径が4.6mm、長さが23.5mmの略円柱状のセラミックス
抵抗体1aを形成する。
成が2MgO・SiO2のセラミックス材料とを混合して円柱状
に成型して乾燥し、第９図および第10図に示すように、
直径が4.6mm、長さが23.5mmの略円柱状のセラミックス
抵抗体1aを形成する。
（２）また、別に例えば組成が2MgO・SiO2のセラミック
ス材料を円筒管状に形成して乾燥し、第11図および第12
図に示すように、焼成セラミックス抵抗体１の外周面に
収縮間隙を形成するように、例えば内径が5.0mm、長さ
が25mm、厚さが0.25mmでセラミックス抵抗体1aと熱膨脹
係数が略等しく、かつ、焼成収縮率がセラミックス抵抗
体1aより大きいセラミックス絶縁管2aを形成する。
ス材料を円筒管状に形成して乾燥し、第11図および第12
図に示すように、焼成セラミックス抵抗体１の外周面に
収縮間隙を形成するように、例えば内径が5.0mm、長さ
が25mm、厚さが0.25mmでセラミックス抵抗体1aと熱膨脹
係数が略等しく、かつ、焼成収縮率がセラミックス抵抗
体1aより大きいセラミックス絶縁管2aを形成する。
（３）次に、第13図および第14図に示すように、焼成前
のセラミックス抵抗体1aに焼成前のセラミックス絶縁管
2aを嵌挿した後、1340℃で２時間焼成し、第15図および
第16図に示すようなセラミックス抵抗体１の外面に厚さ
が0.20mm以上のセラミックス絶縁層３を有するセラミッ
クス体抵抗器の製品Ａ′を形成する。
のセラミックス抵抗体1aに焼成前のセラミックス絶縁管
2aを嵌挿した後、1340℃で２時間焼成し、第15図および
第16図に示すようなセラミックス抵抗体１の外面に厚さ
が0.20mm以上のセラミックス絶縁層３を有するセラミッ
クス体抵抗器の製品Ａ′を形成する。
上記実施例によれが、焼成前のセラミックス抵抗体１
を、外周面に収縮間隙を介して熱膨脹係数が略等しい焼
成前の筒状のセラミックス絶縁管２に嵌挿した後に焼成
するため、セラミックス抵抗体１の表面に耐絶縁性を有
した均一な厚さのセラミックス絶縁層３を、筒状のセラ
ミックス絶縁管２にセラミックス抵抗体１を嵌挿後に焼
成するのみで、簡単な方法で容易に形成でき、一度の焼
成のみで安価に製造できる。
を、外周面に収縮間隙を介して熱膨脹係数が略等しい焼
成前の筒状のセラミックス絶縁管２に嵌挿した後に焼成
するため、セラミックス抵抗体１の表面に耐絶縁性を有
した均一な厚さのセラミックス絶縁層３を、筒状のセラ
ミックス絶縁管２にセラミックス抵抗体１を嵌挿後に焼
成するのみで、簡単な方法で容易に形成でき、一度の焼
成のみで安価に製造できる。
また、セラミックス抵抗体１とセラミックス絶縁層３と
の熱膨脹係数が略等しく、セラミックス絶縁層３の剥離
を防止でき、製品Ａに高圧抵抗器として信頼性の高い確
実な絶縁性を保持させることができる。
の熱膨脹係数が略等しく、セラミックス絶縁層３の剥離
を防止でき、製品Ａに高圧抵抗器として信頼性の高い確
実な絶縁性を保持させることができる。
（発明の効果） 本発明のセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法によれ
ば、焼成後のセラミックス抵抗体を外周面に収縮間隙を
介して熱膨脹係数が略等しい焼成前の筒状のセラミック
ス絶縁管に嵌挿した後に焼成してセラミックス絶縁管を
収縮させるため、セラミックス抵抗体の表面に耐熱性を
有した略均一な厚さのセラミックス絶縁層を、筒状のセ
ラミックス絶縁管にセラミックス抵抗体を嵌挿後に焼成
するのみで簡単な方法で容易に形成できるとともに、セ
ラミックス抵抗体とセラミックス絶縁層との熱膨脹係数
が略等しいため、セラミックス絶縁層の剥離を防止で
き、高圧抵抗器として信頼性の高い確実な絶縁性を保持
させることができる。
ば、焼成後のセラミックス抵抗体を外周面に収縮間隙を
介して熱膨脹係数が略等しい焼成前の筒状のセラミック
ス絶縁管に嵌挿した後に焼成してセラミックス絶縁管を
収縮させるため、セラミックス抵抗体の表面に耐熱性を
有した略均一な厚さのセラミックス絶縁層を、筒状のセ
ラミックス絶縁管にセラミックス抵抗体を嵌挿後に焼成
するのみで簡単な方法で容易に形成できるとともに、セ
ラミックス抵抗体とセラミックス絶縁層との熱膨脹係数
が略等しいため、セラミックス絶縁層の剥離を防止で
き、高圧抵抗器として信頼性の高い確実な絶縁性を保持
させることができる。
また、本発明のセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法に
よれば、焼成前のセラミックス抵抗体を外周面に収縮間
隙を介して熱膨脹係数が略等しく、かつ、焼成収縮率が
大きい焼成前の筒状のセラミックス絶縁管に嵌挿した後
焼成するため、セラミックス抵抗体の表面に耐熱性を有
した略均一な厚さのセラミックス絶縁層を、一度の焼成
のみで簡単な方法で容易に安価に形成できるとともに、
セラミックス抵抗体とセラミックス絶縁層との熱膨脹係
数が略等しいため、セラミックス絶縁層の剥離を防止で
き、高圧抵抗器として信頼性の高い確実な絶縁性を保持
させることができる。
よれば、焼成前のセラミックス抵抗体を外周面に収縮間
隙を介して熱膨脹係数が略等しく、かつ、焼成収縮率が
大きい焼成前の筒状のセラミックス絶縁管に嵌挿した後
焼成するため、セラミックス抵抗体の表面に耐熱性を有
した略均一な厚さのセラミックス絶縁層を、一度の焼成
のみで簡単な方法で容易に安価に形成できるとともに、
セラミックス抵抗体とセラミックス絶縁層との熱膨脹係
数が略等しいため、セラミックス絶縁層の剥離を防止で
き、高圧抵抗器として信頼性の高い確実な絶縁性を保持
させることができる。
第１図から第８図は本発明の一実施例を示す製造工程図
であり、第１図はセラミックス抵抗体の縦断側面図、第
２図は同上縦断正面図、第３図はセラミックス絶縁管の
縦断側面図、第４図は同上縦断正面図、第５図はセラミ
ックス抵抗体をセラミックス絶縁管に嵌挿した縦断側面
図、第６図は同上縦断正面図、第７図は実施例の方法に
よって得られた製品の縦断側面図、第８図は同上縦断正
面図である。第９図から第16図は本発明の他の実施例を
示す製造工程図であり、第９図はセラミックス抵抗体の
縦断側面図、第10図は同上縦断正面図、第11図はセラミ
ックス絶縁管の縦断側面図、第12図は同上縦断正面図、
第13図はセラミックス抵抗体をセラミックス絶縁管に嵌
挿した縦断側面図、第14図は同上縦断正面図、第15図は
本発明の他の実施例によって得られた製品の縦断側面
図、第16図は同上縦断正面図である。 1,1a……セラミックス抵抗体、2,2a……セラミックス絶
縁管、３……セラミックス絶縁層。
であり、第１図はセラミックス抵抗体の縦断側面図、第
２図は同上縦断正面図、第３図はセラミックス絶縁管の
縦断側面図、第４図は同上縦断正面図、第５図はセラミ
ックス抵抗体をセラミックス絶縁管に嵌挿した縦断側面
図、第６図は同上縦断正面図、第７図は実施例の方法に
よって得られた製品の縦断側面図、第８図は同上縦断正
面図である。第９図から第16図は本発明の他の実施例を
示す製造工程図であり、第９図はセラミックス抵抗体の
縦断側面図、第10図は同上縦断正面図、第11図はセラミ
ックス絶縁管の縦断側面図、第12図は同上縦断正面図、
第13図はセラミックス抵抗体をセラミックス絶縁管に嵌
挿した縦断側面図、第14図は同上縦断正面図、第15図は
本発明の他の実施例によって得られた製品の縦断側面
図、第16図は同上縦断正面図である。 1,1a……セラミックス抵抗体、2,2a……セラミックス絶
縁管、３……セラミックス絶縁層。
Claims (2)
- 【請求項１】セラミックス抵抗体の表面にセラミックス
絶縁層を形成するセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法
において、 前記セラミックス抵抗体を焼成し、 この焼成後のセラミックス抵抗体を外周面に収縮間隙を
介して前記セラミックス抵抗体の熱膨脹係数と略等しい
焼成前の筒状のセラミックス絶縁管に嵌挿した後に焼成
して、セラミックス抵抗体の表面にセラミックス絶縁層
を形成する ことを特徴とするセラミックス体抵抗器の表面絶縁方
法。 - 【請求項２】セラミックス抵抗体の表面にセラミックス
絶縁層を形成するセラミックス体抵抗器の表面絶縁方法
において、 焼成前のセラミックス抵抗体を外周面に収縮間隙を介し
て熱膨脹係数が略等しく、かつ、焼成収縮率が大きい焼
成前の筒状のセラミックス絶縁管に嵌挿した後焼成し
て、セラミックス抵抗体の表面にセラミックス絶縁層を
形成する ことを特徴とするセラミックス体抵抗器の表面絶縁方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61165078A JPH0673323B2 (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | セラミックス体抵抗器の表面絶縁方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61165078A JPH0673323B2 (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | セラミックス体抵抗器の表面絶縁方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320803A JPS6320803A (ja) | 1988-01-28 |
| JPH0673323B2 true JPH0673323B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=15805452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61165078A Expired - Lifetime JPH0673323B2 (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | セラミックス体抵抗器の表面絶縁方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673323B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5212450A (en) * | 1975-07-17 | 1977-01-31 | Marukon Denshi Kk | Method of externally loading voltage nonnlinear resistors |
| JPS6059721B2 (ja) * | 1980-09-16 | 1985-12-26 | 東芝セラミツクス株式会社 | セラミック抵抗体の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP61165078A patent/JPH0673323B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6320803A (ja) | 1988-01-28 |
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Legal Events
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| R250 | Receipt of annual fees |
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