JPH067433B2 - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置Info
- Publication number
- JPH067433B2 JPH067433B2 JP3602984A JP3602984A JPH067433B2 JP H067433 B2 JPH067433 B2 JP H067433B2 JP 3602984 A JP3602984 A JP 3602984A JP 3602984 A JP3602984 A JP 3602984A JP H067433 B2 JPH067433 B2 JP H067433B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic bubble
- magnetic field
- detector
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ装置に係わり、特に磁気バブ
ル検出器部とホールディング磁界との組合せ構造に関す
るものである。
ル検出器部とホールディング磁界との組合せ構造に関す
るものである。
一般に磁気バブルメモリ装置は、情報としての磁気バブ
ルを読み書き記憶する磁気バブルメモリ素子と、この磁
気バブルメモリ素子を駆動させる回転磁界発生用コイル
およびバイアス磁界発生用永久磁石板とから構成されて
いる。
ルを読み書き記憶する磁気バブルメモリ素子と、この磁
気バブルメモリ素子を駆動させる回転磁界発生用コイル
およびバイアス磁界発生用永久磁石板とから構成されて
いる。
第１図は磁気バブルメモリ装置を構成する磁気バブルメ
モリ素子の一例を示す要部平面構成図である。同図にお
いて、１は情報を記憶するマイナループ、２は磁気バブ
ルの出力情報を転送するリードメジャライン、３は磁気
バブルの入力情報を転送するライトメジャライン、４は
リードメジャライン２に転送された磁気バブル情報の有
無を検出する磁気バブル検出器、５はライトメジャライ
ン３に磁気バブル情報を書き込む磁気バブル発生器、Ｐ
は磁気バブル転送方向である。
モリ素子の一例を示す要部平面構成図である。同図にお
いて、１は情報を記憶するマイナループ、２は磁気バブ
ルの出力情報を転送するリードメジャライン、３は磁気
バブルの入力情報を転送するライトメジャライン、４は
リードメジャライン２に転送された磁気バブル情報の有
無を検出する磁気バブル検出器、５はライトメジャライ
ン３に磁気バブル情報を書き込む磁気バブル発生器、Ｐ
は磁気バブル転送方向である。
このように構成される磁気バブルメモリ素子を動作させ
るためには、この磁気バブルメモリ素子の外部に配置さ
れた回転磁界発生用コイルおよびバイアス磁石発生用永
久磁石板より３種類の外部磁界が加えられる。すなわ
ち、その１つは磁気バブルを安定に存在させるために加
えられる磁界で第１図の紙面に垂直な方向の磁界でバイ
アス磁界ＨBと称される磁界である。他の１つは磁気バ
ブルを転送させる磁界で第１図の面内で回転する磁界で
回転磁界ＨRと称される磁界である。さらに他の１つの
磁界は前述した回転磁界がスタート・ストップ動作する
ときに磁気バブルを安定位置に停止させる磁界でホール
ディング磁界ＨDCと称され第１の面内のある特定の方向
に加えられる。
るためには、この磁気バブルメモリ素子の外部に配置さ
れた回転磁界発生用コイルおよびバイアス磁石発生用永
久磁石板より３種類の外部磁界が加えられる。すなわ
ち、その１つは磁気バブルを安定に存在させるために加
えられる磁界で第１図の紙面に垂直な方向の磁界でバイ
アス磁界ＨBと称される磁界である。他の１つは磁気バ
ブルを転送させる磁界で第１図の面内で回転する磁界で
回転磁界ＨRと称される磁界である。さらに他の１つの
磁界は前述した回転磁界がスタート・ストップ動作する
ときに磁気バブルを安定位置に停止させる磁界でホール
ディング磁界ＨDCと称され第１の面内のある特定の方向
に加えられる。
第２図(a)，(b)，(c)は前述した磁気バブル検出器４を
構成する検出器パターン4a，4b，4cをそれぞれ示したも
のであり、これらの検出器パターン4a，4b，4cはパーマ
ロイ薄膜で形成され、左右に引き延ばされたひも状バブ
ルが矢印Ｐ方向に転送することにより、磁気抵抗効果に
より、電気信号に変換される。
構成する検出器パターン4a，4b，4cをそれぞれ示したも
のであり、これらの検出器パターン4a，4b，4cはパーマ
ロイ薄膜で形成され、左右に引き延ばされたひも状バブ
ルが矢印Ｐ方向に転送することにより、磁気抵抗効果に
より、電気信号に変換される。
このように構成される磁気バブルメモリ素子の磁気バブ
ル検出器は第３図に示すような検出出力特性が得られ
る。すなわち、同図は横軸に回転磁界ＨRの強さを、縦
軸に検出器４からの出力値を求めた結果を示したもので
あり、同図において、Ｓは磁気バブルの出力を、Ｎはノ
イズをそれぞれ示したものである。同図から明らかなよ
うに通常回転磁界ＨRの強度がある値ＨRmin、この場合5
0eよりも小さくなると、ノイズＮが急激に大きくなる
特性を有している。
ル検出器は第３図に示すような検出出力特性が得られ
る。すなわち、同図は横軸に回転磁界ＨRの強さを、縦
軸に検出器４からの出力値を求めた結果を示したもので
あり、同図において、Ｓは磁気バブルの出力を、Ｎはノ
イズをそれぞれ示したものである。同図から明らかなよ
うに通常回転磁界ＨRの強度がある値ＨRmin、この場合5
0eよりも小さくなると、ノイズＮが急激に大きくなる
特性を有している。
近年、磁気バブルメモリ素子は、２〜４倍／２年のスピ
ードで高密化され、これに伴なって使用する磁気バブル
径が５μｍから３μｍさらに２μｍと微小化し、最近で
は１μｍ台の磁気バブルが用いられるようになった。こ
のように磁気バブル径が小さくなると、これまでそれ程
問題とならなかった新しい次のような問題が顕著に生じ
ることがわかった。すなわち、第３図で説明したＨRmin
が極端に大きくなるという問題が発生した。この結果、
回転磁界強度ＨRの変動範囲Ａ、つまり回転磁界45〜60
eの範囲内でノイズＮは大きくなり、検出器の出力特
性、つまりS/N比が顕著に低下するという問題があっ
た。
ードで高密化され、これに伴なって使用する磁気バブル
径が５μｍから３μｍさらに２μｍと微小化し、最近で
は１μｍ台の磁気バブルが用いられるようになった。こ
のように磁気バブル径が小さくなると、これまでそれ程
問題とならなかった新しい次のような問題が顕著に生じ
ることがわかった。すなわち、第３図で説明したＨRmin
が極端に大きくなるという問題が発生した。この結果、
回転磁界強度ＨRの変動範囲Ａ、つまり回転磁界45〜60
eの範囲内でノイズＮは大きくなり、検出器の出力特
性、つまりS/N比が顕著に低下するという問題があっ
た。
したがって本発明は、前述した従来の問題を解決しＨ
Rminを低減化し、回転磁界強度の変動範囲内での磁気バ
ブル検出器の出力特性を向上させた磁気バブルメモリ装
置を提供することを目的としている。
Rminを低減化し、回転磁界強度の変動範囲内での磁気バ
ブル検出器の出力特性を向上させた磁気バブルメモリ装
置を提供することを目的としている。
このような目的を達成するために本発明は、ホールディ
ング磁界の検出器ラインに対する方向をある範囲内に設
定するものである。
ング磁界の検出器ラインに対する方向をある範囲内に設
定するものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
発明者等の実験によると、第３図で説明したノイズＮの
出初めるＨRminが第１図で説明したホールディング磁界
ＨDCの方向と密接に関係していることが明らかとなっ
た。
出初めるＨRminが第１図で説明したホールディング磁界
ＨDCの方向と密接に関係していることが明らかとなっ
た。
第４図はホールディング磁界ＨDCの検出器ラインに対す
る方向を各種変化させてノイズの出初めるＨRminの値を
求めた結果であり、ホールディング磁界ＨDCの大きさと
して通常約６e程度加えられるので、同図の場合もホ
ールディング磁界ＨDCとして約６e程度加えた場合の
結果である。ここでホールディング磁界ＨDCの検出器ラ
インに対する方向の定義を第５図に示す。第５図におい
て、Ｐは検出器ライン4aを磁気バブルが転送する転送方
向を示し、ホールディング磁界ＨDCの方向が磁気バブル
転送方向Ｐのときを０°方向として反時計回り方向にそ
れぞれ90°、180°、270°と図のように定義する。第４
図はこの定義によりホールディング磁界ＨDCの方向を表
わしたときの結果である。同図の結果からホールディン
グ磁界ＨDCの方向が45°±45°方向が最適方向Ｂであ
る。この方向のとき検出器のノイズが出初めるＨRminを
最も小さくできることになり、検出器のS/N比を向上さ
せることができる。
る方向を各種変化させてノイズの出初めるＨRminの値を
求めた結果であり、ホールディング磁界ＨDCの大きさと
して通常約６e程度加えられるので、同図の場合もホ
ールディング磁界ＨDCとして約６e程度加えた場合の
結果である。ここでホールディング磁界ＨDCの検出器ラ
インに対する方向の定義を第５図に示す。第５図におい
て、Ｐは検出器ライン4aを磁気バブルが転送する転送方
向を示し、ホールディング磁界ＨDCの方向が磁気バブル
転送方向Ｐのときを０°方向として反時計回り方向にそ
れぞれ90°、180°、270°と図のように定義する。第４
図はこの定義によりホールディング磁界ＨDCの方向を表
わしたときの結果である。同図の結果からホールディン
グ磁界ＨDCの方向が45°±45°方向が最適方向Ｂであ
る。この方向のとき検出器のノイズが出初めるＨRminを
最も小さくできることになり、検出器のS/N比を向上さ
せることができる。
したがって本発明は、検出器ラインに対するホールディ
ング磁界ＨDCの方向を−10°〜100°の範囲内に選定し
て設定することにより、検出器の出力特性を向上させる
ことができる。
ング磁界ＨDCの方向を−10°〜100°の範囲内に選定し
て設定することにより、検出器の出力特性を向上させる
ことができる。
以上説明したように本発明によれば、回転磁界強度の変
動範囲内での磁気バブル検出器の出力特性が向上できる
ので、品質、信頼性の高い磁気バブルメモリ装置が得ら
れるという極めて優れた効果を有する。
動範囲内での磁気バブル検出器の出力特性が向上できる
ので、品質、信頼性の高い磁気バブルメモリ装置が得ら
れるという極めて優れた効果を有する。
第１図は磁気バブルメモリ素子の転送路構成を示す要部
平面図、第２図(a)，(b)，(c)は磁気バブル検出器ライ
ンのパターン例を示す平面図、第３図は磁気バブル検出
器の出力特性を示す図、第４図は本発明の考え方を説明
する図、第５図は検出器ラインの方向を定義する図であ
る。 ４……磁気バブル検出器、4a，4b，4c……検出器パター
ン、Ｐ……磁気バブル転送方向、ＨR……回転磁界、ＨB
バイアス磁界、ＨDC……ホールディング磁界。
平面図、第２図(a)，(b)，(c)は磁気バブル検出器ライ
ンのパターン例を示す平面図、第３図は磁気バブル検出
器の出力特性を示す図、第４図は本発明の考え方を説明
する図、第５図は検出器ラインの方向を定義する図であ
る。 ４……磁気バブル検出器、4a，4b，4c……検出器パター
ン、Ｐ……磁気バブル転送方向、ＨR……回転磁界、ＨB
バイアス磁界、ＨDC……ホールディング磁界。
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも磁気バブル検出器ラインを備え
た磁気バブルメモリ素子にホールディング磁界を加えて
磁気バブルをスタート・ストップさせる磁気バブルメモ
リ装置において、前記ホールディング磁界の磁気バブル
検出器ラインにおけるバブル転送方向に対する方向を反
時計回りで４５°に設定することを特徴とした磁気バブ
ルメモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3602984A JPH067433B2 (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 磁気バブルメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3602984A JPH067433B2 (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 磁気バブルメモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182092A JPS60182092A (ja) | 1985-09-17 |
| JPH067433B2 true JPH067433B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=12458286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3602984A Expired - Lifetime JPH067433B2 (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067433B2 (ja) |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP3602984A patent/JPH067433B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60182092A (ja) | 1985-09-17 |
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