JPS61236097A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS61236097A JPS61236097A JP60076354A JP7635485A JPS61236097A JP S61236097 A JPS61236097 A JP S61236097A JP 60076354 A JP60076354 A JP 60076354A JP 7635485 A JP7635485 A JP 7635485A JP S61236097 A JPS61236097 A JP S61236097A
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- Japan
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- pattern
- magnetic bubble
- magnetic
- line
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子に係わり、特に磁気バブ
ル検出器の検出器パターンの構造に関するものでるる。
ル検出器の検出器パターンの構造に関するものでるる。
一般に磁気バブルメモリ素子における磁気パズルの検出
は、磁気バブルの存在するときおよび存在しないときに
パーマロイ等の軟強磁性材料パターンの抵抗値が変化す
ること金利用して磁気バブルの有無による抵抗値の差異
を電圧値として取り出し、既定のスレシホールド電圧と
比較することにより行なわれる。
は、磁気バブルの存在するときおよび存在しないときに
パーマロイ等の軟強磁性材料パターンの抵抗値が変化す
ること金利用して磁気バブルの有無による抵抗値の差異
を電圧値として取り出し、既定のスレシホールド電圧と
比較することにより行なわれる。
第９図は厚膜形として知られている磁気バブル検出器２
０でろり、このような磁気バブル検出器２０を形成する
検出器パターン２１の場合には磁気バブルの有無によｐ
１第１Ｏ図に示すような電圧変化を出力する。すなわち
同図において、磁気バブルが存在するときには出力波形
２２を出力し、信号゛ｌ″の状態でるり、磁気バブルが
存在しないときには出力波形２３全出力し、信号１０“
の状態である。通常この信号１１″および％Ｏ＃を弁別
する電圧マージンは数ｍＶ程度であり、この九めに信号
１１“ 、’ｏ”２判定する電圧を検出するストローブ
パルスの位相マージンも限定され、例えば約２００ Ｋ
ＪＴｚで動作する磁気バブルメモリ素子ではストローブ
パルスを数１０〜１００ｎＳ程度で制御する必要がろる
。
０でろり、このような磁気バブル検出器２０を形成する
検出器パターン２１の場合には磁気バブルの有無によｐ
１第１Ｏ図に示すような電圧変化を出力する。すなわち
同図において、磁気バブルが存在するときには出力波形
２２を出力し、信号゛ｌ″の状態でるり、磁気バブルが
存在しないときには出力波形２３全出力し、信号１０“
の状態である。通常この信号１１″および％Ｏ＃を弁別
する電圧マージンは数ｍＶ程度であり、この九めに信号
１１“ 、’ｏ”２判定する電圧を検出するストローブ
パルスの位相マージンも限定され、例えば約２００ Ｋ
ＪＴｚで動作する磁気バブルメモリ素子ではストローブ
パルスを数１０〜１００ｎＳ程度で制御する必要がろる
。
しかしながら、第１０図に示した出力波形のピーク位相
２４は、第９図に示した検出器パターン２１のパターン
幅Ｗおよびそれ全形成する軟強磁性材料の抗磁力Ｈａに
より、２００〜３００ｎ８程度の範囲で変動することが
ろり、また磁気バブルを駆動する面内回転磁界の磁界強
度ＨｉＫよっても変動する。このために位相マージｙ、
Ｓ／Ｎマージン全拡大する目的でピークホールド再生と
称される再生方式が用いられている。このピークホール
ド再生では第１１図のワイドストローブパルス２５の範
囲にろる出力波形２２の正のピーク２２＆ と負のピー
ク２２ｂ との差分を出力１１“とじて取り出す九め
にストローブ位相マージン。
２４は、第９図に示した検出器パターン２１のパターン
幅Ｗおよびそれ全形成する軟強磁性材料の抗磁力Ｈａに
より、２００〜３００ｎ８程度の範囲で変動することが
ろり、また磁気バブルを駆動する面内回転磁界の磁界強
度ＨｉＫよっても変動する。このために位相マージｙ、
Ｓ／Ｎマージン全拡大する目的でピークホールド再生と
称される再生方式が用いられている。このピークホール
ド再生では第１１図のワイドストローブパルス２５の範
囲にろる出力波形２２の正のピーク２２＆ と負のピー
ク２２ｂ との差分を出力１１“とじて取り出す九め
にストローブ位相マージン。
Ｓ／Ｎマージンとも顕著に改善することができる。
しかしながら、前述したようなピークホールド再生方式
において、出力波形２２のピーク２２ａがワイドストロ
ーブパルス２５の前縁よりも前にずれて一点破線で示す
出力波形２２′ となったときは、この出力波形２２′
の点２２８′と負のピーク２２ｂ との差分を検出する
ので、ＳＺＮ比が劣化するという問題がろつ九。
において、出力波形２２のピーク２２ａがワイドストロ
ーブパルス２５の前縁よりも前にずれて一点破線で示す
出力波形２２′ となったときは、この出力波形２２′
の点２２８′と負のピーク２２ｂ との差分を検出する
ので、ＳＺＮ比が劣化するという問題がろつ九。
本発明の目的は、磁気バブル検出器のピーク位相金ワイ
ドストローブパルスの前縁に対して充分に余裕のめる位
相に配置することにより、ＳＺＮ比の高い出力信号を得
ることができる磁気バブル検出器を備えた磁気バブルメ
モリ素子を提供することにるる。
ドストローブパルスの前縁に対して充分に余裕のめる位
相に配置することにより、ＳＺＮ比の高い出力信号を得
ることができる磁気バブル検出器を備えた磁気バブルメ
モリ素子を提供することにるる。
本発明の一実施例によれば、検出器の電流通路の少なく
とも一個所ヲ、パターン幅を狭くすることにより、出力
波形のピーク位相全制御が可能となり、良好なＳ／Ｎ特
性が得られる磁気バブルメモリ素子が提供される。
とも一個所ヲ、パターン幅を狭くすることにより、出力
波形のピーク位相全制御が可能となり、良好なＳ／Ｎ特
性が得られる磁気バブルメモリ素子が提供される。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明するＯ
第１図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一実施例
を説明する念めの平面構成図でろる。同図において、１
は情報を貯えるマイナループ、２は読み出し情報を転送
するり一ドメジャライン、３は書込み情報を転送するラ
イトメシャライン、４は磁気バブルを電気信号に変換す
る磁気バブル検出器、５は情報全ライトメシャライン３
上に書き込む磁気バブル発生器、６はライナループ１上
の情報をリードメジキライン２上に複写するレプリケー
トゲート、Ｔはライトメシャライン３上の情報とマイナ
ループ１中の情報と全入れ替えるスワップゲート、８は
外周部からの不要な磁気バブルの侵入を阻止するための
ガードレール、９はこれらの転送回路全外部回路と接続
するためのポンディングパッドである。
を説明する念めの平面構成図でろる。同図において、１
は情報を貯えるマイナループ、２は読み出し情報を転送
するり一ドメジャライン、３は書込み情報を転送するラ
イトメシャライン、４は磁気バブルを電気信号に変換す
る磁気バブル検出器、５は情報全ライトメシャライン３
上に書き込む磁気バブル発生器、６はライナループ１上
の情報をリードメジキライン２上に複写するレプリケー
トゲート、Ｔはライトメシャライン３上の情報とマイナ
ループ１中の情報と全入れ替えるスワップゲート、８は
外周部からの不要な磁気バブルの侵入を阻止するための
ガードレール、９はこれらの転送回路全外部回路と接続
するためのポンディングパッドである。
ま念、レプリケートゲート６、スワップゲート７および
磁気バブル発生器５はパーマロイの転送パターンと特殊
な関係で配置された別層の導体に一定方向の電流を流す
か否かに工って制御され図中その導体部分は太い実線で
示しており、残りの細い実線はパーマロイの転送パター
ンを示している。
磁気バブル発生器５はパーマロイの転送パターンと特殊
な関係で配置された別層の導体に一定方向の電流を流す
か否かに工って制御され図中その導体部分は太い実線で
示しており、残りの細い実線はパーマロイの転送パター
ンを示している。
第２図は第１図の磁気バブル検出器４を示す要部拡大平
面図でるる。同図において、磁気バブル検出器４はメイ
ン検出器４Ａとダミー検出器４Ｂとから構成されており
、１１はリードメジャライン２から転送されてき九磁気
バブルをひも状磁気バブルに徐々に引き延ばす拡大器、
１２はひも状に引き延ばされた磁気バブルが矢印Ｐ方向
に転送することにより磁気バブルの有無を検出するメイ
ン検出器ライン、１３は磁気バブル消去器、１４はダミ
ー検出器ライン、１５はダミー拡大器、１６は磁気バブ
ル消去器でるる。１６は第１図に示し友ガードレール８
のラインでめる。
面図でるる。同図において、磁気バブル検出器４はメイ
ン検出器４Ａとダミー検出器４Ｂとから構成されており
、１１はリードメジャライン２から転送されてき九磁気
バブルをひも状磁気バブルに徐々に引き延ばす拡大器、
１２はひも状に引き延ばされた磁気バブルが矢印Ｐ方向
に転送することにより磁気バブルの有無を検出するメイ
ン検出器ライン、１３は磁気バブル消去器、１４はダミ
ー検出器ライン、１５はダミー拡大器、１６は磁気バブ
ル消去器でるる。１６は第１図に示し友ガードレール８
のラインでめる。
第３図は第２図のメイン検出器ライン１２の要部拡大平
面図である。同図において、このメイン検出器ライン１
２は、例えばパーマロイ等の軟強磁性材料からなる検出
器パターン１７で形成されており、この検出器パターン
１７は、このパターンの一部、例えば第１の角部１７ａ
のパターン幅Ｗｌが、このパターンの他の部分例えば中
央部１７ｂ のパターン幅Ｗ２に対して１μｍ未満と小
さく （Ｗｌ＜Ｗｓ ） して形成されている。なお、
点線で示すパターン形状が従来の検出器パターンでらる
０ 近年、ＩＭｂ、４Ｍｂクラスの高密度形磁気バブルメモ
リ素子の軟強磁性材料パターンの最小寸法は、フォトマ
スク全通常の光で照射し、所望のパターンを形成する現
行のプロセスにおいて１μｍ以下のパターンを安定に量
産することは元の波長に近付くために極めて困難なこと
から、１μｍルールで設計される。しかしながら、１μ
ｍルールで検出器パターンを形成した場合のパターン幅
のバラツキとそれぞれのパターンによる出力波形のピー
ク位相は、第４図に示すようにパターン幅が設計値（１
μｍ）よりも０．１μｍと大きくなると、ピーク位相が
ワイドストローブの前縁θを越えてしまい、それ以上は
良好なＳ／Ｎ ％性が得られなくなる。しかしながら、
第３図に示す工うに検出器パターン１Ｔの角部１７ａ’
ｅ１μｍ未満の値に設定し、中央部１７を含むその他の
部分ｔ−１μｍルールで設定する場合には、パターン幅
が１μｍ未満の角部１７ａはノくターン全体に対してわ
ずかの面積比しか有していないので、比較的安定にパタ
ーンを形成することが可能でろり、！念、このような検
出器パターン１７の場合、従来全て１μｍルールで設定
され比検出器パターン２１（第９図参照）に比べて数１
ｏａｎｓの範囲でピーク位相を遅らせることが可能とな
った。第５図は第３図に示した検出器パターン１７ｔ−
用いて４Ｍｂの磁気バブルメモリ素子のメイン検出器ラ
インおよびダミー検出器を構成した場合、検出器パター
ン１Ｔの第１の角部１７ａ のパターン＠Ｗｘ ｔ−１
μｍ未満に設定した値とピーク位相との関係を示したも
のでろ夕、同図から明らかなように第４の角部１７ａの
パターン幅Ｗｌ ’ｔ、１μｍ未満の値、例えば０．７
μｍ以上１．０μｍの範囲に設定することにより、ピー
ク位相全制御することができる。
面図である。同図において、このメイン検出器ライン１
２は、例えばパーマロイ等の軟強磁性材料からなる検出
器パターン１７で形成されており、この検出器パターン
１７は、このパターンの一部、例えば第１の角部１７ａ
のパターン幅Ｗｌが、このパターンの他の部分例えば中
央部１７ｂ のパターン幅Ｗ２に対して１μｍ未満と小
さく （Ｗｌ＜Ｗｓ ） して形成されている。なお、
点線で示すパターン形状が従来の検出器パターンでらる
０ 近年、ＩＭｂ、４Ｍｂクラスの高密度形磁気バブルメモ
リ素子の軟強磁性材料パターンの最小寸法は、フォトマ
スク全通常の光で照射し、所望のパターンを形成する現
行のプロセスにおいて１μｍ以下のパターンを安定に量
産することは元の波長に近付くために極めて困難なこと
から、１μｍルールで設計される。しかしながら、１μ
ｍルールで検出器パターンを形成した場合のパターン幅
のバラツキとそれぞれのパターンによる出力波形のピー
ク位相は、第４図に示すようにパターン幅が設計値（１
μｍ）よりも０．１μｍと大きくなると、ピーク位相が
ワイドストローブの前縁θを越えてしまい、それ以上は
良好なＳ／Ｎ ％性が得られなくなる。しかしながら、
第３図に示す工うに検出器パターン１Ｔの角部１７ａ’
ｅ１μｍ未満の値に設定し、中央部１７を含むその他の
部分ｔ−１μｍルールで設定する場合には、パターン幅
が１μｍ未満の角部１７ａはノくターン全体に対してわ
ずかの面積比しか有していないので、比較的安定にパタ
ーンを形成することが可能でろり、！念、このような検
出器パターン１７の場合、従来全て１μｍルールで設定
され比検出器パターン２１（第９図参照）に比べて数１
ｏａｎｓの範囲でピーク位相を遅らせることが可能とな
った。第５図は第３図に示した検出器パターン１７ｔ−
用いて４Ｍｂの磁気バブルメモリ素子のメイン検出器ラ
インおよびダミー検出器を構成した場合、検出器パター
ン１Ｔの第１の角部１７ａ のパターン＠Ｗｘ ｔ−１
μｍ未満に設定した値とピーク位相との関係を示したも
のでろ夕、同図から明らかなように第４の角部１７ａの
パターン幅Ｗｌ ’ｔ、１μｍ未満の値、例えば０．７
μｍ以上１．０μｍの範囲に設定することにより、ピー
ク位相全制御することができる。
第６図および第７図は本発明の他の実施例を示したもの
でるり、第３図と同一部分は同一符号を付しである。第
６図に示すものは、検出器パターン１７の第２の角部１
７ｃのパターン幅ＷＳが他の部分、例えば中央部１７ｂ
のパターン幅Ｗ！に対して１羅未満と小さく （Ｗｓ
＜Ｗｓ ） シて形成されている。また、第７図に示す
ものは、検出器パターン１Ｔの中央部１７ｂのパターン
幅Ｗ！が他の部分、例えば第２の角部１７ａ のパター
ン幅Ｗｌに対して１μｍ未満と小さく （Ｗｔ＜Ｗｓ）
して形成されている。
でるり、第３図と同一部分は同一符号を付しである。第
６図に示すものは、検出器パターン１７の第２の角部１
７ｃのパターン幅ＷＳが他の部分、例えば中央部１７ｂ
のパターン幅Ｗ！に対して１羅未満と小さく （Ｗｓ
＜Ｗｓ ） シて形成されている。また、第７図に示す
ものは、検出器パターン１Ｔの中央部１７ｂのパターン
幅Ｗ！が他の部分、例えば第２の角部１７ａ のパター
ン幅Ｗｌに対して１μｍ未満と小さく （Ｗｔ＜Ｗｓ）
して形成されている。
このような構成においても前述と全く同等の効果が得ら
れる。
れる。
なお、前述した実施例において、パターン幅の小さい部
分ｔ、検出器パターンの角部あるいは中央部に設けｆｃ
場合について説明し次が、本発明はこれに限定されるも
のではなく、いずれの個所に設けても同様の効果が得ら
れ、また複数個所に設けても良くるるいは各種のパター
ン切り欠き形状を組合せて設けても前述と全く同様の効
果が得られる。
分ｔ、検出器パターンの角部あるいは中央部に設けｆｃ
場合について説明し次が、本発明はこれに限定されるも
のではなく、いずれの個所に設けても同様の効果が得ら
れ、また複数個所に設けても良くるるいは各種のパター
ン切り欠き形状を組合せて設けても前述と全く同様の効
果が得られる。
最後に本発明による磁気バブルメモリ素子を内蔵し几磁
気バブルメモリ装置の周辺回路全第８図を用いて説明す
る。同図において、ＭＢＭは情報を読み、書き、貯える
磁気バブルメモリ素子と、磁気バブル全駆動させる面内
回転磁界発生用Ｘ。
気バブルメモリ装置の周辺回路全第８図を用いて説明す
る。同図において、ＭＢＭは情報を読み、書き、貯える
磁気バブルメモリ素子と、磁気バブル全駆動させる面内
回転磁界発生用Ｘ。
Ｙコイルと、バイアス磁界発生用永久磁石板等とから構
成される磁気バブルメモリデバイス（以下ＭＢＭデバイ
スと称する）、ＲＦはＭＢＭデバイスのＸ、Ｙコイルに
９０度位相差の電流を流し回転磁界Ｈｓｔｔｌ−発生さ
せる回路である。ＳＡはＭＢＭデバイスに内蔵されてい
る磁気バブルメモリ素子の前記検出器ラインからの微少
なバブル検出信号を回転磁界のタイミングと外部から印
加されるストローブパルスＩｓｔ とを合わせてサン
プリングし感知、増幅させるセンスアンプである。ＤＲ
はＭＢＭデバイスの書き込みに関係するバブル発生およ
びスワップ並びに読み出しに関係するレプリケートの各
機能導体に所定のタイミングで電流を流す駆動回路でわ
る。以上の回路は回転磁界ＨＲのサイクルおよび位相角
に同期して動作するようにタイミング発生回路ＴＧ Ｋ
工って同期化されている。
成される磁気バブルメモリデバイス（以下ＭＢＭデバイ
スと称する）、ＲＦはＭＢＭデバイスのＸ、Ｙコイルに
９０度位相差の電流を流し回転磁界Ｈｓｔｔｌ−発生さ
せる回路である。ＳＡはＭＢＭデバイスに内蔵されてい
る磁気バブルメモリ素子の前記検出器ラインからの微少
なバブル検出信号を回転磁界のタイミングと外部から印
加されるストローブパルスＩｓｔ とを合わせてサン
プリングし感知、増幅させるセンスアンプである。ＤＲ
はＭＢＭデバイスの書き込みに関係するバブル発生およ
びスワップ並びに読み出しに関係するレプリケートの各
機能導体に所定のタイミングで電流を流す駆動回路でわ
る。以上の回路は回転磁界ＨＲのサイクルおよび位相角
に同期して動作するようにタイミング発生回路ＴＧ Ｋ
工って同期化されている。
以上説明したように本発明によれば、検出器パターンの
一部にパターン＠１．０μｍ未満の部分を設は次ことに
より、出力ピーク位相の制御が可能となり、良好なＳ／
Ｎ特性が得られるという極めて優れた効果を有する。
一部にパターン＠１．０μｍ未満の部分を設は次ことに
より、出力ピーク位相の制御が可能となり、良好なＳ／
Ｎ特性が得られるという極めて優れた効果を有する。
第１図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一実施例
を説明するための平面構成図、第２図は第１図の磁気バ
ブル検出器を示す要部拡大平面図、第３図は第２図の磁
気バブル検出器ラインを示す要部拡大平面図、第４図、
第５図は検出器パターン幅に対するピーク位相の関係を
示す図、第６図、第７図は検出器ラインの他の実施例を
示す要部パターン平面図、第８図は磁気バブルメモリボ
ードの全体回路図を示すブロック図、第９図は従来の磁
気バブル検出器ラインを形成する検出器パターンの要部
平面図、第１０図は磁気バブルの有無により生ずる出力
波形を示す図、第１１図は出力波形にワイドストローブ
パルスをかけて磁気バブルヲ検知するピークホールド再
生方式を説明する図でるる。 ２・・・−リードメジャライン、４・＋１＠・磁気バブ
ル検出器、４Ａ・・・命メイン検出器、４Ｂ・・・・ダ
ミー検出器、１２・Φ・・メイン検出器ライン、１４拳
・・拳ダミー検出器ライン、１７命Φ・・検出器パター
ン、１７ａ・・・・第１の角部、１７ｂφ・・・中央部
、１７Ｃ・・・・第２の角部。 １１１図 コ ｊｍ２図 第３図 第４図 へ〇！−ン昨ｉ（μｍ） 笛５図 １ｇ６図 ≧ シ１
を説明するための平面構成図、第２図は第１図の磁気バ
ブル検出器を示す要部拡大平面図、第３図は第２図の磁
気バブル検出器ラインを示す要部拡大平面図、第４図、
第５図は検出器パターン幅に対するピーク位相の関係を
示す図、第６図、第７図は検出器ラインの他の実施例を
示す要部パターン平面図、第８図は磁気バブルメモリボ
ードの全体回路図を示すブロック図、第９図は従来の磁
気バブル検出器ラインを形成する検出器パターンの要部
平面図、第１０図は磁気バブルの有無により生ずる出力
波形を示す図、第１１図は出力波形にワイドストローブ
パルスをかけて磁気バブルヲ検知するピークホールド再
生方式を説明する図でるる。 ２・・・−リードメジャライン、４・＋１＠・磁気バブ
ル検出器、４Ａ・・・命メイン検出器、４Ｂ・・・・ダ
ミー検出器、１２・Φ・・メイン検出器ライン、１４拳
・・拳ダミー検出器ライン、１７命Φ・・検出器パター
ン、１７ａ・・・・第１の角部、１７ｂφ・・・中央部
、１７Ｃ・・・・第２の角部。 １１１図 コ ｊｍ２図 第３図 第４図 へ〇！−ン昨ｉ（μｍ） 笛５図 １ｇ６図 ≧ シ１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、軟強磁性材料からなりかつ磁気バブルの有無を電気
信号に変換する磁気バブル検出器を備え、該検出器を構
成する検出器ラインのパターンの少なくとも一個所に、
パターン幅１．０μｍ未満の部分を設けたことを特徴と
する磁気バブルメモリ素子。 ２、前記パターン幅を０．７μｍを越え１．０μｍ未満
としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60076354A JPS61236097A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60076354A JPS61236097A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61236097A true JPS61236097A (ja) | 1986-10-21 |
Family
ID=13603024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60076354A Pending JPS61236097A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61236097A (ja) |
-
1985
- 1985-04-12 JP JP60076354A patent/JPS61236097A/ja active Pending
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