JPH067435B2 - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置Info
- Publication number
- JPH067435B2 JPH067435B2 JP190584A JP190584A JPH067435B2 JP H067435 B2 JPH067435 B2 JP H067435B2 JP 190584 A JP190584 A JP 190584A JP 190584 A JP190584 A JP 190584A JP H067435 B2 JPH067435 B2 JP H067435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- current
- rotating magnetic
- coil
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ装置、特に磁気バブルを転送
するために用いられる回転磁界発生用電流駆動回路に係
わるものであり、さらに詳しくは駆動電流波形を一定に
保つための駆動タイミングパルスに関するものである。
するために用いられる回転磁界発生用電流駆動回路に係
わるものであり、さらに詳しくは駆動電流波形を一定に
保つための駆動タイミングパルスに関するものである。
一般に、磁気バブルメモリデバイスにおいて、磁気バブ
ルを転送するために、磁気バブルの存在する磁性薄膜面
内で回転する磁界（以下回転磁界と称する）を加えるこ
とが必要である。そして、この回転磁界を発生するには
第１図ａに示すように互いに直交して巻設された２組の
回転磁界発生用コイル（以下コイルと称する）に９０°
位相の異なる正弦波電流，三角波電流または台形波電流
を流す方法が用いられている。三角波による駆動の場合
を例にとって説明すると、第１図ａのＸコイル１０およ
びＹコイル２０に同図ｂに示すようなＸ電流ＩＸをＹ電
流ＩＹに対して９０°進んだ位相で流すと、反時計方向
に回転する回転磁界を発生することができる。
ルを転送するために、磁気バブルの存在する磁性薄膜面
内で回転する磁界（以下回転磁界と称する）を加えるこ
とが必要である。そして、この回転磁界を発生するには
第１図ａに示すように互いに直交して巻設された２組の
回転磁界発生用コイル（以下コイルと称する）に９０°
位相の異なる正弦波電流，三角波電流または台形波電流
を流す方法が用いられている。三角波による駆動の場合
を例にとって説明すると、第１図ａのＸコイル１０およ
びＹコイル２０に同図ｂに示すようなＸ電流ＩＸをＹ電
流ＩＹに対して９０°進んだ位相で流すと、反時計方向
に回転する回転磁界を発生することができる。
通常、磁気バブルは、常時回転磁界によって転送されて
いるだけでなく、磁気バブルを使用しないときは回転磁
界を停止して磁気バブルを停止させておくことがある。
このような場合、磁気バブルを停止させて再スタートさ
せることになるが、従来の磁気バブルメモリ装置におい
ては、この際も回転磁界駆動タイミングパルスは、定常
状態におけると同様のものが印加されていた。しかしな
がら、このような従来の磁気バブルメモリ装置において
は再スタート時回転磁界電流が小さくなってしまい安定
な動作が得られないという問題点があった。
いるだけでなく、磁気バブルを使用しないときは回転磁
界を停止して磁気バブルを停止させておくことがある。
このような場合、磁気バブルを停止させて再スタートさ
せることになるが、従来の磁気バブルメモリ装置におい
ては、この際も回転磁界駆動タイミングパルスは、定常
状態におけると同様のものが印加されていた。しかしな
がら、このような従来の磁気バブルメモリ装置において
は再スタート時回転磁界電流が小さくなってしまい安定
な動作が得られないという問題点があった。
第２図は三角波駆動回路の一例、第３図は従来方法によ
るその回路への入力信号パルスと出力波形の関係を示す
ものである。先ずコイル５に図示の＋方向に電流を流す
にはコイルプリドライバ（ＣＰＤ）８に＋ＯＮ信号を入
力すると、コイルドプリドライバ８からＭＯＳＦＥＴ１
およびＭＯＳＦＥＴ２をＯＮにするに必要な信号が出力
されて、電流は電源ＶＲからＭＯＳＦＥＴ１→コイル５
→ＭＯＳＦＥＴ２の方向に流れる。この時流れる電流は
ほぼ直線的に電流値が増え、電流値ＩＬは、 ここで、ＶＲ：電源電圧 Ｌ：コイル５のインダクタンス ｔ：時間 で表わされる。ついで＋ＯＮ信号が０に戻るとコイル５
のインダクタンスのため、まだ電流が流れ続けようとす
るため、ＭＯＳＦＥＴ３およびＭＯＳＦＥＴ４の寄生サ
ブストレートダイオードを通してコイル５に蓄積されて
いたエネルギーを放出するのでＭＯＳＦＥＴ４（ダイオ
ード）→コイル５→ＭＯＳＦＥＴ３（ダイオード）の経
路で電流は流れ、かつその値は次第に減少してゆき、つ
いには０に戻る。同様にコイル５に−方向に電流を流す
にはコイルプリドライバ８に−ＯＮ信号を入力すること
により行われる。
るその回路への入力信号パルスと出力波形の関係を示す
ものである。先ずコイル５に図示の＋方向に電流を流す
にはコイルプリドライバ（ＣＰＤ）８に＋ＯＮ信号を入
力すると、コイルドプリドライバ８からＭＯＳＦＥＴ１
およびＭＯＳＦＥＴ２をＯＮにするに必要な信号が出力
されて、電流は電源ＶＲからＭＯＳＦＥＴ１→コイル５
→ＭＯＳＦＥＴ２の方向に流れる。この時流れる電流は
ほぼ直線的に電流値が増え、電流値ＩＬは、 ここで、ＶＲ：電源電圧 Ｌ：コイル５のインダクタンス ｔ：時間 で表わされる。ついで＋ＯＮ信号が０に戻るとコイル５
のインダクタンスのため、まだ電流が流れ続けようとす
るため、ＭＯＳＦＥＴ３およびＭＯＳＦＥＴ４の寄生サ
ブストレートダイオードを通してコイル５に蓄積されて
いたエネルギーを放出するのでＭＯＳＦＥＴ４（ダイオ
ード）→コイル５→ＭＯＳＦＥＴ３（ダイオード）の経
路で電流は流れ、かつその値は次第に減少してゆき、つ
いには０に戻る。同様にコイル５に−方向に電流を流す
にはコイルプリドライバ８に−ＯＮ信号を入力すること
により行われる。
ここでコイル５の電流が定常状態で流れている場合に
は、浮遊容量Ｃs1６およびＣs2７においては、電流の流
れる方向により＋ＯＮ信号、−ＯＮ信号の直前で各々そ
の電位，電荷は常に一定の状態となっている。しかしス
タートサイクルではコイル端の電圧は回路のインピーダ
ンスにより定まる電位となる（通常は０電位）。この状
態では回転磁界電流を流し始めると浮遊容量Ｃs1６およ
びＣs2７をチャージアップする分だけ、電流を流す力が
弱くなりスタート時のコイル５の電流すなわち回転磁界
用電流が少なくなってしまう。すなわち第３図におい
て、スタート時の回転磁界電流のピーク値ＩPSは定常状
態で動作時の回転磁界電流のピーク値ＩＰよりも小さく
なって、スタート時の動作マージンが低下してしまうと
いう問題点があった。
は、浮遊容量Ｃs1６およびＣs2７においては、電流の流
れる方向により＋ＯＮ信号、−ＯＮ信号の直前で各々そ
の電位，電荷は常に一定の状態となっている。しかしス
タートサイクルではコイル端の電圧は回路のインピーダ
ンスにより定まる電位となる（通常は０電位）。この状
態では回転磁界電流を流し始めると浮遊容量Ｃs1６およ
びＣs2７をチャージアップする分だけ、電流を流す力が
弱くなりスタート時のコイル５の電流すなわち回転磁界
用電流が少なくなってしまう。すなわち第３図におい
て、スタート時の回転磁界電流のピーク値ＩPSは定常状
態で動作時の回転磁界電流のピーク値ＩＰよりも小さく
なって、スタート時の動作マージンが低下してしまうと
いう問題点があった。
本発明は従来のこのような問題点を解消するためになさ
れたもので、その目的とするところは、回転磁界発生電
流波形を常に一定にし、安定で動作マージンの広い磁気
バブルメモリ装置を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、回転磁界発生電
流波形を常に一定にし、安定で動作マージンの広い磁気
バブルメモリ装置を提供することにある。
本発明はこのような目的を達成するために、磁気バブル
メモリ装置の回転磁界用電流回路の浮遊容量によるスタ
ート時の回転磁界電流値の減少を、駆動タイミングパル
ス幅により補償し、回転磁界発生用電流波形を一定に保
つものである。
メモリ装置の回転磁界用電流回路の浮遊容量によるスタ
ート時の回転磁界電流値の減少を、駆動タイミングパル
ス幅により補償し、回転磁界発生用電流波形を一定に保
つものである。
以下、実施例にもとづいて本発明を詳細に説明する。
第２図の三角波駆動回路において、コイルプリドライバ
８に入力する＋ＯＮ信号の波形を第４図に示す如く、ス
タート時のみ、定常状態動作時のパルスよりも△Ｔだけ
パルス幅が広く、しかも定常動作時のパルスに比し、そ
の位相も△Ｔだけ早い動作パルスとすることにより、時
間△Ｔの間に浮遊容量Ｃs1６およびＣs2７がチャージア
ップされるので、スタート時においてもその回転磁界電
流のピーク値は、定常動作時の回転磁界電流のピーク値
と同じにすることができる。
８に入力する＋ＯＮ信号の波形を第４図に示す如く、ス
タート時のみ、定常状態動作時のパルスよりも△Ｔだけ
パルス幅が広く、しかも定常動作時のパルスに比し、そ
の位相も△Ｔだけ早い動作パルスとすることにより、時
間△Ｔの間に浮遊容量Ｃs1６およびＣs2７がチャージア
ップされるので、スタート時においてもその回転磁界電
流のピーク値は、定常動作時の回転磁界電流のピーク値
と同じにすることができる。
ここでスタート時の＋ＯＮ信号パルスのパルス幅の増加
分△Ｔは、各々の回転例における浮遊容量値Ｃs1，Ｃs2
を勘案して適宜決定すればよいことは勿論である。
分△Ｔは、各々の回転例における浮遊容量値Ｃs1，Ｃs2
を勘案して適宜決定すればよいことは勿論である。
このように、本発明においては、磁気バブル転送のため
の回転磁界発生用電流回路のための動作パルスを、スタ
ート時においては、そのパルス幅およびタイミングを定
常動作時のそれと変えることにより、回転磁界発生用電
流波形を常に一定にすることができる。
の回転磁界発生用電流回路のための動作パルスを、スタ
ート時においては、そのパルス幅およびタイミングを定
常動作時のそれと変えることにより、回転磁界発生用電
流波形を常に一定にすることができる。
なお本実施例においては、回転磁界発生用電流回路のス
イッチ素子にＭＯＳＦＥＴを、電流波形を三角波電流と
したが、本発明はこれらに限定されることなく、スイッ
チ素子はバイポーラトランジスタ（＋逆方向電流用ダイ
オード）、電流波形は台形波電流，正弦波電流としても
上記同様の本発明の効果が得られることは殊に説明する
までもなく明らかである。
イッチ素子にＭＯＳＦＥＴを、電流波形を三角波電流と
したが、本発明はこれらに限定されることなく、スイッ
チ素子はバイポーラトランジスタ（＋逆方向電流用ダイ
オード）、電流波形は台形波電流，正弦波電流としても
上記同様の本発明の効果が得られることは殊に説明する
までもなく明らかである。
また上記パルス幅およびタイミングによる浮遊容量の補
償は、回転磁界発生用コイルのうち、Ｘコイル，Ｙコイ
ルの一方あるいはＸコイル，Ｙコイル双方に、その磁気
バブルメモリ装置の目的，用途に応じて使い分け適用す
ればよい。
償は、回転磁界発生用コイルのうち、Ｘコイル，Ｙコイ
ルの一方あるいはＸコイル，Ｙコイル双方に、その磁気
バブルメモリ装置の目的，用途に応じて使い分け適用す
ればよい。
このように本発明に係る磁気バブルメモリ装置による
と、回転磁界発生用電流の波形をスタート時，定常動作
時の如何に拘らず常に一定にできるので、回転磁界のス
タート時においても、磁気バブルメモリ装置の動作マー
ジンの低下を防止でき安定な動作領域が広くなる効果が
ある。
と、回転磁界発生用電流の波形をスタート時，定常動作
時の如何に拘らず常に一定にできるので、回転磁界のス
タート時においても、磁気バブルメモリ装置の動作マー
ジンの低下を防止でき安定な動作領域が広くなる効果が
ある。
第１図ａ，ｂは磁気バブルメモリ装置に用いられるＸコ
イルおよびＹコイルの要部斜視図およびその電流波形
図、第２図は回転磁界用電流回路の一例を示す要部回路
図、第３図は従来の回転磁界駆動パルス，回転磁界発生
用電流およびコイル端電圧を示す図、第４図は本発明に
よる回転磁界駆動パルス，回転磁界発生用電流およびコ
イル端電圧を示す図である。 １，２，３，４……ＭＯＳＦＥＴ、５……回転磁界発生
用コイル、６，７……浮遊容量、８……コイルプリドラ
イバ、１０，２０……回転磁界発生用コイル。
イルおよびＹコイルの要部斜視図およびその電流波形
図、第２図は回転磁界用電流回路の一例を示す要部回路
図、第３図は従来の回転磁界駆動パルス，回転磁界発生
用電流およびコイル端電圧を示す図、第４図は本発明に
よる回転磁界駆動パルス，回転磁界発生用電流およびコ
イル端電圧を示す図である。 １，２，３，４……ＭＯＳＦＥＴ、５……回転磁界発生
用コイル、６，７……浮遊容量、８……コイルプリドラ
イバ、１０，２０……回転磁界発生用コイル。
Claims (1)
- 【請求項１】磁気バブルを転送するための回転磁界発生
用コイルおよび該コイルをブリッジ形式で駆動するため
の４個のＭＯＳＦＥＴを含む電流回路を備える磁気バブ
ルメモリ装置において、上記ＭＯＳＦＥＴの浮遊容量の
影響を補償するため、上記ＭＯＳＦＥＴの駆動パルスの
前縁を、回転磁界定常動作時よりも回転磁界スタート時
において時間的に早く位置させることにより、前記駆動
パルスの幅を、回転磁界定常動作時よりも回転磁界スタ
ート時において広くしたことを特徴とする磁気バブルメ
モリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP190584A JPH067435B2 (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 磁気バブルメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP190584A JPH067435B2 (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 磁気バブルメモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60147994A JPS60147994A (ja) | 1985-08-05 |
| JPH067435B2 true JPH067435B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=11514590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP190584A Expired - Lifetime JPH067435B2 (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067435B2 (ja) |
-
1984
- 1984-01-11 JP JP190584A patent/JPH067435B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60147994A (ja) | 1985-08-05 |
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