JPH0675313B2 - 光磁気記録媒体用ピックアップ - Google Patents
光磁気記録媒体用ピックアップInfo
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- JPH0675313B2 JPH0675313B2 JP62247320A JP24732087A JPH0675313B2 JP H0675313 B2 JPH0675313 B2 JP H0675313B2 JP 62247320 A JP62247320 A JP 62247320A JP 24732087 A JP24732087 A JP 24732087A JP H0675313 B2 JPH0675313 B2 JP H0675313B2
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- light guide
- recording medium
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10541—Heads for reproducing
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- G—PHYSICS
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/0908—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for focusing only
- G11B7/0916—Foucault or knife-edge methods
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気ディスク等の光磁気記録媒体に記録さ
れている信号を読み取るためのピックアップ、特に詳細
にはライトガイドを用いて小型軽量に形成されうるピッ
クアップに関するものである。
れている信号を読み取るためのピックアップ、特に詳細
にはライトガイドを用いて小型軽量に形成されうるピッ
クアップに関するものである。
（従来の技術） 近時、画像信号や音声信号等の記録媒体として、光磁気
ディスク等の光磁気記録媒体が広く実用に供されてい
る。この光磁気記録媒体に磁化の向きの形で記録されて
いる信号は、光学式のピックアップによって読み取られ
る。このピックアップは、例えばレーザ光等の直線偏光
光を光磁気記録媒体表面に照射し、該記録媒体において
反射した光の偏光面が磁化の向きに対応して回転する現
象（磁気カー効果）を利用して、記録媒体上の磁化の向
きを検出するようにしたものである。
ディスク等の光磁気記録媒体が広く実用に供されてい
る。この光磁気記録媒体に磁化の向きの形で記録されて
いる信号は、光学式のピックアップによって読み取られ
る。このピックアップは、例えばレーザ光等の直線偏光
光を光磁気記録媒体表面に照射し、該記録媒体において
反射した光の偏光面が磁化の向きに対応して回転する現
象（磁気カー効果）を利用して、記録媒体上の磁化の向
きを検出するようにしたものである。
具体的にこの光磁気記録媒体用ピックアップにおいて
は、記録媒体からの反射光を検光子を通して光検出器に
より検出し、該反射光の偏光面回転に応じて検出光量が
変化することを利用して上記磁化の向き、すなわち記録
情報を読み取るようにしている。またこのピックアップ
においては、上述のようにして記録情報読取りを行なう
とともに、トラッキングエラー検出、つまり磁化状態検
出のための光ビームが所定のグループに沿ったトラック
の中心から左右どちら側にずれて照射されているかを検
出するための機能、およびフォーカスエラー検出、つま
り上記光ビームの焦点が光磁気記録媒体の反射面よりも
近くにあるかあるいは遠くにあるかを検出するための機
能を備えることが求められる。すなわちこのトラッキン
グエラー、フォーカスエラーの検出信号は、該信号が打
ち消されるようにトラッキング制御、フォーカス制御を
かけて、光ビームを所定のトラックに正しく照射するた
め、また該光ビームを光磁気記録媒体の反射面上で正し
く合焦させるために利用される。なお従来より、トラッ
キングエラー検出方法としてプッシュプル法、ヘテロダ
イン法、時間差検出法等が知られており、一方フォーカ
スエラー検出方法としては、非点収差法、臨界角検出
法、フーコー法等が知られている。
は、記録媒体からの反射光を検光子を通して光検出器に
より検出し、該反射光の偏光面回転に応じて検出光量が
変化することを利用して上記磁化の向き、すなわち記録
情報を読み取るようにしている。またこのピックアップ
においては、上述のようにして記録情報読取りを行なう
とともに、トラッキングエラー検出、つまり磁化状態検
出のための光ビームが所定のグループに沿ったトラック
の中心から左右どちら側にずれて照射されているかを検
出するための機能、およびフォーカスエラー検出、つま
り上記光ビームの焦点が光磁気記録媒体の反射面よりも
近くにあるかあるいは遠くにあるかを検出するための機
能を備えることが求められる。すなわちこのトラッキン
グエラー、フォーカスエラーの検出信号は、該信号が打
ち消されるようにトラッキング制御、フォーカス制御を
かけて、光ビームを所定のトラックに正しく照射するた
め、また該光ビームを光磁気記録媒体の反射面上で正し
く合焦させるために利用される。なお従来より、トラッ
キングエラー検出方法としてプッシュプル法、ヘテロダ
イン法、時間差検出法等が知られており、一方フォーカ
スエラー検出方法としては、非点収差法、臨界角検出
法、フーコー法等が知られている。
信号読取機能に加えて上述のような機能を備えるために
従来の光磁気記録媒体用ピックアップは、光磁気記録媒
体において反射したビームを、該媒体に向けて照射され
ている光ビームから分離するためのビームスプリッタ
や、この反射ビームをフォトダイオード等の光検出器の
近傍で集束させるためのレンズや、前述の検光子や、さ
らには上記トラッキングエラー検出方法およびフォーカ
スエラー検出方法を実行するためのプリズム等の微小光
学素子から構成されていた。
従来の光磁気記録媒体用ピックアップは、光磁気記録媒
体において反射したビームを、該媒体に向けて照射され
ている光ビームから分離するためのビームスプリッタ
や、この反射ビームをフォトダイオード等の光検出器の
近傍で集束させるためのレンズや、前述の検光子や、さ
らには上記トラッキングエラー検出方法およびフォーカ
スエラー検出方法を実行するためのプリズム等の微小光
学素子から構成されていた。
（発明が解決しようとする問題点） しかし上記のような微小光学素子は精密な加工を要し、
またピックアップ組立てに際しての相互の位置調整も面
倒であるので、このような光学素子を用いるピックアッ
プは必然的に高価なものとなっていた。さらにこのよう
な構成のピックアップは、大型で重いものとなるので、
読取装置の小型軽量化や、アクセスタイム短縮化の点で
不利なものとなっていた。特に、読取信号のS/N向上の
ために差動検出を実行する場合には、反射ビームを２本
に分割するためのハーフミラー等が必要になり、その上
差動検出光学系によっては検光子を２個必要とすること
もあるので、ピックアップはより一層複雑化し、大型で
重いものとなる。
またピックアップ組立てに際しての相互の位置調整も面
倒であるので、このような光学素子を用いるピックアッ
プは必然的に高価なものとなっていた。さらにこのよう
な構成のピックアップは、大型で重いものとなるので、
読取装置の小型軽量化や、アクセスタイム短縮化の点で
不利なものとなっていた。特に、読取信号のS/N向上の
ために差動検出を実行する場合には、反射ビームを２本
に分割するためのハーフミラー等が必要になり、その上
差動検出光学系によっては検光子を２個必要とすること
もあるので、ピックアップはより一層複雑化し、大型で
重いものとなる。
上記の不具合を解消するため従来より、例えば非球面レ
ンズ等の特殊な光学素子を用いてピックアップの構成を
簡素化する試みも種々なされている。しかしこの種の光
学素子は特に高価であるので、このような素子を用いる
ピックアップは、構成は簡素化されても、コストの点で
は前述のようなピックアップとさほど変わり無いものと
なっている。
ンズ等の特殊な光学素子を用いてピックアップの構成を
簡素化する試みも種々なされている。しかしこの種の光
学素子は特に高価であるので、このような素子を用いる
ピックアップは、構成は簡素化されても、コストの点で
は前述のようなピックアップとさほど変わり無いものと
なっている。
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであ
り、小型軽量で、しかも極めて安価に形成されうる光磁
気記録媒体用ピックアップを提供することを目的とする
ものである。
り、小型軽量で、しかも極めて安価に形成されうる光磁
気記録媒体用ピックアップを提供することを目的とする
ものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明の光磁気記録媒体用ピックアップは、先に述べた
ビームスプリッタ、レンズ、プリズム、検光子などが果
たす作用を、集光性回折格子を備えたライトガイドによ
って得るようにしたものであり、具体的には、 光ディスク等の光磁気記録媒体の表面に直線偏光した光
ビームを照射する光源と、 上記光ビームを光磁気記録媒体の反射面上で集束させる
対物レンズと、 光磁気記録媒体で反射した反射ビームを一表面で受ける
ような向きに配置されたライトガイドとを設け、 このライトガイドの反射ビーム照射位置には、それぞれ
上記反射ビームを該ライトガイド内に入射させる第1,第
２の集光性回折格子を並設し、 これら第1,第２の集光性回折格子は、ライトガイドを照
射する反射ビームの略中心を通りかつ上記一表面上をト
ラッキング方向に略直角に延びる軸をはさんで並び、そ
れぞれが反射ビームを上記一表面とそれに対向する他表
面との間で全反射を繰り返して端面側に進行する向きで
該ライトガイド内に入射させ、そして該ライトガイド内
を進行する反射ビームを上記軸をはさんで互いに離れた
位置に各々集束させるように形成し、 一方ライトガイドには、上述のように全反射を繰り返し
て進行する反射ビームのブリュースタ角で入射する向き
に形成された端面を設け、 また少なくともこの端面を透過した２系統の前記反射ビ
ーム（つまり第1,第２の集光性回折格子によりそれぞれ
集束される反射ビーム）、またはこの端面で反射した２
系統の前記反射ビームを検出する複数の光検出器を設
け、 さらにこれらの光検出器の出力に基づいてトラッキング
エラーとフォーカスエラー検出を行なうエラー検出回路
と、 上記光検出器の出力に基づいて記録情報を検出する信号
検出回路とを設けてなるものである。
ビームスプリッタ、レンズ、プリズム、検光子などが果
たす作用を、集光性回折格子を備えたライトガイドによ
って得るようにしたものであり、具体的には、 光ディスク等の光磁気記録媒体の表面に直線偏光した光
ビームを照射する光源と、 上記光ビームを光磁気記録媒体の反射面上で集束させる
対物レンズと、 光磁気記録媒体で反射した反射ビームを一表面で受ける
ような向きに配置されたライトガイドとを設け、 このライトガイドの反射ビーム照射位置には、それぞれ
上記反射ビームを該ライトガイド内に入射させる第1,第
２の集光性回折格子を並設し、 これら第1,第２の集光性回折格子は、ライトガイドを照
射する反射ビームの略中心を通りかつ上記一表面上をト
ラッキング方向に略直角に延びる軸をはさんで並び、そ
れぞれが反射ビームを上記一表面とそれに対向する他表
面との間で全反射を繰り返して端面側に進行する向きで
該ライトガイド内に入射させ、そして該ライトガイド内
を進行する反射ビームを上記軸をはさんで互いに離れた
位置に各々集束させるように形成し、 一方ライトガイドには、上述のように全反射を繰り返し
て進行する反射ビームのブリュースタ角で入射する向き
に形成された端面を設け、 また少なくともこの端面を透過した２系統の前記反射ビ
ーム（つまり第1,第２の集光性回折格子によりそれぞれ
集束される反射ビーム）、またはこの端面で反射した２
系統の前記反射ビームを検出する複数の光検出器を設
け、 さらにこれらの光検出器の出力に基づいてトラッキング
エラーとフォーカスエラー検出を行なうエラー検出回路
と、 上記光検出器の出力に基づいて記録情報を検出する信号
検出回路とを設けてなるものである。
上記集光性回折格子は、曲りとチャープ、または曲りを
有する回折格子であり、入射光を回折してライトガイド
内に入射させ、またこの回折された光を集束させる。
有する回折格子であり、入射光を回折してライトガイド
内に入射させ、またこの回折された光を集束させる。
（作用） 光磁気記録媒体からの反射ビームを上記の集光性回折格
子によってライトガイド内に取り込むことにより、該反
射ビームは光源から光磁気記録媒体に向かう光ビームの
光路から分離される。これは前述のビームスプリッタが
果たす作用と同じである。また集光性回折格子はライト
ガイド内で反射ビームを集束させるが、これは前述のレ
ンズが果たす作用と同じである。さらに第１および第２
の集光性回折格子が２個前述のような位置に配されてい
るから、光磁気記録媒体からの反射ビームは互いにトラ
ッキング方向に分離されて２箇所で集束する。これは前
述のプリズムが果たす作用と同じである。
子によってライトガイド内に取り込むことにより、該反
射ビームは光源から光磁気記録媒体に向かう光ビームの
光路から分離される。これは前述のビームスプリッタが
果たす作用と同じである。また集光性回折格子はライト
ガイド内で反射ビームを集束させるが、これは前述のレ
ンズが果たす作用と同じである。さらに第１および第２
の集光性回折格子が２個前述のような位置に配されてい
るから、光磁気記録媒体からの反射ビームは互いにトラ
ッキング方向に分離されて２箇所で集束する。これは前
述のプリズムが果たす作用と同じである。
また前記ブリュースタ角は、ライトガイドの屈折率を
n1、前記端面を界面としてライトガイドに隣接している
媒質の屈折率をn2としたとき、 αB＝tan-1（n2／n1） なる角度αBであり、直線偏光した反射ビームがこのブ
リュースタ角で上記端面に入射すると、所定の反射率で
そのＳ偏光成分の一部のみが反射し、その他のＳ偏光成
分およびＰ偏光成分は該端面を透過する。したがって、
例えば上記端面で反射した前記反射ビームの光量を検出
すれば、該端面で分離する前の反射ビーム中のＳ偏光成
分の割合（つまり偏光の向き）、ひいては光磁気記録媒
体の記録情報が読み取れることになる。すなわち上記ラ
イトガイド端面により、前述のハーフミラー等が果たす
ビーム分割作用が得られるとともに、前述の検光子が果
たす作用が得られる。
n1、前記端面を界面としてライトガイドに隣接している
媒質の屈折率をn2としたとき、 αB＝tan-1（n2／n1） なる角度αBであり、直線偏光した反射ビームがこのブ
リュースタ角で上記端面に入射すると、所定の反射率で
そのＳ偏光成分の一部のみが反射し、その他のＳ偏光成
分およびＰ偏光成分は該端面を透過する。したがって、
例えば上記端面で反射した前記反射ビームの光量を検出
すれば、該端面で分離する前の反射ビーム中のＳ偏光成
分の割合（つまり偏光の向き）、ひいては光磁気記録媒
体の記録情報が読み取れることになる。すなわち上記ラ
イトガイド端面により、前述のハーフミラー等が果たす
ビーム分割作用が得られるとともに、前述の検光子が果
たす作用が得られる。
（実施例） 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の第１実施例による光磁気記録媒体用ピ
ックアップを示すものであり、第２図はこのピックアッ
プのライトガイドの平面形状と電気回路を示すものであ
る。第１図に示されるようにこのピックアップは、紙面
に略垂直な方向に延びるロッド11,11に沿って移動自在
とされたブロック12を有している。このブロック12は所
定のグルーブに沿って信号例（トラック）に追随するた
めに、例えば精密送りネジと光学系送りモータ等によ
り、上記トラックの方向（ビーム照射位置において矢印
Ｕ方向）に直角な方向、あるいはそれに近い方向に移動
されるようになっている。
ックアップを示すものであり、第２図はこのピックアッ
プのライトガイドの平面形状と電気回路を示すものであ
る。第１図に示されるようにこのピックアップは、紙面
に略垂直な方向に延びるロッド11,11に沿って移動自在
とされたブロック12を有している。このブロック12は所
定のグルーブに沿って信号例（トラック）に追随するた
めに、例えば精密送りネジと光学系送りモータ等によ
り、上記トラックの方向（ビーム照射位置において矢印
Ｕ方向）に直角な方向、あるいはそれに近い方向に移動
されるようになっている。
上記ブロック12には、光磁気ディスク13の反射面14に向
けて直線偏光した光ビーム（レーザビーム）15を発する
半導体レーザ16と、該半導体レーザ16から発せられた発
散ビームを平行ビームにするコリメータレンズ17と、平
行ビームとされた光ビーム15を上記反射面14上で集束さ
せる対物レンズ18とが取り付けられている。この対物レ
ンズ18は後に詳述するトラッキング制御、フォーカス制
御のために、トラッキング方向（矢印Ｕ方向に直角な方
向）およびフォーカス方向（矢印Ｖ方向）に移動可能に
支持され、トラッキングコイル19、フォーカスコイル20
によりそれぞれ上記の方向に移動されるようになってい
る。
けて直線偏光した光ビーム（レーザビーム）15を発する
半導体レーザ16と、該半導体レーザ16から発せられた発
散ビームを平行ビームにするコリメータレンズ17と、平
行ビームとされた光ビーム15を上記反射面14上で集束さ
せる対物レンズ18とが取り付けられている。この対物レ
ンズ18は後に詳述するトラッキング制御、フォーカス制
御のために、トラッキング方向（矢印Ｕ方向に直角な方
向）およびフォーカス方向（矢印Ｖ方向）に移動可能に
支持され、トラッキングコイル19、フォーカスコイル20
によりそれぞれ上記の方向に移動されるようになってい
る。
上記コリメータレンズ17と対物レンズ18との間には、光
磁気ディスク13で反射した反射ビーム15′を表面29aで
受けるような向きにして、例えば光学ガラスからなる平
板状のライトガイド29が配置されている。また上記反射
ビーム15′が照射される位置においてライトガイド29の
表面29aには、第1,第２の集光性回折格子（Focusing Gr
ating:以下、FGと称する）31,32が相隣接して設けられ
ている（第２図参照）。これらのFG31,32は曲りとチャ
ープ、あるいは曲りを有する回折格子であり、それぞれ
が反射ビーム15′を回折させてライトガイド29内に入射
させ、該ライトガイド29内をその一表面29aと他表面29b
との間で全反射を繰り返して端面側に進行させ、そして
一点で集束させるように形成されている。第1,第２のFG
31,32は、前述のトラッキング方向に対して直角で反射
ビーム15′のほぼ中心を通るライトガイド29上の軸（第
２図のｙ軸）をはさんで並設され、またそれぞれがこの
ｙ軸をはさんで互いに離れた位置に反射ビーム15′を集
束させるように形成されている。
磁気ディスク13で反射した反射ビーム15′を表面29aで
受けるような向きにして、例えば光学ガラスからなる平
板状のライトガイド29が配置されている。また上記反射
ビーム15′が照射される位置においてライトガイド29の
表面29aには、第1,第２の集光性回折格子（Focusing Gr
ating:以下、FGと称する）31,32が相隣接して設けられ
ている（第２図参照）。これらのFG31,32は曲りとチャ
ープ、あるいは曲りを有する回折格子であり、それぞれ
が反射ビーム15′を回折させてライトガイド29内に入射
させ、該ライトガイド29内をその一表面29aと他表面29b
との間で全反射を繰り返して端面側に進行させ、そして
一点で集束させるように形成されている。第1,第２のFG
31,32は、前述のトラッキング方向に対して直角で反射
ビーム15′のほぼ中心を通るライトガイド29上の軸（第
２図のｙ軸）をはさんで並設され、またそれぞれがこの
ｙ軸をはさんで互いに離れた位置に反射ビーム15′を集
束させるように形成されている。
そしてライトガイド29は、反射ビーム15′の直線偏光方
向（矢印Ｈ方向）とｘ軸とが角度φ（通常10〜45°程
度）をなす向きに配置されている。なおFG31,32は、ラ
イトガイド29の表面29aとは反対側の表面29bに設けられ
てもよい。
向（矢印Ｈ方向）とｘ軸とが角度φ（通常10〜45°程
度）をなす向きに配置されている。なおFG31,32は、ラ
イトガイド29の表面29aとは反対側の表面29bに設けられ
てもよい。
上記のような作用を果たすFG31,32のｍ番目の格子パタ
ーン形状式は、空間座標を第２図図示のｘ軸（トラッキ
ング方向軸）とｙ軸、およびこれらの軸の交点を通り両
軸と直角なｚ軸とによって規定してFG31,32によるビー
ム集束位置（第１図に点Ｋで示すように、ライトガイド
29内における全反射が無い場合の集束位置とする）の座
標をそれぞれ（−Fx,Fy,Fz）、（Fx,Fy,Fz）とし、ライ
トガイド29の屈折率をn1とし、そして反射ビーム15′の
光波長をλとすると、 で与えられる。
ーン形状式は、空間座標を第２図図示のｘ軸（トラッキ
ング方向軸）とｙ軸、およびこれらの軸の交点を通り両
軸と直角なｚ軸とによって規定してFG31,32によるビー
ム集束位置（第１図に点Ｋで示すように、ライトガイド
29内における全反射が無い場合の集束位置とする）の座
標をそれぞれ（−Fx,Fy,Fz）、（Fx,Fy,Fz）とし、ライ
トガイド29の屈折率をn1とし、そして反射ビーム15′の
光波長をλとすると、 で与えられる。
上記FG31,32は、ライトガイド29上にSi-NをPCVDにて製
膜し、電子ビーム直接描画によりレジストパターンを形
成した後、RIEでSi-N膜に転写する、等の方法によって
形成することができる。
膜し、電子ビーム直接描画によりレジストパターンを形
成した後、RIEでSi-N膜に転写する、等の方法によって
形成することができる。
ライトガイド29には、反射ビーム15′の集束位置に近い
部分において、斜めにカットされた端面29fが設けられ
ている。この端面29fには、ライトガイド29の材料より
も低屈折率の材料からなる透光部材22が密着固定されて
いる。つまりこの端面29fは、ライトガイド29と透光部
材22の界面となっている。また上記ライトガイド端面29
fは、反射ビーム15′がブリュースタ角αBで入射する角
度に形成されている。このブリュースタ角αBは前述の
通り、ライトガイド29の屈折率をn1、透光部材22の屈折
率をn2としたとき、 αB＝tan-1（n2／n1） の角度である。第９図は一例としてn1＝1.5、n2＝1.0の
場合の、反射ビーム15′の端面29fへの入射角αと、該
端面29fでの透過、反射率との関係を反射ビーム15′の
Ｐ偏光成分、Ｓ偏光成分毎に示すものである。図中Tp、
TpがそれぞれＰ偏光成分の透過率、反射率を示し、TS、
RSがそれぞれＳ偏光成分の透過率、反射率を示してい
る。図示されるように反射ビーム15′が上記ブリュース
タ角αBで端面29fに入射する場合は、該端面29fにおけ
るＰ偏光成分の反射率Rpは０（ゼロ）となる。したがっ
てこの端面29fで反射した反射ビーム15RはＳ偏光成分の
みからなり、一方該端面29fを透過した反射ビーム15T
は、Ｐ偏光成分、Ｓ偏光成分の双方を含むものとなる。
端面29fに入射する光は集束光ではあるが、集光性回折
格子の集光パワーは小さいので、ここではほぼ平行な光
束とみなしてよい。従って、ブリュースタ角による検光
機能が達成される。
部分において、斜めにカットされた端面29fが設けられ
ている。この端面29fには、ライトガイド29の材料より
も低屈折率の材料からなる透光部材22が密着固定されて
いる。つまりこの端面29fは、ライトガイド29と透光部
材22の界面となっている。また上記ライトガイド端面29
fは、反射ビーム15′がブリュースタ角αBで入射する角
度に形成されている。このブリュースタ角αBは前述の
通り、ライトガイド29の屈折率をn1、透光部材22の屈折
率をn2としたとき、 αB＝tan-1（n2／n1） の角度である。第９図は一例としてn1＝1.5、n2＝1.0の
場合の、反射ビーム15′の端面29fへの入射角αと、該
端面29fでの透過、反射率との関係を反射ビーム15′の
Ｐ偏光成分、Ｓ偏光成分毎に示すものである。図中Tp、
TpがそれぞれＰ偏光成分の透過率、反射率を示し、TS、
RSがそれぞれＳ偏光成分の透過率、反射率を示してい
る。図示されるように反射ビーム15′が上記ブリュース
タ角αBで端面29fに入射する場合は、該端面29fにおけ
るＰ偏光成分の反射率Rpは０（ゼロ）となる。したがっ
てこの端面29fで反射した反射ビーム15RはＳ偏光成分の
みからなり、一方該端面29fを透過した反射ビーム15T
は、Ｐ偏光成分、Ｓ偏光成分の双方を含むものとなる。
端面29fに入射する光は集束光ではあるが、集光性回折
格子の集光パワーは小さいので、ここではほぼ平行な光
束とみなしてよい。従って、ブリュースタ角による検光
機能が達成される。
透光部材22には、上記ライトガイド端面29fを透過した
反射ビーム15Tの光路部分において斜めにカットされた
端面22aが設けられ、この端面22a上には、第1,第２のFG
31,32の作用で集束した反射ビーム15Tをそれぞれ検出す
る第1,第２の光検出器24,25が取り付けられている。な
お、反射ビーム15は、ライトガイド29の屈折率n1より低
い屈折率n2を有する材料中を通過するので、これらの屈
折率の違いを反映した焦点位置に端面22aを設ける。一
方ライトガイド29の表面29bには、端面29fで反射した反
射ビーム15Rを検出する第3,第４の光検出器26,27が取り
付けられている。これら第3,第４の光検出器26,27はそ
れぞれ、第1,第２のFG31,32の作用で集束した反射ビー
ム15Rを検出する。第１の光検出器24は、ｙ軸を通りラ
イトガイド表面29aに垂直な面と平行に延びるギャップ
で２分割されたフォトダイオードPD1,PD2からなり、そ
の他の光検出器25,26および27もそれぞれ同様のフォト
ダイオードPD3とPD4,PD5とPD6およびPD7とPD8からな
る。
反射ビーム15Tの光路部分において斜めにカットされた
端面22aが設けられ、この端面22a上には、第1,第２のFG
31,32の作用で集束した反射ビーム15Tをそれぞれ検出す
る第1,第２の光検出器24,25が取り付けられている。な
お、反射ビーム15は、ライトガイド29の屈折率n1より低
い屈折率n2を有する材料中を通過するので、これらの屈
折率の違いを反映した焦点位置に端面22aを設ける。一
方ライトガイド29の表面29bには、端面29fで反射した反
射ビーム15Rを検出する第3,第４の光検出器26,27が取り
付けられている。これら第3,第４の光検出器26,27はそ
れぞれ、第1,第２のFG31,32の作用で集束した反射ビー
ム15Rを検出する。第１の光検出器24は、ｙ軸を通りラ
イトガイド表面29aに垂直な面と平行に延びるギャップ
で２分割されたフォトダイオードPD1,PD2からなり、そ
の他の光検出器25,26および27もそれぞれ同様のフォト
ダイオードPD3とPD4,PD5とPD6およびPD7とPD8からな
る。
フォトダイオードPD1は一例として第３図に詳しく示す
ように、透光部材22上に下部透明電極28a、薄膜状光導
電性材料28b、および上部電極28cをこの順に装荷して形
成されたものである。そして下部透明電極28aと上部電
極28cとの間には、電源28dから所定の電界が印加され
る。この構成のフォトダイオードPD1においては、光導
電性材料28bが光照射を受けるとその光量に応じた光電
流が流れる。したがって、端子28eにおける電位変化を
検出すれば、光導電性材料28bの受光光量を検出するこ
とができる。フォトダイオードPD2〜８も、フォトダイ
オードPD1と同様に形成されている。なお薄膜状光導電
性材料28bは、例えばIV族のSi、Ge、IV族のSe、III-V族
のGaAs、II-VI族のZnO、CdS、IV-VI族のPbS等のエピタ
キシャル膜、多結晶体膜、非晶質膜等から形成可能であ
り、また非晶質カルコゲン膜（a-Se、a-Se-As-Teな
ど）、非晶質Siを主体とし水素および／またはフッ素を
含む膜（a-Si:H、a-SiGe:H、a-SiC:Hなど）にIII族、Ｖ
族の原子（Ｂ、Ｐなど）を添加することによりpn接合、
p-i-n接合を得てフォトダイオードを形成する膜、前記
非晶質Siを主体とし水素および／またはフッ素を含む膜
とショットキー接合を構成する電極を用いてフォトダイ
オードを形成する膜等から形成することもできる。ま
た、端面22aおよびライトガイド表面29bに外部フォトダ
イオードを密着して接着させてもよい。この場合には各
出射面に無反射コーティングするのが望ましい。
ように、透光部材22上に下部透明電極28a、薄膜状光導
電性材料28b、および上部電極28cをこの順に装荷して形
成されたものである。そして下部透明電極28aと上部電
極28cとの間には、電源28dから所定の電界が印加され
る。この構成のフォトダイオードPD1においては、光導
電性材料28bが光照射を受けるとその光量に応じた光電
流が流れる。したがって、端子28eにおける電位変化を
検出すれば、光導電性材料28bの受光光量を検出するこ
とができる。フォトダイオードPD2〜８も、フォトダイ
オードPD1と同様に形成されている。なお薄膜状光導電
性材料28bは、例えばIV族のSi、Ge、IV族のSe、III-V族
のGaAs、II-VI族のZnO、CdS、IV-VI族のPbS等のエピタ
キシャル膜、多結晶体膜、非晶質膜等から形成可能であ
り、また非晶質カルコゲン膜（a-Se、a-Se-As-Teな
ど）、非晶質Siを主体とし水素および／またはフッ素を
含む膜（a-Si:H、a-SiGe:H、a-SiC:Hなど）にIII族、Ｖ
族の原子（Ｂ、Ｐなど）を添加することによりpn接合、
p-i-n接合を得てフォトダイオードを形成する膜、前記
非晶質Siを主体とし水素および／またはフッ素を含む膜
とショットキー接合を構成する電極を用いてフォトダイ
オードを形成する膜等から形成することもできる。ま
た、端面22aおよびライトガイド表面29bに外部フォトダ
イオードを密着して接着させてもよい。この場合には各
出射面に無反射コーティングするのが望ましい。
第２図に示すように、反射ビーム15Rを検出するフォト
ダイオードPD5とPD6、そしてPD7とPD8の出力はそれぞれ
加算アンプ34,35で加算され、これら加算アンプ34と35
の出力はそれぞれ加算アンプ36によって加算される。ま
たこの加算アンプ36の出力は差動アンプ40の一方の入力
端子に入力され、この差動アンプ40の他方の入力端子に
は基準信号Drefが入力される。この差動アンプ40の出力
D1は読取回路41に入力される。
ダイオードPD5とPD6、そしてPD7とPD8の出力はそれぞれ
加算アンプ34,35で加算され、これら加算アンプ34と35
の出力はそれぞれ加算アンプ36によって加算される。ま
たこの加算アンプ36の出力は差動アンプ40の一方の入力
端子に入力され、この差動アンプ40の他方の入力端子に
は基準信号Drefが入力される。この差動アンプ40の出力
D1は読取回路41に入力される。
一方第１のFG31で集束された反射ビーム15T,15Rを検出
する第1,第３の光検出器24,26の各々の外側のフォトダ
イオードPD1とPD5の出力は加算アンプ42で加算され、内
側のフォトダイオードPD2とPD6の出力は加算アンプ43で
加算される。また第２のFG32で集束された反射ビーム15
T,15Rを検出する第2,第４の光検出器25,27の各々の外側
のフォトダイオードPD4とPD8の出力は加算アンプ45で加
算され、内側のフォトダイオードPD3とPD7の出力は加算
アンプ44で加算される。そして上記加算アンプ42,43の
出力は加算アンプ46で加算され、加算アンプ44,45の出
力は加算アンプ47で加算される。一方加算アンプ42,45
の出力は加算アンプ48で加算され、加算アンプ43,44の
出力は加算アンプ49で加算される。また上記加算アンプ
46,47の出力は差動アンプ50に入力され、加算アンプ48,
49の出力は差動アンプ51に入力される。そして上記差動
アンプ50,51の出力D2,D3はそれぞれ、トラッキングコイ
ル駆動制御回路52、フォーカスコイル駆動制御回路53に
入力される。
する第1,第３の光検出器24,26の各々の外側のフォトダ
イオードPD1とPD5の出力は加算アンプ42で加算され、内
側のフォトダイオードPD2とPD6の出力は加算アンプ43で
加算される。また第２のFG32で集束された反射ビーム15
T,15Rを検出する第2,第４の光検出器25,27の各々の外側
のフォトダイオードPD4とPD8の出力は加算アンプ45で加
算され、内側のフォトダイオードPD3とPD7の出力は加算
アンプ44で加算される。そして上記加算アンプ42,43の
出力は加算アンプ46で加算され、加算アンプ44,45の出
力は加算アンプ47で加算される。一方加算アンプ42,45
の出力は加算アンプ48で加算され、加算アンプ43,44の
出力は加算アンプ49で加算される。また上記加算アンプ
46,47の出力は差動アンプ50に入力され、加算アンプ48,
49の出力は差動アンプ51に入力される。そして上記差動
アンプ50,51の出力D2,D3はそれぞれ、トラッキングコイ
ル駆動制御回路52、フォーカスコイル駆動制御回路53に
入力される。
次に、上記構成のピックアップの作動について説明す
る。半導体レーザ16から発せられ平行ビームとされた光
ビーム（レーザビーム）15はライトガイド29を透過し、
光磁気ディスク13の反射面14上で合焦するように対物レ
ンズ18によって集束される。光磁気ディスク13は図示し
ない回転駆動手段により、上記光ビーム15の照射位置に
おいてトラックが矢印Ｕ方向に移動するように回転され
る。周知の通り上記トラックは、磁化の向き（第１図に
おいて反射面14の上側に矢印で示す）の形で記録された
画像信号や音声信号等の列であり、光磁気ディスク13か
らの反射ビーム15′の直線偏光の向きは、磁化されてい
ない部分からの反射ビーム15′の直線偏光の向きと比べ
ると、磁化の向きに応じて互いに反対方向に回転する。
つまりある方向に磁化している部分からの反射ビーム1
5′の偏光の向きは、第２図の矢印Ｈで示す偏光方向か
ら時計方向に回転し、それとは反対方向に磁化している
部分からの反射ビーム15′の偏光の向きは、上記矢印Ｈ
で示す偏光方向から反時計方向に回転する。
る。半導体レーザ16から発せられ平行ビームとされた光
ビーム（レーザビーム）15はライトガイド29を透過し、
光磁気ディスク13の反射面14上で合焦するように対物レ
ンズ18によって集束される。光磁気ディスク13は図示し
ない回転駆動手段により、上記光ビーム15の照射位置に
おいてトラックが矢印Ｕ方向に移動するように回転され
る。周知の通り上記トラックは、磁化の向き（第１図に
おいて反射面14の上側に矢印で示す）の形で記録された
画像信号や音声信号等の列であり、光磁気ディスク13か
らの反射ビーム15′の直線偏光の向きは、磁化されてい
ない部分からの反射ビーム15′の直線偏光の向きと比べ
ると、磁化の向きに応じて互いに反対方向に回転する。
つまりある方向に磁化している部分からの反射ビーム1
5′の偏光の向きは、第２図の矢印Ｈで示す偏光方向か
ら時計方向に回転し、それとは反対方向に磁化している
部分からの反射ビーム15′の偏光の向きは、上記矢印Ｈ
で示す偏光方向から反時計方向に回転する。
この反射ビーム15′は対物レンズ18を通過し、FG31,32
において回折してライトガイド29内に入射する。ライト
ガイド29内に入射した反射ビーム15′は、その一表面29
aと他表面29bとの間で全反射を繰り返して進行し、FG3
1,32それぞれのビーム集束作用により、ｙ軸をはさんだ
位置で集束するようになる。先に述べたように、透光部
材22との界面であるライトガイド端面29fにおいては、
Ｓ偏光成分のみが反射し、この反射ビーム15Rは第３の
光検出器26（フォトダイオードPD5とPD6）、第４の光検
出器27（フォトダイオードPD7とPD8）によって検出され
る。ここで、反射ビーム15′の直線偏光の向きが矢印Ｈ
で示す方向よりも時計方向に回転すれば、ライトガイド
29内を進行する反射ビーム15′のＰ偏光成分が増大する
一方、Ｓ偏光成分が減少する。反射ビーム15′の直線偏
光の向きが矢印Ｈ方向よりも反時計方向に回転すれば、
上記の逆となる。上述のようにＳ偏光成分が減少すれ
ば、加算アンプ36の出力が低下する。Ｓ偏光成分が増大
するときは、その逆である。したがって、基準信号Dref
の値を適当に設定すれば、反射ビーム15′の直線偏光の
向きが第２図の矢印Ｈで示す方向より時計方向に回転し
ているときは差動アンプ40の出力を−（マイナス）と
し、反対に反時計方向に回転しているときは差動アンプ
40の出力を＋（プラス）とすることができる。こうして
差動アンプ40の出力D1を判別することにより、光磁気デ
ィスク13上の磁化の向き、つまり記録情報を読み取るこ
とができる。
において回折してライトガイド29内に入射する。ライト
ガイド29内に入射した反射ビーム15′は、その一表面29
aと他表面29bとの間で全反射を繰り返して進行し、FG3
1,32それぞれのビーム集束作用により、ｙ軸をはさんだ
位置で集束するようになる。先に述べたように、透光部
材22との界面であるライトガイド端面29fにおいては、
Ｓ偏光成分のみが反射し、この反射ビーム15Rは第３の
光検出器26（フォトダイオードPD5とPD6）、第４の光検
出器27（フォトダイオードPD7とPD8）によって検出され
る。ここで、反射ビーム15′の直線偏光の向きが矢印Ｈ
で示す方向よりも時計方向に回転すれば、ライトガイド
29内を進行する反射ビーム15′のＰ偏光成分が増大する
一方、Ｓ偏光成分が減少する。反射ビーム15′の直線偏
光の向きが矢印Ｈ方向よりも反時計方向に回転すれば、
上記の逆となる。上述のようにＳ偏光成分が減少すれ
ば、加算アンプ36の出力が低下する。Ｓ偏光成分が増大
するときは、その逆である。したがって、基準信号Dref
の値を適当に設定すれば、反射ビーム15′の直線偏光の
向きが第２図の矢印Ｈで示す方向より時計方向に回転し
ているときは差動アンプ40の出力を−（マイナス）と
し、反対に反時計方向に回転しているときは差動アンプ
40の出力を＋（プラス）とすることができる。こうして
差動アンプ40の出力D1を判別することにより、光磁気デ
ィスク13上の磁化の向き、つまり記録情報を読み取るこ
とができる。
なお上記例においては、第３および第４の光検出器26,2
7の出力を加算した信号に基づいて記録信号を検出する
ようにしているが、これらの光検出器26,27のうちの一
方の出力変動を検出して信号読取りを行なうことも可能
である。しかしその場合は、トラッキングエラーによっ
て光検出器の出力が変動するので、この変動による信号
誤検出を防止するためには上記実施例におけるようにす
るのが好ましい。
7の出力を加算した信号に基づいて記録信号を検出する
ようにしているが、これらの光検出器26,27のうちの一
方の出力変動を検出して信号読取りを行なうことも可能
である。しかしその場合は、トラッキングエラーによっ
て光検出器の出力が変動するので、この変動による信号
誤検出を防止するためには上記実施例におけるようにす
るのが好ましい。
ブロック12は先に述べたように光学系送りモータの駆動
によって矢印Ｕ方向と直角な方向、あるいはそれに近い
方向に送られ、それにより光磁気ディスク13上の光ビー
ム15の照射位置（ディスク径方向位置）が変えられて、
記録信号が連続的に読み取られる。ここで上記光ビーム
15は、所定の信号列（トラック）の中心に正しく照射さ
れなければならない。以下、このように光ビーム15の照
射位置を正しく維持する制御、すなわちトラッキング制
御について説明する。反射ビーム15′の中心がちょうど
FG31とFG32との間に位置するとき、第１および第３の光
検出器24,26によって検出される光量と、第２および第
４の光検出器25,27によって検出される光量とが一致す
る。したがってこの場合は加算アンプ46と47の出力が等
しくなり、差動アンプ50の出力D2は０（ゼロ）となる。
一方光ビーム15の照射位置が不正になって、反射ビーム
15′の光強度分布が第２図中上方側に変位すると、第１
および第３の光検出器24,26の検出光量が、第２および
第４の光検出器25,27の検出光量を上回る。したがって
差動アンプ50の出力D2は＋（プラス）となる。反対に反
射ビーム15′の光強度分布が第２図中下方側に変位する
と、差動アンプ50の出力D2は−（マイナス）となる。つ
まり差動アンプ40の出力D2は、トラッキングエラーの方
向（第２図のｘ軸方向）を示すものとなる。この出力D2
はトラッキングエラー信号としてトラッキングコイル駆
動制御回路52に送られる。なおこのようなフォトダイオ
ードPD1〜８の出力を処理してトラッキングエラーを検
出する方法は、プッシュプル法として従来から確立され
ているものである。トラッキングコイル駆動制御回路52
は上記トラッキングエラー信号D2を受け、該信号D2が示
すトラッキングエラーの方向に応じた電流Itをトラッキ
ングコイル19に供給し、このトラッキングエラーが解消
される方向に対物レンズ18を移動させる。それにより光
ビーム15は、常に信号列の中心に正しく照射されるよう
になる。
によって矢印Ｕ方向と直角な方向、あるいはそれに近い
方向に送られ、それにより光磁気ディスク13上の光ビー
ム15の照射位置（ディスク径方向位置）が変えられて、
記録信号が連続的に読み取られる。ここで上記光ビーム
15は、所定の信号列（トラック）の中心に正しく照射さ
れなければならない。以下、このように光ビーム15の照
射位置を正しく維持する制御、すなわちトラッキング制
御について説明する。反射ビーム15′の中心がちょうど
FG31とFG32との間に位置するとき、第１および第３の光
検出器24,26によって検出される光量と、第２および第
４の光検出器25,27によって検出される光量とが一致す
る。したがってこの場合は加算アンプ46と47の出力が等
しくなり、差動アンプ50の出力D2は０（ゼロ）となる。
一方光ビーム15の照射位置が不正になって、反射ビーム
15′の光強度分布が第２図中上方側に変位すると、第１
および第３の光検出器24,26の検出光量が、第２および
第４の光検出器25,27の検出光量を上回る。したがって
差動アンプ50の出力D2は＋（プラス）となる。反対に反
射ビーム15′の光強度分布が第２図中下方側に変位する
と、差動アンプ50の出力D2は−（マイナス）となる。つ
まり差動アンプ40の出力D2は、トラッキングエラーの方
向（第２図のｘ軸方向）を示すものとなる。この出力D2
はトラッキングエラー信号としてトラッキングコイル駆
動制御回路52に送られる。なおこのようなフォトダイオ
ードPD1〜８の出力を処理してトラッキングエラーを検
出する方法は、プッシュプル法として従来から確立され
ているものである。トラッキングコイル駆動制御回路52
は上記トラッキングエラー信号D2を受け、該信号D2が示
すトラッキングエラーの方向に応じた電流Itをトラッキ
ングコイル19に供給し、このトラッキングエラーが解消
される方向に対物レンズ18を移動させる。それにより光
ビーム15は、常に信号列の中心に正しく照射されるよう
になる。
次にフォーカス制御、すなわち光ビーム15を光磁気ディ
スク13の反射面14上に正しく集束させる制御について説
明する。光ビーム15が光磁気ディスク13の反射面14上で
合焦しているとき、FG31により集束される反射ビーム15
TはフォトダイオードPD1とPD2との中間位置で集束し、
また反射ビーム15RはフォトダイオードPD5とPD6との中
間位置で集束する。このとき同様にFG32により集束され
る反射ビーム15TはフォトダイオードPD3とPD4との中間
位置で集束し、また反射ビーム15RはフォトダイオードP
D7とPD8との中間位置で集束する。したがって加算アン
プ48の出力と加算アンプ49の出力は等しくなり、差動ア
ンプ51の出力D3は０（ゼロ）となる。一方光ビーム15が
上記反射面14よりも近い位置で集束しているときは、FG
31,32に入射する反射ビーム15′は収束ビームとなり、
光検出器24,25,26,27の各々における反射ビーム15′の
照射位置はそれぞれ内側（フォトダイオードPD2,PD6側
およびフォトダイオードPD3,PD7側）に変位する。した
がってこの場合は加算アンプ48の出力が加算アンプ49の
出力を下回り、差動アンプ51の出力D3は−（マイナス）
となる。反対に光ビーム15が反射面14よりも遠い位置で
集束しているときは、FG31,32に入射する反射ビーム1
5′は発散ビームとなり、光検出器24,25と光検出器26,2
7の各々における反射ビーム15Tと15Rの照射位置はそれ
ぞれ外側（フォトダイオードPD1,PD5側およびフォトダ
イオードPD4,PD8側）に変位する。したがってこの場合
は加算アンプ48の出力が加算アンプ49の出力を上回り、
差動アンプ51の出力D3は＋（プラス）となる。このよう
に差動アンプ51の出力D3は、フォーカスエラーの方向を
示すものとなる。この出力D3は、フォーカスエラー信号
としてフォーカスコイル駆動制御回路53に送られる。な
おこのようにフォトダイオードPD1〜８の出力を処理し
てフォーカスエラーを検出する方法は、従来より、フー
コープリズムを用いるフーコー法において実行されてい
るものである。フォーカスコイル駆動制御回路53は上記
フォーカスエラー信号D3を受け、該信号D3が示すフォー
カスエラーの方向に応じた電流Ifをフォーカスコイル20
に供給し、このフォーカスエラーが解消される方向に対
物レンズ18を移動させる。それにより光ビーム15は、常
に光磁気ディスク13の反射面14上で正しく集束するよう
になる。
スク13の反射面14上に正しく集束させる制御について説
明する。光ビーム15が光磁気ディスク13の反射面14上で
合焦しているとき、FG31により集束される反射ビーム15
TはフォトダイオードPD1とPD2との中間位置で集束し、
また反射ビーム15RはフォトダイオードPD5とPD6との中
間位置で集束する。このとき同様にFG32により集束され
る反射ビーム15TはフォトダイオードPD3とPD4との中間
位置で集束し、また反射ビーム15RはフォトダイオードP
D7とPD8との中間位置で集束する。したがって加算アン
プ48の出力と加算アンプ49の出力は等しくなり、差動ア
ンプ51の出力D3は０（ゼロ）となる。一方光ビーム15が
上記反射面14よりも近い位置で集束しているときは、FG
31,32に入射する反射ビーム15′は収束ビームとなり、
光検出器24,25,26,27の各々における反射ビーム15′の
照射位置はそれぞれ内側（フォトダイオードPD2,PD6側
およびフォトダイオードPD3,PD7側）に変位する。した
がってこの場合は加算アンプ48の出力が加算アンプ49の
出力を下回り、差動アンプ51の出力D3は−（マイナス）
となる。反対に光ビーム15が反射面14よりも遠い位置で
集束しているときは、FG31,32に入射する反射ビーム1
5′は発散ビームとなり、光検出器24,25と光検出器26,2
7の各々における反射ビーム15Tと15Rの照射位置はそれ
ぞれ外側（フォトダイオードPD1,PD5側およびフォトダ
イオードPD4,PD8側）に変位する。したがってこの場合
は加算アンプ48の出力が加算アンプ49の出力を上回り、
差動アンプ51の出力D3は＋（プラス）となる。このよう
に差動アンプ51の出力D3は、フォーカスエラーの方向を
示すものとなる。この出力D3は、フォーカスエラー信号
としてフォーカスコイル駆動制御回路53に送られる。な
おこのようにフォトダイオードPD1〜８の出力を処理し
てフォーカスエラーを検出する方法は、従来より、フー
コープリズムを用いるフーコー法において実行されてい
るものである。フォーカスコイル駆動制御回路53は上記
フォーカスエラー信号D3を受け、該信号D3が示すフォー
カスエラーの方向に応じた電流Ifをフォーカスコイル20
に供給し、このフォーカスエラーが解消される方向に対
物レンズ18を移動させる。それにより光ビーム15は、常
に光磁気ディスク13の反射面14上で正しく集束するよう
になる。
以上述べたトラッキングエラーとフォーカスエラーを検
出するには、少なくとも第１と第２のFG31,32で集束さ
れた反射ビーム15T、あるいは反射ビーム15Rを検出すれ
ばよい。またＰ偏光成分とＳ偏光成分の双方を含む反射
ビーム15Tも、Ｐ偏光成分が増大するときとＳ偏光成分
が増大するときとでは光量の増加率が異なるので、この
反射ビーム15Tの光量変動を検出することによって記録
信号を読み取ることも可能である。したがって本発明装
置において光検出器は、少なくとも前述の光検出器24と
25、あるいは26と27が設けられていればよい。
出するには、少なくとも第１と第２のFG31,32で集束さ
れた反射ビーム15T、あるいは反射ビーム15Rを検出すれ
ばよい。またＰ偏光成分とＳ偏光成分の双方を含む反射
ビーム15Tも、Ｐ偏光成分が増大するときとＳ偏光成分
が増大するときとでは光量の増加率が異なるので、この
反射ビーム15Tの光量変動を検出することによって記録
信号を読み取ることも可能である。したがって本発明装
置において光検出器は、少なくとも前述の光検出器24と
25、あるいは26と27が設けられていればよい。
しかし本実施例におけるように、Ｐ偏光成分とＳ偏光成
分の双方の和を示す信号に基づいてトラッキングエラー
とフォーカスエラーを検出すれば、エラー検出信号に、
記録信号によって変調された高周波成分が重畳すること
がないので、より好ましい。
分の双方の和を示す信号に基づいてトラッキングエラー
とフォーカスエラーを検出すれば、エラー検出信号に、
記録信号によって変調された高周波成分が重畳すること
がないので、より好ましい。
なお、半導体レーザ16から発せられた光ビーム15は、コ
リメータレンズ17から対物レンズ18に向かう際にFG31,3
2によって一部がライトガイド29に取り込まれるので、
この光ビーム15がライトガイド29の端面29dで反射して
光検出器24,25,26,27に受光されることがないように、
上記端面29dには光吸収部材55を貼着したり、あるいは
この端面29dを粗面加工しておくのが望ましい。
リメータレンズ17から対物レンズ18に向かう際にFG31,3
2によって一部がライトガイド29に取り込まれるので、
この光ビーム15がライトガイド29の端面29dで反射して
光検出器24,25,26,27に受光されることがないように、
上記端面29dには光吸収部材55を貼着したり、あるいは
この端面29dを粗面加工しておくのが望ましい。
またこの実施例において２つのFG31,32は、それぞれの
格子が連続して互いに密接した状態に形成されている
が、これらのFG31,32は少しの距離をおいて互いに独立
に形成されてもよい。これは以下に説明する実施例にお
いても同様である。
格子が連続して互いに密接した状態に形成されている
が、これらのFG31,32は少しの距離をおいて互いに独立
に形成されてもよい。これは以下に説明する実施例にお
いても同様である。
またFG31,32によってそれぞれ集束される反射ビーム1
5′を互いに交差させる、つまり第２図で説明すればFG3
1によるビーム集束位置がｙ軸の下側に、FG32によるビ
ーム集束位置がｙ軸の上側に位置するようにFG31,32を
形成しても構わない。
5′を互いに交差させる、つまり第２図で説明すればFG3
1によるビーム集束位置がｙ軸の下側に、FG32によるビ
ーム集束位置がｙ軸の上側に位置するようにFG31,32を
形成しても構わない。
さらに上記実施例ではライトガイド端面29fに透光部材2
2が密着固定されているが、特にこのような透光部材22
は設けず、上記端面29fを透過した反射ビーム15Tを直接
空気中に出射させて検出するようにしてもよい。
2が密着固定されているが、特にこのような透光部材22
は設けず、上記端面29fを透過した反射ビーム15Tを直接
空気中に出射させて検出するようにしてもよい。
次に第４図を参照して本発明の第２実施例について説明
する。なおこの第４図において、第１図中の要素と同等
の要素には同番号を付し、それらについては必要の無い
限り説明を省く（以下、同様）。この第２実施例のピッ
クアップにおいては、第１図の装置において設けられた
コリメータレンズ17が省かれ、光磁気ディスク13からの
反射ビーム15′は収束ビームの状態でライトガイド29内
に取り込まれるようになっている。この場合も、ライト
ガイド29内において集束する４系統の反射ビーム15′
を、例えば第２図図示のような第1,第2,第３および第４
の光検出器24,25,26,27で検出し、それらの検出信号を
前述のように処理すれば、記録信号、トラッキングエラ
ー、フォーカスエラーを検出できる。
する。なおこの第４図において、第１図中の要素と同等
の要素には同番号を付し、それらについては必要の無い
限り説明を省く（以下、同様）。この第２実施例のピッ
クアップにおいては、第１図の装置において設けられた
コリメータレンズ17が省かれ、光磁気ディスク13からの
反射ビーム15′は収束ビームの状態でライトガイド29内
に取り込まれるようになっている。この場合も、ライト
ガイド29内において集束する４系統の反射ビーム15′
を、例えば第２図図示のような第1,第2,第３および第４
の光検出器24,25,26,27で検出し、それらの検出信号を
前述のように処理すれば、記録信号、トラッキングエラ
ー、フォーカスエラーを検出できる。
この場合、FG31,32のｍ番目の格子パターン形状式は、
空間座標およびFG31,32によるビーム集束位置の座標を
前記第１実施例の場合と同様に規定し、またライトガイ
ド29の屈折率をn1とし、また光源の座標を（0,0,LZ）と
規定すると、 で与えられる。
空間座標およびFG31,32によるビーム集束位置の座標を
前記第１実施例の場合と同様に規定し、またライトガイ
ド29の屈折率をn1とし、また光源の座標を（0,0,LZ）と
規定すると、 で与えられる。
次に第５図を参照して本発明の第３実施例について説明
する。この第３実施例のピックアップにおいては、ライ
トガイド29が十分屈折率の大きい材料から形成され、光
ビーム15はこのライトガイド29の表面29aで反射して光
磁気ディスク13側に進行するようになっている。この場
合も光磁気ディスク13からの反射ビーム15′は、２つの
FG31,32によって回折、集束される。
する。この第３実施例のピックアップにおいては、ライ
トガイド29が十分屈折率の大きい材料から形成され、光
ビーム15はこのライトガイド29の表面29aで反射して光
磁気ディスク13側に進行するようになっている。この場
合も光磁気ディスク13からの反射ビーム15′は、２つの
FG31,32によって回折、集束される。
第６図は本発明の第４実施例によるピックアップを示す
ものである。この実施例においては、半導体レーザ16か
ら発せられた光ビーム15を発散ビームの状態のままライ
トガイド29の表面29aにおいて反射させ、光磁気ディス
ク13に向けて進行させるようにしている。
ものである。この実施例においては、半導体レーザ16か
ら発せられた光ビーム15を発散ビームの状態のままライ
トガイド29の表面29aにおいて反射させ、光磁気ディス
ク13に向けて進行させるようにしている。
次に第７図を参照して本発明の第５実施例について説明
する。この実施例においては、ライトガイド29と対物レ
ンズ18とが１つのヘッド60に固定されて一体化され、こ
のヘッド60がブロック12に対してトラッキング方向およ
びフォーカス方向に移動自在に支持されている。そして
このヘッド60は、トラッキングコイル19、フォーカスコ
イル20によって移動される。つまり本例ではトラッキン
グ制御、フォーカス制御のために、ライトガイド29が対
物レンズ18とともに移動される。このようにすれば、対
物レンズ18のみを移動させる場合のようにトラッキング
制御によって対物レンズ18がライトガイド29に対してオ
フセットすることが無くなり、トラッキング制御をより
精度良く行なえるようになる。
する。この実施例においては、ライトガイド29と対物レ
ンズ18とが１つのヘッド60に固定されて一体化され、こ
のヘッド60がブロック12に対してトラッキング方向およ
びフォーカス方向に移動自在に支持されている。そして
このヘッド60は、トラッキングコイル19、フォーカスコ
イル20によって移動される。つまり本例ではトラッキン
グ制御、フォーカス制御のために、ライトガイド29が対
物レンズ18とともに移動される。このようにすれば、対
物レンズ18のみを移動させる場合のようにトラッキング
制御によって対物レンズ18がライトガイド29に対してオ
フセットすることが無くなり、トラッキング制御をより
精度良く行なえるようになる。
なお、半導体レーザ16およびコリメータレンズ17もヘッ
ド60に固定して、ライトガイド29および対物レンズ18と
一体的に移動させることも可能である。
ド60に固定して、ライトガイド29および対物レンズ18と
一体的に移動させることも可能である。
以上説明した５つの実施例においては、第1,第２の光検
出器24,25が透光部材22の斜めにカットされた端面22aに
装荷されているが、これらの光検出器24,25はその他の
形態で透光部材22に取り付けることも可能である。すな
わち例えば第８図に示すように、透光部材22の表面22b
に近接させて光検出器24,25を配置するとともに、該表
面22bに反射ビーム15Tを出射させる回折格子80を設け、
そこから出射する反射ビーム15Tを光検出器24,25に受光
させればよい。これは、ライトガイド29の表面29bへの
光検出器26,27の取付けについても同様である。
出器24,25が透光部材22の斜めにカットされた端面22aに
装荷されているが、これらの光検出器24,25はその他の
形態で透光部材22に取り付けることも可能である。すな
わち例えば第８図に示すように、透光部材22の表面22b
に近接させて光検出器24,25を配置するとともに、該表
面22bに反射ビーム15Tを出射させる回折格子80を設け、
そこから出射する反射ビーム15Tを光検出器24,25に受光
させればよい。これは、ライトガイド29の表面29bへの
光検出器26,27の取付けについても同様である。
またFG31,32は、先に述べた製造方法に限らず、公知の
フォトリソ法、ホログラフィック転写法等によりすべて
プレーナ技術で形成可能であり、容易に大量複製可能で
ある。
フォトリソ法、ホログラフィック転写法等によりすべて
プレーナ技術で形成可能であり、容易に大量複製可能で
ある。
（発明の効果） 以上詳細に説明した通り本発明の光磁気記録媒体用ピッ
クアップにおいては、従来のピックアップにおいてビー
ムスプリッタ、レンズ、プリズム、ハーフミラーおよび
検光子等の光学素子が果たしていた作用が、ライトガイ
ド上に形成した集光性回折格子、およびブリュースタ角
で反射ビームが入射するように形成されたライトガイド
端面によって得られるようになっている。したがって本
発明のピックアップは、部品点数が極めて少なく小形軽
量に形成されるので、従来装置に比べて大幅なコストダ
ウンが可能となり、またアクセスタイムの短縮も可能と
なる。
クアップにおいては、従来のピックアップにおいてビー
ムスプリッタ、レンズ、プリズム、ハーフミラーおよび
検光子等の光学素子が果たしていた作用が、ライトガイ
ド上に形成した集光性回折格子、およびブリュースタ角
で反射ビームが入射するように形成されたライトガイド
端面によって得られるようになっている。したがって本
発明のピックアップは、部品点数が極めて少なく小形軽
量に形成されるので、従来装置に比べて大幅なコストダ
ウンが可能となり、またアクセスタイムの短縮も可能と
なる。
そして本発明のピックアップは、その主要部分がプレー
ナ技術により容易に大量生産されうるので、この点から
も大幅なコストダウンを実現できるものとなる。
ナ技術により容易に大量生産されうるので、この点から
も大幅なコストダウンを実現できるものとなる。
また本発明のピックアップにおいては、上記のような光
学素子の位置調整は勿論不要であり、またライトガイド
に光検出器を結合したことにより光学素子と光検出器と
の位置調整も不要であり、この点でもコストダウンが達
成される。
学素子の位置調整は勿論不要であり、またライトガイド
に光検出器を結合したことにより光学素子と光検出器と
の位置調整も不要であり、この点でもコストダウンが達
成される。
第１図は本発明の第１実施例装置を示す側面図、 第２図は上記第１実施例装置の光導波路の平面形状と電
気回路を示す概略図、 第３図は上記第１実施例装置の光検出器を詳しく示す側
面図、 第4,5,6および７図はそれぞれ、本発明の第2,第3,第４
および第５実施例装置を示す側面図、 第８図は本発明装置に用いられる光検出器の他の例を示
す側面図、 第９図は本発明に係るＰ偏光成分、Ｓ偏光成分毎のライ
トガイド端面への入射角と、その透過率、反射率の関係
を示すグラフである。 13…光磁気ディスク、14…ディスクの反射面 15…光ビーム、15′…反射ビーム 15R…ライトガイド端面で反射した反射ビーム 15T…ライトガイド端面を透過した反射ビーム 16…半導体レーザ、17…コリメータレンズ 18…対物レンズ、19…トラッキングコイル 20…フォーカスコイル、22…透光部材 22a…透光部材の端面、22b…透光部材の表面 29…ライトガイド、29a…ライトガイドの一表面 29b…ライトガイドの他表面 29d,29f…ライトガイドの端面 31…第１のFG、32…第２のFG 34,35,36,42,43,44,45,46,47,48,49…加算アンプ 40,50,51…差動アンプ、41…読取回路 52…トラッキングコイル駆動制御回路 53…フォーカスコイル駆動制御回路 60…ヘッド、PD1〜８…フォトダイオード、
気回路を示す概略図、 第３図は上記第１実施例装置の光検出器を詳しく示す側
面図、 第4,5,6および７図はそれぞれ、本発明の第2,第3,第４
および第５実施例装置を示す側面図、 第８図は本発明装置に用いられる光検出器の他の例を示
す側面図、 第９図は本発明に係るＰ偏光成分、Ｓ偏光成分毎のライ
トガイド端面への入射角と、その透過率、反射率の関係
を示すグラフである。 13…光磁気ディスク、14…ディスクの反射面 15…光ビーム、15′…反射ビーム 15R…ライトガイド端面で反射した反射ビーム 15T…ライトガイド端面を透過した反射ビーム 16…半導体レーザ、17…コリメータレンズ 18…対物レンズ、19…トラッキングコイル 20…フォーカスコイル、22…透光部材 22a…透光部材の端面、22b…透光部材の表面 29…ライトガイド、29a…ライトガイドの一表面 29b…ライトガイドの他表面 29d,29f…ライトガイドの端面 31…第１のFG、32…第２のFG 34,35,36,42,43,44,45,46,47,48,49…加算アンプ 40,50,51…差動アンプ、41…読取回路 52…トラッキングコイル駆動制御回路 53…フォーカスコイル駆動制御回路 60…ヘッド、PD1〜８…フォトダイオード、
Claims (7)
- 【請求項１】光磁気記録媒体の表面に直線偏光した光ビ
ームを照射する光源と、 前記光ビームを前記光磁気記録媒体の反射面上で集束さ
せる対物レンズと、 前記光磁気記録媒体で反射した反射ビームを一表面で受
ける向きの配置されたライトガイドと、 このライトガイドの一表面の反射ビーム照射位置におい
て、該ビームの略中心を通りかつ該表面上をトラッキン
グ方向に略直角に延びる軸をはさんで並設され、それぞ
れが前記反射ビームを前記一表面とそれに対向する他表
面との間で全反射を繰り返して端面側に進行する向きで
該ライトガイド内に入射させるとともに、このライトガ
イド内を進行する反射ビームを前記軸をはさんで互いに
離れた位置に各々集束させる第1,第２の集光性回折格子
と、 前記ライトガイド内において全反射を繰り返して進行す
る前記反射ビームがブリュースタ角で入射する向きに形
成されたライトガイド端面と、 少なくともこの端面を透過した２系統の前記反射ビー
ム、またはこの端面で反射した２系統の前記反射ビーム
を検出する複数の光検出器と、 これらの光検出器の出力に基づいてトラッキングエラー
とフォーカスエラー検出を行なうエラー検出回路と、 前記光検出器の出力に基づいて、前記記録媒体に記録さ
れた情報を検出する信号検出回路とからなる光磁気記録
媒体用ピックアップ。 - 【請求項２】前記ライトガイド端面を透過した２系統の
前記反射ビームを各々検出する第1,第２の光検出器が設
けられるとともに、 該端面で反射した２系統の前記反射ビームを検出する第
3,第４の光検出器が設けられ、 前記エラー検出回路がこれら第1,第2,第3,第４の光検出
器の出力に基づいて前記トラッキングエラー検出、フォ
ーカスエラー検出を行なうように形成され、 前記信号検出回路が、前記第3,第４の光検出器の出力の
和に基づいて前記情報の検出を行なうように形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁
気記録媒体用ピックアップ。 - 【請求項３】前記第1,第2,第3,第４の光検出器がそれぞ
れ、トラッキングエラー検出、フォーカスエラー検出を
それぞれプッシュプル法，フーコー法で行なえるよう
に、前記軸を通りライトガイドの前記一表面に垂直な面
と略平行に延びるギャップで分割された２分割光検出器
からなることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
光磁気記録媒体用ピックアップ。 - 【請求項４】前記ライトガイドが、前記光源と対物レン
ズとの間に配置されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項から第３項いずれか１項記載の光磁気記録媒
体用ピックアップ。 - 【請求項５】前記ライトガイドが、前記光源から発せら
れた光ビームを反射させて、前記光磁気記録媒体の反射
面に向けて進行させるように配置されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項から第３項いずれか１項記
載の光磁気記録媒体用ピックアップ。 - 【請求項６】前記ライトガイドと対物レンズとが互いに
独立して配設され、該対物レンズのみがトラッキング制
御およびフォーカス制御のために移動されるようになっ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第５
項いずれか１項記載の光磁気記録媒体用ピックアップ。 - 【請求項７】前記ライトガイドが前記対物レンズと一体
化され、トラッキング制御およびフォーカス制御のため
に該対物レンズとともに移動されるようになっているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項から第５項いずれ
か１項記載の光磁気記録媒体用ピックアップ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62247320A JPH0675313B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 光磁気記録媒体用ピックアップ |
| US07/251,479 US4945527A (en) | 1987-09-30 | 1988-09-30 | Optical pickup apparatus for detection of focusing error, tracking error, and information |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62247320A JPH0675313B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 光磁気記録媒体用ピックアップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0191345A JPH0191345A (ja) | 1989-04-11 |
| JPH0675313B2 true JPH0675313B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=17161644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62247320A Expired - Fee Related JPH0675313B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 光磁気記録媒体用ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675313B2 (ja) |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP62247320A patent/JPH0675313B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0191345A (ja) | 1989-04-11 |
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