JPH0676379A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0676379A JPH0676379A JP21043892A JP21043892A JPH0676379A JP H0676379 A JPH0676379 A JP H0676379A JP 21043892 A JP21043892 A JP 21043892A JP 21043892 A JP21043892 A JP 21043892A JP H0676379 A JPH0676379 A JP H0676379A
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- magnetic thin
- thin film
- magneto
- optical recording
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 光磁気記録層としてＣｏとＰｔを主たる構成
元素とする磁性薄膜を用い、この両側に垂直磁気異方性
を有する磁性薄膜を積層する。 【効果】 上記のような記録膜を用いることにより、保
磁力、残留磁化などの磁気特性に優れ、しかも４００〜
８５０ｎｍの波長領域にわたって従来の光磁気記録膜よ
り大きなカー回転角を有し、垂直磁気記録が可能な光磁
気記録媒体が得られる。
元素とする磁性薄膜を用い、この両側に垂直磁気異方性
を有する磁性薄膜を積層する。 【効果】 上記のような記録膜を用いることにより、保
磁力、残留磁化などの磁気特性に優れ、しかも４００〜
８５０ｎｍの波長領域にわたって従来の光磁気記録膜よ
り大きなカー回転角を有し、垂直磁気記録が可能な光磁
気記録媒体が得られる。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、ＣｏとＰｔとからなる磁
性薄膜の両側に垂直磁気異方性を有する磁性薄膜が積層
されてなる光磁気記録層を有する光磁気記録媒体に関
し、さらに詳しくは保磁力，残留磁化などの磁気特性に
優れ、しかも再生光の波長４００〜８５０ｎｍの領域で
大きなカー回転角を示し、垂直磁気記録が可能な光磁気
記録層を有する光磁気記録媒体に関する。
性薄膜の両側に垂直磁気異方性を有する磁性薄膜が積層
されてなる光磁気記録層を有する光磁気記録媒体に関
し、さらに詳しくは保磁力，残留磁化などの磁気特性に
優れ、しかも再生光の波長４００〜８５０ｎｍの領域で
大きなカー回転角を示し、垂直磁気記録が可能な光磁気
記録層を有する光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】現在採用されている光磁気ディス
クシステムでは、波長８３０ｎｍあるいは７８０ｎｍの
レーザダイオードが用いられているが、これらの光磁気
ディスクシステムでは、さらに記録の高密度化・高速化
が盛んに研究されている。
クシステムでは、波長８３０ｎｍあるいは７８０ｎｍの
レーザダイオードが用いられているが、これらの光磁気
ディスクシステムでは、さらに記録の高密度化・高速化
が盛んに研究されている。
【０００３】高密度化を行うための一手法として光源の
短波長化がある。すなわち波長を短くすると再生光をよ
り小さく絞ることが可能になるため、現在の記録密度以
上にピットを詰めても、品質をおとすことなく信号再生
を行うことが可能になる。
短波長化がある。すなわち波長を短くすると再生光をよ
り小さく絞ることが可能になるため、現在の記録密度以
上にピットを詰めても、品質をおとすことなく信号再生
を行うことが可能になる。
【０００４】ところが現在光磁気記録膜として用いられ
ているＴｂＦｅＣｏ系の磁性薄膜は、光源の短波長化に
ともないカー回転角も小さくなり、例えば再生波長５０
０ｎｍでは８００ｎｍでの値の約半分に低下してしま
う。このため４００〜５５０ｎｍ短波長領域でカー回転
角の大きい記録膜の開発が望まれている。
ているＴｂＦｅＣｏ系の磁性薄膜は、光源の短波長化に
ともないカー回転角も小さくなり、例えば再生波長５０
０ｎｍでは８００ｎｍでの値の約半分に低下してしま
う。このため４００〜５５０ｎｍ短波長領域でカー回転
角の大きい記録膜の開発が望まれている。
【０００５】一方、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に積層して
なるＣｏ／Ｐｔ組成変調膜は、従来のＴｂＦｅＣｏ系記
録膜とは逆に短波長側でカー回転角は大きくなる。また
Ｃｏ層とＰｔ層を交互に積層することにより垂直磁気異
方性を大きくすることができる。このため短波長対応の
高密度光磁気記録膜として期待されている。（特開平２
−３１０２号公報、特開平２−５６７５２号公報） しかしながらＣｏ／Ｐｔ組成変調膜は、上記のような利
点を有するものの、保磁力が小さいため、この点で改良
要求があった。また、４００〜５５０ｎｍの短波長領域
では光検出器における光−電流変換効率が低下するため
さらなるカー回転角の増大が望まれていた。
なるＣｏ／Ｐｔ組成変調膜は、従来のＴｂＦｅＣｏ系記
録膜とは逆に短波長側でカー回転角は大きくなる。また
Ｃｏ層とＰｔ層を交互に積層することにより垂直磁気異
方性を大きくすることができる。このため短波長対応の
高密度光磁気記録膜として期待されている。（特開平２
−３１０２号公報、特開平２−５６７５２号公報） しかしながらＣｏ／Ｐｔ組成変調膜は、上記のような利
点を有するものの、保磁力が小さいため、この点で改良
要求があった。また、４００〜５５０ｎｍの短波長領域
では光検出器における光−電流変換効率が低下するため
さらなるカー回転角の増大が望まれていた。
【０００６】さらに、光磁気ドライブシステムにおいて
は、長波長においても用いられることがあるなど下位コ
ンパチブルが望まれるため、現行ドライブの再生光の波
長７８０〜８３０ｎｍにおいても、カー回転角を大きく
することが望まれていた。
は、長波長においても用いられることがあるなど下位コ
ンパチブルが望まれるため、現行ドライブの再生光の波
長７８０〜８３０ｎｍにおいても、カー回転角を大きく
することが望まれていた。
【０００７】他方、遷移金属−希土類系では、ＮｄＣｏ
非晶質膜が短波長側でカー回転角の低下が小さく、短波
長対応光磁気記録膜として期待されている。ところがこ
のようなＮｄＣｏ非晶質膜は、面内磁化膜であるため、
このままでは光磁気記録膜として用いることはできなか
った。
非晶質膜が短波長側でカー回転角の低下が小さく、短波
長対応光磁気記録膜として期待されている。ところがこ
のようなＮｄＣｏ非晶質膜は、面内磁化膜であるため、
このままでは光磁気記録膜として用いることはできなか
った。
【０００８】このような問題を解決するため、飯寄，高
山らはＮｄＣｏ非晶質膜を垂直磁化するために、ＮｄＣ
ｏをＴｂＦｅＣｏにより挟んだ３層構造を提案してい
る。（J.Appl.Phys. 69,4761(1991)） ところがＮｄＣｏとＴｂＦｅＣｏの光学定数はほぼ等し
いため、この構造では再生光照射側のＴｂＦｅＣｏがカ
ー回転角低下の原因となり、大きな信号振幅が得られな
いという欠点があった。
山らはＮｄＣｏ非晶質膜を垂直磁化するために、ＮｄＣ
ｏをＴｂＦｅＣｏにより挟んだ３層構造を提案してい
る。（J.Appl.Phys. 69,4761(1991)） ところがＮｄＣｏとＴｂＦｅＣｏの光学定数はほぼ等し
いため、この構造では再生光照射側のＴｂＦｅＣｏがカ
ー回転角低下の原因となり、大きな信号振幅が得られな
いという欠点があった。
【０００９】本発明者らは、上述したような問題点を解
決すべく鋭意検討したところ、通常よりもＣｏ組成の大
きなＣｏとＰｔからなる磁性薄膜を用いることにより、
再生光波長４００〜８５０ｎｍ領域でのカー回転角を増
大させ、この両側に垂直磁気異方性を有し保磁力の大き
な磁性薄膜（以下、この薄膜を補助膜と呼ぶ）を積層す
ることによりＣｏとＰｔからなる磁性薄膜を垂直磁化さ
せ、この際補助膜の光学定数をＣｏとＰｔからなる磁性
薄膜の光学定数と大きく異なるように選ぶことにより、
カー回転角のエンハンス効果を期待できることを見出し
た。
決すべく鋭意検討したところ、通常よりもＣｏ組成の大
きなＣｏとＰｔからなる磁性薄膜を用いることにより、
再生光波長４００〜８５０ｎｍ領域でのカー回転角を増
大させ、この両側に垂直磁気異方性を有し保磁力の大き
な磁性薄膜（以下、この薄膜を補助膜と呼ぶ）を積層す
ることによりＣｏとＰｔからなる磁性薄膜を垂直磁化さ
せ、この際補助膜の光学定数をＣｏとＰｔからなる磁性
薄膜の光学定数と大きく異なるように選ぶことにより、
カー回転角のエンハンス効果を期待できることを見出し
た。
【００１０】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術におけ
る問題点を解決しようとするものであって、広い波長領
域特に短波長領域においても大きなカー回転角を有し、
しかも垂直磁気記録が可能な光磁気記録媒体を提供する
ことを目的としている。
る問題点を解決しようとするものであって、広い波長領
域特に短波長領域においても大きなカー回転角を有し、
しかも垂直磁気記録が可能な光磁気記録媒体を提供する
ことを目的としている。
【００１１】
【発明の概要】本発明に係る光磁気記録媒体は、Ｃｏと
ＰｔとからなるＣｏＰｔ磁性薄膜の両側に、垂直磁気異
方性を有する磁性薄膜が積層されていることを特徴とし
ている。
ＰｔとからなるＣｏＰｔ磁性薄膜の両側に、垂直磁気異
方性を有する磁性薄膜が積層されていることを特徴とし
ている。
【００１２】このような光磁気記録媒体は、広い波長領
域特に短波長領域においても大きなカー回転角を有し、
しかも垂直磁気記録が可能である。
域特に短波長領域においても大きなカー回転角を有し、
しかも垂直磁気記録が可能である。
【００１３】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係る光磁気記録媒
体について具体的に説明する。本発明に係る光磁気記録
媒体１０は、例えば図１に示すように基板１１の上に垂
直磁気異方性を有する磁性薄膜（以下補助膜という）１
２とＣｏＰｔ磁性薄膜１３と補助膜１４とがこの順に形
成されてなる構造を有しているが、この構造は特に限定
されない。
体について具体的に説明する。本発明に係る光磁気記録
媒体１０は、例えば図１に示すように基板１１の上に垂
直磁気異方性を有する磁性薄膜（以下補助膜という）１
２とＣｏＰｔ磁性薄膜１３と補助膜１４とがこの順に形
成されてなる構造を有しているが、この構造は特に限定
されない。
【００１４】例えば基板側から再生光が照射される場合
には、 （Ａ）基板｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補
助膜 （Ｂ）基板｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補助膜｜金属
膜 （Ｃ）基板｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補助膜｜誘電
体膜 （Ｄ）基板｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補助膜｜誘電
体膜｜金属膜 （Ｅ）基板｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補
助膜｜金属膜 （Ｆ）基板｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補
助膜｜誘電体膜 （Ｇ）基板｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補
助膜｜誘電体膜｜金属膜 等の構成をあげることができる。
には、 （Ａ）基板｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補
助膜 （Ｂ）基板｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補助膜｜金属
膜 （Ｃ）基板｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補助膜｜誘電
体膜 （Ｄ）基板｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補助膜｜誘電
体膜｜金属膜 （Ｅ）基板｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補
助膜｜金属膜 （Ｆ）基板｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補
助膜｜誘電体膜 （Ｇ）基板｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補
助膜｜誘電体膜｜金属膜 等の構成をあげることができる。
【００１５】また基板と反対側から再生光が照射される
場合には、 （Ｈ）基板｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補助膜｜誘電
体膜 （Ｉ）基板｜金属膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補助
膜 （Ｊ）基板｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補
助膜 （Ｋ）基板｜金属膜｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性
薄膜｜補助膜 （Ｌ）基板｜金属膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補助
膜｜誘電体膜 （Ｍ）基板｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補
助膜｜誘電体膜 （Ｎ）基板｜金属膜｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性
薄膜｜補助膜｜誘電体膜 等の構成をあげることができる。
場合には、 （Ｈ）基板｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補助膜｜誘電
体膜 （Ｉ）基板｜金属膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補助
膜 （Ｊ）基板｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補
助膜 （Ｋ）基板｜金属膜｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性
薄膜｜補助膜 （Ｌ）基板｜金属膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補助
膜｜誘電体膜 （Ｍ）基板｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性薄膜｜補
助膜｜誘電体膜 （Ｎ）基板｜金属膜｜誘電体膜｜補助膜｜ＣｏＰｔ磁性
薄膜｜補助膜｜誘電体膜 等の構成をあげることができる。
【００１６】基板１１としては、光磁気記録媒体の機械
的強度を保ち得るものであればよく、基板側から記録再
生を行なうときには、通常、光透過率の高いガラス、Ｐ
Ｃ（ポリカーボネート）等が用いられる。記録膜側から
記録再生を行なうときには、上記のようなガラス、ＰＣ
等以外にも金属板等を用いることもできる。
的強度を保ち得るものであればよく、基板側から記録再
生を行なうときには、通常、光透過率の高いガラス、Ｐ
Ｃ（ポリカーボネート）等が用いられる。記録膜側から
記録再生を行なうときには、上記のようなガラス、ＰＣ
等以外にも金属板等を用いることもできる。
【００１７】本発明におけるＣｏＰｔ磁性薄膜１３は、
ＣｏとＰｔとの合金膜あるいはＣｏ／Ｐｔ組成変調膜の
いずれを用いてもよい。ＣｏとＰｔとの合金膜を用いる
場合には、この合金膜中にはＣｏは１５〜８０原子％好
ましくは２０〜６０原子％の量で、Ｐｔは２０〜８５原
子％好ましくは４０〜８０原子％の量で存在しているこ
とが好ましく、その膜厚は３０〜５００オングストロー
ム好ましくは５０〜３００オングストロームであること
が望ましい。またこの層はＣｏおよびＰｔのみで構成さ
れていても良いが、下記の（ａ）〜（ｈ）よりなる群か
ら選ばれる１種以上の元素を２０重量％未満の量で含ん
でいてもよい。 （ａ）：Ｃｏ以外のたとえばＳｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ等の３ｄ遷移元素 （ｂ）：Ｐｄ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒ
ｈ，Ａｇ，Ｃｄ等の４ｄ遷移元素 （ｃ）：Ｐｔ以外のたとえばＡｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒ
ｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈｇ等の５ｄ遷移元素 （ｄ）：Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕ，
Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類
元素 （ｅ）：Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ等のIIIＢ族元素 （ｆ）：Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ等のIVＢ族元素 （ｇ）：Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ等のＶＢ族元素 （ｈ）：Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐｏ等のVIＢ族元素 一方Ｃｏ／Ｐｔ組成変調膜は、Ｃｏ層とＰｔ層とが好ま
しくは交互に少なくとも１層ずつ積層されてなる積層膜
である。このようなＣｏ／Ｐｔ組成変調膜は、例えばタ
ーゲットとしてＣｏとＰｔとを用い、ＣｏとＰｔとを同
時にスパッタリングを行ないながら、基板がＣｏとＰｔ
の上を交互に通過する基板の搬送機構を設けることによ
ってＣｏ層とＰｔ層とを交互に積層するか、あるいはＣ
ｏとＰｔの基板上への付着が交互に行なわれるようにシ
ャッター等を用いることによってＣｏ層とＰｔ層とを交
互に積層することにより作製することができる。
ＣｏとＰｔとの合金膜あるいはＣｏ／Ｐｔ組成変調膜の
いずれを用いてもよい。ＣｏとＰｔとの合金膜を用いる
場合には、この合金膜中にはＣｏは１５〜８０原子％好
ましくは２０〜６０原子％の量で、Ｐｔは２０〜８５原
子％好ましくは４０〜８０原子％の量で存在しているこ
とが好ましく、その膜厚は３０〜５００オングストロー
ム好ましくは５０〜３００オングストロームであること
が望ましい。またこの層はＣｏおよびＰｔのみで構成さ
れていても良いが、下記の（ａ）〜（ｈ）よりなる群か
ら選ばれる１種以上の元素を２０重量％未満の量で含ん
でいてもよい。 （ａ）：Ｃｏ以外のたとえばＳｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ等の３ｄ遷移元素 （ｂ）：Ｐｄ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒ
ｈ，Ａｇ，Ｃｄ等の４ｄ遷移元素 （ｃ）：Ｐｔ以外のたとえばＡｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒ
ｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈｇ等の５ｄ遷移元素 （ｄ）：Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕ，
Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類
元素 （ｅ）：Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ等のIIIＢ族元素 （ｆ）：Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ等のIVＢ族元素 （ｇ）：Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ等のＶＢ族元素 （ｈ）：Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐｏ等のVIＢ族元素 一方Ｃｏ／Ｐｔ組成変調膜は、Ｃｏ層とＰｔ層とが好ま
しくは交互に少なくとも１層ずつ積層されてなる積層膜
である。このようなＣｏ／Ｐｔ組成変調膜は、例えばタ
ーゲットとしてＣｏとＰｔとを用い、ＣｏとＰｔとを同
時にスパッタリングを行ないながら、基板がＣｏとＰｔ
の上を交互に通過する基板の搬送機構を設けることによ
ってＣｏ層とＰｔ層とを交互に積層するか、あるいはＣ
ｏとＰｔの基板上への付着が交互に行なわれるようにシ
ャッター等を用いることによってＣｏ層とＰｔ層とを交
互に積層することにより作製することができる。
【００１８】Ｃｏ層の膜厚は、１〜２０オングストロー
ム好ましくは２〜１５オングストロームであり、Ｐｔ層
の膜厚は、１〜２０オングストローム好ましくは２〜１
５オングストロームであり、Ｃｏ層とＰｔ層との合計膜
厚は３０〜５００オングストローム好ましくは５０〜３
００オングストロームであることが望ましい。
ム好ましくは２〜１５オングストロームであり、Ｐｔ層
の膜厚は、１〜２０オングストローム好ましくは２〜１
５オングストロームであり、Ｃｏ層とＰｔ層との合計膜
厚は３０〜５００オングストローム好ましくは５０〜３
００オングストロームであることが望ましい。
【００１９】上記のような組成変調膜１３におけるＣｏ
層は、Ｃｏ単独で構成されていてもよいが、Ｃｏと共に
下記（ｉ）〜（ｐ）よりなる群から選ばれる１種以上の
元素を２０重量％未満の量で含んでもよい。 （ｉ）：Ｃｏ以外のたとえばＳｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ等の３ｄ遷移元素 （ｊ）：Ｐｄ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒ
ｈ，Ａｇ，Ｃｄ等の４ｄ遷移元素 （ｋ）：Ｐｔ，Ａｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉ
ｒ，Ｈｇ等の５ｄ遷移元素 （ｌ）：Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕ，
Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類
元素 （ｍ）：Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ等のIIIＢ族元素 （ｎ）：Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ等のIVＢ族元素 （ｏ）：Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ等のＶＢ族元素 （ｐ）：Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐｏ等のVIＢ族元素 またＰｔ層は、Ｐｔ単独で構成されていてもよいが、Ｐ
ｔと共に下記（ｑ）〜（ｘ）よりなる群から選ばれる１
種以上の元素を２０重量％未満の量で含んでもよい。 （ｑ）：Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ｚｎ等の３ｄ遷移元素 （ｒ）：Ｐｄ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒ
ｈ，Ａｇ，Ｃｄ等の４ｄ遷移元素 （ｓ）：Ｐｔ以外のたとえばＡｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒ
ｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈｇ等の５ｄ遷移元素 （ｔ）：Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕ，
Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類
元素 （ｕ）：Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ等のIIIＢ族元素 （ｖ）：Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ等のIVＢ族元素 （ｗ）：Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ等のＶＢ族元素 （ｘ）：Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐｏ等のVIＢ族元素 本発明における補助膜１２および１４としては、垂直磁
気異方性Ｋuが大きくかつ保磁力Ｈcが大きな磁性薄膜が
用いられることが好ましく、たとえば垂直磁気異方性Ｋ
uが１×１０5 ｅｒｇ／ｃｃ以上であり、かつ保磁力Ｈc
が１ｋＯｅ以上であることが望ましい。さらにこの膜の
光学定数ｎ1−ｉ・ｋ1をＣｏＰｔ磁性薄膜１３の光学定
数ｎ2−ｉ・ｋ2と、なるべく異なるように選ぶことが好
ましく、たとえば、測定波長４００〜８５０ｎｍにおい
て下記式（１）を満足するように選ぶことが望ましい。
層は、Ｃｏ単独で構成されていてもよいが、Ｃｏと共に
下記（ｉ）〜（ｐ）よりなる群から選ばれる１種以上の
元素を２０重量％未満の量で含んでもよい。 （ｉ）：Ｃｏ以外のたとえばＳｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ等の３ｄ遷移元素 （ｊ）：Ｐｄ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒ
ｈ，Ａｇ，Ｃｄ等の４ｄ遷移元素 （ｋ）：Ｐｔ，Ａｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉ
ｒ，Ｈｇ等の５ｄ遷移元素 （ｌ）：Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕ，
Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類
元素 （ｍ）：Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ等のIIIＢ族元素 （ｎ）：Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ等のIVＢ族元素 （ｏ）：Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ等のＶＢ族元素 （ｐ）：Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐｏ等のVIＢ族元素 またＰｔ層は、Ｐｔ単独で構成されていてもよいが、Ｐ
ｔと共に下記（ｑ）〜（ｘ）よりなる群から選ばれる１
種以上の元素を２０重量％未満の量で含んでもよい。 （ｑ）：Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ｚｎ等の３ｄ遷移元素 （ｒ）：Ｐｄ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒ
ｈ，Ａｇ，Ｃｄ等の４ｄ遷移元素 （ｓ）：Ｐｔ以外のたとえばＡｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒ
ｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｈｇ等の５ｄ遷移元素 （ｔ）：Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕ，
Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類
元素 （ｕ）：Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ等のIIIＢ族元素 （ｖ）：Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ等のIVＢ族元素 （ｗ）：Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ等のＶＢ族元素 （ｘ）：Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐｏ等のVIＢ族元素 本発明における補助膜１２および１４としては、垂直磁
気異方性Ｋuが大きくかつ保磁力Ｈcが大きな磁性薄膜が
用いられることが好ましく、たとえば垂直磁気異方性Ｋ
uが１×１０5 ｅｒｇ／ｃｃ以上であり、かつ保磁力Ｈc
が１ｋＯｅ以上であることが望ましい。さらにこの膜の
光学定数ｎ1−ｉ・ｋ1をＣｏＰｔ磁性薄膜１３の光学定
数ｎ2−ｉ・ｋ2と、なるべく異なるように選ぶことが好
ましく、たとえば、測定波長４００〜８５０ｎｍにおい
て下記式（１）を満足するように選ぶことが望ましい。
【００２０】 ｜ｎ1−ｎ2｜＋｜ｋ1−ｋ2｜≧１．０・・・・（１） ただし、式（１）において、ｎ1、ｋ1およびｎ2、ｋ2は
同一波長で測定した値である。また、ｎ1は垂直磁気異
方性を有する磁性薄膜の屈折率であり、ｋ1はその消衰
係数であり、ｎ2はＣｏとＰｔとからなる磁性薄膜の屈
折率であり、ｋ2はその消衰係数であり、ｉは虚数単位
である。こうすることによりカー回転角のエンハンス効
果を期待できる。
同一波長で測定した値である。また、ｎ1は垂直磁気異
方性を有する磁性薄膜の屈折率であり、ｋ1はその消衰
係数であり、ｎ2はＣｏとＰｔとからなる磁性薄膜の屈
折率であり、ｋ2はその消衰係数であり、ｉは虚数単位
である。こうすることによりカー回転角のエンハンス効
果を期待できる。
【００２１】このような磁性薄膜としては、３ｄ遷移金
属と希土類元素との合金膜を例示できる。ここで３ｄ遷
移元素としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉが用いられ、好まし
くはＦｅ，Ｃｏが用いられる。また希土類元素として
は、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕが用いられ、
好ましくはＧｄ，Ｔｂ，Ｎｄ，Ｄｙが用いられる。
属と希土類元素との合金膜を例示できる。ここで３ｄ遷
移元素としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉが用いられ、好まし
くはＦｅ，Ｃｏが用いられる。また希土類元素として
は、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕが用いられ、
好ましくはＧｄ，Ｔｂ，Ｎｄ，Ｄｙが用いられる。
【００２２】このような補助膜として用いられる磁性薄
膜のさらに具体的な例としては、ＴｂxＦｅ1-x合金、Ｔ
ｂxＬ1-x合金、Ｍx Ｌ1-x合金、Ｍx Ｆｅ1-x合金等が挙
げられる。ただし、式中ＬはＦｅおよび／またはＣｏを
表し、ＭはＧｄおよび／またはＴｂを表す。
膜のさらに具体的な例としては、ＴｂxＦｅ1-x合金、Ｔ
ｂxＬ1-x合金、Ｍx Ｌ1-x合金、Ｍx Ｆｅ1-x合金等が挙
げられる。ただし、式中ＬはＦｅおよび／またはＣｏを
表し、ＭはＧｄおよび／またはＴｂを表す。
【００２３】これらの中で特に好ましい補助膜（磁性薄
膜）としては、Ｔｂx（Ｆｅ1-yＣｏy ）1-x、（Ｇｄy
Ｔｂ1-y）xＦｅ1-xおよび（Ｇｄy Ｔｂ 1-y）x（Ｆｅ1-z
Ｃｏz ）1-xが例示できる。ただし、式中ｘ、ｙ、ｚは
それぞれ０．１≦ｘ≦０．３、０＜ｙ≦１、０≦ｚ≦
０．３にあることが好ましい。
膜）としては、Ｔｂx（Ｆｅ1-yＣｏy ）1-x、（Ｇｄy
Ｔｂ1-y）xＦｅ1-xおよび（Ｇｄy Ｔｂ 1-y）x（Ｆｅ1-z
Ｃｏz ）1-xが例示できる。ただし、式中ｘ、ｙ、ｚは
それぞれ０．１≦ｘ≦０．３、０＜ｙ≦１、０≦ｚ≦
０．３にあることが好ましい。
【００２４】また補助膜１２と補助膜１４とは、同一元
素あるいは同一組成からなる磁性薄膜である必要はな
く、このような垂直磁気異方性を有する磁性薄膜（補助
膜）のうち、特に信号再生側の補助膜は光学的透過率が
１０パーセント以上である磁性薄膜であることが好まし
い。またこれらの補助膜としては大きな垂直磁気異方性
をもっている磁性薄膜が好ましく用いられる。
素あるいは同一組成からなる磁性薄膜である必要はな
く、このような垂直磁気異方性を有する磁性薄膜（補助
膜）のうち、特に信号再生側の補助膜は光学的透過率が
１０パーセント以上である磁性薄膜であることが好まし
い。またこれらの補助膜としては大きな垂直磁気異方性
をもっている磁性薄膜が好ましく用いられる。
【００２５】このような補助膜１２および１４の膜厚
は、再生光照射側の補助膜１２においては１０〜５００
オングストローム好ましくは１５〜３００オングストロ
ームさらに好ましくは２０〜２００オングストロームで
あることが望ましい。またこれとは反対側の補助膜１４
においては２０〜１０００オングストローム好ましくは
５０〜５００オングストロームであることが望ましい。
は、再生光照射側の補助膜１２においては１０〜５００
オングストローム好ましくは１５〜３００オングストロ
ームさらに好ましくは２０〜２００オングストロームで
あることが望ましい。またこれとは反対側の補助膜１４
においては２０〜１０００オングストローム好ましくは
５０〜５００オングストロームであることが望ましい。
【００２６】誘電体膜は、通常カー効果をエンハンスさ
せる目的であるいはＣｏＰｔ磁性薄膜と補助膜とからな
る光磁気記録層を保護する目的等で用いられるが、ある
程度の透過率があればよく、具体的には、Ｓｉ3Ｎ4，Ｓ
ｉＮｘ（０＜ｘ＜４／３）、ＡｌＮ、等の窒化物、Ａｌ
2Ｏ3，ＳｉＯ，ＺｎＯ等の酸化物、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ等
のカルコゲン化合物、さらにはこれらの複合物等が用い
られる。また、コバルトフェライトに代表されるフェラ
イト類、Ｂｉ置換ガーネットに代表されるガーネット類
等のファラデー効果を有する透明材料を用いることもで
きる。
せる目的であるいはＣｏＰｔ磁性薄膜と補助膜とからな
る光磁気記録層を保護する目的等で用いられるが、ある
程度の透過率があればよく、具体的には、Ｓｉ3Ｎ4，Ｓ
ｉＮｘ（０＜ｘ＜４／３）、ＡｌＮ、等の窒化物、Ａｌ
2Ｏ3，ＳｉＯ，ＺｎＯ等の酸化物、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ等
のカルコゲン化合物、さらにはこれらの複合物等が用い
られる。また、コバルトフェライトに代表されるフェラ
イト類、Ｂｉ置換ガーネットに代表されるガーネット類
等のファラデー効果を有する透明材料を用いることもで
きる。
【００２７】金属膜としては、たとえばアルミニウム系
合金（Ａｌ系合金）膜、ニッケル系合金（Ｎｉ系合金）
膜あるいは白金膜等が用いられる。このような金属膜
は、熱伝導膜としての機能または反射膜としての機能あ
るいはこれら両方の機能を有しており、また場合により
保護膜（酸化防止膜）としての機能も有している。
合金（Ａｌ系合金）膜、ニッケル系合金（Ｎｉ系合金）
膜あるいは白金膜等が用いられる。このような金属膜
は、熱伝導膜としての機能または反射膜としての機能あ
るいはこれら両方の機能を有しており、また場合により
保護膜（酸化防止膜）としての機能も有している。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、保磁力，残留磁化など
の磁気特性に優れ、しかも４００〜８５０ｎｍの広い波
長領域にわたって従来の光磁気記録膜より大きなカー回
転角を有し、垂直磁気記録が可能な光磁気記録媒体を提
供することが可能となる。
の磁気特性に優れ、しかも４００〜８５０ｎｍの広い波
長領域にわたって従来の光磁気記録膜より大きなカー回
転角を有し、垂直磁気記録が可能な光磁気記録媒体を提
供することが可能となる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明をさらに具体的な実施例により
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。なお、以下に述べる実施例において、ｎおよび
ｋは測定波長８４０ｎｍにおける値である。
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。なお、以下に述べる実施例において、ｎおよび
ｋは測定波長８４０ｎｍにおける値である。
【００３０】
【実施例１】ガラス基板１１上に、補助膜１２としてＴ
ｂ24Ｆｅ66Ｃｏ10（原子％）合金膜（ｎ＝３．６、ｋ＝
３．３）を膜厚５０オングストローム、Ｃｏ／Ｐｔ組成
変調膜１３としてＣｏ膜（膜厚４オングストローム）と
Ｐｔ膜（膜厚６オングストローム）を交互に積層した組
成変調膜（ｎ＝２．０、ｋ＝４．１）を合計で１００オ
ングストローム、補助膜１４としてＴｂ24Ｆｅ66Ｃｏ10
合金膜を膜厚５００オングストローム、酸化防止層とし
てＰｔ層を膜厚１００オングストロームで順次積層し
た。
ｂ24Ｆｅ66Ｃｏ10（原子％）合金膜（ｎ＝３．６、ｋ＝
３．３）を膜厚５０オングストローム、Ｃｏ／Ｐｔ組成
変調膜１３としてＣｏ膜（膜厚４オングストローム）と
Ｐｔ膜（膜厚６オングストローム）を交互に積層した組
成変調膜（ｎ＝２．０、ｋ＝４．１）を合計で１００オ
ングストローム、補助膜１４としてＴｂ24Ｆｅ66Ｃｏ10
合金膜を膜厚５００オングストローム、酸化防止層とし
てＰｔ層を膜厚１００オングストロームで順次積層し
た。
【００３１】なおＣｏ層とＰｔ層からなる組成変調膜１
３は、ＣｏとＰｔのターゲットを同時にＤＣマグネトロ
ンスパッタリングを行いながら、基板がＣｏターゲット
とＰｔターゲットの上を交互に通過するようにして成膜
した。また補助膜１２及び１４として用いたＴｂ24Ｆｅ
66Ｃｏ10（原子％）合金膜は、Ｆｅターゲット上にＴｂ
チップ及びＣｏチップをのせた複合ターゲット法により
成膜した。
３は、ＣｏとＰｔのターゲットを同時にＤＣマグネトロ
ンスパッタリングを行いながら、基板がＣｏターゲット
とＰｔターゲットの上を交互に通過するようにして成膜
した。また補助膜１２及び１４として用いたＴｂ24Ｆｅ
66Ｃｏ10（原子％）合金膜は、Ｆｅターゲット上にＴｂ
チップ及びＣｏチップをのせた複合ターゲット法により
成膜した。
【００３２】このようにして作製したサンプルのガラス
基板側からみたカーヒステリシスループを図２に示す。
保磁力が２．６ＫＯｅで角型比が１である光磁気記録膜
を手に入れることができた。
基板側からみたカーヒステリシスループを図２に示す。
保磁力が２．６ＫＯｅで角型比が１である光磁気記録膜
を手に入れることができた。
【００３３】
【比較例１】実施例１において補助膜１２および１４を
積層しなかった以外は、実施例１と同様にしてサンプル
を作製した。このサンプルのカーヒステリシスループを
図３に示す。
積層しなかった以外は、実施例１と同様にしてサンプル
を作製した。このサンプルのカーヒステリシスループを
図３に示す。
【００３４】角型比が１ではないため光磁気記録膜とし
ては利用できないことがわかる。
ては利用できないことがわかる。
【００３５】
【比較例２】実施例１において補助膜１２を積層しなか
った以外は実施例１と同様にしてサンプルを作製した。
このサンプルのカーヒステリシスループを図４に示す。
った以外は実施例１と同様にしてサンプルを作製した。
このサンプルのカーヒステリシスループを図４に示す。
【００３６】角型比が１ではないため光磁気記録膜とし
ては利用できないことがわかる。
ては利用できないことがわかる。
【００３７】
【比較例３】ガラス基板１１上に光磁気記録層としてＣ
ｏ膜（膜厚５オングストローム）とＰｔ膜（膜厚１２．
５オングストローム）とを交互に積層した組成変調膜
（ｎ＝２．０、ｋ＝４．３）のみを合計膜厚２０００オ
ングストロームで積層した。成膜法は実施例１と同様で
ある。このサンプル及び実施例１のサンプルのカースペ
クトルを図５に示す。
ｏ膜（膜厚５オングストローム）とＰｔ膜（膜厚１２．
５オングストローム）とを交互に積層した組成変調膜
（ｎ＝２．０、ｋ＝４．３）のみを合計膜厚２０００オ
ングストロームで積層した。成膜法は実施例１と同様で
ある。このサンプル及び実施例１のサンプルのカースペ
クトルを図５に示す。
【００３８】実施例１のサンプルは４００〜８５０ｎｍ
の全波長域にわたって比較例３のサンプルより大きなカ
ー回転角を有していることがわかる。
の全波長域にわたって比較例３のサンプルより大きなカ
ー回転角を有していることがわかる。
【００３９】
【実施例２】基板１１としてエチレン−テトラシクロド
デセン共重合体からなる基板を用い、この基板上に誘電
体膜としてＳｉ3Ｎ4膜を反応性スパッタリングにより膜
厚８００オングストローム、補助膜１２としてＴｂ29Ｆ
ｅ57Ｃｏ14合金膜（ｎ＝３．６、ｋ＝３．３）を膜厚５
０オングストローム、Ｃｏ膜（膜厚４オングストロー
ム）とＰｔ膜（膜厚６オングストローム）とを交互に積
層したＣｏ／Ｐｔ組成変調膜（ｎ＝２．０、ｋ＝４．
１）１３を合計膜厚１００オングストローム、補助膜１
４としてＴｂ29Ｆｅ57Ｃｏ14合金膜（ｎ＝３．６、ｋ＝
３．３）を膜厚５００オングストローム、酸化防止層と
してＰｔ層を膜厚１００オングストローム順次積層して
光磁気記録媒体を作製した。
デセン共重合体からなる基板を用い、この基板上に誘電
体膜としてＳｉ3Ｎ4膜を反応性スパッタリングにより膜
厚８００オングストローム、補助膜１２としてＴｂ29Ｆ
ｅ57Ｃｏ14合金膜（ｎ＝３．６、ｋ＝３．３）を膜厚５
０オングストローム、Ｃｏ膜（膜厚４オングストロー
ム）とＰｔ膜（膜厚６オングストローム）とを交互に積
層したＣｏ／Ｐｔ組成変調膜（ｎ＝２．０、ｋ＝４．
１）１３を合計膜厚１００オングストローム、補助膜１
４としてＴｂ29Ｆｅ57Ｃｏ14合金膜（ｎ＝３．６、ｋ＝
３．３）を膜厚５００オングストローム、酸化防止層と
してＰｔ層を膜厚１００オングストローム順次積層して
光磁気記録媒体を作製した。
【００４０】この時のＳｉＮの成膜はターゲットとして
Ｓｉを用い、ＡｒとＮ2の混合ガス中で行なった。また
Ｃｏ／Ｐｔ組成変調膜１３および補助膜１２および１４
は実施例１と同様にして成膜した。
Ｓｉを用い、ＡｒとＮ2の混合ガス中で行なった。また
Ｃｏ／Ｐｔ組成変調膜１３および補助膜１２および１４
は実施例１と同様にして成膜した。
【００４１】このようにして作製した光磁気記録媒体を
光磁気記録ディスク評価用ドライブにて、線速１１ｍ／
ｓ、記録周波数１ＭＨｚ、記録デューティー比５０％の
条件で記録を行い、再生信号をスペクトルアナライザへ
入力し、１ＭＨｚでの搬送波レベル（Ｃ）とノイズレベ
ル（Ｎ）を測定することによりＣＮ比を測定した。結果
は５６ｄＢであった。
光磁気記録ディスク評価用ドライブにて、線速１１ｍ／
ｓ、記録周波数１ＭＨｚ、記録デューティー比５０％の
条件で記録を行い、再生信号をスペクトルアナライザへ
入力し、１ＭＨｚでの搬送波レベル（Ｃ）とノイズレベ
ル（Ｎ）を測定することによりＣＮ比を測定した。結果
は５６ｄＢであった。
【００４２】
【比較例５】光磁気記録層としてＣｏ膜（膜厚５オング
ストローム）とＰｔ膜（膜厚１２．５オングストロー
ム）とを交互に積層したＣｏ／Ｐｔ組成変調膜（ｎ＝
２．０、ｋ＝４．３）（合計膜厚２５０オングストロー
ム）のみを用い、補助膜１２，１４を積層しなかった以
外は実施例２と同様にして光磁気記録媒体を作製し、実
施例２と同一条件でＣＮ比を測定した。結果は５２ｄＢ
であった。
ストローム）とＰｔ膜（膜厚１２．５オングストロー
ム）とを交互に積層したＣｏ／Ｐｔ組成変調膜（ｎ＝
２．０、ｋ＝４．３）（合計膜厚２５０オングストロー
ム）のみを用い、補助膜１２，１４を積層しなかった以
外は実施例２と同様にして光磁気記録媒体を作製し、実
施例２と同一条件でＣＮ比を測定した。結果は５２ｄＢ
であった。
【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の概略断面図であ
る。
る。
【図２】実施例１において得られたサンプルのガラス基
板側からみたカーヒステリシスループである。
板側からみたカーヒステリシスループである。
【図３】比較例１において得られたサンプルのガラス基
板側からみたカーヒステリシスループである。
板側からみたカーヒステリシスループである。
【図４】比較例２において得られたサンプルのガラス基
板側からみたカーヒステリシスループである。
板側からみたカーヒステリシスループである。
【図５】実施例１及び比較例３において得られたサンプ
ルのガラス基板側からみたカースペクトルである。
ルのガラス基板側からみたカースペクトルである。
１０ 光磁気記録媒体 １１ 基板 １２ 補助膜 １３ ＣｏとＰｔを主たる構成元素とする磁性薄膜 １４ 補助膜 １５ 再生光
Claims (8)
- 【請求項１】ＣｏとＰｔとの合金層からなる磁性薄膜の
両側に、垂直磁気異方性を有する磁性薄膜が積層されて
いることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】Ｃｏ層とＰｔ層とを少なくとも１層ずつ積
層してなる組成変調磁性薄膜の両側に、垂直磁気異方性
を有する磁性薄膜が積層されていることを特徴とする光
磁気記録媒体。 - 【請求項３】上記組成変調磁性薄膜を形成しているＣｏ
層の膜厚が１〜２０オングストロームであり、Ｐｔ層の
膜厚が１〜２０オングストロームであり、全膜厚が３０
〜５００オングストロームであることを特徴とする請求
項２に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】上記組成変調磁性薄膜を形成するＣｏ層の
膜厚が２〜１５オングストロームであり、Ｐｔ層の膜厚
が２〜１５オングストロームであり、全膜厚が５０〜３
００オングストロームであることを特徴とする請求項２
に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】上記垂直磁気異方性を有する磁性薄膜の垂
直磁気異方性定数Ｋuが１×１０5ｅｒｇ／ｃｃ以上であ
り、かつ保磁力Ｈcが１ｋＯｅ以上であることを特徴と
する請求項１〜４に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】上記垂直磁気異方性を有する磁性薄膜のう
ち、信号再生側の磁性薄膜の光学的透過率が１０パーセ
ント以上であることを特徴とする請求項１〜５に記載の
光磁気記録媒体。 - 【請求項７】上記垂直磁気異方性を有する磁性薄膜の光
学定数ｎ1−ｉ・ｋ1と、ＣｏとＰｔとからなる磁性薄膜
の光学定数ｎ2−ｉ・ｋ2が測定波長４００〜８５０ｎｍ
において、以下の式（１）を満足する請求項１〜６に記
載の光磁気記録媒体。 ｜ｎ1−ｎ2｜＋｜ｋ1−ｋ2｜≧１．０・・・・・（１） （式中、ｎ1は垂直磁気異方性を有する磁性薄膜の屈折
率であり、ｋ1はその消衰係数であり、ｎ2はＣｏとＰｔ
とからなる磁性薄膜の屈折率であり、ｋ2はその消衰係
数であり、ｉは虚数である。ただし、ｎ1、ｋ1およびｎ
2、ｋ2は同一波長で測定した値である。） - 【請求項８】上記垂直磁気異方性を有する磁性薄膜がＦ
ｅ，Ｃｏなどの遷移金属とＴｂ，Ｇｄ，Ｎｄ，Ｄｙなど
の希土類元素との合金からなる非晶質磁性薄膜であるこ
とを特徴とする請求項１〜７に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21043892A JPH0676379A (ja) | 1992-06-29 | 1992-08-06 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17122392 | 1992-06-29 | ||
| JP4-171223 | 1992-06-29 | ||
| JP21043892A JPH0676379A (ja) | 1992-06-29 | 1992-08-06 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676379A true JPH0676379A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=26494021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21043892A Pending JPH0676379A (ja) | 1992-06-29 | 1992-08-06 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676379A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313426A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-18 | Meiji Seika Kaisha Ltd | 糖ラクタム誘導体 |
-
1992
- 1992-08-06 JP JP21043892A patent/JPH0676379A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313426A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-18 | Meiji Seika Kaisha Ltd | 糖ラクタム誘導体 |
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