JPH067639B2 - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPH067639B2 JPH067639B2 JP28499585A JP28499585A JPH067639B2 JP H067639 B2 JPH067639 B2 JP H067639B2 JP 28499585 A JP28499585 A JP 28499585A JP 28499585 A JP28499585 A JP 28499585A JP H067639 B2 JPH067639 B2 JP H067639B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gainasp
- semiconductor laser
- conductivity type
- type inp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 26
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 16
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000025 interference lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150054880 NASP gene Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用方法） この発明は、半導体レーザの製造方法に関し、特に、Ｇ
ａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系の縦（軸）単一モードで発振す
る半導体レーザの製造方法に関する。
ａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系の縦（軸）単一モードで発振す
る半導体レーザの製造方法に関する。
（従来の技術） 第２図（Ａ）〜（Ｄ）は例えば文献（エレクトロニクス
レターズ(Electoronics Letters)18No.23 P.1006〜10
08)に開示された従来の埋め込みＤＦＢ（Distibuted-fe
edback）型半導体レーザ素子の製造工程図である。
レターズ(Electoronics Letters)18No.23 P.1006〜10
08)に開示された従来の埋め込みＤＦＢ（Distibuted-fe
edback）型半導体レーザ素子の製造工程図である。
従来の製造方法においては先ず、第一回目の液相エピタ
キシャル成長（以下、ＬＰＥと称することもある）によ
ってｎ型ＩｎＰ基板11上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層13
と、ＧａＩｎＡｓＰ活性層15と、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰ光
導波層１７とを順次に成長させる。続いて、フォログラ
フィックリソグラフィによってレジストパターンをｐ型
ＧａＩｎＡｓＰ光導派層17の上側面に形成し、次に、ケ
ミカルエッチング技術によって光導波層17の不要部分の
エッチングを行なって、最適ピッチ及び深さの波形（co
rrugation）17ａをこのｎ型ＩｎＰ基板11上に形成する
（第２図（Ａ））。この文献によれば、ピッイが４５０
０Åで、深さが２０００Åとしてある。
キシャル成長（以下、ＬＰＥと称することもある）によ
ってｎ型ＩｎＰ基板11上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層13
と、ＧａＩｎＡｓＰ活性層15と、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰ光
導波層１７とを順次に成長させる。続いて、フォログラ
フィックリソグラフィによってレジストパターンをｐ型
ＧａＩｎＡｓＰ光導派層17の上側面に形成し、次に、ケ
ミカルエッチング技術によって光導波層17の不要部分の
エッチングを行なって、最適ピッチ及び深さの波形（co
rrugation）17ａをこのｎ型ＩｎＰ基板11上に形成する
（第２図（Ａ））。この文献によれば、ピッイが４５０
０Åで、深さが２０００Åとしてある。
次に、第二回目のＬＰＥによって、ｐ型InPクラッド層1
9と、ｐ型GaInAsPキャツプ層19とを順次に成長させる
（第２図（Ｂ））。
9と、ｐ型GaInAsPキャツプ層19とを順次に成長させる
（第２図（Ｂ））。
次に、通常の埋め込み構造の半導体レーザの製造と同様
なフォトエッチング手法を用い、キャップ層21と、クラ
ッド層19と、光導波層17と、活性層15と、バッファ層13
との不要部分を除去して、逆メサ形状の積層体23を形成
する。（第２図（Ｃ））。
なフォトエッチング手法を用い、キャップ層21と、クラ
ッド層19と、光導波層17と、活性層15と、バッファ層13
との不要部分を除去して、逆メサ形状の積層体23を形成
する。（第２図（Ｃ））。
次に、第三回目のＬＰＥによってｐ型ＩｎＰ電流狭窄層
23と、ｎ型ＩｎＰ電流狭窄層25とを基板11上に順次に成
長させ、メサ型形状の積層体23を埋め込む。（第２図
（Ｄ）に断面を示す）。
23と、ｎ型ＩｎＰ電流狭窄層25とを基板11上に順次に成
長させ、メサ型形状の積層体23を埋め込む。（第２図
（Ｄ）に断面を示す）。
又、図示せずも、基板11の下側面に負電極が、キャップ
層21の上側面に正電極がそれぞれ設けられこの素子は構
成されている。
層21の上側面に正電極がそれぞれ設けられこの素子は構
成されている。
このような素子に所定のバイアスを印加し動作させる
と、ｐ型ＩｎＰ電流狭窄層23と、ｎ型ＩｎＰ電流狭窄層
25との界面は逆バイアスとなり、このため、順バイアス
となっている活性層15の部分に電流が効率良く注入され
る。従って、低閾値電流で発振させることが出来る。
と、ｐ型ＩｎＰ電流狭窄層23と、ｎ型ＩｎＰ電流狭窄層
25との界面は逆バイアスとなり、このため、順バイアス
となっている活性層15の部分に電流が効率良く注入され
る。従って、低閾値電流で発振させることが出来る。
さらに、活性層15で発生した光は光導波層17を導波し、
この光導波層の表面に設けた波形17ａによってブラッグ
反射され、このため、単一縦モードで発振する。
この光導波層の表面に設けた波形17ａによってブラッグ
反射され、このため、単一縦モードで発振する。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述したような半導体レーザの製造方法
ではその製造工程中に三回のＬＰＥ（結晶成長工程）が
必要であり、このため、製造工程が多くなり、これが原
因で歩留りの低下や製造コストを高めるという問題点が
あった。
ではその製造工程中に三回のＬＰＥ（結晶成長工程）が
必要であり、このため、製造工程が多くなり、これが原
因で歩留りの低下や製造コストを高めるという問題点が
あった。
又、先の結晶成長で成長させた層表面が、その成長とは
異なる後の結晶成長の際に劣化し、このため両者の成長
層界面の劣化が起こり易いという問題点があった。この
現象は上述した製造工程中の第二回と、第三回目の結晶
成長工程の界面である、ｎ型ＩｎＰ基板11及びｐ型Ｉｎ
Ｐ電流狭窄層25の界面のｐ−ｎ接合部で起こり易い。
異なる後の結晶成長の際に劣化し、このため両者の成長
層界面の劣化が起こり易いという問題点があった。この
現象は上述した製造工程中の第二回と、第三回目の結晶
成長工程の界面である、ｎ型ＩｎＰ基板11及びｐ型Ｉｎ
Ｐ電流狭窄層25の界面のｐ−ｎ接合部で起こり易い。
この発明の目的は、上述した問題点を解決し、製造工程
中の結晶成長の回数を減らすことが出来ると共に、従来
と同程度の特性を有した半導体レーザを製造することが
出来る半導体レーザの製造方法を提供することにある。
中の結晶成長の回数を減らすことが出来ると共に、従来
と同程度の特性を有した半導体レーザを製造することが
出来る半導体レーザの製造方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明によれば、ＧａＩ
ｎＡｓＰ／ＩｎＰ半導体レーザを液相エピタキシャル成
長法を用いて製造するに当り、 第一導電型ＩｎＰ基板の（１００）面から（１１１）Ａ
面を側面とするストライプ状溝を形成する工程と、 この溝付き第一導電型ＩｎＰ基板上に成長速度の面方位
依存性を利用した第二導電型電流狭窄層の成長と、これ
に続く第一導電型ＧａＩｎＡｓＰバッファ層、第一導電
型ＩｎＰ下側クラッド層、ＧａＩｎＡｓＰ活性層及び第
二導電型ＧａＩｎＡｓＰ光導波層の成長とを一回の液相
エピキシャル成長で連続して行なう工程と、 この光導波層の上側表面を素子の発振波長に応じた適当
なピッチ及び深さの波形に加工する工程と、 この波形表面を有する光導波層上に、第二導電型ＩｎＰ
上側クラッド層と、第二導電型ＧａＩｎＡｓＰキャップ
層とを一回の液相エピタキシャル成長で行なう工程と、 この上側クラッド層及びこのキャップ層をエッチングし
て前述した溝の上側部分に残存した上側クラッド層及び
キャップ層部分から成るリッジ部を形成する工程とを含
むことを特徴とする。
ｎＡｓＰ／ＩｎＰ半導体レーザを液相エピタキシャル成
長法を用いて製造するに当り、 第一導電型ＩｎＰ基板の（１００）面から（１１１）Ａ
面を側面とするストライプ状溝を形成する工程と、 この溝付き第一導電型ＩｎＰ基板上に成長速度の面方位
依存性を利用した第二導電型電流狭窄層の成長と、これ
に続く第一導電型ＧａＩｎＡｓＰバッファ層、第一導電
型ＩｎＰ下側クラッド層、ＧａＩｎＡｓＰ活性層及び第
二導電型ＧａＩｎＡｓＰ光導波層の成長とを一回の液相
エピキシャル成長で連続して行なう工程と、 この光導波層の上側表面を素子の発振波長に応じた適当
なピッチ及び深さの波形に加工する工程と、 この波形表面を有する光導波層上に、第二導電型ＩｎＰ
上側クラッド層と、第二導電型ＧａＩｎＡｓＰキャップ
層とを一回の液相エピタキシャル成長で行なう工程と、 この上側クラッド層及びこのキャップ層をエッチングし
て前述した溝の上側部分に残存した上側クラッド層及び
キャップ層部分から成るリッジ部を形成する工程とを含
むことを特徴とする。
（作用） このような製造方法によれば、面方位依存性特有の性質
によって、電流狭窄層を溝内部に成長させることなく第
一回目の液相エピタキシャル成長によって電流狭窄層、
バッファ層、下側クラッド層、活性層及び光導波層の各
層を基板上に連続的に成長することが出来る。従って、
この発明で得られた半導体レーザは従来のような劣化し
易い界面を有しない。
によって、電流狭窄層を溝内部に成長させることなく第
一回目の液相エピタキシャル成長によって電流狭窄層、
バッファ層、下側クラッド層、活性層及び光導波層の各
層を基板上に連続的に成長することが出来る。従って、
この発明で得られた半導体レーザは従来のような劣化し
易い界面を有しない。
又、光導波層の活性層とは反対側の表面に波形を設ける
から、この活性層で発生した光はこの光導波層を導波
し、この光導波層表面の波形によってブラッグ反射さ
れ、このため、単一縦モードで発振される。
から、この活性層で発生した光はこの光導波層を導波
し、この光導波層表面の波形によってブラッグ反射さ
れ、このため、単一縦モードで発振される。
又、第二回目の液相エピタキシャル成長によって、上側
クラッド層と、キャップ層とを順次に連続的に成長する
から、二回の液相エピタキシャル成長を行なうことによ
り半導体レーザ（ＤＦＢ型レーザ）の主要部は構成され
る。
クラッド層と、キャップ層とを順次に連続的に成長する
から、二回の液相エピタキシャル成長を行なうことによ
り半導体レーザ（ＤＦＢ型レーザ）の主要部は構成され
る。
又、クラッド層及びキャップ層をエッチングして少なく
とも溝の上方にストライプ状のリッジ部を残存させた構
造とするので、得られた半導体レーザは屈折率差を付け
られた屈折率導波構造となるから、安定な横基本モード
発振が得られる。
とも溝の上方にストライプ状のリッジ部を残存させた構
造とするので、得られた半導体レーザは屈折率差を付け
られた屈折率導波構造となるから、安定な横基本モード
発振が得られる。
さらに、内部電流狭窄層を具えているから、注入電流は
活性層に効率的に流れ、従って、低閾値電流で発振す
る。
活性層に効率的に流れ、従って、低閾値電流で発振す
る。
（実施例） 以下、図面を参照してこの発明の実施例につき説明す
る。尚、これらの図はこの発明が理解出来る程度に概略
的に示してあるにすぎず、その形状、寸法及び配置関係
は図示例に限定されるものではない。又、これら図にお
いて同一の構成成分については同一の符号を付して示し
てある。
る。尚、これらの図はこの発明が理解出来る程度に概略
的に示してあるにすぎず、その形状、寸法及び配置関係
は図示例に限定されるものではない。又、これら図にお
いて同一の構成成分については同一の符号を付して示し
てある。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の半導体レーザ素子の
製造方法を示す工程図である。尚、第１図（Ｂ）及び
（Ｄ）は、第１図（Ａ）のI−I断面に該当する断面図と
して示してある。
製造方法を示す工程図である。尚、第１図（Ｂ）及び
（Ｄ）は、第１図（Ａ）のI−I断面に該当する断面図と
して示してある。
先ず、通常のフォトエッチング技術を用い、第一導電型
ＩｎＰ基板として例えばｐ形ＩｎＰ基板31（以下、基板
と称することもある）の（１００）面に、基板31の＜０
１＞方向にストライプ状に、かつ、基板31の＜０１１
＞方向に所定の幅でｐ型ＩｎＰ基板31の一部領域を露出
することが出来る例えばＳｉＯ２から成るエッチングマ
スク（図示せず）を形成する。次に、臭素メタノールを
用い基板31の露出部分をエッチングして、例えば幅（第
１図中、ＷＡで示す寸法）１．５μｍ、深さ０．２μｍ
のストライプ状溝33を形成する。続いて、エッチングマ
スクを除去して第１図（Ａ）に示すような溝33を有する
ウエハ構造を得る。
ＩｎＰ基板として例えばｐ形ＩｎＰ基板31（以下、基板
と称することもある）の（１００）面に、基板31の＜０
１＞方向にストライプ状に、かつ、基板31の＜０１１
＞方向に所定の幅でｐ型ＩｎＰ基板31の一部領域を露出
することが出来る例えばＳｉＯ２から成るエッチングマ
スク（図示せず）を形成する。次に、臭素メタノールを
用い基板31の露出部分をエッチングして、例えば幅（第
１図中、ＷＡで示す寸法）１．５μｍ、深さ０．２μｍ
のストライプ状溝33を形成する。続いて、エッチングマ
スクを除去して第１図（Ａ）に示すような溝33を有する
ウエハ構造を得る。
次に、第一回目の液相エピタキシャル成長によって、電
流狭窄層として機能する第二導電ＩｎＰ層としての例え
ばｎ型ＩｎＰ層35と、第一導電型バッファ層としての例
えばｐ型ＧａＩｎＡｓＰ層37と、第一導電型下側クラッ
ド層としての例えばｐ型ＩｎＰ層39と、活性層としての
例えばＧａＩｎＡｓＰ層41と、第二導電型光導波層とし
ての例えばｎ型ＧａＩｎＡｓＰ層43とを、溝33を含む基
板31上に順次に連続的に形成して第１図（Ｂ）に示すウ
エハ構造を得る。尚、ｐ型ＩｎＰ基板31に形成した溝33
の側面は（１１１）Ａ面であり、かつ、溝33の低面は湾
曲した状態となる。ここで、この結晶成長工程中のｎ型
ＩｎＰ層35の成長を６００℃程度の比較的低い成長温度
で行なうと、成長速度の面方位依存性のためｎ型ＩｎＰ
層35は基板31に形成した溝33内部には全く成長せず、溝
33以外の基板31上のみに成長する。又、このｎ型ＩｎＰ
層35の上に成長させるｐ型ＧａＩｎＡｓＰ層37は溝33内
部にも成長が可能であり、従って、このｐ型ＧａＩｎＡ
ｓＰ層37上に形成されるｐ型ＩｎＰ層39、ＧａＩｎＡｓ
Ｐ層41及びｎ型ＧａＩｎＡｓ層43は基板31全面（溝33の
上方及びｎ型ＩｎＰ層35上に成長する。このような成長
方法は、この発明の発明者の種々の実験によって明らか
となった方法でありその詳細は、文献（電子通信学会技
術研究報告OQE 84-52 P.1７）に開示されている。
流狭窄層として機能する第二導電ＩｎＰ層としての例え
ばｎ型ＩｎＰ層35と、第一導電型バッファ層としての例
えばｐ型ＧａＩｎＡｓＰ層37と、第一導電型下側クラッ
ド層としての例えばｐ型ＩｎＰ層39と、活性層としての
例えばＧａＩｎＡｓＰ層41と、第二導電型光導波層とし
ての例えばｎ型ＧａＩｎＡｓＰ層43とを、溝33を含む基
板31上に順次に連続的に形成して第１図（Ｂ）に示すウ
エハ構造を得る。尚、ｐ型ＩｎＰ基板31に形成した溝33
の側面は（１１１）Ａ面であり、かつ、溝33の低面は湾
曲した状態となる。ここで、この結晶成長工程中のｎ型
ＩｎＰ層35の成長を６００℃程度の比較的低い成長温度
で行なうと、成長速度の面方位依存性のためｎ型ＩｎＰ
層35は基板31に形成した溝33内部には全く成長せず、溝
33以外の基板31上のみに成長する。又、このｎ型ＩｎＰ
層35の上に成長させるｐ型ＧａＩｎＡｓＰ層37は溝33内
部にも成長が可能であり、従って、このｐ型ＧａＩｎＡ
ｓＰ層37上に形成されるｐ型ＩｎＰ層39、ＧａＩｎＡｓ
Ｐ層41及びｎ型ＧａＩｎＡｓ層43は基板31全面（溝33の
上方及びｎ型ＩｎＰ層35上に成長する。このような成長
方法は、この発明の発明者の種々の実験によって明らか
となった方法でありその詳細は、文献（電子通信学会技
術研究報告OQE 84-52 P.1７）に開示されている。
従って、この発明の半導体レーザに所定バイアス（後述
する）を印加して動作させる場合、溝33の内部を除く基
板31上に成長したｎ型ＩｎＰ層35と、ｐ型ＧａＩｎＡｓ
Ｐ層37のｎ型ＩｎＰ層35上に成長した部分との間（第１
図中、ｘｘｘｘで示す部分）は逆バイアスとなり電流狭
窄層として機能するから、電流は溝33の部分に効率的に
流れる。
する）を印加して動作させる場合、溝33の内部を除く基
板31上に成長したｎ型ＩｎＰ層35と、ｐ型ＧａＩｎＡｓ
Ｐ層37のｎ型ＩｎＰ層35上に成長した部分との間（第１
図中、ｘｘｘｘで示す部分）は逆バイアスとなり電流狭
窄層として機能するから、電流は溝33の部分に効率的に
流れる。
次に、従来のＤＦＢレーザの製造と同様にフォログラフ
ィックリソグラフィによって、レジストパターンをｎ型
ＧａＩｎＡｓ光導波層43上に形成し、次にケミカルエッ
チング技術によってこの光導波層43の不要部分表面のエ
ッチングを行なって、光導波層43の組成及び厚みに応じ
た適正なピッチ及び深さの波形（corrugation）43ａを
光導波層43の表面に形成する（第１図（Ｃ））。
ィックリソグラフィによって、レジストパターンをｎ型
ＧａＩｎＡｓ光導波層43上に形成し、次にケミカルエッ
チング技術によってこの光導波層43の不要部分表面のエ
ッチングを行なって、光導波層43の組成及び厚みに応じ
た適正なピッチ及び深さの波形（corrugation）43ａを
光導波層43の表面に形成する（第１図（Ｃ））。
次に、第二回目の液相エピタキシャル成長によって第二
導電型上側クラッド層としてのｎ型ＩｎＰ層45と、第二
導電型キャップ層としてのｎ型ＧａＩｎＡｓＰ層47と
を、ｎ型ＧａＩｎＡｓＰ光導波層43上に形成する。続い
て、半導体レーザの横モード発振を制御するため、通常
のフォトエッチング技術を用いて少なくとも溝33と対向
するｎ型ＩｎＰ層45及びｎ型ＧａＩｎＡｓＰ層47の部分
領域がリッジ部49として残存するようこれらの層45及び
47の不要部分をエッチング除去して、第１図（Ｄ）に示
すようなウエハを得ることが出来る。尚、リッジ部の幅
（溝33の幅と同一方向の寸法であり、第１図（Ｄ）中、
ＷＢで示す寸法）はｎ型ＧａＩｎＡｓＰ光導波層43の組
成及び厚みに応じて適切な値に設定する。
導電型上側クラッド層としてのｎ型ＩｎＰ層45と、第二
導電型キャップ層としてのｎ型ＧａＩｎＡｓＰ層47と
を、ｎ型ＧａＩｎＡｓＰ光導波層43上に形成する。続い
て、半導体レーザの横モード発振を制御するため、通常
のフォトエッチング技術を用いて少なくとも溝33と対向
するｎ型ＩｎＰ層45及びｎ型ＧａＩｎＡｓＰ層47の部分
領域がリッジ部49として残存するようこれらの層45及び
47の不要部分をエッチング除去して、第１図（Ｄ）に示
すようなウエハを得ることが出来る。尚、リッジ部の幅
（溝33の幅と同一方向の寸法であり、第１図（Ｄ）中、
ＷＢで示す寸法）はｎ型ＧａＩｎＡｓＰ光導波層43の組
成及び厚みに応じて適切な値に設定する。
次に、図示せずも基板31の下側面にｐ電極を、リッジ部
49の上側面にｎ電極をそれぞれ形成することによってこ
の発明の半導体レーザを得ることがが出来る。
49の上側面にｎ電極をそれぞれ形成することによってこ
の発明の半導体レーザを得ることがが出来る。
これがため、この発明の半導体レーザの製造方法によれ
ば、二回の液相エピタキシャル成長で、ＤＦＢ型レーザ
の製造が可能となる。
ば、二回の液相エピタキシャル成長で、ＤＦＢ型レーザ
の製造が可能となる。
尚、上述した実施例はｐ型ＩｎＰ基板を用いた例につき
この発明の半導体レーザの製造方法について説明した
が、この発明の製造方法はｎ型ＩｎＰ基板を用いた半導
体レーザの製造方法として用いても好適である。この場
合、各層の導電型をｎ型ＩｎＰ基板に対応して変更する
ことは勿論である。
この発明の半導体レーザの製造方法について説明した
が、この発明の製造方法はｎ型ＩｎＰ基板を用いた半導
体レーザの製造方法として用いても好適である。この場
合、各層の導電型をｎ型ＩｎＰ基板に対応して変更する
ことは勿論である。
（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の半導体
レーザの製造方法によれば、成長速度の面方位依存性を
利用することによって、電流狭窄層を溝内に成長させる
ことなく一回の液相エピタキシャルで電流狭窄層と、バ
ッファ層と、下側クラッド層と、活性層と、光導波層と
を基板上に形成する。続いて、光導波層の活性層とは反
対側の表面に波形を形成する。次に、第二回目の液相エ
ピタキシャル成長によって、上側クラッド層及びキャッ
プ層を順次に連続的にこの光導波層上に形成する。さら
に、少なくともストライプ状溝と対向する上側クラッド
層及びキャップ層の部分領域はリッジ部分となるよう
に、これら層の不要部分を除去して半導体レーザを作製
する。
レーザの製造方法によれば、成長速度の面方位依存性を
利用することによって、電流狭窄層を溝内に成長させる
ことなく一回の液相エピタキシャルで電流狭窄層と、バ
ッファ層と、下側クラッド層と、活性層と、光導波層と
を基板上に形成する。続いて、光導波層の活性層とは反
対側の表面に波形を形成する。次に、第二回目の液相エ
ピタキシャル成長によって、上側クラッド層及びキャッ
プ層を順次に連続的にこの光導波層上に形成する。さら
に、少なくともストライプ状溝と対向する上側クラッド
層及びキャップ層の部分領域はリッジ部分となるよう
に、これら層の不要部分を除去して半導体レーザを作製
する。
従って、従来は三回必要であった液相エピタキシャル成
長を二回とすることが出来ると共に、ｎ型ＩｎＰ電流電
流狭窄層と、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰバッファ層板とを連続
成長させることが出来るから各成長界面の劣化は起こり
難い。従って、従来と比較して歩留り、製造コスト及び
信頼性を改善することが出来る。
長を二回とすることが出来ると共に、ｎ型ＩｎＰ電流電
流狭窄層と、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰバッファ層板とを連続
成長させることが出来るから各成長界面の劣化は起こり
難い。従って、従来と比較して歩留り、製造コスト及び
信頼性を改善することが出来る。
又、この発明の半導体レーザは内部電流狭窄層によって
低閾値電流での発振が可能であり、又、光導波層に設け
た波形によって単一縦モード発振し、さらに、ストライ
プ状溝と対向する上側クラッド層及びキャップ層をリッ
ジ部としこのリッジ部に負電極を設けて横基本モード発
振する。
低閾値電流での発振が可能であり、又、光導波層に設け
た波形によって単一縦モード発振し、さらに、ストライ
プ状溝と対向する上側クラッド層及びキャップ層をリッ
ジ部としこのリッジ部に負電極を設けて横基本モード発
振する。
これがため、製造工程中の結晶成長の回数を減らすこと
が出来ると共に、従来と同程度の特性を有した半導体レ
ーザを製造することが出来る製造方法を提供することが
出来る。
が出来ると共に、従来と同程度の特性を有した半導体レ
ーザを製造することが出来る製造方法を提供することが
出来る。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の半導体レーザの製造
方法の説明に供する製造工程図、 第２図（Ａ）〜（Ｄ）は従来の半導体レーザの製造方法
を示す説明図である。 31…ｐ型ＩｎＰ基板 33…ストライプ状溝 35…ｎ型ＩｎＰ電流狭窄層 37…ｐ型ＧａＩｎＡｓＰバッファ層 39…ｐ型ＩｎＰ下側クラッド層 41…ＧａＩｎＡｓＰ活性層 43…ｎ型ＧａＩｎＡｓＰ光導波層 43ａ…波形（corrugation） 45…ｎ型ＩｎＰクラッド層 47…ｎ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層 49…リッジ部。
方法の説明に供する製造工程図、 第２図（Ａ）〜（Ｄ）は従来の半導体レーザの製造方法
を示す説明図である。 31…ｐ型ＩｎＰ基板 33…ストライプ状溝 35…ｎ型ＩｎＰ電流狭窄層 37…ｐ型ＧａＩｎＡｓＰバッファ層 39…ｐ型ＩｎＰ下側クラッド層 41…ＧａＩｎＡｓＰ活性層 43…ｎ型ＧａＩｎＡｓＰ光導波層 43ａ…波形（corrugation） 45…ｎ型ＩｎＰクラッド層 47…ｎ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層 49…リッジ部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川原 正人 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−47182（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ半導体レーザを液
相エピタキシャル成長法を用いて製造するに当り、 第一導電型ＩｎＰ基板の（１００）面から（１１１）Ａ
面を側面とするストライプ状溝を形成する工程と、 該溝付き第一導電型ＩｎＰ基板上に成長速度の面方位依
存性を利用した第二導電型電流狭窄層の成長と、これに
続く第一導電型ＧａＩｎＡｓＰバッファ層、第一導電型
ＩｎＰ下側クラッド層、ＧａＩｎＡｓＰ活性層及び第二
導電型ＧａＩｎＡｓＰ光導波層の成長とを一回の液相エ
ピタキシャル成長で連続して行なう工程と、 該光導波層の上側表面を波形に加工する工程と、 該波形表面を有する光導波層上に、第二導電型ＩｎＰ上
側クラッド層と、第二導電型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層
との成長を一回の液相エピタキシャル成長で行なう工程
と、 該上側クラッド層及び該キャップ層をエッチングして前
記溝の上側部分に残存した上側クラッド層及びキャップ
層部分から成るリッジ部を形成する工程と を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28499585A JPH067639B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28499585A JPH067639B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144376A JPS62144376A (ja) | 1987-06-27 |
| JPH067639B2 true JPH067639B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=17685777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28499585A Expired - Fee Related JPH067639B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067639B2 (ja) |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP28499585A patent/JPH067639B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62144376A (ja) | 1987-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0663710A2 (en) | Optical semiconductor device and method for producing the same | |
| US4958202A (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| US4841532A (en) | Semiconductor laser | |
| JP2003229635A (ja) | 半導体光集積素子 | |
| JPH118436A (ja) | 逆メサリッジ導波型レーザダイオード及びその製造方法 | |
| KR100266836B1 (ko) | 반도체레이저 | |
| JP2002057409A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2542570B2 (ja) | 光集積素子の製造方法 | |
| JPH067639B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP2629678B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPH07111361A (ja) | 埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| CN218632788U (zh) | 一种高功率、窄线宽InP集成半导体激光器 | |
| JP2002314200A (ja) | 半導体レーザ素子及びその作製方法 | |
| JPH05226774A (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JPH037153B2 (ja) | ||
| JPS63250886A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JPS6119186A (ja) | 二波長モノリシツク半導体レ−ザアレイの製造方法 | |
| KR100647293B1 (ko) | 굴절률 도파형 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| JP3322001B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH01309393A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP4024319B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS6354234B2 (ja) | ||
| JP2538258B2 (ja) | 半導体レ―ザ | |
| JPH0744312B2 (ja) | 埋め込み型半導体レーザの製造方法 | |
| JPS62144377A (ja) | 半導体レ−ザ素子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |