JPH118436A - 逆メサリッジ導波型レーザダイオード及びその製造方法 - Google Patents

逆メサリッジ導波型レーザダイオード及びその製造方法

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JPH118436A
JPH118436A JP9344006A JP34400697A JPH118436A JP H118436 A JPH118436 A JP H118436A JP 9344006 A JP9344006 A JP 9344006A JP 34400697 A JP34400697 A JP 34400697A JP H118436 A JPH118436 A JP H118436A
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waveguide
mesa ridge
laser diode
substrate
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JP9344006A
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Kojo Kin
昂 序 金
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SK Hynix Inc
Original Assignee
Hyundai Electronics Industries Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 単一モードのレーザを容易に発生させること
ができるとともに、コンタクト抵抗及び直列抵抗を減少
させることのできる逆メサリッジ導波型レーザダイオー
ド及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 第１導電型化合物半導体基板と、基板の
上面に順次形成された第１導電型バッファ層と、活性層
及び第２導電型導波層と、導波層上に形成され第２導電
型導波路制御層と、導波路制御層の幅より下部幅の広い
逆メサリッジ形状を有しつつ導波路制御層上に積層され
た第２導電型クラッド層及第２導電型コンタクト層と、
逆メサリッジ上部の前記コンタクト層を露出させつつ逆
メサリッジを保護するため基板上に形成された保護膜
と、逆メサリッジの両側部位を充填するために保護膜上
に形成されたポリイミド層と、コンタクト層の露出され
た部分とコンタクトしつつ基板上に形成された第２導電
型オーミック金属層と、基板の下面に形成された第１導
電型オーミック金属層とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光素子及びその製
造方法に係り、特に逆メサリッジ導波(Reverse Mesa Ri
dge Waveguide)型レーザダイオード及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザダイオードは電流が印加されるこ
とによりレーザ光を出力するもので、光通信システムに
おける光信号発生源として、また、計測装備，情報機器
及びポインタなどの光源として用いられている。
【０００３】図６は従来の正メサリッジ導波(Forward M
esa Ridge Waveguide)型レーザダイオードを示す断面図
である。図６に示すように、Ｎ型基板１上に、Ｎ型バッ
ファ層２，活性層３，Ｐ型導波層４，エッチング停止層
５，Ｐ型クラッド(clad)層６及びＰ型コンタクト層７
が、ＭＯＣＶＤ(Metal Orgnaic Chemical Vapor Deposi
tion) 技術によって順次形成される。前記コンタクト層
７及びクラッド層６が正メサ状にエッチングされて正メ
サリッジが形成される。保護膜として作用する酸化膜８
が、正メサリッジの上部表面が露出するように基板の全
面に均一に形成される。露出された正メサリッジの上部
とコンタクトするように、Ｐ型オーミック金属層９が基
板上に形成され、この基板１の下面にＮ型オーミック金
属層１０が形成される。
【０００４】このような正メサリッジ導波型レーザダイ
オードの制作は比較的容易である反面、導波路の幅が広
いために多重モードのレーザが発生しやすい。従って、
従来においては、かかる問題を解決するために、逆メサ
リッジ導波型レーザダイオードを制作するようにしてい
る。
【０００５】図７は、従来における逆メサリッジ導波型
レーザダイオードの断面図を示す図である。図に示すよ
うに、Ｎ型基板１１上にＮ型バッファ層１２，活性層１
３，Ｐ型導波層１４，エッチング停止層１５，Ｐ型クラ
ッド層１６及びＰ型コンタクト層１７がＭＯＣＶＤ技術
によって順次形成される。前記Ｐコンタクト層１７及び
Ｐクラッド層１６が逆メサ状にエッチングされて逆メサ
リッジが形成される。保護膜として作用する酸化膜２０
が逆メサリッジの上部表面が露出するように基板上に均
一に形成される。逆メサリッジ両側のエッチング部位に
は、ポリイミド(polyimide) 層１９が充填される。露出
された逆メサリッジの上部とコンタクトするように、基
板上にＰ型オーミック金属層１８が均一に形成され、Ｎ
型基板１１の下面にＮ型オーミック金属層２１が形成さ
れる。
【０００６】図７に示すようなレーザダイオードでは、
リッジを逆メサ状に形成することによって導波路の幅が
狭くなるために、単一モードのレーザを発生させること
が可能である。また、リッジ上部の幅が広いために、コ
ンタクト抵抗が減少し、且つ直列抵抗も減少する。しか
し、前記のように、導波路の幅を狭くしながらリッジ上
部の幅を広くするためにはＰクラッド層１６が厚ければ
厚いほど容易になる。従って、図７に示すレーザーダイ
オードは、ＰＢＨ(Planar Buried Heterostructure) レ
ーザダイオードに比べて比較的大きい直列抵抗をもつ。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、本発明
の目的は、単一モードのレーザを容易に発生させること
ができるとともに、コンタクト抵抗及び直列抵抗を減少
させることのできるレーザダイオードを提供することに
ある。また、本発明の他の目的は、前記レーザダイオー
ドの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明によるレーザダイオードは、上面と前記上面の
反対方に下面とを有する第１導電型化合物半導体基板
と、前記基板の上面に順次形成された第１導電型バッフ
ァ層，活性層及び第２導電型導波層と、前記導波層上に
形成され、所定の幅をもつ第２導電型導波路制御層と、
前記導波路制御層の幅より下部幅の広い逆メサリッジ形
状を有するとともに前記導波路制御層上に順次積層され
た第２導電型クラッド層及び第２導電型コンタクト層と
を備える構成とし、前記逆メサリッジ上部の前記コンタ
クト層を露出させつつ、前記逆メサリッジを保護するた
めに前記基板上に形成された保護膜と、前記逆メサリッ
ジの両側部位を充填するために前記保護膜上に形成され
たポリイミド層と、前記コンタクト層の露出された部分
とコンタクトしつつ、前記基板上に形成された第２導電
型オーミック金属層と、前記基板の下面に形成された第
１導電型オーミック金属層とをさらに備える構成とする
ものである。
【０００９】また、前記基板はＩｎＰ系列であり、前記
活性層は１. ３μｍの発振波長を有し、前記化合物半導
体基板は、Ｎ+ −ＩｎＰ層であり、前記バッファ層はＮ
−ＩｎＰ層であり、前記活性層はＵ−ＩｎＧａＡｓＰ層
であり、前記導波層はＰ−ＩｎＰ層であり、前記導波路
制御層はＰ−ＩｎＧａＡｓＰ層であり、前記クラッド層
はＰ−ＩｎＰ層であり、前記コンタクト層はＰ+ −Ｉｎ
ＧａＡｓ層であり、前記導波路制御層の物質波長は１.
１μｍ乃至１. ３μｍであり、前記基板はＩｎＰ系列で
あり、前記活性層は１. ５５μｍの発振波長を有し、前
記導波路制御層はＩｎＧａＡｓＰ層であり、その物質波
長は１. ３μｍ乃至１. ５５μｍであり、前記基板はＧ
ａＡｓ系列であり、前記導波路制御層は前記活性層より
低い屈折率と高いバンドギャップエネルギーをもつ物質
である構成とするものである。
【００１０】また、上面と前記上面の反対方に下面とを
有する第１導電型化合物半導体基板の上面に、第１導電
型バッファ層，活性層，第２導電型導波層，第２導電型
導波路制御層，第２導電型クラッド層及び第２導電型コ
ンタクト層を順次形成する段階と、前記コンタクト層及
びクラッド層をエッチングして上部及び下部が所定の幅
をもつ逆メサリッジを形成する段階と、前記逆メサリッ
ジ下部の幅より狭い幅をもつように前記導波路制御層を
選択的にエッチングする段階とを含むことを特徴とし、
前記逆メサリッジを保護するために前記基板上に保護膜
を形成する段階と、前記逆メサリッジの両側のエッチン
グ部位を充填するように逆メサリッジの両側の保護膜上
にポリイミド層を形成する段階と、前記逆メサリッジ上
部の前記コンタクト層が露出されるように前記保護膜を
一部除去する段階と、前記コンタクト層の露出された部
分とコンタクトするように前記基板上に第２導電型オー
ミック金属層を形成する段階と、前記基板の下面に第１
導電型オーミック金属層を形成する段階とをさらに備え
ることを特徴とするものである。
【００１１】また、前記基板はＩｎＰ系列であり、前記
活性層は１. ３μｍの発振波長をもち、前記化合物半導
体基板はＮ+ −ＩｎＰ層であり、前記バッファ層はＮ−
ＩｎＰ層，前記活性層はＵ−ＩｎＧａＡｓＰ層，前記導
波層はＰ−ＩｎＰ層，前記導波路制御層はＰ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ層，前記クラッド層はＰ−ＩｎＰ層，前記コンタ
クト層はＰ+ −ＩｎＧａＡｓ層から形成されるととも
に、前記導波路制御層の物質波長は１. １μｍ乃至１.
３μｍであることを特徴とするものである。
【００１２】また、前記逆メサリッジを形成する段階に
おいて、前記コンタクト層のエッチングはＨ3 ＰＯ4 と
Ｈ2 Ｏ2 とＨ2 Ｏとの混合溶液を用いたウェットエッチ
ングで進行し、前記逆メサリッジを形成する段階におい
て、前記クラッド層のエッチングはＨＢｒとＨ2 Ｏとの
混合溶液を用いたウェットエッチングで進行し、前記基
板はＩｎＰ系列であり、前記活性層は１. ５５μｍの発
振波長をもつことを特徴とし、前記導波路制御層はＩｎ
ＧａＡｓＰであり、その物質波長は１. ３μｍ乃至１.
５５μｍであり、前記基板はＧａＡｓ系列であり、前記
導波路制御層は前記活性層より低い屈折率と高いバンド
ギャップエネルギーをもつ物質であることを特徴とする
ものである。
【００１３】以上のように本発明によれば、導波層上に
形成された導波路制御層によって導波路の幅が選択的に
調節されるために、逆メサリッジの上部及び下部の幅が
充分広く形成される。従って、単一モードのレーザを容
易に発生させることができ、コンタクト抵抗及び直列抵
抗が減少する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態を説明する。図１〜図５は、本発明の一実施
の形態による逆メサリッジ導波型レーザダイオードの製
造方法を説明するための断面図である。本実施の形態に
よるレーザダイオードは、１. ３μｍの発振波長を有す
るＩｎＰ系列である。
【００１５】図１に示すように、上面３１ａと、下面３
１ｂとを有するＮ+ −ＩｎＰ基板３１の上面３１ａに、
Ｎ−ＩｎＰバッファ層３２を形成し、このＮ−ＩｎＰバ
ッファ層３２上に、発振波長が１. ３μｍであるＵ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層３３を形成する。次いでこのＵ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層３３上に、Ｐ−ＩｎＰ導波層３４を
形成し、このＰ−ＩｎＰ導波層３４上に、Ｐ−ＩｎＰ導
波層３４の導波路の幅を選択的に調節するためのＰ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ導波路制御層３５を形成する。ここで、Ｐ
−ＩｎＧａＡｓＰ導波路制御層３５はＩｎＰ系列の層で
あり、発振波長が１. ３μｍである場合、その物質波長
は１. １μｍ乃至１. ３μｍの短波長をもつ。その後、
Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路制御層３５上にＰ−ＩｎＰク
ラッド層３６とＰ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層３７を
順次形成する。ここで、前記化合物半導体層はＭＯＣＶ
Ｄ技術によって形成される。
【００１６】図２に示すように、逆メサリッジ形成のた
めのエッチング時にマスクとして作用するように、Ｐ+
−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３７上にシリコン酸化膜パ
ターン３８が形成される。図３に示すように、シリコン
酸化膜パターン３８をマスクとして用いるウェットエッ
チングによってＰ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層３７が
選択的にエッチングされる。ここで、ウェットエッチン
グは、Ｈ3 ＰＯ4 とＨ2 O2とＨ2 Oとの混合溶液を用い
て行われる。次に、Ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層３
７の下部のＰ−ＩｎＰクラッド層３６が、ＨＢｒとＨ2
O との混合溶液を用いたウェットエッチングによって選
択的にエッチングされて逆メサリッジが形成される。そ
の後、Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路制御層３５が、Ｐ−Ｉ
ｎＰクラッド層３６の下面より狭い幅をもつように選択
的にエッチングされる。
【００１７】ここで、Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路制御層
３５の幅は、単一モードのレーザが発生可能なように充
分に狭い。即ち、Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路制御層３５
によって導波路の幅が選択的に調節されるために、導波
路の幅に関係なく、逆メサリッジの形成時にリッジの上
部及び下部の幅を広く形成することが容易になる。その
後、シリコン酸化膜パターン３８が公知の方法によって
図４に示すように除去される。
【００１８】図４を参照して、前記逆メサリッジを保護
するように基板上に保護膜３９が形成される。この保護
膜３９はシリコン酸化膜である。次いで、逆メサリッジ
両側のエッチング部位を充填するように逆メサリッジ両
側の保護膜３９上にポリイミド層４０が形成される。逆
メサリッジ両側のエッチング部位がポリイミド層４０で
充填されることにより、以後に形成されるＰ型オーミッ
ク金属層との切れが防止される。その後、逆メサリッジ
上部のＰ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層３７が露出する
ように保護膜３９が除去される。
【００１９】図５に示すように、Ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコ
ンタクト層３７の露出された部分とコンタクトするよう
に基板上にＰ型オーミック金属層４１が形成される。Ｐ
型オーミック金属層４１は、Ｔｉ膜とＰｔ膜とＡｕ膜と
の積層膜と、この積層膜上に形成されるＡｕ鍍金(Plati
ng) 層とからなる。その後、Ｎ+ −ＩｎＰ基板３１の下
面にＮ型オーミック金属層４２が形成される。Ｎ型オー
ミック金属層は、ＡｕＧｅ膜とＮｉ膜とＡｕ膜との積層
膜と、この積層膜上に形成されるＡｕ鍍金層とからな
る。
【００２０】以上の実施の形態では、１. ３μｍの発振
波長をもつＩｎＰ系列のレーザダイオードについて説明
したが、発振波長が１. ５５μｍである場合、またはＧ
ａＡｓ系列のレーザダイオードの場合にも適用すること
ができる。ここで、発振波長が１. ５５μｍの場合、導
波路制御層は物質波長１. ３３μｍのＩｎＧａＡｓＰ層
で形成されるか、或いは１. ５５μｍより小さい短波長
をもつＩｎＧａＡｓＰ層で形成される。また、ＧａＡｓ
系列のレーザダイオードの場合、導波路制御層は活性層
より低い屈折率をもち且つ活性層より高いバンドギャッ
プエネルギーをもつ物質で形成される。
【００２１】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
ず、本発明の技術思想を外れない範囲内において多様に
変形して実施することができるのは当然である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明のように本発明によれば、Ｐ−
ＩｎＰ導波層３６上に形成されたＰ−ＩｎＧａＡｓＰ導
波路制御層３７によって導波路の幅が選択的に調節され
るために、逆メサリッジの上部及び下部の幅が充分広く
形成される。従って、単一モードのレーザを容易に発生
させることができるとともに、コンタクト抵抗及び直列
抵抗が減少する。これにより、レーザダイオードの動作
時に発熱が減少して高出力化が可能となる。また、高温
における動作が可能であるため、使用可能な温度範囲が
拡大し、周波数特性が優秀になり、しきい値電流も低く
なることにより、レーザダイオードの信頼性が向上する
等の優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る逆メサリッジ導波型レーザダイオ
ードの製造方法を説明するための断面図である。
【図２】本発明に係る逆メサリッジ導波型レーザダイオ
ードの製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明に係る逆メサリッジ導波型レーザダイオ
ードの製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明に係る逆メサリッジ導波型レーザダイオ
ードの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明に係る逆メサリッジ導波型レーザダイオ
ードの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】従来の正メサリッジ導波(Forword Mesa Ridge
Waveguide)型レーザダイオードを示す断面図である。
【図７】従来の逆メサリッジ導波(Reverse Mesa Ridge
Waveguide)型レーザダイオードを示す断面図である。
【符号の説明】
３１・・Ｎ+ −ＩｎＰ基板 ３１ａ・・上面 ３１ｂ・・下面 ３２・・Ｎ−ＩｎＰバッファ層 ３３・・Ｕ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ３４・・Ｐ−ＩｎＰ導波層 ３５・・Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路制御層 ３６・・Ｐ−ＩｎＰクラッド層 ３７・・Ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ３８・・シリコン酸化膜パターン ３９・・保護膜 ４０・・ポリイミド層 ４１・・Ｐ型オーミック金属層 ４２・・Ｎ型オーミック金属層

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上面と下面とを有する第１導電型化合物
    半導体基板と、前記基板の上面に順次形成された第１導
    電型バッファ層，活性層及び第２導電型導波層と、前記
    導波層上に形成され、所定の幅をもつ第２導電型導波路
    制御層と、前記導波路制御層の幅より下部幅の広い逆メ
    サリッジ形状を有するとともに前記導波路制御層上に順
    次積層された第２導電型クラッド層及び第２導電型コン
    タクト層とを備えることを特徴とする逆メサリッジ導波
    型レーザダイオード。
  2. 【請求項２】 前記逆メサリッジ上部の前記コンタクト
    層を露出させつつ前記逆メサリッジを保護するために前
    記基板上に形成された保護膜と、前記逆メサリッジの両
    側部位を充填するために前記保護膜上に形成されたポリ
    イミド層と、前記コンタクト層の露出された部分とコン
    タクトしつつ前記基板上に形成された第２導電型オーミ
    ック金属層と、前記基板の下面に形成された第１導電型
    オーミック金属層とをさらに備えることを特徴とする請
    求項１記載の逆メサリッジ導波型レーザダイオード。
  3. 【請求項３】 前記基板はＩｎＰ系列であり、前記活性
    層は１. ３μｍの発振波長を有することを特徴とする請
    求項１記載の逆メサリッジ導波型レーザダイオード。
  4. 【請求項４】 前記化合物半導体基板はＮ+ −ＩｎＰ層
    であり、前記バッファ層はＮ−ＩｎＰ層であり、前記活
    性層はＵ−ＩｎＧａＡｓＰ層であり、前記導波層はＰ−
    ＩｎＰ層であり、前記導波路制御層はＰ−ＩｎＧａＡｓ
    Ｐ層であり、前記クラッド層はＰ−ＩｎＰ層であり、前
    記コンタクト層はＰ+ −ＩｎＧａＡｓ層であることを特
    徴とする請求項３記載の逆メサリッジ導波型レーザダイ
    オード。
  5. 【請求項５】 前記導波路制御層の物質波長は１. １μ
    ｍ乃至１. ３μｍであることを特徴とする請求項４記載
    の逆メサリッジ導波型レーザダイオード。
  6. 【請求項６】 前記基板はＩｎＰ系列であり、前記活性
    層は１. ５５μｍの発振波長を有することを特徴とする
    請求項１記載の逆メサリッジ導波型レーザダイオード。
  7. 【請求項７】 前記導波路制御層はＩｎＧａＡｓＰ層で
    あり、その物質波長は１. ３μｍ乃至１. ５５μｍであ
    ることを特徴とする請求項６記載の逆メサリッジ導波型
    レーザダイオード。
  8. 【請求項８】 前記基板はＧａＡｓ系列であることを特
    徴とする請求項１記載の逆メサリッジ導波型レーザダイ
    オード。
  9. 【請求項９】 前記導波路制御層は前記活性層より低い
    屈折率と高いバンドギャップエネルギーをもつ物質であ
    ることを特徴とする請求項８記載の逆メサリッジ導波型
    レーザダイオード。
  10. 【請求項１０】 上面と下面とを有する第１導電型化合
    物半導体基板の上面に、第１導電型バッファ層，活性
    層，第２導電型導波層，第２導電型導波路制御層，第２
    導電型クラッド層及び第２導電型コンタクト層を順次形
    成する段階と、前記コンタクト層及びクラッド層をエッ
    チングして上部及び下部が所定の幅をもつ逆メサリッジ
    を形成する段階と、前記逆メサリッジ下部の幅より狭い
    幅をもつように前記導波路制御層を選択的にエッチング
    する段階とを含むことを特徴とする逆メサリッジ導波型
    レーザダイオードの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記逆メサリッジを保護するために前
    記基板上に保護膜を形成する段階と、前記逆メサリッジ
    の両側のエッチング部位を充填するように逆メサリッジ
    の両側の保護膜上にポリイミド層を形成する段階と、前
    記逆メサリッジ上部の前記コンタクト層が露出されるよ
    うに前記保護膜を一部除去する段階と、前記コンタクト
    層の露出された部分とコンタクトするように前記基板上
    に第２導電型オーミック金属層を形成する段階と、前記
    基板の下面に第１導電型オーミック金属層を形成する段
    階とをさらに備えることを特徴とする請求項１０記載の
    逆メサリッジ導波型レーザダイオードの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記基板はＩｎＰ系列であり、前記活
    性層は１. ３μｍの発振波長をもつことを特徴とする請
    求項１０記載の逆メサリッジ導波型レーザダイオードの
    製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記化合物半導体基板はＮ+ −ＩｎＰ
    層であり、前記バッファ層はＮ−ＩｎＰ層，前記活性層
    はＵ−ＩｎＧａＡｓＰ層，前記導波層はＰ−ＩｎＰ層，
    前記導波路制御層はＰ−ＩｎＧａＡｓＰ層，前記クラッ
    ド層はＰ−ＩｎＰ層，前記コンタクト層はＰ+ −ＩｎＧ
    ａＡｓ層から形成されることを特徴とする請求項１２記
    載の逆メサリッジ導波型レーザダイオードの製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記導波路制御層の物質波長は１. １
    μｍ乃至１. ３μｍであることを特徴とする請求項１３
    記載の逆メサリッジ導波型レーザダイオードの製造方
    法。
  15. 【請求項１５】 前記逆メサリッジを形成する段階にお
    いて、前記コンタクト層のエッチングはＨ3 ＰＯ4 とＨ
    2 Ｏ2 とＨ2 Ｏとの混合溶液を用いたウェットエッチン
    グで進行することを特徴とする請求項１３記載の逆メサ
    リッジ導波型レーザダイオードの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記逆メサリッジを形成する段階にお
    いて、前記クラッド層のエッチングはＨＢｒとＨ2 Ｏと
    の混合溶液を用いたウェットエッチングで進行すること
    を特徴とする請求項１３記載の逆メサリッジ導波型レー
    ザダイオードの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記基板はＩｎＰ系列であり、前記活
    性層は１. ５５μｍの発振波長をもつことを特徴とする
    請求項１０記載の逆メサリッジ導波型レーザダイオード
    の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記導波路制御層はＩｎＧａＡｓＰで
    あり、その物質波長は１. ３μｍ乃至１. ５５μｍであ
    ることを特徴とする請求項１７記載の逆メサリッジ導波
    型レーザダイオードの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記基板はＧａＡｓ系列であることを
    特徴とする請求項１０記載の逆メサリッジ導波型レーザ
    ダイオードの製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記導波路制御層は前記活性層より低
    い屈折率と高いバンドギャップエネルギーをもつ物質で
    あることを特徴とする請求項１９記載の逆メサリッジ導
    波型レーザダイオードの製造方法。
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