JPH0677308A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0677308A JPH0677308A JP22585892A JP22585892A JPH0677308A JP H0677308 A JPH0677308 A JP H0677308A JP 22585892 A JP22585892 A JP 22585892A JP 22585892 A JP22585892 A JP 22585892A JP H0677308 A JPH0677308 A JP H0677308A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、装置内でウエハを固定する際
に、ウエハの主面からの発塵がなく、パターン欠陥が低
減されて歩留まりを向上できる半導体製造装置を得るこ
とを目的とする。 【構成】 架台２にはウエハ１を収納する凹部２ａが形
成され、さらに孔５が穿設されている。この孔５には配
管４が接続されている。架台２の上部には、凹部２ａを
包囲するように押え治具６が配設されている。この押え
治具６の内周壁端には、ウエハ１の主面に対して傾斜す
る接触面６ｂが形成されている。そこで、配管４および
孔５を通って凹部２ａ内に気体を供給することにより、
ウエハ１は裏面側から上方に押し上げられ、ウエハ外周
端面が接触面６ｂに当接して固定される。
に、ウエハの主面からの発塵がなく、パターン欠陥が低
減されて歩留まりを向上できる半導体製造装置を得るこ
とを目的とする。 【構成】 架台２にはウエハ１を収納する凹部２ａが形
成され、さらに孔５が穿設されている。この孔５には配
管４が接続されている。架台２の上部には、凹部２ａを
包囲するように押え治具６が配設されている。この押え
治具６の内周壁端には、ウエハ１の主面に対して傾斜す
る接触面６ｂが形成されている。そこで、配管４および
孔５を通って凹部２ａ内に気体を供給することにより、
ウエハ１は裏面側から上方に押し上げられ、ウエハ外周
端面が接触面６ｂに当接して固定される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造装置、例
えばプラズマエッチング装置における半導体基板の固定
構造に関するものである。
えばプラズマエッチング装置における半導体基板の固定
構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体製造装置におけるウ
エハ固定構造を示す断面図であり、図において１は半導
体基板としてのウエハ、２は半導体製造装置内に配設さ
れウエハ１を載置する架台であり、この架台２には、ウ
エハ１の外径より大きめの凹部２ａが形成されている。
３は架台２の凹部２ａ内に納められたウエハ１を固定す
る押え治具であり、この押え治具３はウエハ１の主面に
対して平行なリング状の接触面３ａを有している。４は
架台２に穿設された孔５に接続された配管であり、配管
４および孔５を介して凹部２ａ内に気体を供給して、ウ
エハ１を押え治具３に押し当てられるように構成されて
いる。
エハ固定構造を示す断面図であり、図において１は半導
体基板としてのウエハ、２は半導体製造装置内に配設さ
れウエハ１を載置する架台であり、この架台２には、ウ
エハ１の外径より大きめの凹部２ａが形成されている。
３は架台２の凹部２ａ内に納められたウエハ１を固定す
る押え治具であり、この押え治具３はウエハ１の主面に
対して平行なリング状の接触面３ａを有している。４は
架台２に穿設された孔５に接続された配管であり、配管
４および孔５を介して凹部２ａ内に気体を供給して、ウ
エハ１を押え治具３に押し当てられるように構成されて
いる。
【０００３】つぎに、上記従来の半導体製造装置の動作
について説明する。まず、その主面上に所望のパターン
形状を有するレジスト膜（図示せず）が形成されたウエ
ハ１を、主面を上にして架台２の凹部２ａ内に納める。
ついで、押え治具３をウエハ１上にセットし、配管４お
よび孔５を介して凹部２ａ内に気体を供給する。この
時、ウエハ１は、裏面側から供給される気体により、そ
の主面の外周部を押え治具３の接触面３ａに押し当てら
れて、上下方向の移動が規制され、かつ、凹部２ａによ
り横方向の移動が規制されて、半導体装置装置内に固定
される。その後、半導体製造装置内を所定ガス圧に設定
して、ウエハ１にプラズマエッチングが施される。
について説明する。まず、その主面上に所望のパターン
形状を有するレジスト膜（図示せず）が形成されたウエ
ハ１を、主面を上にして架台２の凹部２ａ内に納める。
ついで、押え治具３をウエハ１上にセットし、配管４お
よび孔５を介して凹部２ａ内に気体を供給する。この
時、ウエハ１は、裏面側から供給される気体により、そ
の主面の外周部を押え治具３の接触面３ａに押し当てら
れて、上下方向の移動が規制され、かつ、凹部２ａによ
り横方向の移動が規制されて、半導体装置装置内に固定
される。その後、半導体製造装置内を所定ガス圧に設定
して、ウエハ１にプラズマエッチングが施される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は以上のように、押え治具３のリング状の接触面３ａに
ウエハ１の主面の外周部を押し当ててウエハ１を固定し
ているので、ウエハ１を固定する際に、ウエハ１の主面
に形成されているレジスト膜のパターンや配線のパター
ンを破壊したり、発塵させてウエハ１の表面を汚染する
という課題があった。また、上記課題を解決するため
に、ウエハ１の主面の周辺部のレジスト膜を除去するこ
とも考えられるが、レジスト膜を除去する機構をあらた
に設置する必要があり、さらにそのレジスト膜の除去範
囲を正確に制御する必要があり、作業効率が低下すると
いう課題もあった。
は以上のように、押え治具３のリング状の接触面３ａに
ウエハ１の主面の外周部を押し当ててウエハ１を固定し
ているので、ウエハ１を固定する際に、ウエハ１の主面
に形成されているレジスト膜のパターンや配線のパター
ンを破壊したり、発塵させてウエハ１の表面を汚染する
という課題があった。また、上記課題を解決するため
に、ウエハ１の主面の周辺部のレジスト膜を除去するこ
とも考えられるが、レジスト膜を除去する機構をあらた
に設置する必要があり、さらにそのレジスト膜の除去範
囲を正確に制御する必要があり、作業効率が低下すると
いう課題もあった。
【０００５】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、ウエハを固定する際に、押え治
具によりウエハ外周端面を押さえて、ウエハ主面のレジ
スト膜のパターンや配線のパターンの破壊を防止し、ま
た発塵をなくしてウエハ表面の汚染を防止する半導体製
造装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、ウエハを固定する際に、押え治
具によりウエハ外周端面を押さえて、ウエハ主面のレジ
スト膜のパターンや配線のパターンの破壊を防止し、ま
た発塵をなくしてウエハ表面の汚染を防止する半導体製
造装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、架台上に載置された半導体基板を固定する押
え治具と、半導体基板と押え治具とを押し当てる加圧手
段とを備えた半導体製造装置において、押え治具は、半
導体基板の主面に対して傾斜している接触面を有し、加
圧手段により押え治具の接触面に半導体基板の外周端面
を押し当てて半導体基板を固定するものである。
造装置は、架台上に載置された半導体基板を固定する押
え治具と、半導体基板と押え治具とを押し当てる加圧手
段とを備えた半導体製造装置において、押え治具は、半
導体基板の主面に対して傾斜している接触面を有し、加
圧手段により押え治具の接触面に半導体基板の外周端面
を押し当てて半導体基板を固定するものである。
【０００７】
【作用】この発明においては、半導体基板を固定する際
に、半導体基板の主面に対して傾斜しいる押え治具の接
触面は、半導体基板の外周端面に当接することになり、
半導体基板の主面上に形成されているパターンの破壊お
よび損傷が防止され、またそれに起因する発塵もなく半
導体基板表面の汚染が防止される。さらに、押え治具の
接触面が半導体基板の主面に対して傾斜しているので、
半導体基板の外径や厚みのバラツキを吸収でき、半導体
基板を確実に固定することができる。
に、半導体基板の主面に対して傾斜しいる押え治具の接
触面は、半導体基板の外周端面に当接することになり、
半導体基板の主面上に形成されているパターンの破壊お
よび損傷が防止され、またそれに起因する発塵もなく半
導体基板表面の汚染が防止される。さらに、押え治具の
接触面が半導体基板の主面に対して傾斜しているので、
半導体基板の外径や厚みのバラツキを吸収でき、半導体
基板を確実に固定することができる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１はこの発明の実施例１を示す半導体製造
装置におけるウエハ固定構造の断面図、図２は図１の要
部拡大断面図であり、図において図４に示した従来の半
導体製造装置と同一または相当部分には同一符号を付
し、その説明を省略する。図において、６は架台２の凹
部２ａ内に納められたウエハ１を固定する押え治具であ
り、この押え治具６は、凹部２ａの外周の架台２表面に
接触するリング状の当接面６ａと、この当接面６ａの内
周壁端面に傾斜をもって形成された接触面６ｂとから構
成されている。
る。 実施例１．図１はこの発明の実施例１を示す半導体製造
装置におけるウエハ固定構造の断面図、図２は図１の要
部拡大断面図であり、図において図４に示した従来の半
導体製造装置と同一または相当部分には同一符号を付
し、その説明を省略する。図において、６は架台２の凹
部２ａ内に納められたウエハ１を固定する押え治具であ
り、この押え治具６は、凹部２ａの外周の架台２表面に
接触するリング状の当接面６ａと、この当接面６ａの内
周壁端面に傾斜をもって形成された接触面６ｂとから構
成されている。
【０００９】つぎに、上記実施例１の動作について説明
する。まず、その主面上に所望のパターン形状を有する
レジスト膜が形成されたウエハ１を、主面を上にして架
台２の凹部２ａ内に納める。ついで、凹部２ａを包囲す
るようにリング状の当接面６ａを架台２に当接させて、
押え治具６をセットし、配管４および孔５を介して凹部
２ａ内に気体を供給する。ウエハ１は、裏面側から供給
される気体により押し上げられ、その外周端面が押え治
具６の接触面６ａに押し当てられて、上下方向の移動が
規制され、かつ、凹部２ａにより横方向の移動が規制さ
れて、半導体製造装置内に固定される。その後、半導体
製造装置内を所定ガス圧に設定して、ウエハ１にプラズ
マエッチングが施される。
する。まず、その主面上に所望のパターン形状を有する
レジスト膜が形成されたウエハ１を、主面を上にして架
台２の凹部２ａ内に納める。ついで、凹部２ａを包囲す
るようにリング状の当接面６ａを架台２に当接させて、
押え治具６をセットし、配管４および孔５を介して凹部
２ａ内に気体を供給する。ウエハ１は、裏面側から供給
される気体により押し上げられ、その外周端面が押え治
具６の接触面６ａに押し当てられて、上下方向の移動が
規制され、かつ、凹部２ａにより横方向の移動が規制さ
れて、半導体製造装置内に固定される。その後、半導体
製造装置内を所定ガス圧に設定して、ウエハ１にプラズ
マエッチングが施される。
【００１０】このように、上記実施例１によれば、押え
治具６は、ウエハ１の主面に対して傾斜している接触面
６ｂを有し、ウエハ１の裏面から供給される気体の押し
上げ力により接触面６ｂにウエハ１の外周端面を押し当
てて固定しているので、接触面６ｂはウエハ１の外周端
面と円周上で線接触することになり、押え治具６がウエ
ハ１の主面に接触することがなく、ウエハ１の固定の際
の、主面に形成されたレジスト膜のパターンや配線のパ
ターンの破壊や損傷を防止することができる。その結
果、レジスト膜のパターンや配線のパターンの破壊や損
傷にともなう発塵がなく、ウエハ１の表面が汚染される
こともなく、パターン欠陥が減少して歩留まりを向上す
ることができる。
治具６は、ウエハ１の主面に対して傾斜している接触面
６ｂを有し、ウエハ１の裏面から供給される気体の押し
上げ力により接触面６ｂにウエハ１の外周端面を押し当
てて固定しているので、接触面６ｂはウエハ１の外周端
面と円周上で線接触することになり、押え治具６がウエ
ハ１の主面に接触することがなく、ウエハ１の固定の際
の、主面に形成されたレジスト膜のパターンや配線のパ
ターンの破壊や損傷を防止することができる。その結
果、レジスト膜のパターンや配線のパターンの破壊や損
傷にともなう発塵がなく、ウエハ１の表面が汚染される
こともなく、パターン欠陥が減少して歩留まりを向上す
ることができる。
【００１１】また、押え治具６の接触面６ｂがウエハ１
の主面に対して傾斜して形成されているので、例えウエ
ハ１の外径や厚みにバラツキがあっても、ウエハ１の外
周端面の接触面６ｂの接触位置がずれるだけで、確実に
固定できる。
の主面に対して傾斜して形成されているので、例えウエ
ハ１の外径や厚みにバラツキがあっても、ウエハ１の外
周端面の接触面６ｂの接触位置がずれるだけで、確実に
固定できる。
【００１２】ここで、接触面６ｂの厚みｄは、ウエハ１
の大きさによって変わり、例えばウエハ１の外径のバラ
ツキを±１％とすると、５インチウエハの場合２．５ｍ
ｍ以上、６インチウエハの場合３ｍｍ以上にする必要が
ある。
の大きさによって変わり、例えばウエハ１の外径のバラ
ツキを±１％とすると、５インチウエハの場合２．５ｍ
ｍ以上、６インチウエハの場合３ｍｍ以上にする必要が
ある。
【００１３】さらに、ウエハ１の大きさ、厚みおよびそ
れらのバラツキを考慮して、接触面６ｂの斜面部分の長
さを２〜十数ｍｍ、その傾斜角度をウエハ１の主面に対
して２０〜７０°とするとよい。
れらのバラツキを考慮して、接触面６ｂの斜面部分の長
さを２〜十数ｍｍ、その傾斜角度をウエハ１の主面に対
して２０〜７０°とするとよい。
【００１４】実施例２．図３はこの発明の実施例２を示
す半導体製造装置におけるウエハ固定構造の断面図であ
り、図において７はウエハ１を載置する架台、８は架台
７に軸着され、一端側にウエハ１との接触面８ａが形成
され、他端側に加圧手段としてのバネ９が取り付けられ
た押え治具であり、この押え治具８は、架台７に載置さ
れたウエハ１を包囲するようにウエハ１の４方に設置さ
れている。
す半導体製造装置におけるウエハ固定構造の断面図であ
り、図において７はウエハ１を載置する架台、８は架台
７に軸着され、一端側にウエハ１との接触面８ａが形成
され、他端側に加圧手段としてのバネ９が取り付けられ
た押え治具であり、この押え治具８は、架台７に載置さ
れたウエハ１を包囲するようにウエハ１の４方に設置さ
れている。
【００１５】上記実施例２では、まず、押え治具８をバ
ネ９の付勢力に抗して押し広げて、架台７上にウエハ１
を載置する。その後、バネ９の付勢力により押え治具８
の接触面８ａをウエハ１の外周端面に押し当てることに
より、ウエハ１を架台７に固定している。
ネ９の付勢力に抗して押し広げて、架台７上にウエハ１
を載置する。その後、バネ９の付勢力により押え治具８
の接触面８ａをウエハ１の外周端面に押し当てることに
より、ウエハ１を架台７に固定している。
【００１６】このように、上記実施例２によれば、架台
７に載置されたウエハ１の主面に対して傾斜している押
え治具８の接触面８ａを、バネ９の付勢力によりウエハ
１の外周端面に押し当てて固定しているので、接触面８
ａはウエハ１の外周端面と円周上で線接触することにな
り、上記実施例１と同様の効果を奏する。
７に載置されたウエハ１の主面に対して傾斜している押
え治具８の接触面８ａを、バネ９の付勢力によりウエハ
１の外周端面に押し当てて固定しているので、接触面８
ａはウエハ１の外周端面と円周上で線接触することにな
り、上記実施例１と同様の効果を奏する。
【００１７】なお、上記各実施例では、プラズマエッチ
ング装置に適用するものとして説明していが、この発明
はこれに限らず、装置内でウエハ１を固定して処理する
半導体製造装置であれば適用できることは言うまでもな
いことである。
ング装置に適用するものとして説明していが、この発明
はこれに限らず、装置内でウエハ１を固定して処理する
半導体製造装置であれば適用できることは言うまでもな
いことである。
【００１８】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、架台上
に載置された半導体基板を固定する押え治具と、半導体
基板と押え治具とを押し当てる加圧手段とを備えた半導
体製造装置において、押え治具は、半導体基板の主面に
対して傾斜している接触面を有し、加圧手段により押え
治具の接触面に半導体基板の外周端面を押し当てて半導
体基板を固定しているので、半導体基板はその主面が押
え治具と接触することなく固定され、半導体基板の主面
での発塵がなく、パターン欠陥が減少して、歩留まりを
向上できる半導体製造装置が得られる効果がある。
に載置された半導体基板を固定する押え治具と、半導体
基板と押え治具とを押し当てる加圧手段とを備えた半導
体製造装置において、押え治具は、半導体基板の主面に
対して傾斜している接触面を有し、加圧手段により押え
治具の接触面に半導体基板の外周端面を押し当てて半導
体基板を固定しているので、半導体基板はその主面が押
え治具と接触することなく固定され、半導体基板の主面
での発塵がなく、パターン欠陥が減少して、歩留まりを
向上できる半導体製造装置が得られる効果がある。
【図１】この発明の実施例１を示す半導体製造装置にお
けるウエハ固定構造の斜視図である。
けるウエハ固定構造の斜視図である。
【図２】この発明の実施例１を示す半導体製造装置にお
けるウエハ固定構造の要部拡大斜視図である。
けるウエハ固定構造の要部拡大斜視図である。
【図３】この発明の実施例２を示す半導体製造装置にお
けるウエハ固定構造の斜視図である。
けるウエハ固定構造の斜視図である。
【図４】従来の半導体製造装置におけるウエハ固定構造
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
１ ウエハ（半導体基板） ２ 架台 ４ 配管（加圧手段） ５ 孔（加圧手段） ６ 押え治具 ６ｂ 接触面 ７ 架台 ８ 押え治具 ８ａ 接触面 ９ バネ（加圧手段）
Claims (1)
- 【請求項１】 架台上に載置された半導体基板を固定す
る押え治具と、前記半導体基板と前記押え治具とを押し
当てる加圧手段とを備えた半導体製造装置において、前
記押え治具は、前記半導体基板の主面に対して傾斜して
いる接触面を有し、前記加圧手段により前記押え治具の
前記接触面に前記半導体基板の外周端面を押し当てて前
記半導体基板を固定することを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22585892A JPH0677308A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22585892A JPH0677308A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677308A true JPH0677308A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16835954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22585892A Pending JPH0677308A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677308A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017171966A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 株式会社荏原製作所 | 基板ホルダ及びめっき装置 |
-
1992
- 1992-08-25 JP JP22585892A patent/JPH0677308A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017171966A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 株式会社荏原製作所 | 基板ホルダ及びめっき装置 |
| WO2017163849A1 (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 株式会社荏原製作所 | 基板ホルダ及びめっき装置 |
| KR20180124039A (ko) * | 2016-03-22 | 2018-11-20 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 홀더 및 도금 장치 |
| TWI685056B (zh) * | 2016-03-22 | 2020-02-11 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 基板固持器及鍍覆裝置 |
| US11015261B2 (en) | 2016-03-22 | 2021-05-25 | Ebara Corporation | Substrate holder and plating apparatus |
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