JPH0677437B2 - 電子管の製造方法 - Google Patents
電子管の製造方法Info
- Publication number
- JPH0677437B2 JPH0677437B2 JP19083589A JP19083589A JPH0677437B2 JP H0677437 B2 JPH0677437 B2 JP H0677437B2 JP 19083589 A JP19083589 A JP 19083589A JP 19083589 A JP19083589 A JP 19083589A JP H0677437 B2 JPH0677437 B2 JP H0677437B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- semiconductor crystal
- tube
- glass envelope
- electron tube
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
この発明はガラス外囲器の内側面に接着した半導体結晶
光電面を有する電子管の製造方法に関する。
光電面を有する電子管の製造方法に関する。
ガラス外囲器内に、ガラスと接着した半導体結晶を配置
し、これを半導体結晶光電面とした電子管がある。 一般に、光電面形成のための表面活性化工程において
は、半導体結晶を真空中におき、約600〜640℃位まで加
熱し、表面を清浄化しなければならないが、半導体結晶
を接着させるガラスは、例えばGaAs/GaAlAs半導体結晶
の場合は、これらと同じ位の熱膨脹率のガラス、例えば
コーニング7056（商品名）が用いられる。 このガラスは、前述の、半導体結晶表面の清浄化に必要
な温度約600〜640℃の条件では、軟化してしまう。 従つて、例えば、電子管内部を真空とし、外側を常圧と
した場合は、内外の圧力差によつて電子管のガラスが変
形してしまう。 このため、電子管に光電面を形成する場合は、必ず真空
中で行わなければならない。 このような電子管の製造方法は、従来、半導体結晶をガ
ラス面板に接着し、これを電子管の部品として、他の部
品と同時に大型の同一の真空装置内に置き、この真空装
置内において、前記半導体結晶を加熱し、その表面を清
浄化した後、Cs及びO2によりその表面の電子親和力を低
くあるいは零あるいは負にすることによつて光電面と
し、しかる後、マジツクハンド等を用いて、電子管の他
の部分と、所要個所でシール材、例えばインジユウムを
介在させて一体化し、真空を保持するものである。
し、これを半導体結晶光電面とした電子管がある。 一般に、光電面形成のための表面活性化工程において
は、半導体結晶を真空中におき、約600〜640℃位まで加
熱し、表面を清浄化しなければならないが、半導体結晶
を接着させるガラスは、例えばGaAs/GaAlAs半導体結晶
の場合は、これらと同じ位の熱膨脹率のガラス、例えば
コーニング7056（商品名）が用いられる。 このガラスは、前述の、半導体結晶表面の清浄化に必要
な温度約600〜640℃の条件では、軟化してしまう。 従つて、例えば、電子管内部を真空とし、外側を常圧と
した場合は、内外の圧力差によつて電子管のガラスが変
形してしまう。 このため、電子管に光電面を形成する場合は、必ず真空
中で行わなければならない。 このような電子管の製造方法は、従来、半導体結晶をガ
ラス面板に接着し、これを電子管の部品として、他の部
品と同時に大型の同一の真空装置内に置き、この真空装
置内において、前記半導体結晶を加熱し、その表面を清
浄化した後、Cs及びO2によりその表面の電子親和力を低
くあるいは零あるいは負にすることによつて光電面と
し、しかる後、マジツクハンド等を用いて、電子管の他
の部分と、所要個所でシール材、例えばインジユウムを
介在させて一体化し、真空を保持するものである。
上記のような従来の電子管の製造方法は、光電面となる
部品を含め、複数の部品を大型の真空装置内に持込み、
それをマジツクハンド等で組立てるという複雑且つコス
トの高い工程、装置が必要となり、更に、最終工程では
各部品を互いにシール材を介在させて真空を保持させな
ければならないが、シールの際にインジウム等のシール
材からの放出ガスを充分に取除いておかなければ、電子
管内にガスが残り、該電子管の特性を低下させるという
問題点がある。 この発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであ
つて、簡単な装置、及び工程で、低コストで、且つ電子
管内にガスを封じ込める恐れのない電子管の製造方法を
提供することを目的とする。
部品を含め、複数の部品を大型の真空装置内に持込み、
それをマジツクハンド等で組立てるという複雑且つコス
トの高い工程、装置が必要となり、更に、最終工程では
各部品を互いにシール材を介在させて真空を保持させな
ければならないが、シールの際にインジウム等のシール
材からの放出ガスを充分に取除いておかなければ、電子
管内にガスが残り、該電子管の特性を低下させるという
問題点がある。 この発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであ
つて、簡単な装置、及び工程で、低コストで、且つ電子
管内にガスを封じ込める恐れのない電子管の製造方法を
提供することを目的とする。
この発明は、ガラス外囲器の内側面に接着した半導体結
晶から半導体結晶光電面を形成する電子管の製造方法に
おいて、前記ガラス外囲器の外側を、着脱自在の真空容
器により取囲むと共に、前記ガラス外囲器から真空引き
用のガラス管を、前記真空容器を貫通して配置し、この
ガラス管と前記真空容器から真空引きし、前記ガラス外
囲器の外側から前記半導体結晶を加熱することをにより
上記目的を達成するものである。 又、前記真空容器を、前記ガラス外囲器の外径よりも大
きく、且つ、前記ガラス管がシール状態で貫通されるテ
ーブルと一端が開口され、ガラス外囲器を内包する大き
さの有底筒形状であつて、開口側端面が前記テーブルに
シール状態で着脱自在とすることにより上記目的を達成
するものである。 更に、前記テーブルに、前記真空容器内を真空引きする
ための排気孔を形成することにより上記目的を達成する
ものである。 又、前記半導体結晶を、前記真空容器の外側から赤外光
により加熱するようにして上記目的を達成するものであ
る。 更に又、前記真空容器の内側の、前記半導体結晶に対す
る位置に発熱体を配置し、これにより半導体結晶を加熱
するようにして上記目的を達成するものである。 又、前記ガラス外囲器を、前記ガラス管の前記テーブル
を貫通した先端に連通状態で溶融接続し、半導体結晶を
加熱により清浄化し、Cs、O2を吸着させCs、O2層を形成
した後、該ガラス外囲器を、前記ガラス管先端を溶解し
て真空状態で封止し、該ガラス管から分離させるように
して上記目的を達成するものである。
晶から半導体結晶光電面を形成する電子管の製造方法に
おいて、前記ガラス外囲器の外側を、着脱自在の真空容
器により取囲むと共に、前記ガラス外囲器から真空引き
用のガラス管を、前記真空容器を貫通して配置し、この
ガラス管と前記真空容器から真空引きし、前記ガラス外
囲器の外側から前記半導体結晶を加熱することをにより
上記目的を達成するものである。 又、前記真空容器を、前記ガラス外囲器の外径よりも大
きく、且つ、前記ガラス管がシール状態で貫通されるテ
ーブルと一端が開口され、ガラス外囲器を内包する大き
さの有底筒形状であつて、開口側端面が前記テーブルに
シール状態で着脱自在とすることにより上記目的を達成
するものである。 更に、前記テーブルに、前記真空容器内を真空引きする
ための排気孔を形成することにより上記目的を達成する
ものである。 又、前記半導体結晶を、前記真空容器の外側から赤外光
により加熱するようにして上記目的を達成するものであ
る。 更に又、前記真空容器の内側の、前記半導体結晶に対す
る位置に発熱体を配置し、これにより半導体結晶を加熱
するようにして上記目的を達成するものである。 又、前記ガラス外囲器を、前記ガラス管の前記テーブル
を貫通した先端に連通状態で溶融接続し、半導体結晶を
加熱により清浄化し、Cs、O2を吸着させCs、O2層を形成
した後、該ガラス外囲器を、前記ガラス管先端を溶解し
て真空状態で封止し、該ガラス管から分離させるように
して上記目的を達成するものである。
この発明においては、ガラス外囲器の外側を取囲むだけ
の大きさの真空容器内で、ガラス外囲器及び真空容器と
ガラス外囲器との間の両者を真空とし、外側から半導体
結晶を加熱することによつて、大掛りな装置を用いるこ
となく、小型の真空容器内で、容易に光電面を形成して
電子管を製造でき、しかも、インジウム等のシール材を
必要としないので、工程が簡単になり、且つ電子管内へ
のガスの封じ込め及びこれによる特性の著しい低下を防
止することができる。
の大きさの真空容器内で、ガラス外囲器及び真空容器と
ガラス外囲器との間の両者を真空とし、外側から半導体
結晶を加熱することによつて、大掛りな装置を用いるこ
となく、小型の真空容器内で、容易に光電面を形成して
電子管を製造でき、しかも、インジウム等のシール材を
必要としないので、工程が簡単になり、且つ電子管内へ
のガスの封じ込め及びこれによる特性の著しい低下を防
止することができる。
以下本発明による電子管の製造方法を、該方法を実施す
るための装置を示す図面を参照して詳細に説明する。 この実施例は、電子管のガラス外囲器10の外側を、ベル
ジヤー12及びテーブル14で取囲むと共に、該テーブル14
を貫通して真空引き用のガラス管16を配置し、このガラ
ス管16の先端に、前記ガラス外囲器10を連通状態で溶融
接続し、前記ガラス管16から真空ポンプでガラス外囲器
10内を真空引きし、更に、ベルジヤー12及びテーブル14
によつて形成されたガラス外囲器10周囲の空間を、テー
ブル14に形成された排気孔18から真空引きし、この状態
で、前記ガラス外囲器10の先端内側面に取付けられた半
導体結晶20を、赤外線ランプ22により、ベルジヤー12の
外側から加熱するようにしたものである。 図の符号24はガラス管16とテーブル14との間をシールす
るためのオーリング、26はテーブル14とベルジヤー12の
開口側端面との間をシールするオーリングをそれぞれ示
す。 前記テーブル14は、ガラス外囲器10が取付けられていな
い状態で、ガラス管16に挿通して固定する。 ガラス外囲器10は、テーブル14から突出したガラス管16
の先端に連通状態で溶融接続する。 この状態で、ベルジヤー12で、ガラス外囲器10を囲むよ
うにして、第１図に示されるように、オーリング26を介
して、該ベルジヤー12の開口先端を密着させ、ベルジヤ
ー12をセツトする。 この状態で、ガラス管16を介してガラス外囲器10内を、
又排気孔18を介してガラス外囲器10周囲のベルジヤー12
内側空間を、それぞれ真空引きする。 所定の真空圧となつたとき、半導体結晶20を、前記赤外
線ランプ22により、ガラス外囲器10及びベルジヤー12の
外側から加熱して、半導体結晶20表面の洗浄化を行う。 該半導体結晶20表面へのCs、O2の吸着工程は、ガラス管
16から通常の如く行う。 第２図に、ガラスに接着した完成状態の半導体結晶光電
面21を示す。 第２図においてガラス10Aは前記ガラス外囲器10の一部
であり、例えば、前述のコーニング7056が用いられる。
半導体結晶20は、SiO2層20Aと、GaAlAs層20Bと、GaAs層
20Cとから構成され、これに、加熱による清浄化の後、C
s、O2を吸着させ、Cs、O2層21Aを形成し、半導体結晶光
電面21を完成させる。 なお、上記実施例は、ベルジヤー12及びテーブル14によ
り、ガラス管16が貫通した状態でガラス外囲器10を取囲
むようにしたものであるが、これらは、ガラス管16が貫
通し、且つガラス外囲器10がガラス管16に対して着脱自
在となるように該ガラス外囲器10を取囲む真空容器であ
ればよい。 更に、上記実施例は、半導体結晶20をベルジヤー12の外
側から赤外線ランプ22によつて加熱するようにしたもの
であるが、これは、例えば、ガラス外囲器10とベルジヤ
ー12との間に、半導体結晶20と対向する位置に、第１図
において２点鎖線で示されるように、ヒートブロツク30
等の発熱体を配置し、ここから、半導体結晶20を加熱す
るようにしてもよい。 この場合は、ベルジヤー12を介することなくガラス外囲
器10の底面のガラス10Aを介してのみ半導体結晶20を加
熱することになるので、効率的な加熱を行うことができ
ると共に、ベルジヤー12を構成するガラスの耐熱性を考
慮する必要がないという利点がある。
るための装置を示す図面を参照して詳細に説明する。 この実施例は、電子管のガラス外囲器10の外側を、ベル
ジヤー12及びテーブル14で取囲むと共に、該テーブル14
を貫通して真空引き用のガラス管16を配置し、このガラ
ス管16の先端に、前記ガラス外囲器10を連通状態で溶融
接続し、前記ガラス管16から真空ポンプでガラス外囲器
10内を真空引きし、更に、ベルジヤー12及びテーブル14
によつて形成されたガラス外囲器10周囲の空間を、テー
ブル14に形成された排気孔18から真空引きし、この状態
で、前記ガラス外囲器10の先端内側面に取付けられた半
導体結晶20を、赤外線ランプ22により、ベルジヤー12の
外側から加熱するようにしたものである。 図の符号24はガラス管16とテーブル14との間をシールす
るためのオーリング、26はテーブル14とベルジヤー12の
開口側端面との間をシールするオーリングをそれぞれ示
す。 前記テーブル14は、ガラス外囲器10が取付けられていな
い状態で、ガラス管16に挿通して固定する。 ガラス外囲器10は、テーブル14から突出したガラス管16
の先端に連通状態で溶融接続する。 この状態で、ベルジヤー12で、ガラス外囲器10を囲むよ
うにして、第１図に示されるように、オーリング26を介
して、該ベルジヤー12の開口先端を密着させ、ベルジヤ
ー12をセツトする。 この状態で、ガラス管16を介してガラス外囲器10内を、
又排気孔18を介してガラス外囲器10周囲のベルジヤー12
内側空間を、それぞれ真空引きする。 所定の真空圧となつたとき、半導体結晶20を、前記赤外
線ランプ22により、ガラス外囲器10及びベルジヤー12の
外側から加熱して、半導体結晶20表面の洗浄化を行う。 該半導体結晶20表面へのCs、O2の吸着工程は、ガラス管
16から通常の如く行う。 第２図に、ガラスに接着した完成状態の半導体結晶光電
面21を示す。 第２図においてガラス10Aは前記ガラス外囲器10の一部
であり、例えば、前述のコーニング7056が用いられる。
半導体結晶20は、SiO2層20Aと、GaAlAs層20Bと、GaAs層
20Cとから構成され、これに、加熱による清浄化の後、C
s、O2を吸着させ、Cs、O2層21Aを形成し、半導体結晶光
電面21を完成させる。 なお、上記実施例は、ベルジヤー12及びテーブル14によ
り、ガラス管16が貫通した状態でガラス外囲器10を取囲
むようにしたものであるが、これらは、ガラス管16が貫
通し、且つガラス外囲器10がガラス管16に対して着脱自
在となるように該ガラス外囲器10を取囲む真空容器であ
ればよい。 更に、上記実施例は、半導体結晶20をベルジヤー12の外
側から赤外線ランプ22によつて加熱するようにしたもの
であるが、これは、例えば、ガラス外囲器10とベルジヤ
ー12との間に、半導体結晶20と対向する位置に、第１図
において２点鎖線で示されるように、ヒートブロツク30
等の発熱体を配置し、ここから、半導体結晶20を加熱す
るようにしてもよい。 この場合は、ベルジヤー12を介することなくガラス外囲
器10の底面のガラス10Aを介してのみ半導体結晶20を加
熱することになるので、効率的な加熱を行うことができ
ると共に、ベルジヤー12を構成するガラスの耐熱性を考
慮する必要がないという利点がある。
本発明は上記のように構成したので、大掛りな装置や複
雑な工程を経ることなく、簡単で且つ低コストで、特性
の優れた半導体結晶光電面を持つ電子管を製造すること
ができるという優れた効果を有する。
雑な工程を経ることなく、簡単で且つ低コストで、特性
の優れた半導体結晶光電面を持つ電子管を製造すること
ができるという優れた効果を有する。
第１図は本発明に係る電子管の製造方法を実施するため
の装置を示す断面図、第２図は本発明方法により製造さ
れた電子管における半導体結晶光電面を示す拡大断面図
である。 10……ガラス外囲器、12……ベルジヤー、 14……テーブル、16……ガラス管、 18……排気孔、20……半導体結晶、 21……半導体結晶光電面、 22……赤外線ランプ、 30……ヒートブロツク。
の装置を示す断面図、第２図は本発明方法により製造さ
れた電子管における半導体結晶光電面を示す拡大断面図
である。 10……ガラス外囲器、12……ベルジヤー、 14……テーブル、16……ガラス管、 18……排気孔、20……半導体結晶、 21……半導体結晶光電面、 22……赤外線ランプ、 30……ヒートブロツク。
Claims (6)
- 【請求項１】ガラス外囲器の内側面に接着した半導体結
晶から半導体結晶光電面を形成する電子管の製造方法に
おいて、前記ガラス外囲器の外側を、着脱自在の真空容
器により取囲むと共に、前記ガラス外囲器から真空引き
用のガラス管を、前記真空容器を貫通して配置し、この
ガラス管と前記真空容器から真空引きし、前記ガラス外
囲器の外側から前記半導体結晶を加熱することを特徴と
する電子管の製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記真空容器は、前記
ガラス外囲器の外径よりも大きく、且つ、前記ガラス管
がシール状態で貫通されるテーブルと、一端が開口さ
れ、ガラス外囲器を内包する大きさの有底筒形状であつ
て、開口側端面が前記テーブルにシール状態で着脱自在
とされたベルジヤと、から構成されたことを特徴とする
電子管の製造方法。 - 【請求項３】請求項２において、前記テーブルに、前記
真空容器内を真空引きするための排気孔を形成してなる
電子管の製造方法。 - 【請求項４】請求項１、２又は３において、前記半導体
結晶を、前記真空容器の外側から赤外光により加熱する
ことを特徴とする電子管の製造方法。 - 【請求項５】請求項１、２又は３において、前記真空容
器の内側の、前記半導体結晶に対する位置に発熱体を配
置し、これにより半導体結晶を加熱することを特徴とす
る電子管の製造方法。 - 【請求項６】請求項１乃至５において、前記ガラス外囲
器を、前記ガラス管の前記テーブルを貫通した先端に連
通状態で溶融接続し、半導体結晶を加熱により清浄化
し、Cs、O2を吸着させCs、O2層を形成した後、該ガラス
外囲器を、前記ガラス管先端を溶解して真空状態で封止
し、該ガラス管から分離させることを特徴とする電子管
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19083589A JPH0677437B2 (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 電子管の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19083589A JPH0677437B2 (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 電子管の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0355742A JPH0355742A (ja) | 1991-03-11 |
| JPH0677437B2 true JPH0677437B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=16264557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19083589A Expired - Fee Related JPH0677437B2 (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 電子管の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677437B2 (ja) |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP19083589A patent/JPH0677437B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0355742A (ja) | 1991-03-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |