JPH0355742A - 電子管の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

この発明はガラス外囲器の内開面に接着した半導体結晶
光電而を有する電子管の製造方法に関する．

【従来の技術】

ガラス外囲器内に、ガラスと接着した半導体結晶を配置
し、これを半導体結晶光電面とした電子管がある． 一般に、光電面形成のための表面活性化工程においては
、半桿体結晶を真空中におき、約６００〜６４０″Ｃ位
まで加熱し、表面を清浄化しなければならないが、半導
体結晶を接着させるガラスは、例えばＧａ　Ａｓ　／Ｇ
ａ　ＡＪ！Ａｓ半導体結晶の場合は、これらと同じ位の
熱膨脹率のガラス、例えばコーニング７０５６　（商品
名）が用いられる．このガラスは、前述の、半導体結晶
表面の清浄化に必要な温度約６００〜６４０℃の条件で
は、軟化してしまう． 従って、例えば、電子管内部を真空とし、外側を常圧と
した場合は、内外の圧力差によって電子管のガラスが変
形してしまう． このため、電子管に光電面を形成する場合は、必ず真空
中で行わなければならない． このような電子管の製造方法は、従来、半導体結晶をガ
ラス面板に接着し、これを電子管の部品として、他の部
品と同時に大型の同一の真空装置内に置き、この真空装
置内において、前記半導体結晶を加熱し、その表面を清
浄化した後、Ｃｓ及び０２によりその表面の電子親和力
を低くあるいは零あるいは負にすることによって光電面
とし、しかる後、マジックハンド等を用いて、電子管の
他の部分と、所要個所でシール材、例えばインジュウム
を介在させて一体化し、真空を保持するものである．

【発明が解決しようとする課題】

上記のような従来の電子管の！！！遣方法は、光電面と
なる部品を含め、複数の部品を大型の真空装置内に持込
み、それをマジックハンド等で組立てるという複雑且つ
コストの高い工程、装置が必要となり、更に、最終工程
では各部品を互いにシール材を介在させて真空を保持さ
せなければならないが、シールの際にインジウム等のシ
ール材からの放出ガスを充分に取除いておかなければ、
電子管内にガスが残り、該電子管の特性を低下させると
いう問題点がある． この発明は上記従来の問題点に鴛みてなされたものであ
って、簡単な装置、及び工程で、低コストで、且つ電子
管内にガスを封じ込める恐れのない電子管の製造方法を
提供することを目的とする．（課題を解決するための手
Ｖ１】 この発明は、ガラス外囲器の内側面に接着した半導体結
晶から半導体結晶光電面を形成する電子管の製造方法に
おいて、前記ガラス外囲器の外測を、着脱自在の真空容
器により取囲むと共に、前記ガラス外囲器から真空引き
用のガラス管を、前記真空容器を貫通して配置し、この
ガラス管と前記真空容器から真空引きし、前記ガラス外
囲器の外側から前記半導体結晶を加熱することをにより
上記目的を達成するものである． 又、前記真空容器を、前記ガラス外囲器の外径よりも大
きく、且つ、前記カラス管がシール状態で貫通されるテ
ーブルと一端が開口され、ガラス外囲器を内包する大き
さの有底簡形状であって、開口側端面が前記テーブルに
シール状態で着脱自在とすることにより上記目的を達或
するものである． 更に、前記テーブルに、前記真空容器内を真空引きする
ための排気孔を形戒することにより上記目的を達成する
ものである． 又、前記半導体結晶を、前記真空容器の外側から赤外光
により加熱するようにして上記目的を達成するものであ
る． 更に又、前記真空容器の内開の、前記半導体結晶に対す
る位置に発然体を配置し、これにより半導体結晶を加熟
するようにして上記目的を達成するものである． 又、前記ガラス外囲器を、前記ガラス管の前記テーブル
を貫通した先端に連通状態で溶触８続し、半導体結晶を
加熱により清浄化し，ＣＳ、０２を吸着させＣＳ、Ｏ２
層を形成した後、該ガラス外囲器を、前記ガラス管先端
を溶解して真空状態で封止し、該ガラス管から分離させ
るようにして上記目的を達成するものである． 〔作用】 この発明においては、ガラス外囲器の外聞を取囲むだけ
の大きさの真空容器内で、ガラス外囲器及び真空容器と
ガラス外囲器との間の両者を真空とし、外測から半導体
結晶を加熱することによって、大掛りな装置を用いるこ
となく、小型の真空容器内で、容易に光電面を形或して
電子管を製造でき、しかも、インジウム等のシール材を
必要としないので、工程か簡単になり、且つ電子管内へ
のガスの封じ込め及びこれによる特性の著しい低下を防
止することができる．

【実施例】

以下本発明による電子管の製造方法を、該方法を実施す
るための装置を示す図面を参照して詳細に説明する． この実施例は、電子管のガラス外囲器１０の外測を、ベ
ルジャー１２及びテーブルｌ４で取囲むと共に、該テー
ブルｌ４を貫通して真空引き用のガラス管１６を配置し
、このガラス管１６の先端に、前記カラス外囲器１０を
連通状態で溶融接続し、前記ガラス管１６から真空ポン
プでガラス外囲器１０内を真空引きし、更に、ベルジャ
ー１２及びテーブル１４によって形成されたガラス外囲
器１０周囲の空間を、テーブル１４に形成された排気孔
１８から真空引きし、この状態で、前記ガラス外囲器１
０の先端内開面に取付けられた半導体結晶２０を、赤外
線ランプ２２により、ベルジャー１２の外側から加熱す
るようにしたものである． 図の符号２４はガラス管１６とテーブル１４との間をシ
ールするためのオーリング、２６はテーブル１４とベル
ジャー１２の開口側端面との間をシールするオーリング
をそれぞれ示す．前記テーブル１４は、ガラス外囲器１
０が取付けられていない状態で、ガラス管１６に挿通し
て固定する． ガラス外囲器１０は、テーブル１４から突出したガラス
管１６の先端に連通状態で溶融接続する．この状態で、
ベルジャー１２で、ガラス外囲器１０を囲むようにして
、第１図に示されるように、オーリング２６を介して、
該ベルジャー１２の開口先端を密着させ、ベルジャー１
２をセットする．この状態で、ガラス管１６を介してガ
ラス外囲器１０内を、又排気孔１８を介してガラス外囲
器１０周囲のベルジャー１２内開空間を、それぞれ真空
引きする． 所定の真空圧となったとき、半導体結晶２０を、前記赤
外線ランブ２２により、ガラス外囲器１０及びベルジャ
ー１２の外■から加熱して、半導体結晶２０表面の清浄
化を行う． 該半導体結晶２０表面へのＣＳ、０２の吸着工程は、ガ
ラス管ｌ６から通常の如く行う．第２図に、ガラスに接
着した完戒状態の半導体結晶光電面２１を示す． 第２図においてガラスＩＯＡは前記ガラス外囲器１０の
一部であり、例えば、前述のコーニング７０５６が用い
られる．半導体結晶２０は、Ｓｉ０２層２　Ｏ　Ａと、
ＧａＡＪ２Ａｓ層２０Ｂと、ＧａＡｓ層２０Ｃとから構
成され、これに、加熱による清浄化の後、Ｃｓ、Ｏ２を
吸着させ、Ｃｓ　，　０２層２１Ａを形或し、半導体結
晶光電面２１を完成させる． なお、上記実施例は、ベルジャー１２及びテーブル１４
により、ガラス管１６が貫通した状態でガラス外囲器１
０を取囲むようにしたものであるが、これらは、ガラス
管１６が貫通し、且つガラス外囲器１０がガラス管ｌ６
に対して着脱自在となるように該ガラス外囲器１０を取
囲む真空容器であればよい． 更に、上記実施例は、半導体結晶２０をベルジャー１２
の外側から赤外線ランプ２２によって加熱するようにし
たものであるが、これは、例えば、ガラス外囲器１０と
ベルジャー１２との間に、半導体結晶２０と対向する位
置に、第１図において２点鎖線で示されるように、ヒー
トブロック３０等の発熱体を配置し、ここから、半導体
結晶２０を加熱するようにしてもよい． この場合は、ベルジャー１２を介することなくガラス外
囲器１０の底面のガラスＩＯＡを介してのみ半導体結晶
２０を加熱することになるので、効率的な加熱を行うこ
とができると共に、ベルジャー１２を構戒するガラスの
耐熟性を考慮する必要がないという利点がある．

【発明の効果】

本発明は上記のように構成したので、大掛りな装置や複
雑な工程を経ることなく、簡単で且つ低コストで、特性
の優れた半導体結晶光電面を持つ電子管を製造すること
ができるという優れた効果を有する．

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る電子管のＩｌ！遠方法を実施する
ための装置を示す断面図、第２図は本発明方法により製
造された電子管における半導体結晶光電面を示す拡大断
面図である． １０・・・ガラス外囲器、　　ｌ２・・・ベルジャー１
４・・・テーブル、　　　ｌ６・・・ガラス管、１８・
・・排気孔、　　　　　２０・・・半導体結晶、２１・
・・半導体結晶光電面、 ２２・・・赤外線ランプ、 ３０・・・ビートブロック．

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）ガラス外囲器の内側面に接着した半導体結晶から
   半導体結晶光電面を形成する電子管の製造方法において
   、前記ガラス外囲器の外側を、着脱自在の真空容器によ
   り取囲むと共に、前記ガラス外囲器から真空引き用のガ
   ラス管を、前記真空容器を貫通して配置し、このガラス
   管と前記真空容器から真空引きし、前記ガラス外囲器の
   外側から前記半導体結晶を加熱することを特徴とする電
   子管の製造方法。
2. （２）請求項１において、前記真空容器は、前記ガラス
   外囲器の外径よりも大きく、且つ、前記ガラス管がシー
   ル状態で貫通されるテーブルと、一端が開口され、ガラ
   ス外囲器を内包する大きさの有底筒形状であつて、開口
   側端面が前記テーブルにシール状態で着脱自在とされた
   ベルジヤと、から構成されたことを特徴とする電子管の
   製造方法。
3. （３）請求項２において、前記テーブルに、前記真空容
   器内を真空引きするための排気孔を形成してなる電子管
   の製造方法。
4. （４）請求項１、２又は３において、前記半導体結晶を
   、前記真空容器の外側から赤外光により加熱することを
   特徴とする電子管の製造方法。
5. （５）請求項１、２又は３において、前記真空容器の内
   側の、前記半導体結晶に対する位置に発熱体を配置し、
   これにより半導体結晶を加熱することを特徴とする電子
   管の製造方法。
6. （６）請求項１乃至５において、前記ガラス外囲器を、
   前記ガラス管の前記テーブルを貫通した先端に連通状態
   で溶融接続し、半導体結晶を加熱により清浄化し、Ｃｓ
   、Ｏ＿２を吸着させＣｓ、Ｏ＿２層を形成した後、該ガ
   ラス外囲器を、前記ガラス管先端を溶解して真空状態で
   封止し、該ガラス管から分離させることを特徴とする電
   子管の製造方法。