JPH0678199B2 - ガ−ネツトフエライト単結晶の製造方法 - Google Patents
ガ−ネツトフエライト単結晶の製造方法Info
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- JPH0678199B2 JPH0678199B2 JP20072186A JP20072186A JPH0678199B2 JP H0678199 B2 JPH0678199 B2 JP H0678199B2 JP 20072186 A JP20072186 A JP 20072186A JP 20072186 A JP20072186 A JP 20072186A JP H0678199 B2 JPH0678199 B2 JP H0678199B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は光通信に用いられる光アイソレータや光を用い
た電流又は磁界センサである光CTに使用されるガーネッ
トフェライト単結晶を製造する方法の改良に関する。
た電流又は磁界センサである光CTに使用されるガーネッ
トフェライト単結晶を製造する方法の改良に関する。
（従来の技術） 従来、ガーネットフェライト単結晶の製造方法として
は、フラックス法やLPE法（液相エピタキシャル法）が
多く用いられてきた。
は、フラックス法やLPE法（液相エピタキシャル法）が
多く用いられてきた。
フラックス法は、酸化イットリウムや希土類酸化物及び
酸化鉄等のガーネットフェライトの構成成分を含む原料
と、酸化鉛，フッ化鉛，酸化ホウ素，酸化ビスマス等の
フラックスとを例えば白金製のルツボに入れて均一に融
解した後、徐冷又はフラックスの蒸発によりガーネット
フェライトの単結晶を育成するものである。
酸化鉄等のガーネットフェライトの構成成分を含む原料
と、酸化鉛，フッ化鉛，酸化ホウ素，酸化ビスマス等の
フラックスとを例えば白金製のルツボに入れて均一に融
解した後、徐冷又はフラックスの蒸発によりガーネット
フェライトの単結晶を育成するものである。
しかし、この方法では、単結晶の育成に長時間を要し、
また使用したフラックスやルツボを起源とする不純物の
混入が避けられない。
また使用したフラックスやルツボを起源とする不純物の
混入が避けられない。
また、LPE法は、上述したようなガーネットフェライト
の構成成分を含む原料とフラックスとをルツボに入れて
均一に融解した後、非磁性ガーネット単結晶を基板とし
てガーネットフェライトの単結晶をエピタキシャル成長
させるものである。
の構成成分を含む原料とフラックスとをルツボに入れて
均一に融解した後、非磁性ガーネット単結晶を基板とし
てガーネットフェライトの単結晶をエピタキシャル成長
させるものである。
このLPE法では、単結晶の育成時間はフラックス法の場
合よりも短いものの、フラックスやルツボを使用するこ
とは同じであり、やはり不純物の混入が避けられない。
合よりも短いものの、フラックスやルツボを使用するこ
とは同じであり、やはり不純物の混入が避けられない。
こうした不純物のうち、特にPb2+，Pt4+等の３価以外の
不純物がガーネットフェライト単結晶に混入すると、鉄
イオンのイオン価を変動させる。このため、主としてガ
ーネットフェライト単結晶の光学特性を劣化させるとい
う問題がある。
不純物がガーネットフェライト単結晶に混入すると、鉄
イオンのイオン価を変動させる。このため、主としてガ
ーネットフェライト単結晶の光学特性を劣化させるとい
う問題がある。
また、これらの方法では、通常白金等の貴金属製のルツ
ボが使用されているため、育成する単結晶を大型化する
という要求に応じてルツボを大型化すると、製造コスト
が高くなるという問題がある。
ボが使用されているため、育成する単結晶を大型化する
という要求に応じてルツボを大型化すると、製造コスト
が高くなるという問題がある。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、単結晶の育成時間が短く、不純物混入がなく、製造
コストを低減することができるガーネットフェライト単
結晶の製造方法を提供することを目的とする。
り、単結晶の育成時間が短く、不純物混入がなく、製造
コストを低減することができるガーネットフェライト単
結晶の製造方法を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明のガーネットフェライト単結晶の製造方法は、ガ
ーネットフェライトのｃサイトを構成する陽イオンを含
む原料又はａサイト及びｄサイトを構成する陽イオンを
含む原料のいずれか一方を化学量論組成より過剰に配合
して原料粉末を混合し、この原料粉末を焼成することを
特徴とするものである。
ーネットフェライトのｃサイトを構成する陽イオンを含
む原料又はａサイト及びｄサイトを構成する陽イオンを
含む原料のいずれか一方を化学量論組成より過剰に配合
して原料粉末を混合し、この原料粉末を焼成することを
特徴とするものである。
本発明方法において、ａサイト成分及びｄサイト成分５
モルに対してｃサイト成分が3.001〜3.2モルとなるか、
又はｃサイト成分３モルに対してａサイト成分及びｄサ
イト成分が5.001〜5.2モルとなるように原料を配合する
ことが望ましい。
モルに対してｃサイト成分が3.001〜3.2モルとなるか、
又はｃサイト成分３モルに対してａサイト成分及びｄサ
イト成分が5.001〜5.2モルとなるように原料を配合する
ことが望ましい。
本発明方法において、ガーネットフェライトのｃサイト
成分としてはY,希土類元素から選択される少なくとも１
種及びCaが挙げられる。このｃサイト成分が過剰に配合
される場合には、その過剰分はCaでまかなわれる。ま
た、ガーネットフェライトのａサイト成分及びｄサイト
成分としてはSn,Zr,Ti,Ge,Si,V,Sbから選択される少な
くとも１種及びFe、又はSn,Zr,Ti,Ge,Si,V,Sbから選択
される少なくとも１種、Al,Ga,In,Scから選択される少
なくとも１種及びFeが挙げられる。これらａサイト成分
とｄサイト成分とは互換性を有する。
成分としてはY,希土類元素から選択される少なくとも１
種及びCaが挙げられる。このｃサイト成分が過剰に配合
される場合には、その過剰分はCaでまかなわれる。ま
た、ガーネットフェライトのａサイト成分及びｄサイト
成分としてはSn,Zr,Ti,Ge,Si,V,Sbから選択される少な
くとも１種及びFe、又はSn,Zr,Ti,Ge,Si,V,Sbから選択
される少なくとも１種、Al,Ga,In,Scから選択される少
なくとも１種及びFeが挙げられる。これらａサイト成分
とｄサイト成分とは互換性を有する。
（作用） 一般にガーネットフェライトは、 R3Fe5O12 で表わされる。このガーネットフェライトには、Fe2O3
が固溶して、 (R3Fe3u/4)(Fe5+5u/4)O12+3u となることが知られている。
が固溶して、 (R3Fe3u/4)(Fe5+5u/4)O12+3u となることが知られている。
ところで、本発明方法により育成しようとする単結晶の
組成を化学式で示すと、 CaxR3-xFe5-y-zAyBzO12…（Ｉ） （ただし、ＲはY,希土類元素から選択される少なくとも
１種、ＡはAl,Ga,Sc,Inから選択される少なくとも１
種、ＢはZr,Sn,Ti,V,Ge,Si,Sbから選択される少なくと
も１種であり、指数x,y,zは全体の電気的中性を保つよ
うに決定される）となる。
組成を化学式で示すと、 CaxR3-xFe5-y-zAyBzO12…（Ｉ） （ただし、ＲはY,希土類元素から選択される少なくとも
１種、ＡはAl,Ga,Sc,Inから選択される少なくとも１
種、ＢはZr,Sn,Ti,V,Ge,Si,Sbから選択される少なくと
も１種であり、指数x,y,zは全体の電気的中性を保つよ
うに決定される）となる。
この組成の単結晶においても、ｃサイト成分又はａサイ
ト成分及びｄサイト成分を過剰に配合して焼成すると、
（Ｉ）で示される組成に、過剰に配合された成分が固溶
した単結晶を得ることができる。そして、この焼成の際
に異常粒成長が起きて単結晶の結晶粒サイズが粗大化す
る。したがって、従来のフラックス法やLPE法の場合と
異なり、フラックスやルツボを起源とする不純物の混入
なしに単結晶を成長することができ、光吸収特性の劣化
や製造コストの上昇を招くことがない。
ト成分及びｄサイト成分を過剰に配合して焼成すると、
（Ｉ）で示される組成に、過剰に配合された成分が固溶
した単結晶を得ることができる。そして、この焼成の際
に異常粒成長が起きて単結晶の結晶粒サイズが粗大化す
る。したがって、従来のフラックス法やLPE法の場合と
異なり、フラックスやルツボを起源とする不純物の混入
なしに単結晶を成長することができ、光吸収特性の劣化
や製造コストの上昇を招くことがない。
なお、上述したように、過剰に配合する成分はａサイト
成分及びｄサイト成分５モルに対してｃサイト成分が3.
001〜3.2モルとなるか、又はｃサイト成分３モルに対し
てａサイト成分及びｄサイト成分が5.001〜5.2モルとな
るようにすることが望ましい。これを（Ｉ）の組成式に
対応して示すと、下記のようになる。
成分及びｄサイト成分５モルに対してｃサイト成分が3.
001〜3.2モルとなるか、又はｃサイト成分３モルに対し
てａサイト成分及びｄサイト成分が5.001〜5.2モルとな
るようにすることが望ましい。これを（Ｉ）の組成式に
対応して示すと、下記のようになる。
又は （ただし、ｎは元素Ｂのイオン価）。
上記のような範囲でｃサイト成分又はａサイト成分及び
ｄサイト成分を過剰に配合するのは、以下のような理由
による。すなわち、ｃサイト成分又はａサイト成分及び
ｄサイト成分の過剰量が0.001モル未満であると、上述
した異常粒成長による単結晶の結晶粒サイズの粗大化が
起りにくい。一方、ｃサイト成分又はａサイト成分及び
ｄサイト成分の過剰量が0.2モルを超えると、焼結体中
に存在する異相の量が増加し、結晶粒の粗大化が起りに
くく、また異相が結晶粒内に取込まれやすくなってその
光学特性が劣化する。
ｄサイト成分を過剰に配合するのは、以下のような理由
による。すなわち、ｃサイト成分又はａサイト成分及び
ｄサイト成分の過剰量が0.001モル未満であると、上述
した異常粒成長による単結晶の結晶粒サイズの粗大化が
起りにくい。一方、ｃサイト成分又はａサイト成分及び
ｄサイト成分の過剰量が0.2モルを超えると、焼結体中
に存在する異相の量が増加し、結晶粒の粗大化が起りに
くく、また異相が結晶粒内に取込まれやすくなってその
光学特性が劣化する。
また、本発明方法においては、粗大化する結晶の方位及
び数をコントロールするために、育成しようとする単結
晶と同一の構造を有する単結晶を接種してもよい。
び数をコントロールするために、育成しようとする単結
晶と同一の構造を有する単結晶を接種してもよい。
（実施例） 以下、本発明の実施例を説明する。なお、ａサイト成分
及びｄサイト成分５モルに対してｃサイト成分を３モル
より過剰に配合した実施例は第１表に、ｃサイト成分３
モルに対してａサイト成分及びｄサイト成分を５モルよ
り過剰に配合した実施例は第２表にそれぞれ示す。ま
た、第１表及び第２表の1/2R2O3,1/2A2O3及び1/nB2Onの
欄のカッコ内の元素はそれぞれR,A又はＢを示す。
及びｄサイト成分５モルに対してｃサイト成分を３モル
より過剰に配合した実施例は第１表に、ｃサイト成分３
モルに対してａサイト成分及びｄサイト成分を５モルよ
り過剰に配合した実施例は第２表にそれぞれ示す。ま
た、第１表及び第２表の1/2R2O3,1/2A2O3及び1/nB2Onの
欄のカッコ内の元素はそれぞれR,A又はＢを示す。
実施例１〜16及び比較例1,2（第１表） 実施例21〜36及び比較例３（第２表） まず、下記第１表及び第２表に示す組成を目標として、
Y2O3，Gd2O3，CaCO3,FeOOH,ZrO2，V2O5，SnO2，TiO2，G
eO2，SiO2，Al2O3，Ga2O3，Sc2O3，In2O3を秤量して配
合し、湿式ボールミルで24時間粉砕・混合した後、乾燥
した。次に、得られた各混合粉末を造粒し、造粒粉をア
ルミナルツボに充填して大気中において1100℃で４時間
仮焼した。つづいて、仮焼体を再び湿式ボールミルで粉
砕した後、乾燥した。得られた粉末はそれぞれ第１表及
び第２表に示す組成であった。
Y2O3，Gd2O3，CaCO3,FeOOH,ZrO2，V2O5，SnO2，TiO2，G
eO2，SiO2，Al2O3，Ga2O3，Sc2O3，In2O3を秤量して配
合し、湿式ボールミルで24時間粉砕・混合した後、乾燥
した。次に、得られた各混合粉末を造粒し、造粒粉をア
ルミナルツボに充填して大気中において1100℃で４時間
仮焼した。つづいて、仮焼体を再び湿式ボールミルで粉
砕した後、乾燥した。得られた粉末はそれぞれ第１表及
び第２表に示す組成であった。
つづいて、各粉末にポリビニルアルコール水溶液を適量
添加して１ton/cm2の圧でプレス成形し、直径20mm、厚
み5mmのペレットを得た。次いで、各ペレットを酸素フ
ロー中、第１表及び第２表に示す温度で８時間焼成して
焼結体を得た。
添加して１ton/cm2の圧でプレス成形し、直径20mm、厚
み5mmのペレットを得た。次いで、各ペレットを酸素フ
ロー中、第１表及び第２表に示す温度で８時間焼成して
焼結体を得た。
得られた焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、理論
密度に対する相対密度（％）を算出した。また、焼結体
の表面を研摩した後、エッチングし、焼結体構成粒子の
平均粒径及び単結晶の最大結晶粒径を測定した。この結
果を第１表及び第２表にそれぞれ示す。なお、平均粒径
は、異常粒成長により粗大化した結晶粒以外の結晶粒に
ついて求めた。
密度に対する相対密度（％）を算出した。また、焼結体
の表面を研摩した後、エッチングし、焼結体構成粒子の
平均粒径及び単結晶の最大結晶粒径を測定した。この結
果を第１表及び第２表にそれぞれ示す。なお、平均粒径
は、異常粒成長により粗大化した結晶粒以外の結晶粒に
ついて求めた。
第１表から明らかなように、ａ＋ｄサイト成分５モルに
対してｃサイト成分が3.3モルと過剰すぎる場合（比較
例１）、及びｃサイト成分が化学量論組成の3.0モルで
ある場合（比較例２）には、相対密度が小さく、単結晶
の最大径も小さい。このように相対密度が小さいのは、
焼結体中に気孔が存在して緻密化が十分でないためであ
ると考えられる。また、単結晶の最大径が小さいのは、
比較例１では過剰に配合された成分によって異相の量が
増加し、比較例２では異常粒成長が起りにくいためであ
ると考えられる。
対してｃサイト成分が3.3モルと過剰すぎる場合（比較
例１）、及びｃサイト成分が化学量論組成の3.0モルで
ある場合（比較例２）には、相対密度が小さく、単結晶
の最大径も小さい。このように相対密度が小さいのは、
焼結体中に気孔が存在して緻密化が十分でないためであ
ると考えられる。また、単結晶の最大径が小さいのは、
比較例１では過剰に配合された成分によって異相の量が
増加し、比較例２では異常粒成長が起りにくいためであ
ると考えられる。
これに対して実施例１〜16の場合には、相対密度が高
く、単結晶の最大径も大きくなっている。
く、単結晶の最大径も大きくなっている。
同様に、第２表から明らかなように、ｃサイト成分３モ
ルに対してａ＋ｄサイト成分が5.3モルと過剰すぎる場
合（比較例３）には、相対密度が小さく、単結晶の最大
径も小さい。これは比較例１の場合と同様な理由による
ものと考えられる。
ルに対してａ＋ｄサイト成分が5.3モルと過剰すぎる場
合（比較例３）には、相対密度が小さく、単結晶の最大
径も小さい。これは比較例１の場合と同様な理由による
ものと考えられる。
これに対して実施例21〜36の場合には、相対密度が高
く、単結晶の最大径も大きくなっている。
く、単結晶の最大径も大きくなっている。
実施例41 配合組成がモル比で、1/2Y2O3＝2.94,CaO＝0.10,1/2Fe2
O3＝4.94,ZrO2＝0.06となるように所定の原料を配合し
て、上述したのと全く同様な方法でペレットを成形し
た。このペレットを1450〜1600℃の範囲で焼成温度を変
化させて焼成し、焼結体を得た。得られた焼結体につい
て、相対密度及び平均粒径を測定し、焼成温度との関係
を調べた。その結果を第１図に示す。
O3＝4.94,ZrO2＝0.06となるように所定の原料を配合し
て、上述したのと全く同様な方法でペレットを成形し
た。このペレットを1450〜1600℃の範囲で焼成温度を変
化させて焼成し、焼結体を得た。得られた焼結体につい
て、相対密度及び平均粒径を測定し、焼成温度との関係
を調べた。その結果を第１図に示す。
第１図から、この組成のガーネットフェライト単結晶は
相対密度が100％に近くなる1480〜1570℃の範囲で焼成
することが好ましいことがわかる。
相対密度が100％に近くなる1480〜1570℃の範囲で焼成
することが好ましいことがわかる。
また、得られたガーネットフェライト単結晶を焼結体か
ら切り出し、光学研摩処理を施した後、波長1.3μｍで
吸収係数αを測定したところ、α＝0.08cm-1であった。
フラックス法で製造したガーネットフェライト単結晶で
は、不純物の影響により最良の値でもαは0.1cm-1以上
であることを考慮すると、本発明方法はガーネットフェ
ライト単結晶の光学特性を改善する効果が大きいことが
わかる。
ら切り出し、光学研摩処理を施した後、波長1.3μｍで
吸収係数αを測定したところ、α＝0.08cm-1であった。
フラックス法で製造したガーネットフェライト単結晶で
は、不純物の影響により最良の値でもαは0.1cm-1以上
であることを考慮すると、本発明方法はガーネットフェ
ライト単結晶の光学特性を改善する効果が大きいことが
わかる。
実施例42 配合組成がモル比で、1/2Y2O3＝2.94,CaO＝0.06,1/2Fe2
O3＝4.94,ZrO2＝0.10となるように所定の原料を配合し
て、上述したのと全く同様な方法でペレットを成形し
た。このペレットを1400〜1550℃の範囲で焼成温度を変
化させて焼成し、焼結体を得た。得られた焼結体につい
て、相対密度及び平均粒径を測定し、焼成温度との関係
を調べた。その結果を第２図に示す。
O3＝4.94,ZrO2＝0.10となるように所定の原料を配合し
て、上述したのと全く同様な方法でペレットを成形し
た。このペレットを1400〜1550℃の範囲で焼成温度を変
化させて焼成し、焼結体を得た。得られた焼結体につい
て、相対密度及び平均粒径を測定し、焼成温度との関係
を調べた。その結果を第２図に示す。
第２図から、この組成のガーネットフェライト単結晶は
相対密度が100％に近くなる1420〜1530℃の範囲で焼成
することが好ましいことがわかる。
相対密度が100％に近くなる1420〜1530℃の範囲で焼成
することが好ましいことがわかる。
また、得られた単結晶を焼結体から切り出し、光学研摩
処理を施した後、波長1.3μｍで吸収係数αを測定した
ところ、α＝0.08cm-1であった。この結果からも本発明
方法がガーネットフェライト単結晶の光学特性を改善す
る効果が大きいことがわかる。
処理を施した後、波長1.3μｍで吸収係数αを測定した
ところ、α＝0.08cm-1であった。この結果からも本発明
方法がガーネットフェライト単結晶の光学特性を改善す
る効果が大きいことがわかる。
なお、実施例41及び42からわかるように、平均粒径がピ
ークを示す焼成温度は組成によって異なるので、その組
成に応じて適切な焼成温度を決定することが望ましい。
ークを示す焼成温度は組成によって異なるので、その組
成に応じて適切な焼成温度を決定することが望ましい。
実施例43 上記実施例41と同一の原料を配合し、成形金型内で原料
粉末の中心部に、フラックス法で作製した２×２×２mm
3のY3Fe5O12単結晶（以下、YIG単結晶と記す）を埋めこ
んだ状態でプレス成形によりペレットを成形した。な
お、前記YIG単結晶は、その（110）面がペレットの表面
と平行になるように埋めこんだ。
粉末の中心部に、フラックス法で作製した２×２×２mm
3のY3Fe5O12単結晶（以下、YIG単結晶と記す）を埋めこ
んだ状態でプレス成形によりペレットを成形した。な
お、前記YIG単結晶は、その（110）面がペレットの表面
と平行になるように埋めこんだ。
このペレットを1500℃で焼成したところ、埋めこんだYI
G単結晶を中心としてほぼペレット全体にわたって結晶
粒の粗大化が生じ、最大径約18mmのガーネットフェライ
ト単結晶を得ることができた。また、Ｘ線回折により、
得られたガーネットフェライト単結晶の方位は（110）
であることが確認された。
G単結晶を中心としてほぼペレット全体にわたって結晶
粒の粗大化が生じ、最大径約18mmのガーネットフェライ
ト単結晶を得ることができた。また、Ｘ線回折により、
得られたガーネットフェライト単結晶の方位は（110）
であることが確認された。
実施例44 上記実施例42と同一の原料を配合し、実施例43と同様に
YIG単結晶を埋めこんだペレットを成形した。
YIG単結晶を埋めこんだペレットを成形した。
このペレットを1500℃で焼成したところ、埋めこんだYI
G単結晶を中心としてほぼペレット全体にわたって結晶
粒の粗大化が生じ、最大径約18mmのガーネットフェライ
ト単結晶を得ることができた。また、Ｘ線回折により、
得られたガーネットフェライト単結晶の方位は（110）
であることが確認された。
G単結晶を中心としてほぼペレット全体にわたって結晶
粒の粗大化が生じ、最大径約18mmのガーネットフェライ
ト単結晶を得ることができた。また、Ｘ線回折により、
得られたガーネットフェライト単結晶の方位は（110）
であることが確認された。
実施例45 上記実施例41と同一の原料を配合してペレットを成形し
た後、1300℃で焼成して焼結体を得た。この焼結体及び
フラックス法で作製したYIG単結晶をそれぞれ鏡面研摩
した後、両者の研摩面同士を酸で接着した。
た後、1300℃で焼成して焼結体を得た。この焼結体及び
フラックス法で作製したYIG単結晶をそれぞれ鏡面研摩
した後、両者の研摩面同士を酸で接着した。
これを1500℃で焼成したところ、ペレット全体が単結晶
となっていた。
となっていた。
実施例46 上記実施例42と同一の原料を配合してペレットを成形し
た後、1300℃で焼成して焼結体を得た。この焼結体及び
フラックス法で作製したYIG単結晶をそれぞれ鏡面研摩
した後、両者の研摩面同士を酸で接着した。
た後、1300℃で焼成して焼結体を得た。この焼結体及び
フラックス法で作製したYIG単結晶をそれぞれ鏡面研摩
した後、両者の研摩面同士を酸で接着した。
これを1500℃で焼成したところ、ペレット全体が単結晶
となっていた。
となっていた。
実施例43〜46の結果から、原料の焼成時に育成しようと
するガーネットフェライト単結晶と同一の構造を有する
単結晶を接種することが望ましいことがわかる。
するガーネットフェライト単結晶と同一の構造を有する
単結晶を接種することが望ましいことがわかる。
［発明の効果］ 以上詳述したように本発明方法によれば、製造コストを
上昇させずに、不純物の混入がなく特に光学特性に優れ
たガーネットフェライト単結晶を製造することができ、
その工業的価値が大きいものである。
上昇させずに、不純物の混入がなく特に光学特性に優れ
たガーネットフェライト単結晶を製造することができ、
その工業的価値が大きいものである。
第１図は本発明の一実施例における焼成温度とガーネッ
トフェライトの焼結体の相対密度及び平均粒径との関係
を示す特性図、第２図は本発明の他の実施例における焼
成温度とガーネットフェライトの焼結体の相対密度及び
平均粒径との関係を示す特性図である。
トフェライトの焼結体の相対密度及び平均粒径との関係
を示す特性図、第２図は本発明の他の実施例における焼
成温度とガーネットフェライトの焼結体の相対密度及び
平均粒径との関係を示す特性図である。
Claims (3)
- 【請求項１】ガーネットフェライトのｃサイトを構成す
る陽イオンを含む原料又はａサイト及びｄサイトを構成
する陽イオンを含む原料のいずれか一方を化学量論組成
より過剰に配合して原料粉末を混合し、この原料粉末を
焼成することを特徴とするガーネットフェライト単結晶
の製造方法。 - 【請求項２】ａサイト成分及びｄサイト成分５モルに対
してｃサイト成分が3.001〜3.2モルとなるか、又はｃサ
イト成分３モルに対してａサイト成分及びｄサイト成分
が5.001〜5.2モルとなるように原料を配合することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のガーネットフェラ
イト単結晶の製造方法。 - 【請求項３】ガーネットフェライトのｃサイト成分がY,
希土類元素から選択される少なくとも１種及びCaであ
り、ａサイト成分及びｄサイト成分がSn,Zr,Ti,Ge,Si,
V,Sbから選択される少なくとも１種及びFe、又はSn,Zr,
Ti,Ge,Si,V,Sbから選択される少なくとも１種、Al,Ga,I
n,Scから選択される少なくとも１種及びFeであり,aサイ
ト成分とｄサイト成分とが互換性を有することを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載のガーネット
フェライト単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20072186A JPH0678199B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | ガ−ネツトフエライト単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20072186A JPH0678199B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | ガ−ネツトフエライト単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355199A JPS6355199A (ja) | 1988-03-09 |
| JPH0678199B2 true JPH0678199B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=16429096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20072186A Expired - Lifetime JPH0678199B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | ガ−ネツトフエライト単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678199B2 (ja) |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP20072186A patent/JPH0678199B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6355199A (ja) | 1988-03-09 |
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