JPH0678334B2 - チオフェン系化合物の製造方法 - Google Patents
チオフェン系化合物の製造方法Info
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- JPH0678334B2 JPH0678334B2 JP2133586A JP13358690A JPH0678334B2 JP H0678334 B2 JPH0678334 B2 JP H0678334B2 JP 2133586 A JP2133586 A JP 2133586A JP 13358690 A JP13358690 A JP 13358690A JP H0678334 B2 JPH0678334 B2 JP H0678334B2
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- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 title claims description 7
- -1 thiophene compound Chemical class 0.000 title description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- KBWHYRUAHXHHFO-UHFFFAOYSA-N 3-(bromomethyl)thiophene Chemical compound BrCC=1C=CSC=1 KBWHYRUAHXHHFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- PYZDZZWSZBQELO-UHFFFAOYSA-N 3-(ethoxymethyl)thiophene Chemical compound CCOCC=1C=CSC=1 PYZDZZWSZBQELO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RCTIHQZIVLNKDZ-UHFFFAOYSA-N 3-(methoxymethyl)thiophene Chemical compound COCC=1C=CSC=1 RCTIHQZIVLNKDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 1-bromobutane Chemical compound CCCCBr MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCMISAPCWHTVNG-UHFFFAOYSA-N 3-bromothiophene Chemical compound BrC=1C=CSC=1 XCMISAPCWHTVNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDQZVKVIYAPRON-UHFFFAOYSA-N 3-phenylthiophene Chemical compound S1C=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 ZDQZVKVIYAPRON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJUZRXYOEPSWMB-UHFFFAOYSA-N Chloromethyl methyl ether Chemical compound COCCl XJUZRXYOEPSWMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQAYAHVKRCESAA-UHFFFAOYSA-N S1C=C(C=C1)[K] Chemical compound S1C=C(C=C1)[K] MQAYAHVKRCESAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEJCCWIXUKNQRW-UHFFFAOYSA-N [Li]C=1C=CSC=1 Chemical compound [Li]C=1C=CSC=1 OEJCCWIXUKNQRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- FCYRSDMGOLYDHL-UHFFFAOYSA-N chloromethoxyethane Chemical compound CCOCCl FCYRSDMGOLYDHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940061627 chloromethyl methyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002848 poly(3-alkoxythiophenes) Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は，新規なチオフェン系化合物の製造方法，詳し
くは，それを重合体とすることにより有機電子材料とし
て広く利用しうるチオフェン系化合物の新規な製造方法
に関するものである。
くは，それを重合体とすることにより有機電子材料とし
て広く利用しうるチオフェン系化合物の新規な製造方法
に関するものである。
（従来の技術） チオフェン等の複素環化合物を電解重合または化学酸化
重合して得られるる有機導電性組成物としては，ポリチ
オフェン，ポリ（３−アルキルチオフェン）ポリ（３−
アルコキシチオフェン），ポリベンゾチオフェン，ポリ
（３−フェニルチオフェン），ポリピロール等が知られ
ている。これら組成物は，成形性、可とう性及び溶解性
に優れており，高分子導電体として広く利用しうるもの
である。また，電解重合膜を形成，または塗膜を形成す
るなどの方法で導電基板上に薄膜を作製することにより
修飾電極として利用することができる。しかし，これら
ポリチオフェン誘導体では化学構造が極めて限定されて
いるために，電気化学的特性，溶解性，分光特性が限定
されているので，ポリチオフェン誘導体の利用分野が制
限されるのを免れなかった。
重合して得られるる有機導電性組成物としては，ポリチ
オフェン，ポリ（３−アルキルチオフェン）ポリ（３−
アルコキシチオフェン），ポリベンゾチオフェン，ポリ
（３−フェニルチオフェン），ポリピロール等が知られ
ている。これら組成物は，成形性、可とう性及び溶解性
に優れており，高分子導電体として広く利用しうるもの
である。また，電解重合膜を形成，または塗膜を形成す
るなどの方法で導電基板上に薄膜を作製することにより
修飾電極として利用することができる。しかし，これら
ポリチオフェン誘導体では化学構造が極めて限定されて
いるために，電気化学的特性，溶解性，分光特性が限定
されているので，ポリチオフェン誘導体の利用分野が制
限されるのを免れなかった。
従来の３−アルコキシメチルチオフェンの製造方法は文
献に記載されている。（合成金属誌,26巻153−168頁,19
88年）。この方法では,3−ブロモメチルチオフェンとナ
トリウムアルコキシドとの反応により３−アルコキシメ
チルチオフェンを得ている。しかし,3−ブロモメチルチ
オフェンは市販品がないので別途合成する必要があり，
多大な労力を必要とする。また,3−ブロモメチルチオフ
ェンは極めて不安定な化合物なのでその取扱いは困難で
ある。
献に記載されている。（合成金属誌,26巻153−168頁,19
88年）。この方法では,3−ブロモメチルチオフェンとナ
トリウムアルコキシドとの反応により３−アルコキシメ
チルチオフェンを得ている。しかし,3−ブロモメチルチ
オフェンは市販品がないので別途合成する必要があり，
多大な労力を必要とする。また,3−ブロモメチルチオフ
ェンは極めて不安定な化合物なのでその取扱いは困難で
ある。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は，入手容易でかつ安定な化合物を出発原料にし
て，重合することにより有機電子材料となる３−アルコ
キシメチルチオフェンを製造するための方法を提供する
ものである。
て，重合することにより有機電子材料となる３−アルコ
キシメチルチオフェンを製造するための方法を提供する
ものである。
（課題を解決するための手段） 多様な特性を有するポリチオフェン系導電性組成物を開
発するために鋭意検討を行ったところ,3−アルコキシメ
チルチオフェンがこの目的に適合することを見出し，こ
の知見に基づいて３−アルコキシメチルチオフェンの新
規な製造方法を鋭意検討した結果，本発明を完成するに
至った。本発明の目的は，従来知られていなかった３−
アルコキシメチルチオフェンの新規な製造方法を提供す
ることにある。
発するために鋭意検討を行ったところ,3−アルコキシメ
チルチオフェンがこの目的に適合することを見出し，こ
の知見に基づいて３−アルコキシメチルチオフェンの新
規な製造方法を鋭意検討した結果，本発明を完成するに
至った。本発明の目的は，従来知られていなかった３−
アルコキシメチルチオフェンの新規な製造方法を提供す
ることにある。
本発明は， 一般式 （式中のＲはアルキル基） で示されるチオフェン系化合物の製造方法に関するもの
であり， 一般式 CH2X−Ｏ−Ｒ （式中のＸはハロゲンであり,Rはアルキル基） で示されるアルキルハロゲノメチルエーテルと 一般式 （式中のＭはアルカリ金属である） で示される化合物との反応によって得られる。
であり， 一般式 CH2X−Ｏ−Ｒ （式中のＸはハロゲンであり,Rはアルキル基） で示されるアルキルハロゲノメチルエーテルと 一般式 （式中のＭはアルカリ金属である） で示される化合物との反応によって得られる。
本発明の製造方法を実施するために使用する３−アルカ
リ金属化チオフェンとしては３−チエニルリチウム,3−
チエニルナトリウム,3−チエニルカリウムなどをあげる
ことができる。
リ金属化チオフェンとしては３−チエニルリチウム,3−
チエニルナトリウム,3−チエニルカリウムなどをあげる
ことができる。
本発明の製造方法を実施するために使用するアルキルハ
ロゲノメチルチオフェンとしては，ハロゲノメチルメチ
ルエーテル，エチルハロゲノメチルエーテル，ハロゲノ
メチルプロピルエーテル，ブチルハロゲノメチルエーテ
ル，ハロゲノメチルペンチルエーテル，ハロゲノメチル
ヘキシルエーテルなどをあげることができる。
ロゲノメチルチオフェンとしては，ハロゲノメチルメチ
ルエーテル，エチルハロゲノメチルエーテル，ハロゲノ
メチルプロピルエーテル，ブチルハロゲノメチルエーテ
ル，ハロゲノメチルペンチルエーテル，ハロゲノメチル
ヘキシルエーテルなどをあげることができる。
実施例1. 不活性ガス下で8.6gのリチウムを入れた200mlの無水エ
ーテルに100mlの無水エーテルで希釈した68.5gのｎ−ブ
チルブロマイドを−10℃で適下してｎ−ブチルリチウム
を合成した。この上澄み液を分取して−70℃に冷却し，
そこへ150mlの無水エーテルで希釈した65gの３−ブロモ
チオフェンを少量ずつ適下する。適下終了後−75〜−70
℃において30分間かくはんすると３−チエニルリチウム
が得られる。３−チエニルリチウムを−70℃に冷却し，
こゝに100mlの脱水エーテルで希釈した21.3gのクロロメ
チルメチルエーテルを−60℃以下に保持しながらゆっく
りと適下した。適下終了後15分間かくはんした後，ゆっ
くりと液温を−35℃まで上げて反応を開始させた液温を
０〜10℃まで上げて１時間かくはんした。反応終了後，
−10〜−20℃で50mlの水を加えて過剰のリチウム体を分
解した。エーテル層を分取し，無水硫酸マグネシウムで
脱水し，エーテルを留去した後，残留物を精密減圧蒸留
して３−メトキシメチルチオフェンを得た。収量20g
（収率58％）。
ーテルに100mlの無水エーテルで希釈した68.5gのｎ−ブ
チルブロマイドを−10℃で適下してｎ−ブチルリチウム
を合成した。この上澄み液を分取して−70℃に冷却し，
そこへ150mlの無水エーテルで希釈した65gの３−ブロモ
チオフェンを少量ずつ適下する。適下終了後−75〜−70
℃において30分間かくはんすると３−チエニルリチウム
が得られる。３−チエニルリチウムを−70℃に冷却し，
こゝに100mlの脱水エーテルで希釈した21.3gのクロロメ
チルメチルエーテルを−60℃以下に保持しながらゆっく
りと適下した。適下終了後15分間かくはんした後，ゆっ
くりと液温を−35℃まで上げて反応を開始させた液温を
０〜10℃まで上げて１時間かくはんした。反応終了後，
−10〜−20℃で50mlの水を加えて過剰のリチウム体を分
解した。エーテル層を分取し，無水硫酸マグネシウムで
脱水し，エーテルを留去した後，残留物を精密減圧蒸留
して３−メトキシメチルチオフェンを得た。収量20g
（収率58％）。
沸点90.5〜91℃/53mmHg。1 H NMR δ（CDCl3）:3.33（3H,S）;4.42（2H,S）7.03
（1H,m）;7.16（1H,m）;7.25:（1H,m）。13 C NMR δ（CDCl3）:57.86,69.72,122.74,125.88,127.
23,139.31. 実施例２ 実施例１と同様して調整した３−チエニルリチウムを−
60℃以下に保持しながら,100mlの脱水エーテルで希釈し
た25gのクロロメチルエチルエーテルを適下した。適下
終了後30分間かくはんした後，液温を−30℃まで上げて
反応を開始させ，液温を０〜10℃まで上げて１時間かく
はんした。反応終了後，−10〜−20℃で50mlの水を加え
て過剰のリチウム体を分解した。エーテル層を分取し，
無水硫酸マグネシウムを脱水し，エーテル層を留去した
後，残留物を減圧蒸留して３−エトキシメチルチオフェ
ンを得た。収量19g（収率50％）。
（1H,m）;7.16（1H,m）;7.25:（1H,m）。13 C NMR δ（CDCl3）:57.86,69.72,122.74,125.88,127.
23,139.31. 実施例２ 実施例１と同様して調整した３−チエニルリチウムを−
60℃以下に保持しながら,100mlの脱水エーテルで希釈し
た25gのクロロメチルエチルエーテルを適下した。適下
終了後30分間かくはんした後，液温を−30℃まで上げて
反応を開始させ，液温を０〜10℃まで上げて１時間かく
はんした。反応終了後，−10〜−20℃で50mlの水を加え
て過剰のリチウム体を分解した。エーテル層を分取し，
無水硫酸マグネシウムを脱水し，エーテル層を留去した
後，残留物を減圧蒸留して３−エトキシメチルチオフェ
ンを得た。収量19g（収率50％）。
沸点94〜95℃/38mmHg。1 H NMR δ（CDCL3）:1.22（3H,t）;3.13（2H,m）;4.49
（2H,s）;7.06（1H,m）;7.19（1H,t）;7.27（1H,m）。13 C NMR δ（CDCl3）:15.03,65,49,67.96,122.45,125.8
2,127.21,139.63. 参考例１ 実施例１で得た３−メトキシメチルチオフェンをプロピ
レンカーボネート中−20℃でテトラブチルアンモニウム
ヘキサフルオロホスフェートを支持電解質として電解重
合したところ，白金板陽極上に1.8S/cmの導電率を示す
フィルムを得た。
（2H,s）;7.06（1H,m）;7.19（1H,t）;7.27（1H,m）。13 C NMR δ（CDCl3）:15.03,65,49,67.96,122.45,125.8
2,127.21,139.63. 参考例１ 実施例１で得た３−メトキシメチルチオフェンをプロピ
レンカーボネート中−20℃でテトラブチルアンモニウム
ヘキサフルオロホスフェートを支持電解質として電解重
合したところ，白金板陽極上に1.8S/cmの導電率を示す
フィルムを得た。
参考例２ 実施例２で得た３−エトキシメチルチオフェンを参考例
１と同様にして電解重合したところ,26S/cmの導電率を
示すフィルムを得た。
１と同様にして電解重合したところ,26S/cmの導電率を
示すフィルムを得た。
（発明の効果） 本発明に従うと入手しやすく，かつ安定で取扱いやすい
化合物を出発原料として，容易に３−アルコキシメチル
チオフェンを製造することができる。そして，このよう
にして得られた化合物を電解重合すると陽極上に導電性
フィルムを成形することができるので修飾電極材料及び
有機導電材料として好適である。
化合物を出発原料として，容易に３−アルコキシメチル
チオフェンを製造することができる。そして，このよう
にして得られた化合物を電解重合すると陽極上に導電性
フィルムを成形することができるので修飾電極材料及び
有機導電材料として好適である。
Claims (1)
- 【請求項１】３−アルカリ金属化チオフェンとアルキル
ハロゲノメチルエーテルを反応させることを特徴とす
る， 一般式 （式中のＲはアルキル基を示す。） で示される３−アルコキシメチルチオフェンの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133586A JPH0678334B2 (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | チオフェン系化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133586A JPH0678334B2 (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | チオフェン系化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426686A JPH0426686A (ja) | 1992-01-29 |
| JPH0678334B2 true JPH0678334B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=15108271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2133586A Expired - Lifetime JPH0678334B2 (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | チオフェン系化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678334B2 (ja) |
-
1990
- 1990-05-23 JP JP2133586A patent/JPH0678334B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0426686A (ja) | 1992-01-29 |
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