JPH0426686A - チオフェン系化合物の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、新規なチオフェン系化合物の製造方法、詳し
くは、それを重合体とすることにより有機電子材料とし
て広く利用しうるチオフェン系化合物の新規なＶ遣方法
に関するものである。

（従来の技術） チオフェン等の複素環化合物を電解重合または化学酸化
重合して得られる有機導電性組成物としては、ポリチオ
フェン、ポリ（３−アルキルチオフェン）ポリ（３−ア
ルコキシチオフェン）、ポリベンゾチオフェン、ポリ（
３−フェニルチオフェン）。

ポリピロール等が知られている。これら組成物は。

成形性、可とう性及び溶解性に優れており、高分子導電
体として広く利用しうるものである。また。

電解重合膜を形成。

または塗膜を形成するなどの 方法で導電基板上に薄膜を作製することにより修飾電極
として利用することができる。しかし、こ分光特性が限
定されているので、ポリチオフェン誘導体の利用分野が
制限されるのを免れなかった。

従来の３−アルコキシメチルチオフェンの製造方法は文
献に記載されている。（合成金属誌、２６巻１５３−１
６８頁、　　１９８８年）。この方法では、３−ブロモ
メチルチオフェンとナトリウムアルコキシドとの反応に
より３−アルコキシメチルチオフェンを得ている。しか
し、３−ブロモメチルチオフェンは市販品がないので別
途合成する必要があり、多大な労力を必要とする。また
、３−ブロモメチルチオフェンは極めて不安定な化合物
なのでその取扱いは困難である。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、入手容易でかつ安定な化合物を出発原料にし
て、ｊｒｉ合することにより有機電子材料となる３−ア
ルコキシメチルチオフェンを製造するための方法を提供
するものである。

（課題を解決するための手段） 多様な特性を有するポリチオフェン系導電性組成物を開
発するために鋭意検討を行ったところ３−アルコキンメ
チルチオフェンがこの目的に適合することを見出し、こ
の知見に基づいて３−アルコキンメチルチオフェンの新
規な製造方法を鋭意検討した結果１本発明を完成するに
至った。本発明の目的は、従来知られていなかった３−
アルコキシメチルチオフェンの新規な製造方法を提供す
ることにある。

本発明は 一般式 （式中のＲはアルキル基） で示されるチオフェン系化合物の製造方法に関するもの
であり。

一般式 ％式％ （式中のＸはハロゲンであり、Ｒはアルキル基）で示さ
れるアルキルハロゲノメチルエーテルと一般式 （式中のＭはアルカリ金属である） で示される化合物との反応によって得られる。

本発明の製造方法を実施するために使用する３−アルカ
リ金属化チオフェンとしては３−チエニルリチウム、３
−チエニルナトリウム、３−チエニルカリウムなどをあ
げることができる。

本発明の製造方法を実施するために使用するアルキルハ
ロゲノメチルチオフェンとしては、ノ＼ロゲノメ、チル
メチルエーテル、エチル７＼ロゲノメチルエーテル　ハ
ロゲノメチルプロピルエーテル。

ブチルハロゲノメチルエーテル、ノ）ロゲノメチルペ／
チルエーテル　ハロゲノメチルプロピルエーテルなどを
あげることができる。

実施例１ 不活性ガス下で８．６ｇのリチウムを入れた２００＋１
１の無水エーテルに１００ｍ１の無水エーテルで希釈し
た６８．５ｇのｎ−ブチルブロマイドを一１０℃で適下
してｎ−ブチルリチウムを合成した。この上澄み液を分
取して一７０℃に冷却し、そこへ１５０１１１の無水エ
ーテルテ希釈した６５ｇの３−ブロモチオフェンを少量
ずつ適下する。適下終了後−７５〜−７０℃において３
０分間かくはんすると３−チエニルリチウムが得られる
。３−チエニルリチウムを一７０℃に冷却し、こ＼に１
００Ｉｌ］の脱水エーテルで希釈した２１．３ｇのクロ
ロメチルメチルエーテルを一６０℃以下に保持しながら
ゆっくりと適下した。適下終了後１５分間かくはんした
後ゆっくりと液温を−３５’Ｃまで上げて反応を開始さ
せｔこ。液温を０〜ｌＯ℃まで上げて１時間かくはんし
た。

反応終了後、−１Ｏ〜−２０℃で５０１の水を加えて過
剰のリチウム体を分解した。エーテル届を分取し。

無水硫酸マグネンウムで脱水し、エーテルを留去沸点９
０．５〜９１’Ｃ／　５３’ｍ＋ｉＨｇ。

ＩＨＮＭＲδ　（ＣＤＣ１，）：　　３．３３（３Ｈ，
Ｓ）；　　４．４２（２＋１．　　　Ｓ＞７．０３（１
Ｂ、　　＋＊）；　　７．１６（ＩＨ，ｍ）；　　７．
２５：　　（ＩＨ，ｉ）。

１３ＣＮＭＲδ　（ＣＤＣ１，）：　　５７．８６．　
６９．７２．　　１２２．７４゜１２５．８８．　　１
２７．２３．　　１３９．３１゜実施例２ 実施例１と同様して調整した３−チエニルリチウムを一
６０℃以下に保持しながら、　　ｌｏｏｍ＋の脱水エー
テルで希釈した２５ｇのクロロメチルエチルエーテルを
適下した。適下終了後３０分間かくはんした後。

液温を一３０℃まで上げて反応を開始させ、液温を０〜
ｌＯ℃まで上げて１時間か（はんした。反応終了後、−
１θ〜−２０℃で５０ｍ１の水を加えて過剰のリチウム
体を分解した。エーテノｌを分取し、無水硫酸マグネシ
ウムで脱水し、エーテル層を留去した後。

残留物を減圧蒸留して３−エトキシメチルチオフェンを
得た。収量１９ｇ（収率５０％）。

沸点９４〜９５℃／　３８　ｔｈ　ｍ　Ｈｇ。

’ＨＮＭＲδ　（ＣＤＣｌ２）：　　１．２２（３Ｈ，
ｔ）；　　３．＋３（２８４，４９（２Ｈ，ｓ）；　　
７．０６（ＩＨ，＋＋）：　　７．１９＜ＩＨ，Ｌ）；
７．２７＜ＩＨ，ｌ１１）。

”ＣＮＭＲδ　（ＣＤＣｌ２）：　　１５．０３．　　
６５．４９．　　６７．９６１２２．４５．　　１２５
．８２．　　１２７．２１．　　１３９．６３゜ｍ）； 参考例１ 実施例１で得た３−メトキシメチルチオフェンをプロピ
レンカーボネート中−２０℃でテトラブチルアンモニウ
ムへキサフルオロホスフェートを支持電解質として電解
重合したところ、白金板陽極上に１．８Ｓ／ｃｍの導電
率を示すフィルムを得た。

参考例２ 実施例２で得た３−エトキンメチルチオフェンを参考例
１と同様にして電解重合したところ、　　２６Ｓ／ｃｍ
、）導電率を示すフィルムを得た。

（発明の効果） 本発明に従うと入手しやすく かつ安定で取扱 いやすい化合物を出発原料として、容易に３−アルコキ
ンメチルチオフェンを製造することができる。

そして、このようにして得られた化合物を電解重合する
と陽極上に導電性フィルムを成形することができるので
修飾電極材料及び有機導電材料として好適である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、３−アルカリ金属化チオフェンとアルキルハロゲノ
   メチルエーテルを反応させることを特徴とする、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＲはアルキル基を示す。） で示される３−アルコキシメチルチオフェンの製造方法
   。