JPH0679469A - 箔状導電体の溶接方法 - Google Patents
箔状導電体の溶接方法Info
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- JPH0679469A JPH0679469A JP4238509A JP23850992A JPH0679469A JP H0679469 A JPH0679469 A JP H0679469A JP 4238509 A JP4238509 A JP 4238509A JP 23850992 A JP23850992 A JP 23850992A JP H0679469 A JPH0679469 A JP H0679469A
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- Resistance Welding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】溶接品質に優れ、バインダーを不要とする、し
かも廉価に溶接することが可能な箔状導電体の溶接方法
を提供すること。 【構成】バックバー１０に対してモリブデン箔１２とモ
リブデンロッド１４とを配置し、シリーズ抵抗溶接用電
極チップ１８ａ、１８ｂから溶接電流を流す。電気絶縁
性、耐熱性のあるバックバー１０の存在により、モリブ
デン箔１２、モリブデンロッド１４にジュール熱が蓄熱
され、効果的に溶接が遂行される。
かも廉価に溶接することが可能な箔状導電体の溶接方法
を提供すること。 【構成】バックバー１０に対してモリブデン箔１２とモ
リブデンロッド１４とを配置し、シリーズ抵抗溶接用電
極チップ１８ａ、１８ｂから溶接電流を流す。電気絶縁
性、耐熱性のあるバックバー１０の存在により、モリブ
デン箔１２、モリブデンロッド１４にジュール熱が蓄熱
され、効果的に溶接が遂行される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、箔状導電体の溶接方法
に関し、一層詳細には、電気絶縁性、耐熱性を備えた素
材からなるバックバー上に同種または異種の導電体を載
置した上で、特にバインダ等を用いることなく二つのこ
れら導電体を抵抗溶接することを可能にした箔状導電体
の溶接方法に関する。
に関し、一層詳細には、電気絶縁性、耐熱性を備えた素
材からなるバックバー上に同種または異種の導電体を載
置した上で、特にバインダ等を用いることなく二つのこ
れら導電体を抵抗溶接することを可能にした箔状導電体
の溶接方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、たとえば、水銀灯、集魚灯、
ナトリウムランプ、クセノンランプ等に光源としてタン
グステンが用いられている。このタングステンを光源と
してランプに組み込む場合、予めモリブデンとの溶接を
行い、このモリブデンを介して該タングステンに通電し
発光せしめる。
ナトリウムランプ、クセノンランプ等に光源としてタン
グステンが用いられている。このタングステンを光源と
してランプに組み込む場合、予めモリブデンとの溶接を
行い、このモリブデンを介して該タングステンに通電し
発光せしめる。
【０００３】図３を参照すれば、この場合、タングステ
ンＷとモリブデンＭｏ１の溶接に際して、タングステン
Ｗ自体は縦断面円形状であり、一方、モリブデンは箔状
である。さらに、前記箔状のモリブデンＭｏ１に対して
ロッド状のモリブデンＭｏ２を溶接する。この溶接に際
して、タングステンＷが熱伝導率が低いために異なる方
向から一対の電極チップでこれらワークを挟圧して溶接
電流を流すと、溶接工程終了後に電極を相互に離間させ
ようとするとき、一方の電極にモリブデンＭｏ１が付着
し、すなわち、モリブデンＭｏ１がタングステンＷより
剥離し、溶接不良を惹起する。被溶接物に銅、銀等の不
純物が付着することを回避するため、溶接用電極チップ
には、この場合、タングステンが用いられるが、タング
ステンは熱伝導率が小さいため、被溶接物の間が高温に
なるからである。
ンＷとモリブデンＭｏ１の溶接に際して、タングステン
Ｗ自体は縦断面円形状であり、一方、モリブデンは箔状
である。さらに、前記箔状のモリブデンＭｏ１に対して
ロッド状のモリブデンＭｏ２を溶接する。この溶接に際
して、タングステンＷが熱伝導率が低いために異なる方
向から一対の電極チップでこれらワークを挟圧して溶接
電流を流すと、溶接工程終了後に電極を相互に離間させ
ようとするとき、一方の電極にモリブデンＭｏ１が付着
し、すなわち、モリブデンＭｏ１がタングステンＷより
剥離し、溶接不良を惹起する。被溶接物に銅、銀等の不
純物が付着することを回避するため、溶接用電極チップ
には、この場合、タングステンが用いられるが、タング
ステンは熱伝導率が小さいため、被溶接物の間が高温に
なるからである。
【０００４】一方、モリブデンＭｏ１とＭｏ２との間の
溶接に際しても溶接工程終了時に相互に電極を離間させ
ようとすると、箔状のモリブデンＭｏ１が一方の電極に
付着した状態を維持しようとするために、前記箔状のモ
リブデンＭｏ１が裂けてしまい、同様に溶接不良とな
る。
溶接に際しても溶接工程終了時に相互に電極を離間させ
ようとすると、箔状のモリブデンＭｏ１が一方の電極に
付着した状態を維持しようとするために、前記箔状のモ
リブデンＭｏ１が裂けてしまい、同様に溶接不良とな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、従来、箔状の
モリブデンＭｏ１を電極から効果的に離間させるため
に、電極チップをドレッシングする工程が営まれてい
る。しかしながら、例え、前記の如き研磨工程、すなわ
ち、ドレッシングを電極チップに対して施したとして
も、後続する数回乃至数十回の溶接工程で再び電極チッ
プとモリブデン箔との付着が顕著になり、この電極チッ
プを使用して溶接工程を続行することは困難となる。結
局、頻繁に電極チップのドレッシングを必要とする。こ
のことは、この種の大量生産されるべき製品の生産効率
の向上を著しく妨げることになる。
モリブデンＭｏ１を電極から効果的に離間させるため
に、電極チップをドレッシングする工程が営まれてい
る。しかしながら、例え、前記の如き研磨工程、すなわ
ち、ドレッシングを電極チップに対して施したとして
も、後続する数回乃至数十回の溶接工程で再び電極チッ
プとモリブデン箔との付着が顕著になり、この電極チッ
プを使用して溶接工程を続行することは困難となる。結
局、頻繁に電極チップのドレッシングを必要とする。こ
のことは、この種の大量生産されるべき製品の生産効率
の向上を著しく妨げることになる。
【０００６】前記のような不都合を克服すべく、モリブ
デンＭｏ１とＭｏ２との間、もしくはタングステンＷと
モリブデンＭｏ１との間に白金箔Ｐｔを介装し、この白
金箔Ｐｔにバインダとしての機能を営ませる方法が採用
されるに至った（図３参照）。
デンＭｏ１とＭｏ２との間、もしくはタングステンＷと
モリブデンＭｏ１との間に白金箔Ｐｔを介装し、この白
金箔Ｐｔにバインダとしての機能を営ませる方法が採用
されるに至った（図３参照）。
【０００７】しかしながら、この方法によれば、白金箔
ＰｔをモリブデンＭｏ１とＭｏ２との間、もしくはモリ
ブデンＭｏ１とタングステンＷとの間に介装する工程が
さらに必要となる。しかも、白金箔Ｐｔのために一層高
価となる。
ＰｔをモリブデンＭｏ１とＭｏ２との間、もしくはモリ
ブデンＭｏ１とタングステンＷとの間に介装する工程が
さらに必要となる。しかも、白金箔Ｐｔのために一層高
価となる。
【０００８】これに加えて、球状のガラス内に光源を固
定し、ガスを封入する際、光源部分、すなわち、モリブ
デンＭＯ１とＭＯ２およびタングステンＷの一部をガラ
スで封止するが、その際、白金箔Ｐｔが介在することに
より、前記ガラスの封止部分にクラックが入り易い。ま
た、溶接が不十分であるにも拘らず、バインダがろう材
のように流れ、完全に溶接が行われているとの誤認をし
てしまう。勿論、この場合には溶接強度は十分ではな
い。
定し、ガスを封入する際、光源部分、すなわち、モリブ
デンＭＯ１とＭＯ２およびタングステンＷの一部をガラ
スで封止するが、その際、白金箔Ｐｔが介在することに
より、前記ガラスの封止部分にクラックが入り易い。ま
た、溶接が不十分であるにも拘らず、バインダがろう材
のように流れ、完全に溶接が行われているとの誤認をし
てしまう。勿論、この場合には溶接強度は十分ではな
い。
【０００９】本発明は前記の不都合を克服するためにな
されたものであって、溶接品質に優れ、バインダとして
の白金箔を介装する工程も必要とすることなく、しかも
廉価に且つ品質に優れた製品を得ることが可能な箔状導
電体の溶接方法を提供することを目的とする。
されたものであって、溶接品質に優れ、バインダとして
の白金箔を介装する工程も必要とすることなく、しかも
廉価に且つ品質に優れた製品を得ることが可能な箔状導
電体の溶接方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明は、箔状の第１の導電体を電気絶縁性、耐
熱性を備えた素材のバックバー上に配置し、前記第１導
電体上に第２の導電体を配置し、前記第１と第２の導電
体間、または第２導電体上に所定間隔離間して第１およ
び第２の電極チップを圧接し、前記第１および第２電極
チップ間に溶接電流を流して前記第１導電体と第２導電
体とをシリーズ抵抗溶接することを特徴とする。
めに、本発明は、箔状の第１の導電体を電気絶縁性、耐
熱性を備えた素材のバックバー上に配置し、前記第１導
電体上に第２の導電体を配置し、前記第１と第２の導電
体間、または第２導電体上に所定間隔離間して第１およ
び第２の電極チップを圧接し、前記第１および第２電極
チップ間に溶接電流を流して前記第１導電体と第２導電
体とをシリーズ抵抗溶接することを特徴とする。
【００１１】
【作用】第１の導電体としての箔状のモリブデンをバッ
クバー上に位置決めする。この箔状の第１の導電体にさ
らに溶接すべき第２の導電体を配置し、溶接ロボット等
に固着されている電極チップを所定間隔離間した上で第
１と第２の導電体間、もしくは第２導電体上に所定間隔
離間して圧接する。すなわち、バックバーと電極との間
で前記第１導電体と第２導電体が挟圧されることにな
る。そこで、第１電極および第２電極に電流を流す。こ
の結果、バックバーでは電気絶縁性、耐熱性を備えてい
るために、第１導電体と第２導電体に溶接抵抗による熱
が蓄熱され、より一層この第１導電体、第２導電体が二
つの電極チップ間で溶融するに至る。所定時間経過した
後、電極を前記導電体から離間させ、溶接工程が終了し
たワークを取り出す。
クバー上に位置決めする。この箔状の第１の導電体にさ
らに溶接すべき第２の導電体を配置し、溶接ロボット等
に固着されている電極チップを所定間隔離間した上で第
１と第２の導電体間、もしくは第２導電体上に所定間隔
離間して圧接する。すなわち、バックバーと電極との間
で前記第１導電体と第２導電体が挟圧されることにな
る。そこで、第１電極および第２電極に電流を流す。こ
の結果、バックバーでは電気絶縁性、耐熱性を備えてい
るために、第１導電体と第２導電体に溶接抵抗による熱
が蓄熱され、より一層この第１導電体、第２導電体が二
つの電極チップ間で溶融するに至る。所定時間経過した
後、電極を前記導電体から離間させ、溶接工程が終了し
たワークを取り出す。
【００１２】
【実施例】本発明に係る箔状導電体の溶接方法について
好適な実施例を挙げ、添付の図面を参照しながら以下詳
細に説明する。
好適な実施例を挙げ、添付の図面を参照しながら以下詳
細に説明する。
【００１３】図１において、参照符号１０はセラミック
ス製のバックバーを示す。バックバー１０はシリコン酸
化物製である。このバックバー１０に対して厚さ２５μ
からなる第１の導電体としてのモリブデン箔１２を載置
する。このモリブデン箔１２に対して直径０．７ｍｍの
第２の導電体としてのモリブデンロッド１４を載置す
る。このような準備段階を経た後、溶接装置１６を構成
する電極チップ１８ａ、１８ｂを前記モリブデンロッド
１４上に圧接する。図１から容易に諒解される通り、溶
接装置１６は第１の電極チップ１８ａと第２の電極チッ
プ１８ｂとを有し、第１電極チップ１８ａと第２電極チ
ップ１８ｂとの間隔ａは約０．５ｍｍ、また、電極端部
の間隔はそれぞれの長さａを０．５ｍｍに設定してい
る。
ス製のバックバーを示す。バックバー１０はシリコン酸
化物製である。このバックバー１０に対して厚さ２５μ
からなる第１の導電体としてのモリブデン箔１２を載置
する。このモリブデン箔１２に対して直径０．７ｍｍの
第２の導電体としてのモリブデンロッド１４を載置す
る。このような準備段階を経た後、溶接装置１６を構成
する電極チップ１８ａ、１８ｂを前記モリブデンロッド
１４上に圧接する。図１から容易に諒解される通り、溶
接装置１６は第１の電極チップ１８ａと第２の電極チッ
プ１８ｂとを有し、第１電極チップ１８ａと第２電極チ
ップ１８ｂとの間隔ａは約０．５ｍｍ、また、電極端部
の間隔はそれぞれの長さａを０．５ｍｍに設定してい
る。
【００１４】このような状態において、溶接装置１６の
電極チップ１８ａ、１８ｂをモリブデンロッド１４に対
して１３ｋｇｆで圧接し、溶接電流を６０ｍｓｅｃの
間、約６００Ａ流した。このときの電極間電圧は０．６
Ｖであった。
電極チップ１８ａ、１８ｂをモリブデンロッド１４に対
して１３ｋｇｆで圧接し、溶接電流を６０ｍｓｅｃの
間、約６００Ａ流した。このときの電極間電圧は０．６
Ｖであった。
【００１５】溶接が終了した後、第１電極チップ１８ａ
と第２電極チップ１８ｂとを一体的にモリブデンロッド
１４から離間させた。このとき、それぞれの電極チップ
１８ａ、１８ｂに対してモリブデンロッド１４が付着、
すなわち、ステッキングする現象は全く見られなかっ
た。また、溶接後のモリブデン箔１２、モリブデンロッ
ド１４をバックバー１０から離間させたときにもこれら
の部材に何ら損傷は見受けられなかった。
と第２電極チップ１８ｂとを一体的にモリブデンロッド
１４から離間させた。このとき、それぞれの電極チップ
１８ａ、１８ｂに対してモリブデンロッド１４が付着、
すなわち、ステッキングする現象は全く見られなかっ
た。また、溶接後のモリブデン箔１２、モリブデンロッ
ド１４をバックバー１０から離間させたときにもこれら
の部材に何ら損傷は見受けられなかった。
【００１６】さらに、モリブデンロッド１４からモリブ
デン箔１２を剥離させようとするピールテストを行った
結果、十分な強度が得られているために、所定の範囲で
ピールすることは避けられた。この場合、さらに応力を
加えると、モリブデン箔１２が破断したが、加圧面全体
に広範囲にわたってモリブデン箔１２がモリブデンロッ
ド１４に溶着していた。
デン箔１２を剥離させようとするピールテストを行った
結果、十分な強度が得られているために、所定の範囲で
ピールすることは避けられた。この場合、さらに応力を
加えると、モリブデン箔１２が破断したが、加圧面全体
に広範囲にわたってモリブデン箔１２がモリブデンロッ
ド１４に溶着していた。
【００１７】本実施例によれば、以上のように、特に、
白金によるバインダとしての機能を必要とすることな
く、モリブデン箔１２、モリブデンロッド１４相互の溶
接を行うことが可能である。さらにまた、モリブデンロ
ッド１４に代えてタングステンからなるロッドＷを載置
し、モリブデン箔１２との溶接を試みたが、この場合も
同様に、極めて溶接程度のよい製品が得られた。例え
ば、バックバー１０にモリブデン箔１２とタングステン
Ｗとを積層配置し、タングステンＷに対して所定間隔離
間して１．５ｋｇｆで１７０Ａ乃至１８０Ａの電流を５
０ｍｓｅｃ流した。その結果、モリブデン箔１２とタン
グステンＷとが堅牢に溶着されていることが確認され
た。
白金によるバインダとしての機能を必要とすることな
く、モリブデン箔１２、モリブデンロッド１４相互の溶
接を行うことが可能である。さらにまた、モリブデンロ
ッド１４に代えてタングステンからなるロッドＷを載置
し、モリブデン箔１２との溶接を試みたが、この場合も
同様に、極めて溶接程度のよい製品が得られた。例え
ば、バックバー１０にモリブデン箔１２とタングステン
Ｗとを積層配置し、タングステンＷに対して所定間隔離
間して１．５ｋｇｆで１７０Ａ乃至１８０Ａの電流を５
０ｍｓｅｃ流した。その結果、モリブデン箔１２とタン
グステンＷとが堅牢に溶着されていることが確認され
た。
【００１８】なお、図２に示すように、第１の実施例の
モリブデン相互の間にはその境界も明確にならないほど
に一方から他方へと相互に浸透し、溶接が効果的に行わ
れていることが判明した。
モリブデン相互の間にはその境界も明確にならないほど
に一方から他方へと相互に浸透し、溶接が効果的に行わ
れていることが判明した。
【００１９】しかも、溶接時の再結晶による脆化も全く
生じていないことが確認された。
生じていないことが確認された。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、以上のように、バイン
ダーとしての白金箔を使用しないために、製品に不純物
が混入することもなく、この結果、この溶接方法によっ
て得られた物を水銀灯、集魚灯等のランプに使用したと
しても、製品寿命を短くすることもない。
ダーとしての白金箔を使用しないために、製品に不純物
が混入することもなく、この結果、この溶接方法によっ
て得られた物を水銀灯、集魚灯等のランプに使用したと
しても、製品寿命を短くすることもない。
【００２１】また、溶接時に、バインダーとしての白金
箔が溶融することにより、ワークに対する溶接工程が完
了しているように感得される場合があるが、この場合で
あっても十分な溶接強度が確保されているとは言い難
い。しかしながら、本発明によれば、白金箔のようなバ
インダーを使用することがないために、前記のような不
都合が回避され、溶接強度に優れた製品を得ることがで
きる。
箔が溶融することにより、ワークに対する溶接工程が完
了しているように感得される場合があるが、この場合で
あっても十分な溶接強度が確保されているとは言い難
い。しかしながら、本発明によれば、白金箔のようなバ
インダーを使用することがないために、前記のような不
都合が回避され、溶接強度に優れた製品を得ることがで
きる。
【００２２】さらに、本発明によれば、電気絶縁性、耐
熱性に優れたバックバーを用いるために、十分に導電体
側に蓄熱され箔状の導電体であっても、電極チップの離
間時に電極チップ側に付着することはない。すなわち、
電極チップの離間時に箔状の導電体が裂ける等の事故が
回避される効果が得られる。
熱性に優れたバックバーを用いるために、十分に導電体
側に蓄熱され箔状の導電体であっても、電極チップの離
間時に電極チップ側に付着することはない。すなわち、
電極チップの離間時に箔状の導電体が裂ける等の事故が
回避される効果が得られる。
【図１】本発明方法を実施する装置と導電体との関係を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】本発明方法によって得られたモリブデン相互の
溶着状態を示す組成説明図である。
溶着状態を示す組成説明図である。
【図３】従来技術に係る溶接方法を実施する際の斜視説
明図である。
明図である。
１０…バックバー １２…モリブデン箔 １４…モリブデンロッド １６…溶接装置 １８ａ、１８ｂ…電極チップ
Claims (4)
- 【請求項１】箔状の第１の導電体を電気絶縁性、耐熱性
を備えた素材のバックバー上に配置し、前記第１導電体
上に第２の導電体を配置し、前記第１と第２の導電体
間、または第２導電体上に所定間隔離間して第１および
第２の電極チップを圧接し、前記第１および第２電極チ
ップ間に溶接電流を流して前記第１導電体と第２導電体
とをシリーズ抵抗溶接することを特徴とする箔状導電体
の溶接方法。 - 【請求項２】請求項１記載の箔状導電体の溶接方法にお
いて、前記電気絶縁性、耐熱性を備えた素材がセラミッ
クスまたは金属の表面を窒化処理した素材であることを
特徴とする箔状導電体の溶接方法。 - 【請求項３】請求項１または２記載の箔状導電体の溶接
方法において、第１と第２の導電体がそれぞれモリブデ
ンであることを特徴とする箔状導電体の溶接方法。 - 【請求項４】請求項１または２記載の箔状導電体の溶接
方法において、第１の導電体がモリブデンからなり、第
２の導電体がタングステンからなることを特徴とする箔
状導電体の溶接方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4238509A JPH0679469A (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 箔状導電体の溶接方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4238509A JPH0679469A (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 箔状導電体の溶接方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0679469A true JPH0679469A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=17031311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4238509A Pending JPH0679469A (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 箔状導電体の溶接方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0679469A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002301573A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-15 | Rigaku Corp | タングステン部材同士の接続方法及び試料高温装置 |
| US11183346B2 (en) | 2019-10-30 | 2021-11-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Input device |
-
1992
- 1992-09-07 JP JP4238509A patent/JPH0679469A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002301573A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-15 | Rigaku Corp | タングステン部材同士の接続方法及び試料高温装置 |
| US11183346B2 (en) | 2019-10-30 | 2021-11-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Input device |
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