JPH0679858B2 - イオン流変調装置 - Google Patents
イオン流変調装置Info
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- JPH0679858B2 JPH0679858B2 JP59062702A JP6270284A JPH0679858B2 JP H0679858 B2 JPH0679858 B2 JP H0679858B2 JP 59062702 A JP59062702 A JP 59062702A JP 6270284 A JP6270284 A JP 6270284A JP H0679858 B2 JPH0679858 B2 JP H0679858B2
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- ion
- electrode
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/05—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for imagewise charging, e.g. photoconductive control screen or optically activated charging means
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、複写機等に使用されるイオン流変調装置に関
する。
する。
複写機等に使用されるイオン流変調装置として、最近、
第１図，第２図に示すものが提案されている（特開昭56
−35150号）。図中、１は絶縁体層であり、この絶縁体
層１の表面には短ざく状の複数本のイオン流制御電極２
が互いに平行に配列形成されている。絶縁体層１の裏面
には共通電極３が設けられている。４は、各イオン流制
御電極２から絶縁体層1,共通電極３にわたって貫通して
設けられたイオン流通過孔である。制御電極２を含む絶
縁体層１上には各制御電極２と直交するように短冊状の
光導電体層５が配設され、その上に透明電極６が積層さ
れている。制御電極２を含む絶縁体層１上にはまた、短
冊状の抵抗層７が光導電体層５と平行に配設され、その
上には電極８が積層されている。
第１図，第２図に示すものが提案されている（特開昭56
−35150号）。図中、１は絶縁体層であり、この絶縁体
層１の表面には短ざく状の複数本のイオン流制御電極２
が互いに平行に配列形成されている。絶縁体層１の裏面
には共通電極３が設けられている。４は、各イオン流制
御電極２から絶縁体層1,共通電極３にわたって貫通して
設けられたイオン流通過孔である。制御電極２を含む絶
縁体層１上には各制御電極２と直交するように短冊状の
光導電体層５が配設され、その上に透明電極６が積層さ
れている。制御電極２を含む絶縁体層１上にはまた、短
冊状の抵抗層７が光導電体層５と平行に配設され、その
上には電極８が積層されている。
このイオン流変調装置には、イオン流通過孔４の下に，
例えば正のイオン流を放射するイオン流発生源としてコ
ロナ帯電器11が設けられる。コロナ帯電器11はコロナ放
電電極12とシールド電極13とからなる。9,10,14は直流
電源である。
例えば正のイオン流を放射するイオン流発生源としてコ
ロナ帯電器11が設けられる。コロナ帯電器11はコロナ放
電電極12とシールド電極13とからなる。9,10,14は直流
電源である。
このイオン流変調装置の機能は次の通りである。
透明電極６に光が当たっていない状態では、その下の光
導電体層５は高抵抗状態であり、これが抵抗層７よりも
十分に抵抗が高いという条件では、制御電極２の電位は
電源９により支配されて負電位となる。このときイオン
流通過孔４内には、コロナ帯電器11からの正のイオン流
に対して加速電界が形成される。従ってイオン通過孔４
をイオン流が通過する。透明電極６に光が当たると、そ
の部分の光電体層５が低抵抗となる。この低抵抗化した
部分では制御電極２は電源10により支配されて正電位に
なる。そして、正電位が与えられた制御電極２にあるイ
オン通過孔４内には、イオン流に対して減速電界が形成
され、イオン流の通過を阻止または減速する。
導電体層５は高抵抗状態であり、これが抵抗層７よりも
十分に抵抗が高いという条件では、制御電極２の電位は
電源９により支配されて負電位となる。このときイオン
流通過孔４内には、コロナ帯電器11からの正のイオン流
に対して加速電界が形成される。従ってイオン通過孔４
をイオン流が通過する。透明電極６に光が当たると、そ
の部分の光電体層５が低抵抗となる。この低抵抗化した
部分では制御電極２は電源10により支配されて正電位に
なる。そして、正電位が与えられた制御電極２にあるイ
オン通過孔４内には、イオン流に対して減速電界が形成
され、イオン流の通過を阻止または減速する。
この様なイオン流変調装置を用いた複写機は、被写体の
反射光または透過光を透明電極６に照射するための光伝
送機構と、イオン通過孔４を通過したイオン流を捕足し
て静電潜像を形成するための誘電体と、この誘電体とイ
オン流変調装置を相対的に移動させる機構と、誘電体に
形成された静電潜像を可視化する現像機構、及び定着機
構を備えることにより構成することができる。
反射光または透過光を透明電極６に照射するための光伝
送機構と、イオン通過孔４を通過したイオン流を捕足し
て静電潜像を形成するための誘電体と、この誘電体とイ
オン流変調装置を相対的に移動させる機構と、誘電体に
形成された静電潜像を可視化する現像機構、及び定着機
構を備えることにより構成することができる。
上述したイオン流変調装置は、複数のイオン流制御電極
のそれぞれに電気信号を印加する必要がないため、小
型、かつ安価に製作することができるという特徴を有す
るが、次のような問題がある。第１に、一列に配列され
るイオン流通過孔４を、高密度にすることが難しい。す
なわち、イオン流通過孔４の直径はある程度大きいこと
が、例えば複写機で高速画像形成する上で有利である
が、イオン流通過孔４を大きくすると、その配列ピッチ
も大きくなり、高品質画像を得ることができなくなる。
第２に、光制御スイッチの働きをする光導電体層５が透
明電極６と制御電極２の間にサンドイッチ状に挟まれ
て、その厚み方向抵抗変化を利用するようになっている
ため、光導電体層５のピンホールなどに起因する絶縁破
壊が生じ易く、また、厚みのバラツキによる制御性の低
下が問題となる。
のそれぞれに電気信号を印加する必要がないため、小
型、かつ安価に製作することができるという特徴を有す
るが、次のような問題がある。第１に、一列に配列され
るイオン流通過孔４を、高密度にすることが難しい。す
なわち、イオン流通過孔４の直径はある程度大きいこと
が、例えば複写機で高速画像形成する上で有利である
が、イオン流通過孔４を大きくすると、その配列ピッチ
も大きくなり、高品質画像を得ることができなくなる。
第２に、光制御スイッチの働きをする光導電体層５が透
明電極６と制御電極２の間にサンドイッチ状に挟まれ
て、その厚み方向抵抗変化を利用するようになっている
ため、光導電体層５のピンホールなどに起因する絶縁破
壊が生じ易く、また、厚みのバラツキによる制御性の低
下が問題となる。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、イオン流通過孔を高密度にでき、且つ
複写機に応用した場合に、拡大・縮小複写の機能を容易
に実現できる構成のイオン流変調装置を提供することに
ある。
とするところは、イオン流通過孔を高密度にでき、且つ
複写機に応用した場合に、拡大・縮小複写の機能を容易
に実現できる構成のイオン流変調装置を提供することに
ある。
すなわち、上記の目的を達成するために、本発明のイオ
ン流変調装置は、絶対体層と、この絶縁体層の表面に複
数本配列形成されたイオン流制御電極と、前記絶縁体層
の裏面に設けられた共通電極と、前記各イオン流制御電
極から絶縁体層、共通電極に亙って貫通された複数個の
イオン流通過孔と、前記各イオン流制御電極の一端部の
前記体層表面に設けられ各イオン流制御電極が共通接続
される第１電極と、前記各イオン流制御電極の他端部の
前記絶縁体層表面に設けられ抵抗層を介して各イオン流
制御電極が共通接続される第２電極と、前記各イオン制
御流電極の各イオン流通過孔位置より前記第１電極の所
定箇所にそれぞれ挿入された光制御スイッチとを備え、
前記各イオン流通過孔と光制御スイッチが、前記イオン
流制御電極の配列方向と交差する方向に互いに相似比が
等しいジグザグパターンをもって配置したものと、相似
比が異なるジグザグパターンをもって配置したものとか
らなり、且つこれらを選択的に選べることを特徴とす
る。
ン流変調装置は、絶対体層と、この絶縁体層の表面に複
数本配列形成されたイオン流制御電極と、前記絶縁体層
の裏面に設けられた共通電極と、前記各イオン流制御電
極から絶縁体層、共通電極に亙って貫通された複数個の
イオン流通過孔と、前記各イオン流制御電極の一端部の
前記体層表面に設けられ各イオン流制御電極が共通接続
される第１電極と、前記各イオン流制御電極の他端部の
前記絶縁体層表面に設けられ抵抗層を介して各イオン流
制御電極が共通接続される第２電極と、前記各イオン制
御流電極の各イオン流通過孔位置より前記第１電極の所
定箇所にそれぞれ挿入された光制御スイッチとを備え、
前記各イオン流通過孔と光制御スイッチが、前記イオン
流制御電極の配列方向と交差する方向に互いに相似比が
等しいジグザグパターンをもって配置したものと、相似
比が異なるジグザグパターンをもって配置したものとか
らなり、且つこれらを選択的に選べることを特徴とす
る。
本発明によれば、イオン流通過孔をジグザグパターンに
配列することにより、その配列方向について見たときに
二つのイオン流通過孔の間を別のイオン流通過孔が補間
する形になり、高密度化される。このため、このイオン
流変調装置を複写機に適用して高精細の高品質画像を得
ることが可能となる。この場合、イオン流通過孔と光制
御スイッチのジグザグパターンの相似比を異なるように
選択すれば、拡大複写や縮小複写用のイオン流変調装置
が容易に得られる。また、光制御スイッチとして光導電
体層を用いた場合、その厚み方向と直交する方向の抵抗
変化を利用することにより、絶縁破壊のない信頼性の高
いものを実現することができる。
配列することにより、その配列方向について見たときに
二つのイオン流通過孔の間を別のイオン流通過孔が補間
する形になり、高密度化される。このため、このイオン
流変調装置を複写機に適用して高精細の高品質画像を得
ることが可能となる。この場合、イオン流通過孔と光制
御スイッチのジグザグパターンの相似比を異なるように
選択すれば、拡大複写や縮小複写用のイオン流変調装置
が容易に得られる。また、光制御スイッチとして光導電
体層を用いた場合、その厚み方向と直交する方向の抵抗
変化を利用することにより、絶縁破壊のない信頼性の高
いものを実現することができる。
以下、本発明の実施例を説明する。第３図，第４図は一
実施例のイオン流変調装置である。21は絶縁体層であ
り、その裏面には全面に共通電極22が形成されている。
絶縁体層21の表面には複数本のイオン流制御電極23が互
いに平行に配列形成されている。各イオン流制御電極23
には、それぞれイオン流通過孔24が絶縁体層21,共通電
極22に亙って貫通するように形成されている。イオン流
通通孔24は図示のようにイオン流制御電極23の配列方向
と直交する方向にジグザグパターン状に配置されてい
る。各イオン流制御電極23の一端部にはこれらを共通接
続する第１電極25が、他端部には抵抗層27を介してこれ
らを共通接続する第２電極26が、それぞれイオン流制御
電極23と直交する方向に短冊状に形成されている。これ
ら第1,第２電極25,26は各イオン流通過孔24に選択的に
所定の電圧を与えるための電源電圧供給端子である。各
イオン流制御電極23のイオン流通過孔24位置より第１電
極25よりの所定箇所には、光制御スイッチとしての光導
電体層28が挿入されている。これらの光導電体層28は、
イオン流通過孔24の配置と同様に相似比の等しいジグザ
グパターンをもって配置されている。イオン流制御電極
23及び第1,第２電極25,26は同じ導電膜をパターン形成
したものであって、上記光導電体層28は、第４図から明
らかなように、各イオン流制御電極23の長手方向途中
（または第１電極25に接する端部でもよい）に形成され
た分断部を埋めるように形成されている。抵抗層27も同
様に、イオン流制御電極23と第２電極26の間の分断部を
埋めるように形成されている。
実施例のイオン流変調装置である。21は絶縁体層であ
り、その裏面には全面に共通電極22が形成されている。
絶縁体層21の表面には複数本のイオン流制御電極23が互
いに平行に配列形成されている。各イオン流制御電極23
には、それぞれイオン流通過孔24が絶縁体層21,共通電
極22に亙って貫通するように形成されている。イオン流
通通孔24は図示のようにイオン流制御電極23の配列方向
と直交する方向にジグザグパターン状に配置されてい
る。各イオン流制御電極23の一端部にはこれらを共通接
続する第１電極25が、他端部には抵抗層27を介してこれ
らを共通接続する第２電極26が、それぞれイオン流制御
電極23と直交する方向に短冊状に形成されている。これ
ら第1,第２電極25,26は各イオン流通過孔24に選択的に
所定の電圧を与えるための電源電圧供給端子である。各
イオン流制御電極23のイオン流通過孔24位置より第１電
極25よりの所定箇所には、光制御スイッチとしての光導
電体層28が挿入されている。これらの光導電体層28は、
イオン流通過孔24の配置と同様に相似比の等しいジグザ
グパターンをもって配置されている。イオン流制御電極
23及び第1,第２電極25,26は同じ導電膜をパターン形成
したものであって、上記光導電体層28は、第４図から明
らかなように、各イオン流制御電極23の長手方向途中
（または第１電極25に接する端部でもよい）に形成され
た分断部を埋めるように形成されている。抵抗層27も同
様に、イオン流制御電極23と第２電極26の間の分断部を
埋めるように形成されている。
絶縁体層21の裏面がわには、イオン発生源として、イオ
ン流通過孔24位置に対向してコロナ放電電極291とシー
ルド電極292からなるコロナ帯電器29が設けられる。コ
ロナ放電電極291には電源33により高い正電位が与えら
れ、共通電極22には電源32により負電位が与えられる。
これにより、コロナ帯電器29からの正のイオン流がイオ
ン流通過孔に向けて加速される。また第１電極25には電
源30により共通電極22に対して正電位が、第２電極26に
は電源31により共通電極22に対して負電位がそれぞれ与
えられる。
ン流通過孔24位置に対向してコロナ放電電極291とシー
ルド電極292からなるコロナ帯電器29が設けられる。コ
ロナ放電電極291には電源33により高い正電位が与えら
れ、共通電極22には電源32により負電位が与えられる。
これにより、コロナ帯電器29からの正のイオン流がイオ
ン流通過孔に向けて加速される。また第１電極25には電
源30により共通電極22に対して正電位が、第２電極26に
は電源31により共通電極22に対して負電位がそれぞれ与
えられる。
このように構成されたイオン流変調装置の基本的な動作
は従来のものと変わらない。第５図はこのイオン流変調
装置の要部を平面略図で示したものである。被写体等か
らの光信号が光導電体層28に当たっていない場合は、光
導電体層28の抵抗値が抵抗層27のそれより十分に高いと
いう条件の下で、イオン流制御電極23の電位は電源31に
より支配されて負電位となり、イオン流はイオン流通過
孔24を通過する。光導電体層28に光が当たると、その抵
抗が小さくなりイオン流制御電極23に電源30からの正電
位が供給されて、イオン流通過孔24に減速電界が形成さ
れて、イオン流の通過が阻止または減速される。
は従来のものと変わらない。第５図はこのイオン流変調
装置の要部を平面略図で示したものである。被写体等か
らの光信号が光導電体層28に当たっていない場合は、光
導電体層28の抵抗値が抵抗層27のそれより十分に高いと
いう条件の下で、イオン流制御電極23の電位は電源31に
より支配されて負電位となり、イオン流はイオン流通過
孔24を通過する。光導電体層28に光が当たると、その抵
抗が小さくなりイオン流制御電極23に電源30からの正電
位が供給されて、イオン流通過孔24に減速電界が形成さ
れて、イオン流の通過が阻止または減速される。
そしてこの実施例によれば、第５図に示すように光導電
体層28の配置a,b,cに対応してイオン流通過孔24の配置
A,B,Cを相似形とすることにより、イオン流通過孔24の
直径を大きくして、かつ高密度に配置することができ
る。このことは、このイオン流変調装置を複写機に適用
した場合に、高品質画像が得られることを意味する。そ
の理由は第６図，第７図を用いて説明する。第６図は、
第１図に示すようなイオン流通過孔４を一直線上に配列
したイオン流変調装置を用いた場合に、そのイオン流通
過孔の配列方向の直線を複写した画像を示す。この場
合、図示のようにイオン流通過孔の配列の間隔に対応し
て直線がとぎれることになる。これに対して本実施例で
は、第７図に示すように、一つのイオン流通過孔がその
両側のイオン流通過孔の間を補間する形になるため、完
全に連続した直線が描かれることになる。
体層28の配置a,b,cに対応してイオン流通過孔24の配置
A,B,Cを相似形とすることにより、イオン流通過孔24の
直径を大きくして、かつ高密度に配置することができ
る。このことは、このイオン流変調装置を複写機に適用
した場合に、高品質画像が得られることを意味する。そ
の理由は第６図，第７図を用いて説明する。第６図は、
第１図に示すようなイオン流通過孔４を一直線上に配列
したイオン流変調装置を用いた場合に、そのイオン流通
過孔の配列方向の直線を複写した画像を示す。この場
合、図示のようにイオン流通過孔の配列の間隔に対応し
て直線がとぎれることになる。これに対して本実施例で
は、第７図に示すように、一つのイオン流通過孔がその
両側のイオン流通過孔の間を補間する形になるため、完
全に連続した直線が描かれることになる。
また本実施例のイオン流変調装置は、第４図から明らか
なように、光導電体層28は厚み方向と直交する方向の抵
抗変化を利用しているため、ピンホールなど起因する絶
縁破壊が防止され、信頼性の高いものとなる。抵抗層27
として厚み方向と直交する方向の抵抗を利用しているこ
とも同様に信頼性向上に寄与している。
なように、光導電体層28は厚み方向と直交する方向の抵
抗変化を利用しているため、ピンホールなど起因する絶
縁破壊が防止され、信頼性の高いものとなる。抵抗層27
として厚み方向と直交する方向の抵抗を利用しているこ
とも同様に信頼性向上に寄与している。
上記実施例は、イオン流通過孔の配置と光導電体層の配
置のパターンの相似比を等しくした。これにより、複写
機に適用したときに原稿と等倍の像が得られる。本発明
によれば、上記相似比を選択することによって、拡大模
写，縮小複写用のイオン流変調装置を得ることができ
る。拡大複写，縮小複写用のイオン流変調装置の平面略
図をそれぞれ第８図，第９図に示す。これらの図で、第
３図〜第５図と対応する部分にはそれらと同じ符号を付
してある。例えば、A4サイズの原稿をA3サイズに拡大複
写するには、第８図において光導電体層28の配置パター
ンとイオン流通過孔24のそれの相似比をA4,A3のサイズ
比に設定すればよい。第９図の縮小複写の場合にも同様
である。
置のパターンの相似比を等しくした。これにより、複写
機に適用したときに原稿と等倍の像が得られる。本発明
によれば、上記相似比を選択することによって、拡大模
写，縮小複写用のイオン流変調装置を得ることができ
る。拡大複写，縮小複写用のイオン流変調装置の平面略
図をそれぞれ第８図，第９図に示す。これらの図で、第
３図〜第５図と対応する部分にはそれらと同じ符号を付
してある。例えば、A4サイズの原稿をA3サイズに拡大複
写するには、第８図において光導電体層28の配置パター
ンとイオン流通過孔24のそれの相似比をA4,A3のサイズ
比に設定すればよい。第９図の縮小複写の場合にも同様
である。
第10図は本発明のイオン流変調装置を適用した複写機の
一例を略図的に示したものであり、第11図はその要部拡
大図である。照明光源41から出射した光の一部は矢印で
示すように、原稿台42に載置された原稿で反射され、セ
ルフォック・レンズ・アレイ（日本板硝子社商品名）43
で構成される光伝送機構を介してイオン流変調装置に導
かれる。イオン流変調装置44は第11図に示すように、等
倍複写用44−1,拡大複写用44−2,縮小複写用44−３の３
個を円筒面上に配置したものであり、図示しない回動機
構によりそのうち一つを選択できるようになっている。
46−1,46−2,46−３はそれぞれの光制御スイッチである
光導電体層配置部、45−1,45−2,45−３は同じくイオン
硫通過孔配置部である。第11図では、等倍複写の状態を
示しており、光導電体層配置部46−１がセルフォック・
レンズ・アレイ43に対向し、イオン流通過孔配置部45−
１が静電潜像を形成する誘電体ドラム47に対向してい
る。48は誘電体ドラム47に負の電荷を帯電させるために
コロナ帯電器である。誘電体ドラム47は原稿台42の移動
と同期して回転駆動されて、イオン発生源55から放射さ
れ、イオン流変調装置44により原稿の濃淡に応じて選択
的に供給される正のイオン流を捕捉することにより潜像
が形成される。49はトナー供給部であって、ここで誘電
体ドラム47に形成された静電潜像に応じてトナーが付着
させられる。こうして可視化された像は、転写部51にお
いて給紙機構52により送り出された用紙53に転写され、
定着機構54で圧着または熱により定着されて複写画像が
得られる。50はトナーを除去するクリーナーである。
一例を略図的に示したものであり、第11図はその要部拡
大図である。照明光源41から出射した光の一部は矢印で
示すように、原稿台42に載置された原稿で反射され、セ
ルフォック・レンズ・アレイ（日本板硝子社商品名）43
で構成される光伝送機構を介してイオン流変調装置に導
かれる。イオン流変調装置44は第11図に示すように、等
倍複写用44−1,拡大複写用44−2,縮小複写用44−３の３
個を円筒面上に配置したものであり、図示しない回動機
構によりそのうち一つを選択できるようになっている。
46−1,46−2,46−３はそれぞれの光制御スイッチである
光導電体層配置部、45−1,45−2,45−３は同じくイオン
硫通過孔配置部である。第11図では、等倍複写の状態を
示しており、光導電体層配置部46−１がセルフォック・
レンズ・アレイ43に対向し、イオン流通過孔配置部45−
１が静電潜像を形成する誘電体ドラム47に対向してい
る。48は誘電体ドラム47に負の電荷を帯電させるために
コロナ帯電器である。誘電体ドラム47は原稿台42の移動
と同期して回転駆動されて、イオン発生源55から放射さ
れ、イオン流変調装置44により原稿の濃淡に応じて選択
的に供給される正のイオン流を捕捉することにより潜像
が形成される。49はトナー供給部であって、ここで誘電
体ドラム47に形成された静電潜像に応じてトナーが付着
させられる。こうして可視化された像は、転写部51にお
いて給紙機構52により送り出された用紙53に転写され、
定着機構54で圧着または熱により定着されて複写画像が
得られる。50はトナーを除去するクリーナーである。
この複写機により得られる複写画像は、既に説明したよ
うにイオン流変調装置の特殊な構成の故に高精細なもの
となる。また従来、セルフォック・レンズ・アレイを用
いては実現できなかった拡大複写，縮小複写が簡単に実
現できる。イオン流変調装置の光導電体層配置部と原稿
とを相対的に移動させる速度（第10図の場合には原稿台
42の移動速度）と、イオン流通過孔と誘電体ドラムとの
相対速度（第10図の場合誘導体ドラム47の回転速度）を
異ならせることによって、複写倍率が縦方向と横方向と
で異なる複写画像を得ることも可能である。更に本発明
のイオン流変調装置を用いた複写機は、従来の電子写真
式複写機と異なり、静電潜像保持部材に高価な光導電体
を用いる必要がなく、安価な誘電体を用いることがで
き、装置価格や装置維持費を安くすることができる。さ
にまた、本発明のイオン流変調装置を用いた複写機は、
光制御スイッチである光導電体層配置部のみに被写体か
らの反射光若しくは透過光以外の光が入射しないように
構成すればよく、現像機構部等まで暗所に収納する必要
がないので、装置構成を簡単にすることができる。
うにイオン流変調装置の特殊な構成の故に高精細なもの
となる。また従来、セルフォック・レンズ・アレイを用
いては実現できなかった拡大複写，縮小複写が簡単に実
現できる。イオン流変調装置の光導電体層配置部と原稿
とを相対的に移動させる速度（第10図の場合には原稿台
42の移動速度）と、イオン流通過孔と誘電体ドラムとの
相対速度（第10図の場合誘導体ドラム47の回転速度）を
異ならせることによって、複写倍率が縦方向と横方向と
で異なる複写画像を得ることも可能である。更に本発明
のイオン流変調装置を用いた複写機は、従来の電子写真
式複写機と異なり、静電潜像保持部材に高価な光導電体
を用いる必要がなく、安価な誘電体を用いることがで
き、装置価格や装置維持費を安くすることができる。さ
にまた、本発明のイオン流変調装置を用いた複写機は、
光制御スイッチである光導電体層配置部のみに被写体か
らの反射光若しくは透過光以外の光が入射しないように
構成すればよく、現像機構部等まで暗所に収納する必要
がないので、装置構成を簡単にすることができる。
本発明は、種々変形実施することができる。例えば、イ
オン流通過孔24と光導電体層28のジグザグパターンは第
12図のようなものであってもよい。また第13図に示すよ
うに、光導電体層28を各イオン流制御電極23毎に別々に
設けることなくそれぞれの分断部を覆うように連続的に
配設してもよい。また以上の説明は、光導電体層配置部
に正立像が形成され、かつ、イオン流変調装置と被写体
及び潜像保持用誘電体との相対的移動方向が同一の場合
に実用されるものであり、この相対移動方向が逆の場合
には、第14図に示すようにイオン流通過孔24の配列と光
導電体層28の配列は線対称の相似形となるようにする。
オン流通過孔24と光導電体層28のジグザグパターンは第
12図のようなものであってもよい。また第13図に示すよ
うに、光導電体層28を各イオン流制御電極23毎に別々に
設けることなくそれぞれの分断部を覆うように連続的に
配設してもよい。また以上の説明は、光導電体層配置部
に正立像が形成され、かつ、イオン流変調装置と被写体
及び潜像保持用誘電体との相対的移動方向が同一の場合
に実用されるものであり、この相対移動方向が逆の場合
には、第14図に示すようにイオン流通過孔24の配列と光
導電体層28の配列は線対称の相似形となるようにする。
次により具体的な実施例を説明する。厚さ50μｍのポリ
イミドフィルムの両面に金を蒸着した後、その表面にエ
ッチング処理を施して、第３図に示すようにイオン流制
御電極23,第１電極25及び第２電極26を形成した。裏面
の金はそのまま共通電極22として残した。イオン流制御
電極23の線幅は約20μｍであり、イオン流通過孔24は直
径約100μｍになるように穿孔した。光導電体層28が設
けられる部分は80μｍ×80μｍに加工してあり、この部
分にプラズマCVD法により水素化アモルファスシリコン
層を光導電体層28として形成した。抵抗層27としても光
導電体層28と同時に形成したアモルファスシリコンを用
いたが、この部分は黒色の絶縁テープを貼り、光が照射
されないようにした。
イミドフィルムの両面に金を蒸着した後、その表面にエ
ッチング処理を施して、第３図に示すようにイオン流制
御電極23,第１電極25及び第２電極26を形成した。裏面
の金はそのまま共通電極22として残した。イオン流制御
電極23の線幅は約20μｍであり、イオン流通過孔24は直
径約100μｍになるように穿孔した。光導電体層28が設
けられる部分は80μｍ×80μｍに加工してあり、この部
分にプラズマCVD法により水素化アモルファスシリコン
層を光導電体層28として形成した。抵抗層27としても光
導電体層28と同時に形成したアモルファスシリコンを用
いたが、この部分は黒色の絶縁テープを貼り、光が照射
されないようにした。
このようにして得たイオン流変調装置の各光導電体層28
の暗抵抗値は500Vの電圧を印加して測定した結果、約10
6MΩであり、また第２電極26とイオン流制御電極23の間
は約105MΩであった。
の暗抵抗値は500Vの電圧を印加して測定した結果、約10
6MΩであり、また第２電極26とイオン流制御電極23の間
は約105MΩであった。
このイオン流変調装置と、直径100mmのアルミニウム製
円筒に厚さ約20μｍのポリエチレン・テレフタレート層
を形成した誘電体ドラムを用いて、第10図で示される複
写機を構成した。第１電極25には共通電極22を基準にし
て＋100V,第２電極26には−200Vを印加し、共通電極22
には接地電位を基準にして−1000Vを印加し、コロナ放
電電極291に正の高電圧を印加して画像露光を行なっ
た。この結果、良好な画像が得られた。
円筒に厚さ約20μｍのポリエチレン・テレフタレート層
を形成した誘電体ドラムを用いて、第10図で示される複
写機を構成した。第１電極25には共通電極22を基準にし
て＋100V,第２電極26には−200Vを印加し、共通電極22
には接地電位を基準にして−1000Vを印加し、コロナ放
電電極291に正の高電圧を印加して画像露光を行なっ
た。この結果、良好な画像が得られた。
上記実施例と同様にして、拡大複写用のイオン流変調装
置と縮小複写用のイオン流変調装置を製作した。拡大複
写用は、第８図において、互いに隣接する３個の光導電
体層28が一辺200μｍの正三角形となるように形成し、
イオン流通過孔24は一辺が200×1.414倍の正三角形にな
るように形成した。イオン流通過孔24は直径も約140μ
ｍと先の等倍用の場合より大きくした。縮小複写用は、
これと逆にイオン流通過孔24を一辺が200μｍの正三角
形となるようにした。これらのイオン流変調装置を用い
た複写機も良好な画像を得ることができた。
置と縮小複写用のイオン流変調装置を製作した。拡大複
写用は、第８図において、互いに隣接する３個の光導電
体層28が一辺200μｍの正三角形となるように形成し、
イオン流通過孔24は一辺が200×1.414倍の正三角形にな
るように形成した。イオン流通過孔24は直径も約140μ
ｍと先の等倍用の場合より大きくした。縮小複写用は、
これと逆にイオン流通過孔24を一辺が200μｍの正三角
形となるようにした。これらのイオン流変調装置を用い
た複写機も良好な画像を得ることができた。
また、光導電体層として銅フタロシアニンやペリレン系
顔料を用いた場合にも、同様の良好な画像を得ることが
できた。
顔料を用いた場合にも、同様の良好な画像を得ることが
できた。
第１図及び第２図は従来のイオン流変調装置の一例を示
す図、第３図及び第４図は本発明の一実施例のイオン流
変調装置を示す図、第５図はその要部を示す平面略図、
第６図及び第７図はこのイオン流変調装置を複写機に用
いた場合の効果を従来と比較して説明するための図、第
８図及び第９図はそれぞれ拡大複写用及び縮小複写用の
イオン流変調装置をしめす平面略図、第10図は上記イオ
ン流変調装置を用いて構成した複写機を示す図、第11図
はその要部拡大図、第12図〜第14図は他の実施例のイオ
ン流変調装置を示す平面略図である。 21……絶縁体層、22……共通電極、23……イオン流制御
電極、24……イオン流通過孔、25……第１電極、26……
第２電極、27……抵抗層、28……光導電体層（光制御ス
イッチ）、29……コロナ帯電器、30,31,32,33……電
源。
す図、第３図及び第４図は本発明の一実施例のイオン流
変調装置を示す図、第５図はその要部を示す平面略図、
第６図及び第７図はこのイオン流変調装置を複写機に用
いた場合の効果を従来と比較して説明するための図、第
８図及び第９図はそれぞれ拡大複写用及び縮小複写用の
イオン流変調装置をしめす平面略図、第10図は上記イオ
ン流変調装置を用いて構成した複写機を示す図、第11図
はその要部拡大図、第12図〜第14図は他の実施例のイオ
ン流変調装置を示す平面略図である。 21……絶縁体層、22……共通電極、23……イオン流制御
電極、24……イオン流通過孔、25……第１電極、26……
第２電極、27……抵抗層、28……光導電体層（光制御ス
イッチ）、29……コロナ帯電器、30,31,32,33……電
源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上原 勤 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 東 京芝浦電気株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−178378（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−83467（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−11258（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−35150（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁体層と、この絶縁体層の表面に複数本
配列形成されたイオン流制御電極と、前記絶縁体層の裏
面に設けられた共通電極と、前記各イオン流制御電極か
ら絶縁体層、共通電極に亙って貫通された複数個のイオ
ン流通過孔と、前記各イオン流制御電極の一端部の前記
絶縁体層表面に設けられ各イオン流制御電極が共通接続
される第１電極と、前記各イオン流制御電極の他端部の
前記絶縁体層表面に設けられ抵抗層を介して各イオン流
制御電極が共通接続される第２電極と、前記各イオン制
御流電極の各イオン流通過孔位置より前記第１電極側の
所定箇所にそれぞれ挿入された光制御スイッチとを備
え、前記各イオン流通過孔と光制御スイッチは、前記イ
オン流制御電極の配列方向と交差する方向に互いに相似
比が等しいジグザグパターンをもって配置したものと、
相似比が異なるジグザグパターンをもって配置したもの
とからなり、且つこれらを選択的に選べることを特徴と
するイオン流変調装置。 - 【請求項２】前記光制御スイッチは光導電体層からな
り、この光導電体層は前記各イオン流制御電極の長手方
向途中又は端部と前記第１電極の間に所定間隔を持って
形成された分離部を埋めるように前記絶縁体層表面に形
成されている特許請求の範囲第１項記載のイオン流変調
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062702A JPH0679858B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | イオン流変調装置 |
| US06/712,646 US4593994A (en) | 1984-03-30 | 1985-03-18 | Ion flow modulator |
| DE8585301919T DE3563130D1 (en) | 1984-03-22 | 1985-03-19 | Ion flow modulator |
| EP19850301919 EP0156622B1 (en) | 1984-03-22 | 1985-03-19 | Ion flow modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062702A JPH0679858B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | イオン流変調装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60206672A JPS60206672A (ja) | 1985-10-18 |
| JPH0679858B2 true JPH0679858B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=13207899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59062702A Expired - Lifetime JPH0679858B2 (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-30 | イオン流変調装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4593994A (ja) |
| JP (1) | JPH0679858B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4839670A (en) * | 1988-05-09 | 1989-06-13 | Xerox Corporation | Synchronized aperture motion ionography |
| US4875062A (en) * | 1988-12-27 | 1989-10-17 | Eastman Kodak Company | Ion projection print head |
| US4972212A (en) * | 1989-06-22 | 1990-11-20 | Xerox Corporation | Method and apparatus for controlling ion trajectory perturbations in ionographic devices |
| US4951071A (en) * | 1989-10-25 | 1990-08-21 | Xerox Corporation | Resistive nib ionographic imaging head |
| US4973994A (en) * | 1989-10-30 | 1990-11-27 | Xerox Corporation | Method and apparatus for controlling ion trajectory perturbations in ionographic devices |
| US5153618A (en) * | 1989-12-29 | 1992-10-06 | Xerox Corporation | Ionographic imaging system |
| US5073434A (en) * | 1989-12-29 | 1991-12-17 | Xerox Corporation | Ionographic imaging system |
| US5039598A (en) * | 1989-12-29 | 1991-08-13 | Xerox Corporation | Ionographic imaging system |
| JPH0491965A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 静電潜像形成装置 |
| US5666601A (en) * | 1991-08-01 | 1997-09-09 | Xerox Corporation | Resistive ion source charging device |
| US5450103A (en) * | 1993-06-24 | 1995-09-12 | Delphax Systems | Charge imaging system with back electrode dot enhancement |
| US5946017A (en) * | 1996-01-16 | 1999-08-31 | Oak Technology, Inc. | Single pass electrophotographic color printing |
| DE10038774A1 (de) * | 2000-06-09 | 2001-12-13 | Heidelberger Druckmasch Ag | Vorrichtung zur Erzeugung eines Luftstromes in einer Vervielfältigungsmaschine |
| US9914310B2 (en) * | 2014-07-30 | 2018-03-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | ION writing unit with heating |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3680954A (en) * | 1965-04-30 | 1972-08-01 | Eastman Kodak Co | Electrography |
| US3623122A (en) * | 1970-06-04 | 1971-11-23 | Horizons Research Inc | Electric recording apparatus employing liquid developer |
| DE2654563A1 (de) * | 1976-12-02 | 1978-06-08 | Battelle Institut E V | Anordnung zur elektronischen erzeugung eines elektrostatischen ladungsbildes |
| US4155093A (en) * | 1977-08-12 | 1979-05-15 | Dennison Manufacturing Company | Method and apparatus for generating charged particles |
| JPS5647061A (en) * | 1979-09-26 | 1981-04-28 | Canon Inc | Image forming method |
| JPS56137368A (en) * | 1980-03-29 | 1981-10-27 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Copying apparatus |
| JPS6010624B2 (ja) * | 1980-06-23 | 1985-03-19 | キヤノン株式会社 | イオン流変調装置 |
| JPS5783467A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-25 | Sony Corp | Ion stream electrostatic recorder |
| JPS58178378A (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-19 | Canon Inc | 画像記録装置 |
| JPS5911258A (ja) * | 1982-07-10 | 1984-01-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 静電記録用静電潜像書きこみ装置 |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP59062702A patent/JPH0679858B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-03-18 US US06/712,646 patent/US4593994A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4593994A (en) | 1986-06-10 |
| JPS60206672A (ja) | 1985-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |