JPH0680071B2 - ホスホルアミダイト化合物及びその製造法 - Google Patents
ホスホルアミダイト化合物及びその製造法Info
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- JPH0680071B2 JPH0680071B2 JP60223138A JP22313885A JPH0680071B2 JP H0680071 B2 JPH0680071 B2 JP H0680071B2 JP 60223138 A JP60223138 A JP 60223138A JP 22313885 A JP22313885 A JP 22313885A JP H0680071 B2 JPH0680071 B2 JP H0680071B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Saccharide Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は新規なヌクレオシドホスホルアミダイト化合物
及びその製造法に関し、さらに詳しくは、リン酸部分の
水酸基及び塩基部分のアミノ基の保護基としてそれぞれ
β−開裂によって脱離する保護基及びアリルオキシカル
ボニル型残基を有する新規なヌクレオシドホスホルアミ
ダイト化合物及びその製造法に関する。
及びその製造法に関し、さらに詳しくは、リン酸部分の
水酸基及び塩基部分のアミノ基の保護基としてそれぞれ
β−開裂によって脱離する保護基及びアリルオキシカル
ボニル型残基を有する新規なヌクレオシドホスホルアミ
ダイト化合物及びその製造法に関する。
（従来の技術） 最近の遺伝子工学の発展に伴い、その重要な素材である
DNA（デオキシリボ核酸）やRNA（リボ核酸）などのポリ
ヌクレオチドを化学的に合成する方法の研究が盛んに行
われている。
DNA（デオキシリボ核酸）やRNA（リボ核酸）などのポリ
ヌクレオチドを化学的に合成する方法の研究が盛んに行
われている。
従来、ポリヌクレオチドの化学合成法としてリン酸ジエ
ステル法、リン酸トリエステル法、ホスファイト法など
の手法が知られているが、いずれの方法の場合も副反応
をさけるためにリン酸部分の水酸基及びヌクレオシド塩
基のアミノ基を保護したのち縮合反応に供されている。
ステル法、リン酸トリエステル法、ホスファイト法など
の手法が知られているが、いずれの方法の場合も副反応
をさけるためにリン酸部分の水酸基及びヌクレオシド塩
基のアミノ基を保護したのち縮合反応に供されている。
このうち水酸基の保護基に関して、最近、従来から賞用
されてきたメチル基に代えてβ−シアノエチル基、β−
ハロゲノエチル基、β−ニトロエチル基などのごときβ
−開裂によって脱離する保護基を用いる方法が開発され
ている（例えばWO85/00816、テトラヘドロン・レタース
第24巻、第52号、第5843〜5846頁など）。
されてきたメチル基に代えてβ−シアノエチル基、β−
ハロゲノエチル基、β−ニトロエチル基などのごときβ
−開裂によって脱離する保護基を用いる方法が開発され
ている（例えばWO85/00816、テトラヘドロン・レタース
第24巻、第52号、第5843〜5846頁など）。
この方法によれば、メチル基に比較して脱保護が容易な
ため従来法の難点であったチオフェノール処理を回避す
ることができ、また固相合成法に適用する場合には担体
をアンモニア処理によって除去する際に同時にリン酸部
分の水酸基の脱保護も行えるという利点を有する。
ため従来法の難点であったチオフェノール処理を回避す
ることができ、また固相合成法に適用する場合には担体
をアンモニア処理によって除去する際に同時にリン酸部
分の水酸基の脱保護も行えるという利点を有する。
しかし、この方法の場合にはアミノ基の保護基としてベ
ンゾイル基、イソブチリル基などが用いられており、そ
れらの保護基を除去するためには熱アンモニア水で長時
間にわたって処理しなければならないという問題があっ
た。
ンゾイル基、イソブチリル基などが用いられており、そ
れらの保護基を除去するためには熱アンモニア水で長時
間にわたって処理しなければならないという問題があっ
た。
（発明が解決しようとする問題点） そこで本発明者らはかかる従来技術の欠点を解決すべく
鋭意検討の結果、水酸基の保護基としてβ−開裂によっ
て脱離する保護基を使用することに加えてアミノ基の保
護基としてアリルオキシカルボニル型残基を使用する
と、緩和な条件下で速やかに脱保護可能であり、しかも
ポリヌクレオチド合成反応の過程ではきわめて安定なこ
とを見い出し、本発明を完成するに到った。
鋭意検討の結果、水酸基の保護基としてβ−開裂によっ
て脱離する保護基を使用することに加えてアミノ基の保
護基としてアリルオキシカルボニル型残基を使用する
と、緩和な条件下で速やかに脱保護可能であり、しかも
ポリヌクレオチド合成反応の過程ではきわめて安定なこ
とを見い出し、本発明を完成するに到った。
（問題点を解決するための手段） かくして本発明によれば、第一の発明として下記一般式
〔Ｉ〕で表わされるホスホルアミダイト化合物が提供さ
れ、第二の発明として下記一般式〔II〕で表わされるヌ
クレオシド類と下記一般式〔III〕で表わされるリンア
ミド化合物とを反応させることを特徴とする前記一般式
〔Ｉ〕で表わされるホスホルアミダイト化合物の製造法
が提供される。
〔Ｉ〕で表わされるホスホルアミダイト化合物が提供さ
れ、第二の発明として下記一般式〔II〕で表わされるヌ
クレオシド類と下記一般式〔III〕で表わされるリンア
ミド化合物とを反応させることを特徴とする前記一般式
〔Ｉ〕で表わされるホスホルアミダイト化合物の製造法
が提供される。
（式中、R1及びR2は保護基を有する水酸基または−OR4
を表わし、R3は水素原子、保護基を有する水酸基または
−OR4を表わし、R4は を表わし、Ｘは炭素数10以下の２級アミノ基または不飽
和結合を有することある炭素数10以下の環状アミノ基、
R5は で示されるβ−開裂によって脱離する保護基を表わし、
R6、R7及びR8は水素原子または低級アルキル基を表わ
し、Ｚは電子吸引性基を表わし、R1、R2及びR3のいずれ
か一つのみが−OR4であり、ＢAOCはアミノ基もしくはイ
ミノ基がアリルオキシカルボニル型で保護されたヌクレ
オシド塩基の残基を表わす。） （式中、R1′及びR2′は保護基を有していてもよい水酸
基を表わし、R3′は水素原子または保護基を有していて
もよい水酸基を表わし、R1′、R2′及びR3′のいずれか
一つのみが水酸基であり、ＢAOC、Ｘ及びR5は前記と同
じであり、Ｙは前記Ｘと同じ２級アミノ基、不飽和結合
を有することある環状アミノ基またはハロゲン原子を表
わす。） 本発明のヌクレオシドホスホルアミダイト化合物は、リ
ン酸部分の水酸基がβ−開裂によって脱離する保護基で
保護され、かつヌクレオシド塩基中にアミノ基もしくは
イミノ基がアリルオキシカルボニル型残基で保護された
ものである。
を表わし、R3は水素原子、保護基を有する水酸基または
−OR4を表わし、R4は を表わし、Ｘは炭素数10以下の２級アミノ基または不飽
和結合を有することある炭素数10以下の環状アミノ基、
R5は で示されるβ−開裂によって脱離する保護基を表わし、
R6、R7及びR8は水素原子または低級アルキル基を表わ
し、Ｚは電子吸引性基を表わし、R1、R2及びR3のいずれ
か一つのみが−OR4であり、ＢAOCはアミノ基もしくはイ
ミノ基がアリルオキシカルボニル型で保護されたヌクレ
オシド塩基の残基を表わす。） （式中、R1′及びR2′は保護基を有していてもよい水酸
基を表わし、R3′は水素原子または保護基を有していて
もよい水酸基を表わし、R1′、R2′及びR3′のいずれか
一つのみが水酸基であり、ＢAOC、Ｘ及びR5は前記と同
じであり、Ｙは前記Ｘと同じ２級アミノ基、不飽和結合
を有することある環状アミノ基またはハロゲン原子を表
わす。） 本発明のヌクレオシドホスホルアミダイト化合物は、リ
ン酸部分の水酸基がβ−開裂によって脱離する保護基で
保護され、かつヌクレオシド塩基中にアミノ基もしくは
イミノ基がアリルオキシカルボニル型残基で保護された
ものである。
前記式中、R1及びR2は保護基を有する水酸基または−OR
4であり、保護基はヌクレオシド化学において一般的に
用いられているものであればいずれでもよい。その具体
例として、例えばトリチル基、モノメトキシトリチル
基、ジメトキシトリチル基、トリメチルシリル基、トリ
エチルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔ−ブチルジ
メチルシリル基、テトラヒドロピラニル基、４−メトキ
シテトラヒドロフラニル基、ベンゾイル基、ベンジル
基、テトラヒドロフラニル基、メトキシメチル基、メト
キシエトキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチ
オメチル基、フェニルチオメチル基などが例示される。
4であり、保護基はヌクレオシド化学において一般的に
用いられているものであればいずれでもよい。その具体
例として、例えばトリチル基、モノメトキシトリチル
基、ジメトキシトリチル基、トリメチルシリル基、トリ
エチルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔ−ブチルジ
メチルシリル基、テトラヒドロピラニル基、４−メトキ
シテトラヒドロフラニル基、ベンゾイル基、ベンジル
基、テトラヒドロフラニル基、メトキシメチル基、メト
キシエトキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチ
オメチル基、フェニルチオメチル基などが例示される。
またR4は で示されるホスフィンの残基である。ここでR5はβ−開
裂によって脱離する保護基、すなわち下記一般式〔IV〕
で示される保護基を表わす。
裂によって脱離する保護基、すなわち下記一般式〔IV〕
で示される保護基を表わす。
式中、R6、R7及びR8は水素原子または低級アルキル基を
表わし、低級アルキル基の具体例としてはメチル基、エ
チル基などが例示される。またＺは電子吸引性残基を表
わし、その具体例としてシアノ基、ニトロ基、チオシア
ノ基、弗素、塩基、臭素などのハロゲン原子、フェニル
スルホニル基、メチルスルホニル基、フェニル基などが
例示される。この際、フェニル基部分のオルト−位及び
／又はパラ−位にはハロゲン、シアノ基、ニトロ基など
の置換基を有していてもよい。
表わし、低級アルキル基の具体例としてはメチル基、エ
チル基などが例示される。またＺは電子吸引性残基を表
わし、その具体例としてシアノ基、ニトロ基、チオシア
ノ基、弗素、塩基、臭素などのハロゲン原子、フェニル
スルホニル基、メチルスルホニル基、フェニル基などが
例示される。この際、フェニル基部分のオルト−位及び
／又はパラ−位にはハロゲン、シアノ基、ニトロ基など
の置換基を有していてもよい。
これらの保護基のなかでもＺがシアノ基のものが好まし
く、とくにβ−シアノエチル基が賞用される。
く、とくにβ−シアノエチル基が賞用される。
またＸで表される炭素数10以下の２級アミノ基の具体例
としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイ
ソプロピルアミノ基、ジ−ｔ−ブチルアミノ基、メチル
プロピルアミノ基、メチルヘキシルアミノ基、メチルシ
クロヘキシルアミノ基、エチルベンジルアミノ基などが
例示され、不飽和結合を有することある炭素数10以下の
環状アミノ基の具体例としては、モルホリノ基、チオモ
ルホリノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、2,6−ジメ
チルピペリジノ基、ピペラジノ基、イミダゾリノ基、ピ
ロリノ基などが例示される。
としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイ
ソプロピルアミノ基、ジ−ｔ−ブチルアミノ基、メチル
プロピルアミノ基、メチルヘキシルアミノ基、メチルシ
クロヘキシルアミノ基、エチルベンジルアミノ基などが
例示され、不飽和結合を有することある炭素数10以下の
環状アミノ基の具体例としては、モルホリノ基、チオモ
ルホリノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、2,6−ジメ
チルピペリジノ基、ピペラジノ基、イミダゾリノ基、ピ
ロリノ基などが例示される。
さらにＹはＸと同様の２級アミノ基や不飽和結合を有す
ることある環状アミノ基の他、塩素、臭素、沃素などの
ハロゲン原子であり、なかでも２級アミノ基が好まし
い。
ることある環状アミノ基の他、塩素、臭素、沃素などの
ハロゲン原子であり、なかでも２級アミノ基が好まし
い。
またR3は水素原子、保護基を有する水酸基または−OR4
であり、保護基及びR4の内容は前記と同様である。
であり、保護基及びR4の内容は前記と同様である。
本発明のヌクレオシドホスホルアミダイトは、ポリヌク
レオチドの合成用モノマーとして用いられるものであ
り、そのためR1,R2またはR3のいずれか一つにのみ−OR4
が導入されている。
レオチドの合成用モノマーとして用いられるものであ
り、そのためR1,R2またはR3のいずれか一つにのみ−OR4
が導入されている。
さらにＢAOCはアミノ基もしくはイミノ基がアリルオキ
シカルボニル型残基で保護されたヌクレオシド塩基の残
基である。ヌクレオシド塩基を有するヌクレオシドの具
体例としては、例えばデオキシアデノシン、デオキシグ
アノシン、デオキシシチジン、チミジン、アデノシン、
グアノシン、シチジン、ウリジン、イノシンなどが例示
される。
シカルボニル型残基で保護されたヌクレオシド塩基の残
基である。ヌクレオシド塩基を有するヌクレオシドの具
体例としては、例えばデオキシアデノシン、デオキシグ
アノシン、デオキシシチジン、チミジン、アデノシン、
グアノシン、シチジン、ウリジン、イノシンなどが例示
される。
塩基部分のアミノ基の保護基として用いられるアリルオ
キシカルボニル型残基は、脱保護反応を本質的に損わな
いものであればいずれでもよく、その具体例として、ア
リルオキシカルボニル基、メタリルオキシカルボニル
基、クロチルオキシカルボニル基、プレニルオキシカル
ボニル基、シンナミルオキシカルボニル基、ｐ−クロロ
シンナミルオキシカルボニル基、クロロアリルオキシカ
ルボニル基などが例示される。
キシカルボニル型残基は、脱保護反応を本質的に損わな
いものであればいずれでもよく、その具体例として、ア
リルオキシカルボニル基、メタリルオキシカルボニル
基、クロチルオキシカルボニル基、プレニルオキシカル
ボニル基、シンナミルオキシカルボニル基、ｐ−クロロ
シンナミルオキシカルボニル基、クロロアリルオキシカ
ルボニル基などが例示される。
アリルオキシカルボニル型残基の炭素数は反応後に生ず
る副生物の分離や原料入手の容易性などを考慮して適宜
選択すればよいが、通常は炭素数12以下のものが用いら
れる。
る副生物の分離や原料入手の容易性などを考慮して適宜
選択すればよいが、通常は炭素数12以下のものが用いら
れる。
本発明のホスホルアミダイト化合物は前記一般式〔II〕
で表わされるヌクレオシド類と前記一般式〔III〕で表
わされるリンアミド化合物を反応させることによって得
ることができる。
で表わされるヌクレオシド類と前記一般式〔III〕で表
わされるリンアミド化合物を反応させることによって得
ることができる。
一般式〔II〕のR1′,R2′及びR3′のいずれか１つは水
酸基であり、それらが保護基を有する水酸基である場合
には、その保護基として前記のものと同様のものが用い
られる。
酸基であり、それらが保護基を有する水酸基である場合
には、その保護基として前記のものと同様のものが用い
られる。
また一般式〔III〕のＸは前記と同様であり、さらにＹ
はＸと同様の２級アミノ基や不飽和結合を有することあ
る環状アミノ基の他、塩素、臭素、沃素などのハロゲン
原子であり、なかでも２級アミノ基が好ましい。
はＸと同様の２級アミノ基や不飽和結合を有することあ
る環状アミノ基の他、塩素、臭素、沃素などのハロゲン
原子であり、なかでも２級アミノ基が好ましい。
本発明で用いられるヌクレオシド類は未保護のヌクレオ
シドにクロロ炭酸アリル、ブロム炭酸アリル、アリル
（１−ベンゾトリアゾイル）カーボネートなどのアリル
化剤をトリエチルアミン、ｎ−ブチルリチウムなどのご
とき塩基の存在下にテトラヒドロフラン、ヘキサメチル
ホスホリットトリアミドなどのごとき溶剤中で反応させ
ることによって容易に得ることができる。
シドにクロロ炭酸アリル、ブロム炭酸アリル、アリル
（１−ベンゾトリアゾイル）カーボネートなどのアリル
化剤をトリエチルアミン、ｎ−ブチルリチウムなどのご
とき塩基の存在下にテトラヒドロフラン、ヘキサメチル
ホスホリットトリアミドなどのごとき溶剤中で反応させ
ることによって容易に得ることができる。
またリンアミド化合物は、３塩化リンに代表されるハロ
ゲン化リンに下記一般式〔Ｖ〕で示されるアルコールを
反応させたのち、エーテルなどのごとき適当な溶媒中で
２級アミンと反応させることによって容易に得ることが
できる。
ゲン化リンに下記一般式〔Ｖ〕で示されるアルコールを
反応させたのち、エーテルなどのごとき適当な溶媒中で
２級アミンと反応させることによって容易に得ることが
できる。
本発明におけるホスホルアミダイト化合物の製法は、原
料として前記一般式〔II〕及び〔III〕で表わされるヌ
クレオシド類とリンアミド化合物を使用すること以外、
常法に従って行われる。
料として前記一般式〔II〕及び〔III〕で表わされるヌ
クレオシド類とリンアミド化合物を使用すること以外、
常法に従って行われる。
例えば前者１モル当り後者１〜３モルを仕込み、テトラ
ヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミ
ド、ジクロロメタン、ジメチルスルホキシドなどのごと
き溶剤の存在下に０〜40℃で１〜５時間反応することに
よって目的とするホスホルアミダイト化合物を効率よく
得ることができる。
ヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミ
ド、ジクロロメタン、ジメチルスルホキシドなどのごと
き溶剤の存在下に０〜40℃で１〜５時間反応することに
よって目的とするホスホルアミダイト化合物を効率よく
得ることができる。
反応液中からの生成物の単離・精製は、通常の有機合成
反応の手段である吸着クロマトグラフィーやイオン交換
クロマトグラフィーあるいは有機溶媒による分配や結晶
化など公知の手段を適宜に選択し、あるいは組み合わせ
て実施することが可能である。
反応の手段である吸着クロマトグラフィーやイオン交換
クロマトグラフィーあるいは有機溶媒による分配や結晶
化など公知の手段を適宜に選択し、あるいは組み合わせ
て実施することが可能である。
（発明の効果） かくして得られる本発明のホスホルアミダイト化合物
は、リン酸部分の水酸基とヌクレオシド塩基のアミノ基
もしくはイミノ基の双方の保護基を緩和な条件下で速や
かに除去することができる。例えば、かかるホスホルア
ミダイト化合物を所定の反応に供したのち、ホスファイ
ト部分をホスフェートに酸化し、しかるのちＯ価のパラ
ジウム化合物とアミンや蟻酸塩に代表される求核試剤を
用いて中性条件下に処理すると、室温で短時間のうちに
ヌクレオシド塩基部分の保護基を除去することができ
る。
は、リン酸部分の水酸基とヌクレオシド塩基のアミノ基
もしくはイミノ基の双方の保護基を緩和な条件下で速や
かに除去することができる。例えば、かかるホスホルア
ミダイト化合物を所定の反応に供したのち、ホスファイ
ト部分をホスフェートに酸化し、しかるのちＯ価のパラ
ジウム化合物とアミンや蟻酸塩に代表される求核試剤を
用いて中性条件下に処理すると、室温で短時間のうちに
ヌクレオシド塩基部分の保護基を除去することができ
る。
また水酸基部分の脱保護はアンモニア水を用いて室温で
0.1〜５時間処理することにより容易に行うことができ
る。とくに担体を用いる固相合成法の場合には、上記処
理中に担体からの切断も同時に行うことができる。
0.1〜５時間処理することにより容易に行うことができ
る。とくに担体を用いる固相合成法の場合には、上記処
理中に担体からの切断も同時に行うことができる。
またβ−開裂によって脱離する保護基及びアリルオキシ
カルボニル型残基は糖部水酸基の脱保護反応で用いられ
る一般的な条件（例えばトリクロロ酢酸による５′−水
酸基の脱保護やテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフロリ
ドによる３′−水酸基の脱保護など）下できわめて安定
に存在する。
カルボニル型残基は糖部水酸基の脱保護反応で用いられ
る一般的な条件（例えばトリクロロ酢酸による５′−水
酸基の脱保護やテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフロリ
ドによる３′−水酸基の脱保護など）下できわめて安定
に存在する。
（実施例） 以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明す
る。
る。
参考例１ ジイソプロピルアミン156ミリモルをエーテル80ミリリ
ットルに溶解したのち、３塩化リン１当量にβ−シアノ
エタノール１当量を有機溶剤中−５℃で３時間反応させ
110〜112℃/9mmHgの留分をあつめて得たβ−シアノエト
キシジクロロホスフィン34.7ミリモルを加えて室温で12
時間撹拌した。反応後、生成したジイソプロピルアンモ
ニウムクロライドを別し、エーテル溶液を蒸留し油状
のβ−シアノエトキシモノクロロ（N,N−ジイソプロピ
ルアミノ）ホスフィンを得た。収率は73モル％であっ
た。沸点は102〜104℃（0.08mmHg）であった。
ットルに溶解したのち、３塩化リン１当量にβ−シアノ
エタノール１当量を有機溶剤中−５℃で３時間反応させ
110〜112℃/9mmHgの留分をあつめて得たβ−シアノエト
キシジクロロホスフィン34.7ミリモルを加えて室温で12
時間撹拌した。反応後、生成したジイソプロピルアンモ
ニウムクロライドを別し、エーテル溶液を蒸留し油状
のβ−シアノエトキシモノクロロ（N,N−ジイソプロピ
ルアミノ）ホスフィンを得た。収率は73モル％であっ
た。沸点は102〜104℃（0.08mmHg）であった。
実施例１ ５′−ｏ−ジメトキシトリチルデオキシシチジンにアリ
ル（１−ベンゾトリアゾイル）カーボネートを反応させ
て得た５′−ｏ−ジメトキシトリチル−Ｎ−アリルオキ
シデオキシシチジン1.5ミリモル及び１−Ｈ−テトラゾ
ール1.56ミリモルをテトラヒドロフラン：アセトニトリ
ル＝1:1の混合溶剤12ミリリットルに溶解したのち、β
−シアノエトキシモノクロロ（N,N−ジイソプロピルア
ミノ）ホスフィン2.25ミリモルを０℃で加え、次いで25
℃で1.5時間撹拌した。
ル（１−ベンゾトリアゾイル）カーボネートを反応させ
て得た５′−ｏ−ジメトキシトリチル−Ｎ−アリルオキ
シデオキシシチジン1.5ミリモル及び１−Ｈ−テトラゾ
ール1.56ミリモルをテトラヒドロフラン：アセトニトリ
ル＝1:1の混合溶剤12ミリリットルに溶解したのち、β
−シアノエトキシモノクロロ（N,N−ジイソプロピルア
ミノ）ホスフィン2.25ミリモルを０℃で加え、次いで25
℃で1.5時間撹拌した。
飽和重炭酸ナトリウム水で洗浄した酢酸エチルで希釈し
たのち、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウ
ムで乾燥したのち濃縮した。次いで残渣をトルエン：ヘ
キサン（3:1）混合溶剤に溶解し、−78℃で激しく撹拌
しながらヘキサン中に加え析出させ、析出物を過によ
って分離した。収率は65％であった。この析出物を分析
したところ、物性値は以下のとうりであり、下記のホス
ホルアミダイト（化合物１）であることが判明した。
たのち、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウ
ムで乾燥したのち濃縮した。次いで残渣をトルエン：ヘ
キサン（3:1）混合溶剤に溶解し、−78℃で激しく撹拌
しながらヘキサン中に加え析出させ、析出物を過によ
って分離した。収率は65％であった。この析出物を分析
したところ、物性値は以下のとうりであり、下記のホス
ホルアミダイト（化合物１）であることが判明した。
元素分析値（C43H52O9N5P） Calcd. C63.5 H6.40 N8.61 Found. C63.3 H6.46 N8.571 H-NMR（CDCl3） 実施例２ ５′−ｏ−ジメトキシトリチル−Ｎ−アリルオキシカル
ボニル−２′−デオキシアデノシン0.2ミリモル及び１
−Ｈ−テトラゾール0.21ミリモルをアセトニトリル２ミ
リリットルに溶解したのち、アリルオキシモノクロロ
（ジイソプロピルアミノ）ホスフィン0.3ミリモルを加
え、25℃で1.5時間撹拌した。その後の処理は実施例１
に準じて行い、下記のホスホルアミダイト（化合物２）
を62％の収率で得た。物性値は以下のとうりである。
ボニル−２′−デオキシアデノシン0.2ミリモル及び１
−Ｈ−テトラゾール0.21ミリモルをアセトニトリル２ミ
リリットルに溶解したのち、アリルオキシモノクロロ
（ジイソプロピルアミノ）ホスフィン0.3ミリモルを加
え、25℃で1.5時間撹拌した。その後の処理は実施例１
に準じて行い、下記のホスホルアミダイト（化合物２）
を62％の収率で得た。物性値は以下のとうりである。
元素分析値（C44H55O8N7P） Calcd. C63.1 H6.21 N11.7 Found. C63.0 H6.29 N11.01 H-NMR（CDCl3） 参考例２ （二量体の合成） 実施例１で得た化合物１3.12ミリモルをテトラヒドロフ
ラン：アセトニトリル＝1:2の混合溶剤15ミリリットル
に溶解したのち、３′−ｏ−ｔ−ブチルジメチルシリル
チミジン2.86ミリモルと１−Ｈ−テトラゾール3.42ミリ
モルを加え、20℃で２時間撹拌した。
ラン：アセトニトリル＝1:2の混合溶剤15ミリリットル
に溶解したのち、３′−ｏ−ｔ−ブチルジメチルシリル
チミジン2.86ミリモルと１−Ｈ−テトラゾール3.42ミリ
モルを加え、20℃で２時間撹拌した。
次いで−78℃に冷却し、二酸化窒素4.86ミリモルのジク
ロロメタン溶液を加え、30分間酸化したのち、0.5モル
亜硫酸ナトリウム水溶液30ミリリットルを加えた。室温
に戻したのち、クロロホルムと飽和食塩水を加え、分離
した水層をクロロホルムで抽出した。乾燥後、クロマト
グラフィー（シリカゲル120g、メタノール：クロロホル
ム＝1:30−1:20）により分離し、β−シアノエチル−
５′−ｏ−ジメトキシトリチルシチジリル−（３′→
５′）−３′−ｏ−ｔ−ブチルジメチルシリルチミジン
（化合物３）を80％の収率で得た。
ロロメタン溶液を加え、30分間酸化したのち、0.5モル
亜硫酸ナトリウム水溶液30ミリリットルを加えた。室温
に戻したのち、クロロホルムと飽和食塩水を加え、分離
した水層をクロロホルムで抽出した。乾燥後、クロマト
グラフィー（シリカゲル120g、メタノール：クロロホル
ム＝1:30−1:20）により分離し、β−シアノエチル−
５′−ｏ−ジメトキシトリチルシチジリル−（３′→
５′）−３′−ｏ−ｔ−ブチルジメチルシリルチミジン
（化合物３）を80％の収率で得た。
この物質の物性値は以下のとうりである。
・元素分析値（C53H65O15N6SiP） Calcd. C58.67 H6.00 N7.75 Found. C58.49 H6.02 N7.88 参考例３ （二量体の脱保護） 化合物３0.084ミリモル及びトリフェニルホスフィン0.0
252ミリモルをアルゴン雰囲気下でテトラヒドロフラン
１ミリリットルに溶解したのちテトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（Ｏ）0.0042ミリモルを加え
室温で５分間撹拌した。次いで、ｎ−ブチルアミン36マ
イクロリットルを加え、20分撹拌後、溶剤を留去したの
ち、アンモニア水を室温で20分反応させ、次いでアンモ
ニアを留去し、残渣をクロマトグラフィー（ODS、水：
メタノール＝1:4）で分離し、アリルオキシカルボニル
基ならびにシアノエチル基が除去された対応のジヌクレ
オシドホスフェート（化合物８）を77モル％の収率で得
た。
252ミリモルをアルゴン雰囲気下でテトラヒドロフラン
１ミリリットルに溶解したのちテトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（Ｏ）0.0042ミリモルを加え
室温で５分間撹拌した。次いで、ｎ−ブチルアミン36マ
イクロリットルを加え、20分撹拌後、溶剤を留去したの
ち、アンモニア水を室温で20分反応させ、次いでアンモ
ニアを留去し、残渣をクロマトグラフィー（ODS、水：
メタノール＝1:4）で分離し、アリルオキシカルボニル
基ならびにシアノエチル基が除去された対応のジヌクレ
オシドホスフェート（化合物８）を77モル％の収率で得
た。
・元素分析値（C46H58O13N5SiP） Calcd. C58.29 H6.12 N7.39 Found. C58.33 H6.06 N7.51 参考例４ CPG（Controlled Pore Grass）レジンにエステル結合を
介して結合した５′−ｏ−ジメトキシトリチルチミジン
（化合物５）30ミリグラムをガラス製反応器に入れ、こ
れにトリクロロ酢酸のジクロロメタン溶液を加えて５′
−水酸基を脱保護したのち、アセトニトリルで洗浄し
た。次いでシチジン塩基のアミノ基がアリルオキシカル
ボニル基で保護されたホスホルアミダイト（化合物１）
0.03ミリモル及び１−Ｈ−テトラゾール0.04ミリモルを
アセトニトリル−テトラヒドロフラン混合溶剤に溶解し
て加え、室温で２分間反応させた。
介して結合した５′−ｏ−ジメトキシトリチルチミジン
（化合物５）30ミリグラムをガラス製反応器に入れ、こ
れにトリクロロ酢酸のジクロロメタン溶液を加えて５′
−水酸基を脱保護したのち、アセトニトリルで洗浄し
た。次いでシチジン塩基のアミノ基がアリルオキシカル
ボニル基で保護されたホスホルアミダイト（化合物１）
0.03ミリモル及び１−Ｈ−テトラゾール0.04ミリモルを
アセトニトリル−テトラヒドロフラン混合溶剤に溶解し
て加え、室温で２分間反応させた。
次いで、アセトニトリルで洗浄したのち、沃素溶液1.2
ミリリットル（沃素11.6グラム、水18ミリリットル、ル
チジン180ミリリットル、テトラヒドロフラン720ミリリ
ットル）を加え25秒間反応させて、担体に担持したＣ−
Ｔ二量体（化合物６）を得た。収率は80％であった（後
述の５′−ジメトキシトリチル基の脱離に伴う発色で測
定）。
ミリリットル（沃素11.6グラム、水18ミリリットル、ル
チジン180ミリリットル、テトラヒドロフラン720ミリリ
ットル）を加え25秒間反応させて、担体に担持したＣ−
Ｔ二量体（化合物６）を得た。収率は80％であった（後
述の５′−ジメトキシトリチル基の脱離に伴う発色で測
定）。
この化合物の確認は以下の手順に従って行った。まず前
記化合物６を含む担体をアセトニトリルで洗浄したの
ち、無水酢酸を加えて未反応の５′−水酸基をキャッピ
ングし、アセトニトリルを加えて洗浄した。次いでトリ
フェニルホスフィン0.095ミリモル、ｎ−ブチルアミン
0.6ミリモル、蟻酸0.6ミリモル及びテトラキス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム（Ｏ）0.015ミリモルを
テトラヒドロフランに溶解して加え、室温で10分間反応
して、塩基部分のアリルオキシカルボニル基を脱保護し
た。
記化合物６を含む担体をアセトニトリルで洗浄したの
ち、無水酢酸を加えて未反応の５′−水酸基をキャッピ
ングし、アセトニトリルを加えて洗浄した。次いでトリ
フェニルホスフィン0.095ミリモル、ｎ−ブチルアミン
0.6ミリモル、蟻酸0.6ミリモル及びテトラキス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム（Ｏ）0.015ミリモルを
テトラヒドロフランに溶解して加え、室温で10分間反応
して、塩基部分のアリルオキシカルボニル基を脱保護し
た。
テトラヒドロフランとジクロロメタンで洗浄後、トリク
ロロ酢酸により５′−水酸基のジメトキシトリチル基を
脱離し、化合物７を得た。次いで30％アンモニア水溶液
を加え室温で30分放置してリン酸部分のβ−シアノエチ
ル基と担体を除去し、Ｃ−Ｔのダイマー（化合物８）を
得た。
ロロ酢酸により５′−水酸基のジメトキシトリチル基を
脱離し、化合物７を得た。次いで30％アンモニア水溶液
を加え室温で30分放置してリン酸部分のβ−シアノエチ
ル基と担体を除去し、Ｃ−Ｔのダイマー（化合物８）を
得た。
アンモニアを留去後、200マイクロリットルの水に溶解
し、このうち５マイクロリットルの水溶液を採取し、こ
れに〔γ−32P〕ATP（PB−170,アマシャム）１マイクロ
リットルを加えて乾固した。これにカイネーションバッ
ファー（×2.5）を２μ,T4ヌクレオチドキナーゼ（宝
酒蔵,2.5u/μ）１μ、水２μを加えて37℃でカイ
ネーションを行った。TLC（Polygram,CELL300 DEAE/HR
−2/15,Mackerey-Nagel社製）上、RNAホモミックスチュ
アにて展開し、一次元のオートラジオグラフを得、１ス
ポットであることを確認した。TLCから、１スポットの
位置を抽出し、ベノムホスホジエステラーゼと、ヌクレ
アーゼP1で消化させ、消化物をそれぞれDEAE−セルロー
スペーパーを用いる電気泳動で展開し、これをTLCに転
写して、ホモミックスチュアにて二次元に展開した。二
次元の展開後、TLCのオートラジオグラフをとり、スポ
ットの位置から保護基が脱保護されたCTダイマーが生成
していることを確認した。
し、このうち５マイクロリットルの水溶液を採取し、こ
れに〔γ−32P〕ATP（PB−170,アマシャム）１マイクロ
リットルを加えて乾固した。これにカイネーションバッ
ファー（×2.5）を２μ,T4ヌクレオチドキナーゼ（宝
酒蔵,2.5u/μ）１μ、水２μを加えて37℃でカイ
ネーションを行った。TLC（Polygram,CELL300 DEAE/HR
−2/15,Mackerey-Nagel社製）上、RNAホモミックスチュ
アにて展開し、一次元のオートラジオグラフを得、１ス
ポットであることを確認した。TLCから、１スポットの
位置を抽出し、ベノムホスホジエステラーゼと、ヌクレ
アーゼP1で消化させ、消化物をそれぞれDEAE−セルロー
スペーパーを用いる電気泳動で展開し、これをTLCに転
写して、ホモミックスチュアにて二次元に展開した。二
次元の展開後、TLCのオートラジオグラフをとり、スポ
ットの位置から保護基が脱保護されたCTダイマーが生成
していることを確認した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 西独公開3329892（ＤＥ，Ａ１) Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒ ｓ，Ｖｏｌ．25，Ｎｏ．19．ＰＰ．1975− 78（1984) Ｎａｃｌｅｉｃ Ａｏｉｄ Ｒｅｓｅａ ｒｃｈ，Ｖｏｌ．12，Ｎｏ．11．ＰＰ. 4539−57（1984)
Claims (2)
- 【請求項１】下記一般式〔Ｉ〕で表されるホスホルアミ
ダイド化合物。 （式中、R1及びR2は保護基を有する水酸基または−OR4
を表し、R3は水素原子、保護基を有する水酸基または−
OR4を表わし、R4は を表わし、を表わし、Ｘは炭素数10以下の２級アミノ基
または不飽和結合を有することある炭素数10以下の環状
アミノ基、R5は で示されるβ−開裂によって脱離する保護基を表わし、
R6、R7及びR8は水素原子または低級アルキル基を表わ
し、Ｚは電子求引性基を表わし、R1、R2及びR3のいずれ
か一つのみが−OR4であり、ＢAOCはアミノ基もしくはイ
ミノ基がアリルオキシカルボニル型で保護されたヌクレ
オシド塩基の残基を表す。） - 【請求項２】下記一般式〔II〕で表されるヌクレオシド
類と下記一般式〔III〕で表されるリンアミド化合物と
を反応させることを特徴とする前記一般式〔Ｉ〕で表さ
れるホスホルアミダイド化合物の製造法。 （式中、R1′及びR2′は保護基を有していてもよい水酸
基を表わし、R3′は水素原子または保護基を有していて
もよい水酸基を表わし、R1′、R2′及びR3′のいずれか
一つのみが水酸基でありＢAOC、Ｘ及びR5は前記と同じ
であり、Ｙは前記Ｘと同じ２級アミノ基、不飽和結合を
有することある環状アミノ基またはハロゲン原子を表わ
す。）
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60223138A JPH0680071B2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | ホスホルアミダイト化合物及びその製造法 |
| EP86113090A EP0216357A3 (en) | 1985-09-25 | 1986-09-23 | Phosphoramidite compounds and process for production thereof |
| US07/229,773 US5026838A (en) | 1985-09-25 | 1988-08-04 | Phosphoramidite compounds and process for production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60223138A JPH0680071B2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | ホスホルアミダイト化合物及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284096A JPS6284096A (ja) | 1987-04-17 |
| JPH0680071B2 true JPH0680071B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=16793383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60223138A Expired - Lifetime JPH0680071B2 (ja) | 1985-09-25 | 1985-10-07 | ホスホルアミダイト化合物及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680071B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0229423D0 (en) * | 2002-12-18 | 2003-01-22 | Avecia Ltd | Process |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3329892A1 (de) | 1983-08-18 | 1985-03-07 | Köster, Hubert, Prof. Dr., 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung von oligonucleotiden |
-
1985
- 1985-10-07 JP JP60223138A patent/JPH0680071B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3329892A1 (de) | 1983-08-18 | 1985-03-07 | Köster, Hubert, Prof. Dr., 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung von oligonucleotiden |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| ＮａｃｌｅｉｃＡｏｉｄＲｅｓｅａｒｃｈ，Ｖｏｌ．１２，Ｎｏ．１１．ＰＰ．４５３９−５７（１９８４） |
| ＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．２５，Ｎｏ．１９．ＰＰ．１９７５−７８（１９８４） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6284096A (ja) | 1987-04-17 |
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