JPH0680704B2 - 半導体素子接続装置 - Google Patents
半導体素子接続装置Info
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- JPH0680704B2 JPH0680704B2 JP1298239A JP29823989A JPH0680704B2 JP H0680704 B2 JPH0680704 B2 JP H0680704B2 JP 1298239 A JP1298239 A JP 1298239A JP 29823989 A JP29823989 A JP 29823989A JP H0680704 B2 JPH0680704 B2 JP H0680704B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ゲートアレイやマイクロコンピュータ等の多
ピンで狭ピッチの電極を有するLSIチップ（半導体素
子）を配線基板に接続する装置に関するものである。
ピンで狭ピッチの電極を有するLSIチップ（半導体素
子）を配線基板に接続する装置に関するものである。
従来の技術 従来の技術を第８図a,b,cとともに説明する。LSIチップ
の接続装置として現在用いられているものに、ワイヤボ
ンダー，フリップチップボンダー，フィルムキャリヤボ
ンダー等がある。第８図ａに、ワイヤボンダーによる接
続方式を示す。この方式は、配線基板74に、ダイボンド
されたLSIチップ71のA1電極85と配線基板74の導体配線7
5とを、加圧及び超音波振動が付加であるボンディング
キャピラリー76を用い、Au,A1等のボンディングワイヤ7
0を１本１本接続していくものである。次に第８図ｂに
示すのはフリップチップボンダーによる接続方式であ
る。この方式は、配線基板74の導体配線75に形成した半
田ペデスタル79とLSIチップ71の半田バンプ78を、加圧
加熱及びLSIチップの真空吸着が可能なボンディングツ
ール77にて接続し、その後半田リフローを行うものであ
る。次に第８図ｃに示す、フィルムキャリヤボンダーに
よる接続方式を示す。この方式では、フィルムキャリヤ
81のインナーリード82とLSIチップ71のAuバンプ83とを
ボンディングツール80により、熱圧着接続するものであ
る。次に、LSIチップをフェースダウンで光硬化性樹脂
を用いて配線基板に固定する、本出願人が開発したマイ
クロバンプボンディング方式について第８図とともに説
明する。まず、第９図ａに示す様に、金属製の配線基板
設置ステージ93に設置した配線基板92に、光硬化性絶縁
樹脂90を塗布する。次に、第９図ｂに示す様に、LSIチ
ップ96の突起電極97と配線基板92の導体配線91を位置合
わせし、LSIチップ96を配線基板92に設置した後、シリ
ンダー加圧により、加圧ツール94をLSIチップ96に押し
当て、LSIチップ96を加圧する。この時、LSIチップ96の
突起電極97と導体配線91間の光硬化性絶縁樹脂90は周囲
に押し広げられ、突起電極97を導体配線91が接触する。
この状態で、紫外線95を照射し、光硬化性絶縁樹脂90を
硬化する。次に、第９図ｃに示す様に加圧を解除する。
この時、光硬化性絶縁樹脂90の硬化収縮力が作用し、突
起電極97と導体配線91は常に圧接した状態が保持できる
ものである。
の接続装置として現在用いられているものに、ワイヤボ
ンダー，フリップチップボンダー，フィルムキャリヤボ
ンダー等がある。第８図ａに、ワイヤボンダーによる接
続方式を示す。この方式は、配線基板74に、ダイボンド
されたLSIチップ71のA1電極85と配線基板74の導体配線7
5とを、加圧及び超音波振動が付加であるボンディング
キャピラリー76を用い、Au,A1等のボンディングワイヤ7
0を１本１本接続していくものである。次に第８図ｂに
示すのはフリップチップボンダーによる接続方式であ
る。この方式は、配線基板74の導体配線75に形成した半
田ペデスタル79とLSIチップ71の半田バンプ78を、加圧
加熱及びLSIチップの真空吸着が可能なボンディングツ
ール77にて接続し、その後半田リフローを行うものであ
る。次に第８図ｃに示す、フィルムキャリヤボンダーに
よる接続方式を示す。この方式では、フィルムキャリヤ
81のインナーリード82とLSIチップ71のAuバンプ83とを
ボンディングツール80により、熱圧着接続するものであ
る。次に、LSIチップをフェースダウンで光硬化性樹脂
を用いて配線基板に固定する、本出願人が開発したマイ
クロバンプボンディング方式について第８図とともに説
明する。まず、第９図ａに示す様に、金属製の配線基板
設置ステージ93に設置した配線基板92に、光硬化性絶縁
樹脂90を塗布する。次に、第９図ｂに示す様に、LSIチ
ップ96の突起電極97と配線基板92の導体配線91を位置合
わせし、LSIチップ96を配線基板92に設置した後、シリ
ンダー加圧により、加圧ツール94をLSIチップ96に押し
当て、LSIチップ96を加圧する。この時、LSIチップ96の
突起電極97と導体配線91間の光硬化性絶縁樹脂90は周囲
に押し広げられ、突起電極97を導体配線91が接触する。
この状態で、紫外線95を照射し、光硬化性絶縁樹脂90を
硬化する。次に、第９図ｃに示す様に加圧を解除する。
この時、光硬化性絶縁樹脂90の硬化収縮力が作用し、突
起電極97と導体配線91は常に圧接した状態が保持できる
ものである。
発明が解決しようとする課題 前述した従来の技術では次に示す欠点がある。
（１）ワイヤボンダーによる接続方式では、ボンディン
グワイヤを１本１本接続する為多ピンの場合は、非常に
長い時間を要し、コストの高いものである。また、ボン
ディングキャピラリー58は、ある程度の強度が必要な
為、寸帽を小さくできず接続ピッチは150μ程度と、狭
ピッチのLSIには適さない。
グワイヤを１本１本接続する為多ピンの場合は、非常に
長い時間を要し、コストの高いものである。また、ボン
ディングキャピラリー58は、ある程度の強度が必要な
為、寸帽を小さくできず接続ピッチは150μ程度と、狭
ピッチのLSIには適さない。
（２）フリップチップボンダー及びフィルムキャリヤボ
ンダーによる接続方式では、ボンディングツール77,80
を加熱する必要がある為、LSIチップに熱によるダメー
ジをあたえる。また、特にフィルムキャリヤボンダーで
は300℃〜500℃の高温である為、ボンディングツール80
の寸法安定性を必要とし、ボンディングツール80の高価
な材料を用いる為、非常にコストの高いものとなる。
ンダーによる接続方式では、ボンディングツール77,80
を加熱する必要がある為、LSIチップに熱によるダメー
ジをあたえる。また、特にフィルムキャリヤボンダーで
は300℃〜500℃の高温である為、ボンディングツール80
の寸法安定性を必要とし、ボンディングツール80の高価
な材料を用いる為、非常にコストの高いものとなる。
（３）接続のピッチは、フリップチップボンダーによる
接続方式で250μm,フィルムキャリヤ方式による接続方
式で100μｍ程度が限界であり、高密度接続には適さな
い。
接続方式で250μm,フィルムキャリヤ方式による接続方
式で100μｍ程度が限界であり、高密度接続には適さな
い。
（４）また各方式に必要な設備として、ワイヤボンディ
ング方式では、ダイボンダーとワイヤボンダー、フィル
ムキャリヤ方式では、インナーリードボンダーとアウタ
ーリードボンダー，フリップチップ方式では、フリップ
チップボンダーとリフロー炉というように、各々２台の
設備を必要とし、設備費が非常に高く、コストの高いも
のである。
ング方式では、ダイボンダーとワイヤボンダー、フィル
ムキャリヤ方式では、インナーリードボンダーとアウタ
ーリードボンダー，フリップチップ方式では、フリップ
チップボンダーとリフロー炉というように、各々２台の
設備を必要とし、設備費が非常に高く、コストの高いも
のである。
（５）また、本発明者らの検討によると第９図に示した
マイクロバンプボンディング方式においては次に示す課
題があることが判明した。（１）配線基板設置ステージ
93が金属製である為平面度が非常に悪く、LSIチップ96
を加圧した時に、LSIチップ96と加圧ツール94の平行度
が悪くLSIチップ突起電極が均等に加圧されず接続不良
が発生する。（２）LSIチップの加圧をシリンダーで行
っている為、設定できる荷重の範囲は最小値から最大値
で、約５倍程度と小さい為、LSIチップの電極数やチッ
プサイズの変化に対する対応性が悪い。また、LSIチッ
プへの衝撃加重をなくす方法としてカムを用いるが、LS
Iチップや配線基板の厚みが品種により変化した場合、
カムを交換する必要があり、生産性が低い。加圧ツール
94は固定式である為、配線基板や配線基板設置ステージ
の平面度の影響で、LSIチップと加圧ツールの平行度が
ズレた場合に、LSIチップの突起電極は均等に加圧され
ず、接続不良が発生する。本発明は、マイクロボンディ
ング方式を用いるとともに、ゲートアレイやマイクロコ
ンピュータ,LEDアレー等の狭ピッチで多ピンのLSIチッ
プの低コストな実装を容易かつ確実に可能とする接続装
置を提供することを目的とするものである。
マイクロバンプボンディング方式においては次に示す課
題があることが判明した。（１）配線基板設置ステージ
93が金属製である為平面度が非常に悪く、LSIチップ96
を加圧した時に、LSIチップ96と加圧ツール94の平行度
が悪くLSIチップ突起電極が均等に加圧されず接続不良
が発生する。（２）LSIチップの加圧をシリンダーで行
っている為、設定できる荷重の範囲は最小値から最大値
で、約５倍程度と小さい為、LSIチップの電極数やチッ
プサイズの変化に対する対応性が悪い。また、LSIチッ
プへの衝撃加重をなくす方法としてカムを用いるが、LS
Iチップや配線基板の厚みが品種により変化した場合、
カムを交換する必要があり、生産性が低い。加圧ツール
94は固定式である為、配線基板や配線基板設置ステージ
の平面度の影響で、LSIチップと加圧ツールの平行度が
ズレた場合に、LSIチップの突起電極は均等に加圧され
ず、接続不良が発生する。本発明は、マイクロボンディ
ング方式を用いるとともに、ゲートアレイやマイクロコ
ンピュータ,LEDアレー等の狭ピッチで多ピンのLSIチッ
プの低コストな実装を容易かつ確実に可能とする接続装
置を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段 本発明は、前記課題を解決する為に、電極にバンプを有
したLSIチップをフェースダウンにより光硬化性絶縁樹
脂（UV樹脂）により配線基板に固着し、光硬化性絶脂の
収縮力により、LSIチップのバンプと配線基板の導体配
線を圧接により接続する前述したマイクロボンディング
を用いた実装方式の接続装置であり、その構成は次に示
す通りである。配線基板を設置する第１のステージ,LSI
チップを設置する第２のステージ，光硬化性樹脂（UV樹
脂）の収納容器,LSIチップを保持する為の真空コレッ
ト、LSIチップと回路基板の導体配線を位置合わせする
為のカメラとモニターテレビ,LSIチップを加圧する加圧
ユニット，光照射機，これらを制御する制御回路及び制
御盤を有し、制御回路により、第1,第２のステージの移
動，カメラのX,Y方向の移動を制御し、さらに真空コレ
ットのX,Y,Z,θ方向の移動，加圧ユニットの加重，光照
射機の照射時間を制御することにより、前述した実装方
式を実現するものである。また、本発明において、たと
えば第１のステージは、金属プレートの第１の主面に第
１の凹部を有し、前記第１の凹部の底面に溝及び前記第
１の凹部より小さい面積の貫通孔を有し、第２の主面に
は前記第１の凹部を含み前記第１の凹部と同等以上の面
積を有した第２の凹部を有し、前記第１の凹部に前記溝
と一致する位置に孔を有した石英ガラス等の透明板を有
したことを特徴とする。また、たとえば加圧ユニット
は、ステッピングモータ，ボールねじ，第1,第2,第３の
リニアガイド及びそれぞれのしゅう動板，加圧ヘッド，
加圧ばね，加圧ヘッドつり上げ用ばねを備え、前記ステ
ッピングモータ及び前記第1,第３のリニアガイドが本体
に固定され、前記第１のリニアガイドのしゅう動板に前
記第２のリニアガイドが固定され、前記第２のリニアガ
イドのしゅう動板の上部に第１のシャフト及びこの第１
のシャフトにはめ込まれた前記加圧ばねを有し、前記第
３のリニアガイドのしゅう動板の突出部に形成したガイ
ド孔に前記加圧ヘッドの上部に形成した先端部にばねど
めを有した第２のシャフトが挿入され、前記突出部と第
２のシャフトのばねどめとの間に前記加圧ヘッドつり上
げ用ばねを有し、前記ステッピングモータが駆動するこ
とにより、前記ボールねじが回転下降し、前記第１のリ
ニアガイドのしゅう動板，第２のリニアガイドのしゅう
動板，第３のリニアガイドのしゅう動板が第１から第３
の順序で下降し、前記加圧ヘッドの下部が加圧物に接触
し、その後、前記第１のリニアガイドのしゅう動板のみ
が下降し、前記加圧ばねを縮めることにより、前記加圧
物に加重を負荷することを特徴とする。また、たとえば
加圧ツールは、半球状で平面部を加圧面としかつこの球
面部に平面に対し垂直方向にシャフトを有した加圧チッ
プと、前記加圧チップの半球部の半径より大きいほぼ半
球の凹部を有し、この凹部の最底部に前記加圧チップの
シャフトの径より大きい貫通孔を有した加圧チップ受け
を備え、前記加圧チップのシャフトが前記加圧チップ受
けの貫通孔に挿入され、前記シャフトの前記貫通孔から
の突出部にコイルばねがはめ込まれ、前記シャフトの先
端部に、前記コイルばねの径より大きい止め具を設置す
ることにより、前記加圧チップが前記加圧チップ受けに
固定されたことを特徴とする。さらにまた、加圧ツール
は、たとえば半円柱状で十字状の平面部を加圧面としか
つ丸みを有した面に、前記加圧面に対し垂直方向にシャ
フトを有した加圧チップと、底部に貫通孔を有したＶ溝
を有した加圧チップ受けを備え、前記加圧チップのシャ
フトが前記加圧チップ受けの貫通孔に挿入され、前記シ
ャフトの前記貫通孔からの突出部にコイルばねがはめ込
まれ、前記シャフトの先端部に、前記コイルばねの径よ
り大きい止め具を設置することにより、前記加圧チップ
が前記加圧チップ受けに固定されたことを特徴とする。
したLSIチップをフェースダウンにより光硬化性絶縁樹
脂（UV樹脂）により配線基板に固着し、光硬化性絶脂の
収縮力により、LSIチップのバンプと配線基板の導体配
線を圧接により接続する前述したマイクロボンディング
を用いた実装方式の接続装置であり、その構成は次に示
す通りである。配線基板を設置する第１のステージ,LSI
チップを設置する第２のステージ，光硬化性樹脂（UV樹
脂）の収納容器,LSIチップを保持する為の真空コレッ
ト、LSIチップと回路基板の導体配線を位置合わせする
為のカメラとモニターテレビ,LSIチップを加圧する加圧
ユニット，光照射機，これらを制御する制御回路及び制
御盤を有し、制御回路により、第1,第２のステージの移
動，カメラのX,Y方向の移動を制御し、さらに真空コレ
ットのX,Y,Z,θ方向の移動，加圧ユニットの加重，光照
射機の照射時間を制御することにより、前述した実装方
式を実現するものである。また、本発明において、たと
えば第１のステージは、金属プレートの第１の主面に第
１の凹部を有し、前記第１の凹部の底面に溝及び前記第
１の凹部より小さい面積の貫通孔を有し、第２の主面に
は前記第１の凹部を含み前記第１の凹部と同等以上の面
積を有した第２の凹部を有し、前記第１の凹部に前記溝
と一致する位置に孔を有した石英ガラス等の透明板を有
したことを特徴とする。また、たとえば加圧ユニット
は、ステッピングモータ，ボールねじ，第1,第2,第３の
リニアガイド及びそれぞれのしゅう動板，加圧ヘッド，
加圧ばね，加圧ヘッドつり上げ用ばねを備え、前記ステ
ッピングモータ及び前記第1,第３のリニアガイドが本体
に固定され、前記第１のリニアガイドのしゅう動板に前
記第２のリニアガイドが固定され、前記第２のリニアガ
イドのしゅう動板の上部に第１のシャフト及びこの第１
のシャフトにはめ込まれた前記加圧ばねを有し、前記第
３のリニアガイドのしゅう動板の突出部に形成したガイ
ド孔に前記加圧ヘッドの上部に形成した先端部にばねど
めを有した第２のシャフトが挿入され、前記突出部と第
２のシャフトのばねどめとの間に前記加圧ヘッドつり上
げ用ばねを有し、前記ステッピングモータが駆動するこ
とにより、前記ボールねじが回転下降し、前記第１のリ
ニアガイドのしゅう動板，第２のリニアガイドのしゅう
動板，第３のリニアガイドのしゅう動板が第１から第３
の順序で下降し、前記加圧ヘッドの下部が加圧物に接触
し、その後、前記第１のリニアガイドのしゅう動板のみ
が下降し、前記加圧ばねを縮めることにより、前記加圧
物に加重を負荷することを特徴とする。また、たとえば
加圧ツールは、半球状で平面部を加圧面としかつこの球
面部に平面に対し垂直方向にシャフトを有した加圧チッ
プと、前記加圧チップの半球部の半径より大きいほぼ半
球の凹部を有し、この凹部の最底部に前記加圧チップの
シャフトの径より大きい貫通孔を有した加圧チップ受け
を備え、前記加圧チップのシャフトが前記加圧チップ受
けの貫通孔に挿入され、前記シャフトの前記貫通孔から
の突出部にコイルばねがはめ込まれ、前記シャフトの先
端部に、前記コイルばねの径より大きい止め具を設置す
ることにより、前記加圧チップが前記加圧チップ受けに
固定されたことを特徴とする。さらにまた、加圧ツール
は、たとえば半円柱状で十字状の平面部を加圧面としか
つ丸みを有した面に、前記加圧面に対し垂直方向にシャ
フトを有した加圧チップと、底部に貫通孔を有したＶ溝
を有した加圧チップ受けを備え、前記加圧チップのシャ
フトが前記加圧チップ受けの貫通孔に挿入され、前記シ
ャフトの前記貫通孔からの突出部にコイルばねがはめ込
まれ、前記シャフトの先端部に、前記コイルばねの径よ
り大きい止め具を設置することにより、前記加圧チップ
が前記加圧チップ受けに固定されたことを特徴とする。
作用 本発明の半導体素子接続装置によれば、LSIチップへのU
V樹脂の塗布,LSIチップと回路基板の位置合わせ,LSIチ
ップへの加圧,UV樹脂の硬化までの、LSIチップの配線基
板への一連の実装プロセスを１台の装置でチップの変化
に対して対応性がよく、接続不良少なく実施でき、ま
た、従来の様に加熱や超音波の機構を有さない為、安い
設備費で多ピン，狭ピッチLSIの一括ボンディングが実
現出来るものである。
V樹脂の塗布,LSIチップと回路基板の位置合わせ,LSIチ
ップへの加圧,UV樹脂の硬化までの、LSIチップの配線基
板への一連の実装プロセスを１台の装置でチップの変化
に対して対応性がよく、接続不良少なく実施でき、ま
た、従来の様に加熱や超音波の機構を有さない為、安い
設備費で多ピン，狭ピッチLSIの一括ボンディングが実
現出来るものである。
実施例 本発明の実施例を第１図〜第７図を用いて説明する。ま
ず第１図に示す接続装置全体図及び第２図に示す半導体
装置の工程別断面図を用いて説明する。まず、第２図ａ
のごとく、チップ供給ステージ15上のチップトレー２に
設置された半導体素子すなわちLSIチップ26を、投入コ
レット３にて吸着し、投入コレット３を移動させ、アラ
イメントロボット４の上面に移し変える。この時、アラ
イメントロボット４は、規制ツール17の位置まで移動
し、第３図に示す様に、LSIチップ26の外形を利用し一
次アライメントを行う。この時、通常LSIチップ26の外
形は±10μ程度である為、一次アライメントの精度は±
15μ程度となる。次に第２図b,c,dに示す様に、アライ
メントロボット４が上下方向に反転し、その後下降し、
UV樹脂供給ユニット12に設置されたUV樹脂28にLSIチッ
プ26の表面を接触させ、その後、アライメントロボット
４は上昇する。この時、LSIチップ26の表面にはUV樹脂2
8が適量付着する。UV樹脂28のLSIチップ26表面への付着
量は、UV樹脂供給ユニット12に設置したUV樹脂28の量を
コントロールすることにより、精度よくコントロールす
ることができ、通常、UV樹脂量は、UV樹脂供給ユニット
12底面からの厚みで10〜50μ程度である。次に、石英ガ
ラスよりなる配線基板29が設置されたガラスステージ９
がチップアライメント用カメラ11が位置する部分まで移
動する。同時に、アライメントロボット４も、配線基板
29のLSIチップ26搭載位置まで移動し、その後下降す
る。この時、LSIチップ26と配線基板29のギャップは50
〜200μ程度である。この状態を第２図ｅに示す。
ず第１図に示す接続装置全体図及び第２図に示す半導体
装置の工程別断面図を用いて説明する。まず、第２図ａ
のごとく、チップ供給ステージ15上のチップトレー２に
設置された半導体素子すなわちLSIチップ26を、投入コ
レット３にて吸着し、投入コレット３を移動させ、アラ
イメントロボット４の上面に移し変える。この時、アラ
イメントロボット４は、規制ツール17の位置まで移動
し、第３図に示す様に、LSIチップ26の外形を利用し一
次アライメントを行う。この時、通常LSIチップ26の外
形は±10μ程度である為、一次アライメントの精度は±
15μ程度となる。次に第２図b,c,dに示す様に、アライ
メントロボット４が上下方向に反転し、その後下降し、
UV樹脂供給ユニット12に設置されたUV樹脂28にLSIチッ
プ26の表面を接触させ、その後、アライメントロボット
４は上昇する。この時、LSIチップ26の表面にはUV樹脂2
8が適量付着する。UV樹脂28のLSIチップ26表面への付着
量は、UV樹脂供給ユニット12に設置したUV樹脂28の量を
コントロールすることにより、精度よくコントロールす
ることができ、通常、UV樹脂量は、UV樹脂供給ユニット
12底面からの厚みで10〜50μ程度である。次に、石英ガ
ラスよりなる配線基板29が設置されたガラスステージ９
がチップアライメント用カメラ11が位置する部分まで移
動する。同時に、アライメントロボット４も、配線基板
29のLSIチップ26搭載位置まで移動し、その後下降す
る。この時、LSIチップ26と配線基板29のギャップは50
〜200μ程度である。この状態を第２図ｅに示す。
またUV樹脂28は、第７図a,bに示すように、配線基板29
のチップ設置部上にディスペンサーノズル100より滴下
して塗布してもよい。この場合アライメントロボットは
上下方向に反転したのち、チップにUV樹脂28を付着させ
ることなく配線基板29のチップ搭載位置まで移動する。
のチップ設置部上にディスペンサーノズル100より滴下
して塗布してもよい。この場合アライメントロボットは
上下方向に反転したのち、チップにUV樹脂28を付着させ
ることなく配線基板29のチップ搭載位置まで移動する。
ガラスステージ９は、ガラスステージ９が設置された領
域に、穴を有した金属製の配線基板設置ステージ18上に
設置されており、XYテーブル19により移動する。次にチ
ップアライメント用カメラ11により、ガラスステージ９
の下から配線基板29の導体配線30とLSIチップ26のバン
プ27を、モニター１に映し出す。次に、操作パネル14に
設けたマニュブレータ20を操作し、アライメントロボッ
ト４をX,Y,θ方向に移動させ、LSIチップ26のバンプ27
と、配線基板29の導体配線30の位置合わせを行う。位置
合わせが完了した時点でLSIチップ26のバンプ27が、導
体配線30に接触するまでアライメントロボット４が下降
し、その後LSIチップ26の保持の為の真空を解除し、ア
ライメントロボット４は上昇し、元の位置までもどる。
この時、第２図ｆに示す様に、LSIチップ26の表面又は
基板29上に塗布していたUV樹脂28は、LSIチップ26の周
囲にまで広がるとともに、LSIチップ26はUV樹脂28の粘
性により、配線基板29に仮固定される。次に、配線基板
設置ステージ18は、XYテーブル19の制御により移動し、
配線基板29上にあるLSIチップ26は、加圧ツール24の真
下まで移動する。この時、LSIチップ26と加圧ツール24
の位置精度は、XYテーブル19の精度及びLSIチップ26と
配線基板29の位置合わせ精度が加算されたものとなり、
約±数μｍ程度である。次にステッピングモータ21を駆
動させ、加圧ツール24の底面がLSIチップ26の裏面に接
触するまで下降させる。接触した後は、所定の加重がLS
Iチップ26に加わる様、更にステッピングモータを駆動
させ加圧ばね22を所定量縮める。この時、第２図ｈに示
す様に、LSIチップ26のバンプ27と導体配線30の間からU
V樹脂28は完全に排出される。次に第２図ｈに示す様にL
SIチップを加圧ツール24で加圧した状態で、UV樹脂28に
UV線31を照射しUV樹脂28を硬化させる。この時、UV樹脂
28には硬化収縮力が作用し、後に加圧を取り去っても、
LSIチップ26のバンプ27と導体配線30は常に接触した状
態を保持する。UV線31の照射は、第１図に示すUV光源７
で得たUV線を光ファイバー23にてガラスステージ９の下
側まで伝送して行う。次に、第２図ｉに示す様に、UV線
31の照射が終了したと同時に、加圧ツール24が上昇し、
LSIチップ26への加圧が解除され、LSIチップ26と配線基
板29との接続が完了する。以上の動作を、自動で実施で
きる様、制御回路により制御するものであり、生産タク
トを向上させる為に、投入コレット３は、LSIチップ26
をアライメントロボット４に、移し変えた後はすぐに次
に搭載するLSIチップを吸着し、アライメントロボット
４にLSIチップを移し変える位置まで移動する。また、
アライメントロボット４は、配線基板29にLSIチップ26
を搭載した後はもとの位置までもどり、投入コレット３
が運んできたLSIチップ26を受けとり、後は、同様の動
作を行うものである。また、本実施例では、LSIチップ
１チップ毎に加圧を行う方法について述べたが、複数の
LSIチップ26を配線基板29にUV樹脂の粘性により仮固定
した後、複数のLSIチップ26を同時に加圧し、UV照射す
ることも可能である。また、LSIチップ26と配線基板29
の位置合わせは、自動認識装置を付加することにより、
自動で行うことができる。また、配線基板29のガラスス
テージへの設置及び取り出しも、自動搬送装置を付加す
ることにより、容易に自動化ができる。そして、更に、
配線基板29がセラミック等の不透明な場合は、光ファイ
バー23を加圧ツール24の付近に設置し、LSIチップ26の
側面から光照射することにより、容易にUV樹脂の硬化を
行うことができる。次に、本発明の接続装置の配線基板
設置ステージ18,加圧ユニット6,加圧ツール24の例につ
いて、第４図〜第６図とともに説明する。まず、ガラス
ステージについて第４図とともに説明する。第４図は、
第１図の接続装置全体図で示したガラスステージ９及び
配線基板設置ステージ18のａ−ａ′断面図である。ステ
ンレス等よりなる配線基板設置ステージ18に光透過率が
良好な石英よりなるガラスステージ９を設置する。ガラ
スステージ９は止め具60により配線基板設置ステージ18
に固定する。配線基板29は、ガラスステージ29に形成し
た真空孔33と配線基板設置ステージ18に形成した真空溝
34を用いて真空により固定される。配線基板設置ステー
ジ18は、ガラスステージ９を設置した部分と反対の部分
18′でXYステージに固定される。UV線の照射は配線基板
設置ステージ18に形成した照射孔35から、ガラスステー
ジ９を通して配線基板29まで到達させる。次に、加圧ユ
ニット（第１図で示す６の部分）について第５図ととも
に説明する。まずステッピングモータ21が駆動されるこ
とにより、ボールねじ37が回転し、ボールねじ37に固定
された駆動ヘッド38が下降する。それに伴い、駆動ヘッ
ド38に連結された第１のしゅう動板43が本体36に固定さ
れた第１のリニアガイド45に支持されながら下降する。
次に、第１のしゅう動板43が下降することにより、加工
爪39が受部40に接触し、第３のしゅう動板となる加圧ヘ
ッド５は、第３のリニアガイド41に支持されながら下降
し、加圧ツール24の下面は、LSIチップ26の裏面に接触
する。その後、ステッピングモータ21が更に駆動される
ことにより、加圧ばね22が圧縮され、加圧ばね22の反発
力がLSIチップ26に負荷され、所定の加重を加える。ス
テッピングモータ21の回転数を制御することにより、LS
Iチップ26に対する加重を任意にコントロールすること
ができ加重範囲は、0.1〜60Kg程度である。また、ステ
ッピングモータ21の回転スピードをコントロールし、加
圧ツール24がLSIチップ26に接触する直前までは、速い
スピードで下降させ、その後は、下降スピードをゆるめ
ることにより、LSIチップ26への衝撃加重をなくすこと
ができる。次に、加圧ツールを第６図a,bとともに説明
する。まず、LSIチップ26が長方形の場合は、第５図ａ
の加圧ツールを用い、LSIチップ26が正方形の場合は第
５図ｂの加圧ツールを用いる。まず、第５図ａに示した
ものは超鋼等よりなる加圧ステップ52のアールをもった
面もほぼ中央にシャフト48が固定され、シャフト48は加
圧チップ受け50の孔51に挿入され、つり上げばね47とは
ねどめ46により、加圧チップ52が加圧チップ受け50に支
持されているもので、加圧チップ受け50の上面部49が加
圧ヘッド（第１図に示す５）に取付けられるものであ
る。加圧チップ52の下面部52′は、LSIチップ26と接触
する部分でその反対面はアール状になっており、アール
状の部分は加圧チップ受け50と線で接触している。LSI
チップ26の長辺方向の平行度が加圧チップ52とずれてい
る場合は、加圧チップ52がLSIチップ26に接続した瞬間
に加圧チップ52のアール状の部分がローリングし、加圧
チップ52の下面部52′は、LSIチップ26の裏面に均等に
接触し、LSIチップ26のバンプ27は均等に加圧される。
また、第５図ｂに示した加圧ツールは、半球状の加圧チ
ップ58の球面部分の中央にシャフト56が取り付けられ、
加圧チップ受け53の孔57にシャフト56が挿入され、つり
上げばね55とばねどめ54により、加圧チップ58が加圧チ
ップ受け57に支持されたもので、第５図ａで示した加圧
ヘッドと同様に加圧チップ58の球面部分がローリング
し、LSIチップ26のバンプ27を均等に加圧するものであ
る。この様に、本発明による、接続装置を用いることに
より、一台の装置で回路基板のLSIチップの実装がで
き、設備費が非常に安く、低コストな実装を提供するこ
とができる。
域に、穴を有した金属製の配線基板設置ステージ18上に
設置されており、XYテーブル19により移動する。次にチ
ップアライメント用カメラ11により、ガラスステージ９
の下から配線基板29の導体配線30とLSIチップ26のバン
プ27を、モニター１に映し出す。次に、操作パネル14に
設けたマニュブレータ20を操作し、アライメントロボッ
ト４をX,Y,θ方向に移動させ、LSIチップ26のバンプ27
と、配線基板29の導体配線30の位置合わせを行う。位置
合わせが完了した時点でLSIチップ26のバンプ27が、導
体配線30に接触するまでアライメントロボット４が下降
し、その後LSIチップ26の保持の為の真空を解除し、ア
ライメントロボット４は上昇し、元の位置までもどる。
この時、第２図ｆに示す様に、LSIチップ26の表面又は
基板29上に塗布していたUV樹脂28は、LSIチップ26の周
囲にまで広がるとともに、LSIチップ26はUV樹脂28の粘
性により、配線基板29に仮固定される。次に、配線基板
設置ステージ18は、XYテーブル19の制御により移動し、
配線基板29上にあるLSIチップ26は、加圧ツール24の真
下まで移動する。この時、LSIチップ26と加圧ツール24
の位置精度は、XYテーブル19の精度及びLSIチップ26と
配線基板29の位置合わせ精度が加算されたものとなり、
約±数μｍ程度である。次にステッピングモータ21を駆
動させ、加圧ツール24の底面がLSIチップ26の裏面に接
触するまで下降させる。接触した後は、所定の加重がLS
Iチップ26に加わる様、更にステッピングモータを駆動
させ加圧ばね22を所定量縮める。この時、第２図ｈに示
す様に、LSIチップ26のバンプ27と導体配線30の間からU
V樹脂28は完全に排出される。次に第２図ｈに示す様にL
SIチップを加圧ツール24で加圧した状態で、UV樹脂28に
UV線31を照射しUV樹脂28を硬化させる。この時、UV樹脂
28には硬化収縮力が作用し、後に加圧を取り去っても、
LSIチップ26のバンプ27と導体配線30は常に接触した状
態を保持する。UV線31の照射は、第１図に示すUV光源７
で得たUV線を光ファイバー23にてガラスステージ９の下
側まで伝送して行う。次に、第２図ｉに示す様に、UV線
31の照射が終了したと同時に、加圧ツール24が上昇し、
LSIチップ26への加圧が解除され、LSIチップ26と配線基
板29との接続が完了する。以上の動作を、自動で実施で
きる様、制御回路により制御するものであり、生産タク
トを向上させる為に、投入コレット３は、LSIチップ26
をアライメントロボット４に、移し変えた後はすぐに次
に搭載するLSIチップを吸着し、アライメントロボット
４にLSIチップを移し変える位置まで移動する。また、
アライメントロボット４は、配線基板29にLSIチップ26
を搭載した後はもとの位置までもどり、投入コレット３
が運んできたLSIチップ26を受けとり、後は、同様の動
作を行うものである。また、本実施例では、LSIチップ
１チップ毎に加圧を行う方法について述べたが、複数の
LSIチップ26を配線基板29にUV樹脂の粘性により仮固定
した後、複数のLSIチップ26を同時に加圧し、UV照射す
ることも可能である。また、LSIチップ26と配線基板29
の位置合わせは、自動認識装置を付加することにより、
自動で行うことができる。また、配線基板29のガラスス
テージへの設置及び取り出しも、自動搬送装置を付加す
ることにより、容易に自動化ができる。そして、更に、
配線基板29がセラミック等の不透明な場合は、光ファイ
バー23を加圧ツール24の付近に設置し、LSIチップ26の
側面から光照射することにより、容易にUV樹脂の硬化を
行うことができる。次に、本発明の接続装置の配線基板
設置ステージ18,加圧ユニット6,加圧ツール24の例につ
いて、第４図〜第６図とともに説明する。まず、ガラス
ステージについて第４図とともに説明する。第４図は、
第１図の接続装置全体図で示したガラスステージ９及び
配線基板設置ステージ18のａ−ａ′断面図である。ステ
ンレス等よりなる配線基板設置ステージ18に光透過率が
良好な石英よりなるガラスステージ９を設置する。ガラ
スステージ９は止め具60により配線基板設置ステージ18
に固定する。配線基板29は、ガラスステージ29に形成し
た真空孔33と配線基板設置ステージ18に形成した真空溝
34を用いて真空により固定される。配線基板設置ステー
ジ18は、ガラスステージ９を設置した部分と反対の部分
18′でXYステージに固定される。UV線の照射は配線基板
設置ステージ18に形成した照射孔35から、ガラスステー
ジ９を通して配線基板29まで到達させる。次に、加圧ユ
ニット（第１図で示す６の部分）について第５図ととも
に説明する。まずステッピングモータ21が駆動されるこ
とにより、ボールねじ37が回転し、ボールねじ37に固定
された駆動ヘッド38が下降する。それに伴い、駆動ヘッ
ド38に連結された第１のしゅう動板43が本体36に固定さ
れた第１のリニアガイド45に支持されながら下降する。
次に、第１のしゅう動板43が下降することにより、加工
爪39が受部40に接触し、第３のしゅう動板となる加圧ヘ
ッド５は、第３のリニアガイド41に支持されながら下降
し、加圧ツール24の下面は、LSIチップ26の裏面に接触
する。その後、ステッピングモータ21が更に駆動される
ことにより、加圧ばね22が圧縮され、加圧ばね22の反発
力がLSIチップ26に負荷され、所定の加重を加える。ス
テッピングモータ21の回転数を制御することにより、LS
Iチップ26に対する加重を任意にコントロールすること
ができ加重範囲は、0.1〜60Kg程度である。また、ステ
ッピングモータ21の回転スピードをコントロールし、加
圧ツール24がLSIチップ26に接触する直前までは、速い
スピードで下降させ、その後は、下降スピードをゆるめ
ることにより、LSIチップ26への衝撃加重をなくすこと
ができる。次に、加圧ツールを第６図a,bとともに説明
する。まず、LSIチップ26が長方形の場合は、第５図ａ
の加圧ツールを用い、LSIチップ26が正方形の場合は第
５図ｂの加圧ツールを用いる。まず、第５図ａに示した
ものは超鋼等よりなる加圧ステップ52のアールをもった
面もほぼ中央にシャフト48が固定され、シャフト48は加
圧チップ受け50の孔51に挿入され、つり上げばね47とは
ねどめ46により、加圧チップ52が加圧チップ受け50に支
持されているもので、加圧チップ受け50の上面部49が加
圧ヘッド（第１図に示す５）に取付けられるものであ
る。加圧チップ52の下面部52′は、LSIチップ26と接触
する部分でその反対面はアール状になっており、アール
状の部分は加圧チップ受け50と線で接触している。LSI
チップ26の長辺方向の平行度が加圧チップ52とずれてい
る場合は、加圧チップ52がLSIチップ26に接続した瞬間
に加圧チップ52のアール状の部分がローリングし、加圧
チップ52の下面部52′は、LSIチップ26の裏面に均等に
接触し、LSIチップ26のバンプ27は均等に加圧される。
また、第５図ｂに示した加圧ツールは、半球状の加圧チ
ップ58の球面部分の中央にシャフト56が取り付けられ、
加圧チップ受け53の孔57にシャフト56が挿入され、つり
上げばね55とばねどめ54により、加圧チップ58が加圧チ
ップ受け57に支持されたもので、第５図ａで示した加圧
ヘッドと同様に加圧チップ58の球面部分がローリング
し、LSIチップ26のバンプ27を均等に加圧するものであ
る。この様に、本発明による、接続装置を用いることに
より、一台の装置で回路基板のLSIチップの実装がで
き、設備費が非常に安く、低コストな実装を提供するこ
とができる。
発明の効果 本発明による接続装置は次に示す効果がある。
（１）LSIチップを光硬化性の絶縁性樹脂（UV樹脂）の
みで、回路基板に接続する為、接続ピッチを非常に小さ
くすることができ、かつ、従来のように、加熱や超音波
の機構を必要としない為、構成部品の劣化が少なく、ま
た、設備の価格を非常に安くした状態で高密度な実装が
できる。
みで、回路基板に接続する為、接続ピッチを非常に小さ
くすることができ、かつ、従来のように、加熱や超音波
の機構を必要としない為、構成部品の劣化が少なく、ま
た、設備の価格を非常に安くした状態で高密度な実装が
できる。
（２）１台の設備で、LSIチップの回路基板への実装が
可能である為、実装に要する設備費が安く、低コストな
実装が実現できる。
可能である為、実装に要する設備費が安く、低コストな
実装が実現できる。
（３）本発明の接続装置では、回路基板を設置するステ
ージにガラスを用いることにより、平面度が非常に良好
となり、LSIチップの加圧の際に、LSIチップと加圧ツー
ルの平行度が非常に良好となる為、バンプは均等に加圧
され、歩留りが向上する。
ージにガラスを用いることにより、平面度が非常に良好
となり、LSIチップの加圧の際に、LSIチップと加圧ツー
ルの平行度が非常に良好となる為、バンプは均等に加圧
され、歩留りが向上する。
（４）本発明の接続装置の加圧ユニットは、ステッピン
グモータと加圧ばねにより、LSIチップへの加圧を行っ
ている為、加圧ヘッドの下降スピードのコントロール
は、ステッピングモータの回転数を制御盤の操作で変え
ることにより容易に行うことができ、機種きりかえにと
もなうLSIチップや配線基板の厚みの変化に対して即座
に対応でき、生産性が向上する。また、加重設定の範囲
を、最小値から最大値で約600倍と非常に大きくとれる
為、電極数の異なるLSIへの機種きりかえが非常に容易
になり生産性が大きく向上する。
グモータと加圧ばねにより、LSIチップへの加圧を行っ
ている為、加圧ヘッドの下降スピードのコントロール
は、ステッピングモータの回転数を制御盤の操作で変え
ることにより容易に行うことができ、機種きりかえにと
もなうLSIチップや配線基板の厚みの変化に対して即座
に対応でき、生産性が向上する。また、加重設定の範囲
を、最小値から最大値で約600倍と非常に大きくとれる
為、電極数の異なるLSIへの機種きりかえが非常に容易
になり生産性が大きく向上する。
（５）加圧ツールに、ローリング機構を用いることがで
き、LSIチップへのバンプへの加重が常に均等に負荷さ
れ非常に品質が安定する。以上のように本発明により、
高品質で高密度かつ低コストのLSI実装を実現でき、LSI
実装の工業的価値増大に寄与する。
き、LSIチップへのバンプへの加重が常に均等に負荷さ
れ非常に品質が安定する。以上のように本発明により、
高品質で高密度かつ低コストのLSI実装を実現でき、LSI
実装の工業的価値増大に寄与する。
第１図は半導体素子接続装置の一実施例の全体概略図、
第２図は本発明に基づく工程別断面図、第３図は規制ツ
ール部の拡大斜視図、第４図は配線基板設置ステージ部
の詳細断面図、第５図は加圧ユニット部の詳細斜視図、
第６図は加圧ツール部の斜視図，断面図、第７図は本発
明において基板側に樹脂を塗布する場合の断面図、第８
図は従来のボンディング技術の断面図、第９図はマイク
ロバンプボンディング方式の工程断面図である。 １……モニター、２……チップトレー、３……投入コレ
ット、４……アライメントロボット、５……加圧ヘッ
ド、６……加圧ユニット、７……UV光源、９……ガラス
ステージ、10……光ファイバー支持棒、11……チップア
ライメント用カメラ、12……UV樹脂供給ユニット、13…
…制御ボックス部、14……操作パネル、15……チップ供
給ステージ、16……チップハンドリングユニット、17…
…規制ツール、18……配線基板設置ステージ、19……XY
ステージ、20……マニュプレータ、21……ステッピング
モータ、22……加圧ばね、23……光ファイバー、24……
加圧ツール、29……配線基板、32……ビス、33……真空
孔、34……真空溝、35……照射孔、36……本体、37……
ボールねじ、38……駆動ヘッド、39……加圧爪、40……
受部、41……第３のリニアガイド、42……第２のしゅう
動板、43……第１のしゅう動板、44……第２のリニアガ
イド、45……第１のリニアガイド、46,54……ばね止
め、47,55……つり上げばね、48,56……シャフト、49,5
3′……加圧チップ受けの上面部、50,53……加圧チップ
受け、51,57……孔、52,58……加圧チップ、60……止め
具。
第２図は本発明に基づく工程別断面図、第３図は規制ツ
ール部の拡大斜視図、第４図は配線基板設置ステージ部
の詳細断面図、第５図は加圧ユニット部の詳細斜視図、
第６図は加圧ツール部の斜視図，断面図、第７図は本発
明において基板側に樹脂を塗布する場合の断面図、第８
図は従来のボンディング技術の断面図、第９図はマイク
ロバンプボンディング方式の工程断面図である。 １……モニター、２……チップトレー、３……投入コレ
ット、４……アライメントロボット、５……加圧ヘッ
ド、６……加圧ユニット、７……UV光源、９……ガラス
ステージ、10……光ファイバー支持棒、11……チップア
ライメント用カメラ、12……UV樹脂供給ユニット、13…
…制御ボックス部、14……操作パネル、15……チップ供
給ステージ、16……チップハンドリングユニット、17…
…規制ツール、18……配線基板設置ステージ、19……XY
ステージ、20……マニュプレータ、21……ステッピング
モータ、22……加圧ばね、23……光ファイバー、24……
加圧ツール、29……配線基板、32……ビス、33……真空
孔、34……真空溝、35……照射孔、36……本体、37……
ボールねじ、38……駆動ヘッド、39……加圧爪、40……
受部、41……第３のリニアガイド、42……第２のしゅう
動板、43……第１のしゅう動板、44……第２のリニアガ
イド、45……第１のリニアガイド、46,54……ばね止
め、47,55……つり上げばね、48,56……シャフト、49,5
3′……加圧チップ受けの上面部、50,53……加圧チップ
受け、51,57……孔、52,58……加圧チップ、60……止め
具。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 和也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 竹田 公彰 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】回路基板を設置する第１のステージ，半導
体素子を設置する第２のステージ，前記半導体素子の固
着に用いる光硬化性の絶縁性樹脂の収納容器，前記半導
体素子を真空吸着する為の真空コレット，前記半導体素
子の電極と前記回路基板の導体配線を位置合わせする為
のカメラとモニターテレビ，前記半導体素子を加圧する
加圧ユニット，前記絶縁性樹脂を硬化する光照射機構，
これらを制御する制御部を有し、前記制御部により前記
第１のステージ，前記第２のステージ，前記カメラ，前
記真空コレットの移動，前記加圧ユニットの加重，前記
光照射機構の照射時間を制御することにより、前記半導
体素子を前記回路基板に前記絶縁性樹脂により固着し、
前記半導体素子の電極と前記回路基板の導体配線を電気
的に接続することを特徴とする半導体素子接続装置。 - 【請求項２】第１のステージは、金属プレートの第１の
主面に第１の凹部を有し、前記第１の凹部の底部に溝及
び前記第１の凹部より小さい面積の貫通孔を有し、第２
の主面には前記第１の凹部を含み前記第１の凹部と同等
以上の面積を有した第２の凹部を有し、前記第１の凹部
に前記溝と一致する位置に孔を有した透明板を有したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体素子
接続装置。 - 【請求項３】透明板が石英ガラスであることを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の半導体素子接続装置。 - 【請求項４】加圧ユニットは、ステッピングモータ，ボ
ールねじ，第1,第2,第３のリニアガイド及びそれぞれの
しゅう動板，加圧ヘッド，加圧ばね，加圧ヘッドつり上
げ用ばねを備え、前記ステッピングモータ及び前記第1,
第３のリニアガイドが本体に固定され、前記第１のリニ
アガイドのしゅう動板に前記第２のリニアガイドが固定
され、前記第２のリニアガイドのしゅう動板の上部に第
１のシャフト及びこの第１のシャフトにはめ込まれた前
記加圧ばねを有し、前記第３のリニアガイドのしゅう動
板の突出部に形成したガイド孔に前記加圧ヘッドの上部
に形成した先端部にばねどめを有した第２のシャフトが
挿入され、前記突出部と第２のシャフトのばねどめとの
間に前記加圧ヘッドつり上げ用ばねを有し、前記ステッ
ピングモータが駆動することにより、前記ボールねじが
回転下降し、前記第１のリニアガイドのしゅう動板，第
２のリニアガイドのしゅう動板，第３のリニアガイドの
しゅう動板が第１から第３の順序で下降し、前記加圧ヘ
ッドの下部が加圧物に接触し、その後、前記第１のリニ
アガイドのしゅう動板のみが下降し、前記加圧ばねを縮
めることにより、前記加圧物に加重を負荷することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体素子接続装
置。 - 【請求項５】加圧ツールは、半球状で平面部を加圧面と
しかつこの球面部に平面に対し垂直方向にシャフトを有
した加圧チップと、前記加圧チップの半球部の半径より
大きいほぼ半球の凹部を有し、この凹部の最底部に前記
加圧チップのシャフトの径より大きい貫通孔を有した加
圧チップ受けを備え、前記加圧チップのシャフトが前記
加圧チップ受けの貫通孔に挿入され、前記シャフトの前
記貫通孔からの突出部にコイルばねがはめ込まれ、前記
シャフトの先端部に、前記コイルばねの径より大きい止
め具を設置することにより、前記加圧チップが前記加圧
チップ受けに固定されたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体素子接続装置。 - 【請求項６】加圧ツールは、半円柱状で十字状の平面部
を加圧面としかつ丸みを有した面に、前記加圧面に対し
垂直方向にシャフトを有した加圧チップと、底部に貫通
孔を有したＶ溝を有した加圧チップ受けを備え、前記加
圧チップのシャフトが前記加圧チップ受けの貫通孔に挿
入され、前記シャフトの前記貫通孔からの突出部にコイ
ルばねがはめ込まれ、前記シャフトの先端部に、前記コ
イルばねの径より大きい止め具を設置することにより、
前記加圧チップが前記加圧チップ受けに固定されたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体素子接
続装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1298239A JPH0680704B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-11-16 | 半導体素子接続装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7756689 | 1989-03-28 | ||
| JP1-77566 | 1989-03-28 | ||
| JP1298239A JPH0680704B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-11-16 | 半導体素子接続装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316148A JPH0316148A (ja) | 1991-01-24 |
| JPH0680704B2 true JPH0680704B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=26418644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1298239A Expired - Fee Related JPH0680704B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-11-16 | 半導体素子接続装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680704B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2709871B1 (fr) * | 1993-09-06 | 1995-10-13 | Commissariat Energie Atomique | Procédé d'assemblage de composants par hybridation et collage. |
-
1989
- 1989-11-16 JP JP1298239A patent/JPH0680704B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0316148A (ja) | 1991-01-24 |
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