JPH0680753B2 - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
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- JPH0680753B2 JPH0680753B2 JP60257190A JP25719085A JPH0680753B2 JP H0680753 B2 JPH0680753 B2 JP H0680753B2 JP 60257190 A JP60257190 A JP 60257190A JP 25719085 A JP25719085 A JP 25719085A JP H0680753 B2 JPH0680753 B2 JP H0680753B2
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- JP
- Japan
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- resin
- semiconductor device
- epoxy resin
- molecular weight
- polyethylene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
- H10W74/476—Organic materials comprising silicon
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は信頼性、特に耐湿信頼性に優れた樹脂封止半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
従来から、トランジスタ,IC,LSI等の半導体素子をプラ
スチツクパツケージで保護した樹脂封止半導体装置とし
て、プリント基板等にピンを挿入して実装するデュアル
・インライン・パツケージ（DIP）タイプのものが、賞
用されている。
スチツクパツケージで保護した樹脂封止半導体装置とし
て、プリント基板等にピンを挿入して実装するデュアル
・インライン・パツケージ（DIP）タイプのものが、賞
用されている。
しかしながら、近年、腕時計や電卓,VTRカメラ等の小形
高機能製品の開発の流れに伴い、半導体装置の高密度実
装化，薄形化が要求され、いわゆるフラツトパツケージ
タイプの表面実装型半導体装置が多用されるようになつ
てきている。
高機能製品の開発の流れに伴い、半導体装置の高密度実
装化，薄形化が要求され、いわゆるフラツトパツケージ
タイプの表面実装型半導体装置が多用されるようになつ
てきている。
上記表面実装型半導体装置は、従来のDIPタイプのもの
のようにリードピンだけを部分的に半田浸漬するもので
はなく、通常、半導体装置全体を260℃程度の半田浴に
浸漬したのち、プリント基板に接続，固定することによ
り実装を行うものである。
のようにリードピンだけを部分的に半田浸漬するもので
はなく、通常、半導体装置全体を260℃程度の半田浴に
浸漬したのち、プリント基板に接続，固定することによ
り実装を行うものである。
しかしながら、上記のように半導体装置全体を半田浴に
浸漬すると、半導体装置が室温から260℃というような
急激な温度変化を受けるため、熱衝撃によつてリードフ
レームと封止樹脂間に隙間を生じ、パツケージの耐湿性
が損なわれてしまう。
浸漬すると、半導体装置が室温から260℃というような
急激な温度変化を受けるため、熱衝撃によつてリードフ
レームと封止樹脂間に隙間を生じ、パツケージの耐湿性
が損なわれてしまう。
このような問題を解決するため、ポリシロキサンを含有
させたエポキシ樹脂組成物が提案されている（特開昭58
−137804号）。しかしながら、このような樹脂組成物で
は、表面実装型の半導体装置には充分適応できないのが
実情であり、その改善が望まれている。
させたエポキシ樹脂組成物が提案されている（特開昭58
−137804号）。しかしながら、このような樹脂組成物で
は、表面実装型の半導体装置には充分適応できないのが
実情であり、その改善が望まれている。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、
半田浸漬後の耐湿性に優れた樹脂封止半導体装置の提供
をその目的とするものである。
半田浸漬後の耐湿性に優れた樹脂封止半導体装置の提供
をその目的とするものである。
上記の目的を達成するため、この発明の樹脂封止半導体
装置は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有し、さらに分
子量1000以上のポリエチレンを主成分とする撥水剤が含
有されているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止するという構成をとる。
装置は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有し、さらに分
子量1000以上のポリエチレンを主成分とする撥水剤が含
有されているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止するという構成をとる。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フエノール樹脂。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）オルガノポリシロキサン。
すなわち、本発明者らは、半田浸漬後においても優れた
耐湿性を発揮する樹脂封止半導体装置を開発するため、
一連の研究を重ねた結果、オルガノポリシロキサンとポ
リエチレンを併用し、かつ上記ポリエチレンとして分子
量1000以上のものを用いると、所期の目的を達成しうる
ことを見いだしこの発明に到達したのである。
耐湿性を発揮する樹脂封止半導体装置を開発するため、
一連の研究を重ねた結果、オルガノポリシロキサンとポ
リエチレンを併用し、かつ上記ポリエチレンとして分子
量1000以上のものを用いると、所期の目的を達成しうる
ことを見いだしこの発明に到達したのである。
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
と、フエノール樹脂と、硬化促進剤と、オルガノポリシ
ロキサンと、ポリエチレンとを用いて得られるものであ
つて、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレツト
状になつている。
と、フエノール樹脂と、硬化促進剤と、オルガノポリシ
ロキサンと、ポリエチレンとを用いて得られるものであ
つて、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレツト
状になつている。
上記Ａ成分となるエポキシ樹脂は、特に制限するもので
はなく、クレゾールノボラツク型，フエノールノボラツ
ク型やビスフエノールＡ型等，従来から半導体装置の封
止樹脂として用いられている各種のエポキシ樹脂があげ
られる。これらの樹脂のなかでも、融点が室温を超えて
おり、室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈す
るものを用いることが好結果をもたらす。ノボラツク型
エポキシ樹脂としては、通常エポキシ当量160〜250,軟
化点50〜130℃のものが用いられ、クレゾールノボラツ
ク型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量180〜210,軟
化点60〜110℃のものが一般に用いられる。
はなく、クレゾールノボラツク型，フエノールノボラツ
ク型やビスフエノールＡ型等，従来から半導体装置の封
止樹脂として用いられている各種のエポキシ樹脂があげ
られる。これらの樹脂のなかでも、融点が室温を超えて
おり、室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈す
るものを用いることが好結果をもたらす。ノボラツク型
エポキシ樹脂としては、通常エポキシ当量160〜250,軟
化点50〜130℃のものが用いられ、クレゾールノボラツ
ク型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量180〜210,軟
化点60〜110℃のものが一般に用いられる。
上記エポキシ樹脂と共に用いられる、Ｂ成分のフエノー
ル樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するも
のであり、フエノールノボラツク，クレゾールノボラツ
ク等が好適に用いられる。これらノボラツク樹脂は、軟
化点が50〜110℃，水酸基当量が70〜150のものを用いる
ことが好ましい。特に上記ノボラツク樹脂のなかでもク
レゾールノボラツクを用いることが好結果をもたらす。
ル樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するも
のであり、フエノールノボラツク，クレゾールノボラツ
ク等が好適に用いられる。これらノボラツク樹脂は、軟
化点が50〜110℃，水酸基当量が70〜150のものを用いる
ことが好ましい。特に上記ノボラツク樹脂のなかでもク
レゾールノボラツクを用いることが好結果をもたらす。
フエノール樹脂と共に用いられるＣ成分の硬化促進剤と
しては従来から用いられている各種の硬化促進剤があげ
られ、単独でもしくは併せて用いることができる。この
種の硬化促進剤として、下記の三級アミン，四級アンモ
ニウム塩，イミダゾール類およびホウ素化合物を好適な
例としてあげることができる。
しては従来から用いられている各種の硬化促進剤があげ
られ、単独でもしくは併せて用いることができる。この
種の硬化促進剤として、下記の三級アミン，四級アンモ
ニウム塩，イミダゾール類およびホウ素化合物を好適な
例としてあげることができる。
三級アミン トリエタノールアミン、テトラメチルヘキサンジアミ
ン、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ジメチ
ルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、2,4,
6−（ジメチルアミノメチル）フエノール、N,N′−ジメ
チルピペラジン、ピリジン、ピコリン、1,8−ジアザ−
ビシクロ（5,4,0）ウンデセン−７、ベンジルジメチル
アミン、２−（ジメチルアミノ）メチルフエノール 四級アンモニウム塩 ドデシルトリメチルアンモニウムアイオダイド、セチル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラブチルアンモニウムクロライド、ステアリルトリ
メチルアンモニウムクロライド イミダゾール類 ２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾー
ル、２−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチ
ルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイ
ミダゾール ホウ素化合物 テトラフエニルボロン、テトラフエニルボレート、Ｎ−
メチルモルホリンテトラフエニルボレート、 上記Ｄ成分としては、下記の一般式（Ｉ）〜（III）で
表されるオルガノポリシロキサンがあげられ、単独でも
しくは併せて使用される。
ン、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ジメチ
ルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、2,4,
6−（ジメチルアミノメチル）フエノール、N,N′−ジメ
チルピペラジン、ピリジン、ピコリン、1,8−ジアザ−
ビシクロ（5,4,0）ウンデセン−７、ベンジルジメチル
アミン、２−（ジメチルアミノ）メチルフエノール 四級アンモニウム塩 ドデシルトリメチルアンモニウムアイオダイド、セチル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラブチルアンモニウムクロライド、ステアリルトリ
メチルアンモニウムクロライド イミダゾール類 ２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾー
ル、２−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチ
ルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイ
ミダゾール ホウ素化合物 テトラフエニルボロン、テトラフエニルボレート、Ｎ−
メチルモルホリンテトラフエニルボレート、 上記Ｄ成分としては、下記の一般式（Ｉ）〜（III）で
表されるオルガノポリシロキサンがあげられ、単独でも
しくは併せて使用される。
このようなオルガノポリシロキサンの含有量は、エポキ
シ樹脂組成物中の有機成分に対して２〜50重量％の範囲
内に設定することができ、さらに好ましくは５〜30重量
wt％の範囲内である。
シ樹脂組成物中の有機成分に対して２〜50重量％の範囲
内に設定することができ、さらに好ましくは５〜30重量
wt％の範囲内である。
上記（Ａ）〜（Ｄ）成分と共に用いられる撥水剤は、分
子量1000以上のポリエチレンを主成分とするものであ
り、特に、分子量10000〜100000のポリエチレンを主成
分とする撥水剤が好結果をもたらす。ここで主成分とす
るとは、全体が主成分からなる場合も含める趣旨であ
る。分子量1000未満のポリエチレンを主成分とするもの
では、樹脂封止半導体装置の耐湿性が充分向上せず、こ
の発明の目的を達成することができない。ここで、上記
分子量は、ポリスチレンを基準物質とし、展開溶媒とし
てテトラヒドロフランを用いるゲルパーミエーシヨンク
ロマトグラフイーにより求めた重量平均分子量を示して
いる。上記撥水剤の使用量は、エポキシ樹脂組成物全体
の0.1〜1.5重量％（以下「％」と略す）に設定すること
が好適であり、より好適なのは0.3〜１％の範囲内であ
る。撥水剤の使用量が0.1％未満になると、樹脂封止半
導体装置の耐湿性が充分向上せず、逆に1.5％を超える
と樹脂封止半導体装置の外観が悪くなると同時に表面印
捺がしにくくなる傾向がみられるからである。
子量1000以上のポリエチレンを主成分とするものであ
り、特に、分子量10000〜100000のポリエチレンを主成
分とする撥水剤が好結果をもたらす。ここで主成分とす
るとは、全体が主成分からなる場合も含める趣旨であ
る。分子量1000未満のポリエチレンを主成分とするもの
では、樹脂封止半導体装置の耐湿性が充分向上せず、こ
の発明の目的を達成することができない。ここで、上記
分子量は、ポリスチレンを基準物質とし、展開溶媒とし
てテトラヒドロフランを用いるゲルパーミエーシヨンク
ロマトグラフイーにより求めた重量平均分子量を示して
いる。上記撥水剤の使用量は、エポキシ樹脂組成物全体
の0.1〜1.5重量％（以下「％」と略す）に設定すること
が好適であり、より好適なのは0.3〜１％の範囲内であ
る。撥水剤の使用量が0.1％未満になると、樹脂封止半
導体装置の耐湿性が充分向上せず、逆に1.5％を超える
と樹脂封止半導体装置の外観が悪くなると同時に表面印
捺がしにくくなる傾向がみられるからである。
なお、この発明で用いるエポキシ樹脂組成物には、上記
ポリエチレンを主成分とする撥水剤と共に、カルナバワ
ツクス等のワツクス類を併用することができるし、また
必要に応じて、上記の原料以外に、無機質充填剤，三酸
化アンチモン，リン系化合物等の難燃剤や顔料，シラン
カツプリング剤等のカツプリング剤を用いることができ
る。上記無機質充填剤としては特に限定するものではな
く、一般に用いられる石英ガラス粉末，タルク，シリカ
粉末，アルミナ粉末等が適宜に用いられる。
ポリエチレンを主成分とする撥水剤と共に、カルナバワ
ツクス等のワツクス類を併用することができるし、また
必要に応じて、上記の原料以外に、無機質充填剤，三酸
化アンチモン，リン系化合物等の難燃剤や顔料，シラン
カツプリング剤等のカツプリング剤を用いることができ
る。上記無機質充填剤としては特に限定するものではな
く、一般に用いられる石英ガラス粉末，タルク，シリカ
粉末，アルミナ粉末等が適宜に用いられる。
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、従来公知の方
法で製造しうるものであり、これについてより詳しく述
べると、エポキシ樹脂と、フエノール樹脂と、オルガノ
ポリシロキサンと、分子量1000以上のポリエチレンワツ
クスと、場合により無機質充填剤，顔料，カツプリング
剤その他の添加剤を適宜配合し、この配合物をミキシン
グロール機等の混練機にかけて加熱状態で混練して半硬
化状の樹脂組成物とし、これを室温に冷却したのち公知
の手段によつて粉砕し、必要に応じて打錠することによ
り目的とするエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
法で製造しうるものであり、これについてより詳しく述
べると、エポキシ樹脂と、フエノール樹脂と、オルガノ
ポリシロキサンと、分子量1000以上のポリエチレンワツ
クスと、場合により無機質充填剤，顔料，カツプリング
剤その他の添加剤を適宜配合し、この配合物をミキシン
グロール機等の混練機にかけて加熱状態で混練して半硬
化状の樹脂組成物とし、これを室温に冷却したのち公知
の手段によつて粉砕し、必要に応じて打錠することによ
り目的とするエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は特に限定するものではなく、通常の方法、例えば
トランスフアー成形等の公知のモールド方法により行う
ことができる。
封止は特に限定するものではなく、通常の方法、例えば
トランスフアー成形等の公知のモールド方法により行う
ことができる。
このようにして得られる半導体装置は、優れた信頼性、
特に半田浸漬後の耐湿性に優れている。
特に半田浸漬後の耐湿性に優れている。
この発明は、分子量1000以上のポリエチレンを主成分と
する撥水剤と、オルガノポリシロキサンとを併用するエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することを
最大の特徴とするものであり、上記オルガノポリシロキ
サンの作用により、装置全体を半田浴に浸漬する等の熱
衝撃時に生じる応力ひずみが大幅に低減された素子と硬
化樹脂との界面剥離が抑制されるようになる。そのう
え、組成物中の上記ポリエチレン撥水剤が樹脂封止時の
加熱または半田浸漬時の温度によつて溶融し素子表面を
被覆保護した状態になるため、仮にパツケージと素子と
の間に隙間を生じても、撥水剤の撥水効果によつて水分
の侵入が阻止される。すなわち、この発明によれば、上
記の効果により、半導体阻止を封止した際の耐湿信頼性
を極めて高くしうるのであり、プラスチツクパツケージ
の小形・薄形化ならびにパツケージの表面実装の際の熱
衝撃等に充分対応しうるのである。
する撥水剤と、オルガノポリシロキサンとを併用するエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することを
最大の特徴とするものであり、上記オルガノポリシロキ
サンの作用により、装置全体を半田浴に浸漬する等の熱
衝撃時に生じる応力ひずみが大幅に低減された素子と硬
化樹脂との界面剥離が抑制されるようになる。そのう
え、組成物中の上記ポリエチレン撥水剤が樹脂封止時の
加熱または半田浸漬時の温度によつて溶融し素子表面を
被覆保護した状態になるため、仮にパツケージと素子と
の間に隙間を生じても、撥水剤の撥水効果によつて水分
の侵入が阻止される。すなわち、この発明によれば、上
記の効果により、半導体阻止を封止した際の耐湿信頼性
を極めて高くしうるのであり、プラスチツクパツケージ
の小形・薄形化ならびにパツケージの表面実装の際の熱
衝撃等に充分対応しうるのである。
つぎに、実施例について、比較例と併せて説明する。
〔実施例１〜７、比較例１〜３〕 まず、各原料を後記の第１表に示す組成で配合し、この
配合物を120℃の熱ロールで５分間混練したのち冷却後
粉砕し、粉末状組成物とした。ついで、得られた粉末状
組成物を用い、リニアICを８ピンSOP（Small Outline
Package）に、圧力70kg/cm2,温度175℃，時間２分の
条件でトランスフアー成形して形成した。
配合物を120℃の熱ロールで５分間混練したのち冷却後
粉砕し、粉末状組成物とした。ついで、得られた粉末状
組成物を用い、リニアICを８ピンSOP（Small Outline
Package）に、圧力70kg/cm2,温度175℃，時間２分の
条件でトランスフアー成形して形成した。
つぎに、得られた樹脂封止半導体装置を、温度85℃，湿
度85％RHの雰囲気中に入れてパツケージを吸湿させた
後、半田浸漬し（260℃×10S）、121℃×100％RHのプレ
ツシヤークツカーテスト（PCT）を行つた結果、第１表
に示すような平均寿命（MTTF）が得られた。
度85％RHの雰囲気中に入れてパツケージを吸湿させた
後、半田浸漬し（260℃×10S）、121℃×100％RHのプレ
ツシヤークツカーテスト（PCT）を行つた結果、第１表
に示すような平均寿命（MTTF）が得られた。
第１表の結果から、実施例品は半田浸漬後の耐湿性に著
しく優れていることがわかる。
しく優れていることがわかる。
これに対し、比較例1,2は、ポリエチレン撥水剤を用い
ていず、比較例３はポリエチレン撥水剤を用いているも
ののオルガノポリシロキサンと併用していないため、成
績が悪い。
ていず、比較例３はポリエチレン撥水剤を用いているも
ののオルガノポリシロキサンと併用していないため、成
績が悪い。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 63/00 ＮＫＢ Ｂ 8830−4Ｊ Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有し、さら
に分子量1000以上のポリエチレンを主成分とする撥水剤
が含有されているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素
子を封止してなる樹脂封止半導体装置。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フエノール樹脂。 （Ｃ）硬化促進剤。 （Ｄ）オルガノポリシロキサン。 - 【請求項２】撥水剤が分子量10000以上のものである特
許請求の範囲第１項記載の樹脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60257190A JPH0680753B2 (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60257190A JPH0680753B2 (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62115849A JPS62115849A (ja) | 1987-05-27 |
| JPH0680753B2 true JPH0680753B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=17302927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60257190A Expired - Lifetime JPH0680753B2 (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680753B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0753791B2 (ja) * | 1987-09-04 | 1995-06-07 | 東レ株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物 |
| JPH0676539B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1994-09-28 | 東レ株式会社 | 半導体封止用エポキシ含有組成物 |
| JP4513172B2 (ja) * | 2000-05-26 | 2010-07-28 | 宇部興産株式会社 | Ｐｚｔ系結晶膜素子およびその製造方法 |
| JP2011199160A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP60257190A patent/JPH0680753B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62115849A (ja) | 1987-05-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |