JPH0680762B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0680762B2
JPH0680762B2 JP63007389A JP738988A JPH0680762B2 JP H0680762 B2 JPH0680762 B2 JP H0680762B2 JP 63007389 A JP63007389 A JP 63007389A JP 738988 A JP738988 A JP 738988A JP H0680762 B2 JPH0680762 B2 JP H0680762B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
semiconductor device
substrate
connection
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63007389A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63193553A (ja
Inventor
ハインツ、アマン
レオ、ローレンツ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of JPS63193553A publication Critical patent/JPS63193553A/ja
Publication of JPH0680762B2 publication Critical patent/JPH0680762B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
    • H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/501—Inductive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/611—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers for connecting multiple chips together
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
    • H10W70/65—Shapes or dispositions of interconnections
    • H10W70/658—Shapes or dispositions of interconnections for devices provided for in groups H10D8/00 - H10D48/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
    • H10W72/5475—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to common bond pads at both ends of the wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
    • H10W72/926—Multiple bond pads having different sizes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/936—Multiple bond pads having different shapes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、絶縁基板と、この絶縁基板上に配置されて電
気的に互いに分離された少なくとも２つの導体路と、接
触を有する少なくとも１つの半導体基体と、前記接触と
導体路との間を接続する電気的接続部と、それぞれ１つ
が前記両導体路の１つに電気的に接続された接続導体と
を備えた半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
この種の半導体装置は本件出願人により既に特願昭62−
263642号にて提案されている。この既提案の実施例にお
いては、負荷電流を案内する接続導体は基板の互いに対
向する端部に配置されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
従って、接続導体は負荷回路内に比較的高いインダクタ
ンスを形成し、そのために急勾配の負荷電流でもって半
導体装置をターンオフする際、半導体デバイスを破壊さ
せるような高電圧が誘起される。
本発明は、主電流回路のインダクタンスを減少させるこ
とを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この目的を達成するために、本発明は、接続導体は接近
して一緒にかつ少なくとも一部分が互いに平行に配置さ
れることを特徴とする。
本発明の実施態様は特許請求の範囲第２項以下に記載さ
れている。
〔実施例〕
次に、本発明を図面に示された実施例に基づいて詳細に
説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示す斜視図、第２図は本
発明の第２実施例を示す平面図である。
第１図に示された半導体装置は基板１上に構成されてい
る。基板は良絶縁性で熱良導性の材料、例えば酸化アル
ミニウムまたは酸化ベリリウムから成る。基板上には導
体路2,3,4および５が設けられている。導体路2,3はＵ字
形に形成されており、導体路２内に導体路３が入れられ
ている。導体路３上には半導体基体６が設けられ、導体
路と電気的に接続されている。この半導体基体は例えば
パワーMOSFETまたはパイポーラトランジスタである。こ
の場合には、半導体基体はMOSFETであるとする。半導体
基体６は導体路３とは反対側の面にゲート接触７および
ソース接触８を有している。ドレイン接触は下面に位置
して、導体路３に接続されている。ゲート接触７はボン
ディングワイヤ13を介して導体路４に接続されている。
ソース接触８はボンディングワイヤ９を介して導体路２
に接続されている。さらに、ソース接触８はボンディン
グワイヤ10を介して第４の導体路５に接続されている。
導体路2,3は負荷回路内のインダクタンスを出来る限り
僅かにするという理由から接近して一緒に配置されてい
る。しかしながら、それらの間隔は必要な絶縁耐力が保
証されるような大きさである。さらに、導体路2,3は互
いに平行に位置している。両Ｕ字形導体路2,3の同様に
互いに平行に位置する横桁上には、それぞれ１つの接続
導体11,12が設けられている、例えばろう付けされてい
る。接続導体11,12は外部導線への接続に供される接続
面14,15に到るまで互いに平行である。それらの間隔ａ
は両導体路2,3間の間隔と同様に、絶縁耐力が保証され
る範囲で出来る限り小さく選定されている。
上述した構成によれば、主電流回路のインダクタンスは
冒頭で述べた既提案の半導体装置に比較して約半分とな
る。従って、電流をターンオフする際に発生する誘導電
圧も同様に半分になる。
導体路４および導体路５はゲート端子17およびソース補
助端子16にそれぞれ接続されている。MOSFETは端子16,1
7間に印加された電圧によって制御される。制御回路は
従って誘導的には充分に負荷回路から減結合されてお
り、それゆえ負荷電流の増大は半導体装置のターンオン
特性に僅かしか影響しない。
接続導体11,12間の間隔ａが僅かであるにも拘わらず存
在するインダクタンスは、接続導体間の中間空間に、比
誘電率が１よりも大きい誘電体を充填することによって
部分的に補償することができる。この場合、コンデンサ
として使用可能な材料を使用することができる。誘電体
に加えて、または、誘電体に代えて、両接続導体間には
絶縁シートを配置することができる。
インダクタンスを僅かにするという理由から、接続導体
は出来る限り短くすることが推奨される。従って、接続
導体は基板１の表面に対して特に垂直に設けられる。
半導体装置が複数の半導体基体を有する場合には、第２
図に示されるように、接続導体11,12は基板１および導
体路2,3上に対称に配置される。第２図に示された実施
例においては、導体路2,3はそれぞれ対称軸線22に対し
て鏡面対称に形成された閉リングを構成している。同様
に、半導体基体６は導体路３上に対称軸線22に対して対
称に分散されている。接続導体11,12は対称軸線の両側
に配置されている。短絡を回避するために、接続導体11
は脚部18,19を有し、接続導体12は脚部20,21を有してい
る。半導体基体６はゲート接触７およびソース接触８が
同様に対称軸線22に対して対称となるように導体路３上
に配置されている。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例を示す斜視図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す平面図である。 １……基板、２〜５……導体路、６……半導体基体、７
……ゲート接触、８……ソース接触、9,10,13……ボン
ディングワイヤ、11,12……接続導体、14,15……接続
面、16……ソース補助端子、17……ゲート端子、18〜21
……脚部、22……対称軸線。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁基板と、この絶縁基板上に配置されて
    電気的に互いに分離された少なくとも２つの導体路と、
    接触を有する少なくとも１つの半導体基体と、前記接触
    と導体路との間を接続する電気的接続部と、それぞれ１
    つが前記両導体路の１つに電気的に接続された接続導体
    とを備えた半導体装置において、前記接続導体（11,1
    2）は接近して一緒にかつ少なくとも一部分が互いに平
    行に配置されることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】両導体路（2,3）は基板（１）の同一表面
    上に配置され、前記両導体路は互いに平行に位置し、接
    続導体は前記導体路の互いに隣接して平行に位置する部
    分に固定され、前記接続導体は基板表面上に直角に立設
    されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
    導体装置。
  3. 【請求項３】第１導体路（２）と第２導体路（３）とは
    それぞれ鏡面対称に形成され、半導体基体（６）は前記
    第２導体路（３）上に対称に分散して配置され、接続導
    体（11,12）は対称軸線（22）の両側で対応する導体路
    に接続されることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
    たは第２項記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】両接続導体間の空間には、比誘電率が１よ
    りも大きい誘電体が充填されることを特徴とする特許請
    求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１項に記載の半
    導体装置。
  5. 【請求項５】両接続導体（11,12）間には絶縁シートが
    配置されることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
    の半導体装置。
JP63007389A 1987-01-21 1988-01-14 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0680762B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3701650 1987-01-21
DE3701650.4 1987-01-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63193553A JPS63193553A (ja) 1988-08-10
JPH0680762B2 true JPH0680762B2 (ja) 1994-10-12

Family

ID=6319219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63007389A Expired - Lifetime JPH0680762B2 (ja) 1987-01-21 1988-01-14 半導体装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4907068A (ja)
EP (1) EP0277546B1 (ja)
JP (1) JPH0680762B2 (ja)
DE (1) DE3871968D1 (ja)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5210439A (en) * 1988-01-30 1993-05-11 Robert Bosch Gmbh Power transistor monolithic integrated structure
JPH0671063B2 (ja) * 1989-09-11 1994-09-07 株式会社東芝 大電力半導体装置
US5202578A (en) * 1989-09-11 1993-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Module-type semiconductor device of high power capacity
FR2652983B1 (fr) * 1989-10-11 1993-04-30 Alsthom Gec Montage en cascade d'etages de transistors en parallele realise en circuit hybride.
DE3937045A1 (de) * 1989-11-07 1991-05-08 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
JPH0724270B2 (ja) * 1989-12-14 1995-03-15 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US5731970A (en) * 1989-12-22 1998-03-24 Hitachi, Ltd. Power conversion device and semiconductor module suitable for use in the device
US5185097A (en) * 1989-12-29 1993-02-09 Canon Kabushiki Kaisha Polymeric liquid-crystalline compound, liquid-crystal composition containing it, and liquid-crystal drive
JP2585834B2 (ja) * 1990-04-11 1997-02-26 オークマ株式会社 インバータモジュール
US5038197A (en) * 1990-06-26 1991-08-06 Harris Semiconductor Patents, Inc. Hermetically sealed die package with floating source
DE4105155C2 (de) * 1991-02-20 1994-07-07 Export Contor Ausenhandelsgese Stromrichterschaltungsanordnung
DE4108154A1 (de) * 1991-03-14 1992-09-17 Telefunken Electronic Gmbh Elektronische baugruppe und verfahren zur herstellung von elektronischen baugruppen
USRE35807E (en) * 1991-04-16 1998-05-26 Iversen Arthur H Power semiconductor packaging
WO1994005040A1 (en) * 1992-08-24 1994-03-03 Iversen Arthur H Power semiconductor packaging
US5537074A (en) * 1993-08-24 1996-07-16 Iversen; Arthur H. Power semiconductor packaging
WO1992019013A1 (en) * 1991-04-16 1992-10-29 Arthur Iversen Power semiconductor packaging
US5172310A (en) * 1991-07-10 1992-12-15 U.S. Windpower, Inc. Low impedance bus for power electronics
US5579217A (en) * 1991-07-10 1996-11-26 Kenetech Windpower, Inc. Laminated bus assembly and coupling apparatus for a high power electrical switching converter
JP2782647B2 (ja) * 1991-08-06 1998-08-06 富士電機株式会社 半導体装置
EP0838855B1 (en) * 1991-09-20 2004-11-24 Hitachi, Ltd. Semiconductor module
JP2725952B2 (ja) * 1992-06-30 1998-03-11 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
JP2725954B2 (ja) * 1992-07-21 1998-03-11 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3053298B2 (ja) * 1992-08-19 2000-06-19 株式会社東芝 半導体装置
DE59304797D1 (de) * 1992-08-26 1997-01-30 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiter-Modul
JPH06233554A (ja) * 1993-01-28 1994-08-19 Fuji Electric Co Ltd インバータ装置
JP2767529B2 (ja) * 1993-04-06 1998-06-18 株式会社三社電機製作所 電力用半導体モジュール
US5498907A (en) * 1993-04-29 1996-03-12 Allied Signal Inc. Interconnection arrangement for power semiconductor switching devices
US5444295A (en) * 1993-09-07 1995-08-22 Delco Electronics Corp. Linear dual switch module
US5563447A (en) * 1993-09-07 1996-10-08 Delco Electronics Corp. High power semiconductor switch module
DE59407007D1 (de) * 1993-12-23 1998-11-05 Asea Brown Boveri Umrichteranordnung mit niederinduktivem Kommutierungskreis
US5539254A (en) * 1994-03-09 1996-07-23 Delco Electronics Corp. Substrate subassembly for a transistor switch module
US5523620A (en) * 1994-02-14 1996-06-04 Delco Electronics Corporation Coplanar linear dual switch module
DE9403108U1 (de) * 1994-02-24 1994-04-14 Siemens AG, 80333 München Niederinduktive Hochstromverschienung für Stromrichtermodule
US5517059A (en) * 1994-04-26 1996-05-14 Delco Electronics Corp. Electron and laser beam welding apparatus
US5528073A (en) * 1994-07-05 1996-06-18 Allen-Bradley Company, Inc. Bus bar having reduced parasitic inductances and equal current path lengths
DE69535775D1 (de) * 1994-10-07 2008-08-07 Hitachi Ltd Halbleiteranordnung mit einer Mehrzahl von Halbleiterelementen
US6088227A (en) * 1995-06-07 2000-07-11 Smiths Industries Aerospace And Defense Systems, Inc. Heat sink with integrated buss bar
EP0830811B1 (en) * 1995-06-07 2000-02-02 SMITHS INDUSTRIES AEROSPACE & DEFENSE SYSTEMS INC. Heat sink with integrated bus bar
JP3480771B2 (ja) * 1995-12-20 2003-12-22 三菱電機株式会社 半導体装置
US6954368B1 (en) 1996-07-22 2005-10-11 HYDRO-QUéBEC Low stray interconnection inductance power converting molecule for converting a DC voltage into an AC voltage, and a method therefor
DE19732402B4 (de) * 1997-07-28 2004-07-15 Danfoss Drives A/S Elektrische Busanordnung zur Gleichstromversorgung von Schaltungselementen eines Wechselrichters
US6127727A (en) * 1998-04-06 2000-10-03 Delco Electronics Corp. Semiconductor substrate subassembly with alignment and stress relief features
US5895974A (en) * 1998-04-06 1999-04-20 Delco Electronics Corp. Durable substrate subassembly for transistor switch module
JP3508670B2 (ja) * 1999-02-05 2004-03-22 株式会社豊田自動織機 半導体モジュール
DE19942770A1 (de) 1999-09-08 2001-03-15 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleiter-Modul
JP3633432B2 (ja) * 2000-03-30 2005-03-30 株式会社日立製作所 半導体装置及び電力変換装置
JP3642012B2 (ja) 2000-07-21 2005-04-27 株式会社日立製作所 半導体装置，電力変換装置及び自動車
DE10037533C1 (de) * 2000-08-01 2002-01-31 Semikron Elektronik Gmbh Induktivitätsarme Schaltungsanordnung
JP4601874B2 (ja) * 2001-07-30 2010-12-22 三菱電機株式会社 半導体装置
DE10159851B4 (de) 2001-12-06 2006-05-24 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelementanordnung mit verminderter Oszillationsneigung
JP4732692B2 (ja) * 2002-01-29 2011-07-27 マイクロセミ コーポレーション パワー・モジュールおよびその製造方法
DE10237561C1 (de) * 2002-08-16 2003-10-16 Semikron Elektronik Gmbh Induktivitätsarme Schaltungsanordnung bzw. Schaltungsaufbau für Leistungshalbleitermodule
DE10316136A1 (de) * 2003-04-09 2004-11-18 Ixys Semiconductor Gmbh Gekapselte Leistungshalbleiteranordnung
JP4346504B2 (ja) * 2004-06-03 2009-10-21 株式会社東芝 パワー半導体モジュールを備えた電力変換装置
DE102004027185B4 (de) * 2004-06-03 2008-08-28 Infineon Technologies Ag Niederinduktives Halbleiterbauelement mit Halbbrückenkonfiguration
US7791208B2 (en) * 2007-09-27 2010-09-07 Infineon Technologies Ag Power semiconductor arrangement
US8405206B1 (en) * 2011-09-30 2013-03-26 Infineon Technologies Ag Low-inductive semiconductor module
JP5991045B2 (ja) * 2012-06-28 2016-09-14 住友電気工業株式会社 半導体装置
DE102014111931B4 (de) * 2014-08-20 2021-07-08 Infineon Technologies Ag Niederinduktive Schaltungsanordnung mit Laststromsammelleiterbahn
DE102014219998B4 (de) * 2014-10-02 2020-09-24 Vitesco Technologies GmbH Leistungsmodul, Leistungsmodulgruppe, Leistungsendstufe sowie Antriebssystem mit einer Leistungsendstufe
US11837826B2 (en) * 2014-11-18 2023-12-05 Transportation Ip Holdings, Llc Bus bar and power electronic device with current shaping terminal connector and method of making a terminal connector
DE102015216083A1 (de) * 2015-08-24 2017-03-02 Siemens Aktiengesellschaft Modulanordnung zum induktivitätsarmen Betrieb eines Leistungshalbleitermoduls an einem Gleichspannungskreis
JP6838243B2 (ja) * 2017-09-29 2021-03-03 日立Astemo株式会社 電力変換装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4213141A (en) * 1978-05-12 1980-07-15 Solid State Scientific Inc. Hybrid transistor
US4237522A (en) * 1979-06-29 1980-12-02 International Business Machines Corporation Chip package with high capacitance, stacked vlsi/power sheets extending through slots in substrate
US4328530A (en) * 1980-06-30 1982-05-04 International Business Machines Corporation Multiple layer, ceramic carrier for high switching speed VLSI chips
JPS5797661A (en) * 1980-12-10 1982-06-17 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPS5816632A (ja) * 1981-07-24 1983-01-31 Q P Corp 容器入り殺菌マツシユポテトの製造方法
JPS58181968A (ja) * 1982-04-16 1983-10-24 国産金属工業株式会社 ドア錠のハンドル装置
JPS59177951A (ja) * 1983-03-29 1984-10-08 Toshiba Corp 半導体装置
JPS60239051A (ja) * 1984-05-11 1985-11-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
DE3538933A1 (de) * 1985-11-02 1987-05-14 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul
JPS6393126A (ja) * 1986-10-08 1988-04-23 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JPH0452998Y2 (ja) * 1986-12-04 1992-12-14

Also Published As

Publication number Publication date
DE3871968D1 (de) 1992-07-23
EP0277546A1 (de) 1988-08-10
JPS63193553A (ja) 1988-08-10
EP0277546B1 (de) 1992-06-17
US4907068A (en) 1990-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0680762B2 (ja) 半導体装置
US5459356A (en) Power semiconductor module having a plurality of semiconductor arrangements
US5705848A (en) Power semiconductor module having a plurality of submodules
EP1160866B1 (en) Semiconductor device with power wiring structure
US4622569A (en) Lateral bidirectional power FET with notched multi-channel stacking and with dual gate reference terminal means
JP4292652B2 (ja) パワー半導体モジュール
KR930006903A (ko) 전력 변환장치 및 그것에 적합한 반도체 모듈(module)
US11721613B2 (en) Power module
JP3677519B2 (ja) 電力用半導体モジュール
JP2022034300A (ja) パワー半導体モジュールおよび電力変換装置
NL8503485A (nl) Geintegreerde brugschakeling met een vermogen mos en werkwijze ter vervaardiging ervan.
JPH088269B2 (ja) 半導体デバイス
US6885097B2 (en) Semiconductor device
JP7593573B2 (ja) パワー半導体モジュールおよび電力変換装置
CN112928562B (zh) 电子电路单元
JP4601874B2 (ja) 半導体装置
CN112951605B (zh) 具有低电感连接特征的电容器和电子模块组件
US6664629B2 (en) Semiconductor device
KR100458425B1 (ko) 반도체 소자 및 3상 전력 인버터 모듈 구동 방법
JPH08227974A (ja) Ｍｏｓｆｅｔ回路用低インダクタンス導体
WO2021015050A1 (ja) 電気回路装置
US5060048A (en) Semiconductor component having at least one power mosfet
JP6967627B2 (ja) 半導体装置
GB2131228A (en) Dual-gate field-effect transistor
US10790249B2 (en) Discrete electronic component comprising a transistor

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081012

Year of fee payment: 14

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081012

Year of fee payment: 14