JPH0680836B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPH0680836B2 JPH0680836B2 JP61161018A JP16101886A JPH0680836B2 JP H0680836 B2 JPH0680836 B2 JP H0680836B2 JP 61161018 A JP61161018 A JP 61161018A JP 16101886 A JP16101886 A JP 16101886A JP H0680836 B2 JPH0680836 B2 JP H0680836B2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 51
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は主として時計等の電源として用いる光起電力装
置の製造方法に関するものである。
置の製造方法に関するものである。
複数の光起電力素子を外部直列接続する場合、通常は第
７図に示す如く構成されている。第７図は従来の光起電
力装置を示す模式的平面図、第８図は第７図のVIII-VII
I線による断面図であり、ステンレス等の基板上に高分
子化合物製の絶縁性膜を設けて構成した絶縁性基板21,
メタルマスクを用いて絶縁性基板21の周縁側に延在する
延長部分22p,22q,22rを備えた複数の金属電極層22a,22
b,22cを相互の間に間隙26ab,26bcを隔てて形成し、次い
でこれら金属電極層22a,22b,22c及びこれらの間隙22ab,
22bcにわたって光活性層を有する半導体層23を積層形成
し、更にこの半導体層23の表面にメタルマスクを用いて
夫々絶縁性基板21の周縁側に延在する延長部分24p,24q,
24rを備える透明電極層24a,24b,24cを形成し、透明電極
層24a,24bの延長部分24p,24qは相隣する透明電極24b,24
c下に位置する金属電極層22b,22cの延長部分22q,22rと
重畳させてある。これによって夫々共通の半導体層23を
各金属電極層22a,22b,22cと透明電極層24a,24b,24cとで
挟んだ３個の光起電力素子を直列接続し、金属電極層22
aの延長部分22p,透明電極層24cの延長部分22rを夫々端
子とする光起電力装置を製造するようになっている。
７図に示す如く構成されている。第７図は従来の光起電
力装置を示す模式的平面図、第８図は第７図のVIII-VII
I線による断面図であり、ステンレス等の基板上に高分
子化合物製の絶縁性膜を設けて構成した絶縁性基板21,
メタルマスクを用いて絶縁性基板21の周縁側に延在する
延長部分22p,22q,22rを備えた複数の金属電極層22a,22
b,22cを相互の間に間隙26ab,26bcを隔てて形成し、次い
でこれら金属電極層22a,22b,22c及びこれらの間隙22ab,
22bcにわたって光活性層を有する半導体層23を積層形成
し、更にこの半導体層23の表面にメタルマスクを用いて
夫々絶縁性基板21の周縁側に延在する延長部分24p,24q,
24rを備える透明電極層24a,24b,24cを形成し、透明電極
層24a,24bの延長部分24p,24qは相隣する透明電極24b,24
c下に位置する金属電極層22b,22cの延長部分22q,22rと
重畳させてある。これによって夫々共通の半導体層23を
各金属電極層22a,22b,22cと透明電極層24a,24b,24cとで
挟んだ３個の光起電力素子を直列接続し、金属電極層22
aの延長部分22p,透明電極層24cの延長部分22rを夫々端
子とする光起電力装置を製造するようになっている。
ところで上述した如き従来の製造方法にあっては金属電
極層22a,22b,22c、並びに透明電極層24a,24b,24cを夫々
メタルマスクを用いて分離した態様で形成するが、メタ
ルマスクを用いた場合は、金属電極層22a,22b,22c間の
間隙26ab,26bcは0.3mm程度の、また透明電極層24a,24b,
24c間の間隙は材料の回り込みを防止するため0.6mm程度
の幅となるのを避けられない。
極層22a,22b,22c、並びに透明電極層24a,24b,24cを夫々
メタルマスクを用いて分離した態様で形成するが、メタ
ルマスクを用いた場合は、金属電極層22a,22b,22c間の
間隙26ab,26bcは0.3mm程度の、また透明電極層24a,24b,
24c間の間隙は材料の回り込みを防止するため0.6mm程度
の幅となるのを避けられない。
このような間隙は基板の有効面積を高めるうえでの大き
な障害となることは勿論、このような光起電力装置を、
例えば腕時計用電極とするため、文字盤に適用したとき
は上述した光起電力素子間の間隙が目立って時計自体の
意匠的効果を損なう結果となる等の問題があった。
な障害となることは勿論、このような光起電力装置を、
例えば腕時計用電極とするため、文字盤に適用したとき
は上述した光起電力素子間の間隙が目立って時計自体の
意匠的効果を損なう結果となる等の問題があった。
このため従来にあってはフォトリソグラフィ法にて透明
電極等の分離形成を行う方法、或いは予め一体に形成し
た後レーザビームにてスクライブする方法が行われてい
る。
電極等の分離形成を行う方法、或いは予め一体に形成し
た後レーザビームにてスクライブする方法が行われてい
る。
レーザビームによるスクライブ加工法を用いる場合につ
いてその具体的内容を示すと第9,10図の如くである。
いてその具体的内容を示すと第9,10図の如くである。
第9,10図はレーザビームによるスクライブ加工法を用い
る場合の光起電力装置の製造工程を示す模式図であり、
絶縁性基板31上に金属電極層32、半導体層33、透明電極
層34をこの順序に積層形成する。なお、金属電極層32,
透明電極層34には夫々一定間隔で絶縁性基板31の周縁側
に延在する延長部分32p,32q,32r,32s、34p,34q,34r,34s
を夫々形成し、延長部分32p,32q,32rを相隣する延長部
分34q,34r,34sと重畳せしめておく。ついで第10図に示
す如く相互に重畳する延長部分32pと34q、32qと34r、32
rと34sとの間において各金属電極層32、半導体層33、透
明電極層34をレーザビームを用いてスクライブし、夫々
を４個に分割加工して４個の光起電力素子を直接接続し
た状態の光起電力装置を製造している。
る場合の光起電力装置の製造工程を示す模式図であり、
絶縁性基板31上に金属電極層32、半導体層33、透明電極
層34をこの順序に積層形成する。なお、金属電極層32,
透明電極層34には夫々一定間隔で絶縁性基板31の周縁側
に延在する延長部分32p,32q,32r,32s、34p,34q,34r,34s
を夫々形成し、延長部分32p,32q,32rを相隣する延長部
分34q,34r,34sと重畳せしめておく。ついで第10図に示
す如く相互に重畳する延長部分32pと34q、32qと34r、32
rと34sとの間において各金属電極層32、半導体層33、透
明電極層34をレーザビームを用いてスクライブし、夫々
を４個に分割加工して４個の光起電力素子を直接接続し
た状態の光起電力装置を製造している。
ところで上述した如き従来方法のうちフォトリソグラフ
ィ法は光起電力素子間の間隙を0.3mm程度までは縮小で
きるが、製造工数が多く、製品コストの上昇が避けられ
ないという問題点がある。これに対してレーザスクライ
ブ加工法は相互の間隙を20〜100μｍ程度とすることが
出来る利点を有するが、その反面加工時に形成された溶
融垂れ等の残留物が金属電極層、透明電極層に接触して
短絡状態を形成する外、半導体層がレーザビームによる
アニーリング作用を受けてこの部分が微結晶化、或いは
結晶化して低抵抗部分が形成され、同様に短絡状態が発
生する等の問題があった。
ィ法は光起電力素子間の間隙を0.3mm程度までは縮小で
きるが、製造工数が多く、製品コストの上昇が避けられ
ないという問題点がある。これに対してレーザスクライ
ブ加工法は相互の間隙を20〜100μｍ程度とすることが
出来る利点を有するが、その反面加工時に形成された溶
融垂れ等の残留物が金属電極層、透明電極層に接触して
短絡状態を形成する外、半導体層がレーザビームによる
アニーリング作用を受けてこの部分が微結晶化、或いは
結晶化して低抵抗部分が形成され、同様に短絡状態が発
生する等の問題があった。
更に、レーザビームによる加工にあっては、照射位置を
正確に制御すると共に、レーザビームを発するレーザ装
置のオン、オフ制御を正確に行う必要があることから、
このための加工は非常に煩雑なものとなっていた。
正確に制御すると共に、レーザビームを発するレーザ装
置のオン、オフ制御を正確に行う必要があることから、
このための加工は非常に煩雑なものとなっていた。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とすることろは各光起電力素子内における短絡状態
の発生を防止し、しかも工数が少なく、製造コストの低
減が図れる光起電力装置の製造方法を提供するにある。
目的とすることろは各光起電力素子内における短絡状態
の発生を防止し、しかも工数が少なく、製造コストの低
減が図れる光起電力装置の製造方法を提供するにある。
本発明方法にあっては絶縁性基板の表面に、基板の周縁
側に延在させた延長部分を有すると共に、相互間で所要
の間隔を隔てるように隣接配置された第１電極層と、前
記延長部分を除く第１電極層の表面、及び第１電極層の
間隙部の表面が露出するような開口部を備えたマスク
を、上記第１電極層側に配置することに因り、その露出
部分に形成された光活性層を含む半導体層と、前記各第
１電極層と対応する位置から基板の周縁側に延在され、
第１電極間の間隙部の延長上に前記絶縁性基板表面が露
出する領域を介在させて相隣する他の第１電極層の延長
部分と重畳する延長部分を有する第２電極層とをこの順
序で積層形成し、前記第２電極層、又はこれと前記半導
体層とに、前記第１電極層間の間隙に相当する部分に沿
ってエネルギービームを照射することにより、これらを
分断すると共に、その分断にあたっては上記マスクを、
上記半導体層形成時と同様の位置に配置することで、上
記エネルギービームの照射による分断が上記開口部内の
前記第２電極層、又はこれと前記半導体層とに限られる
ことを特徴とすることにある。
側に延在させた延長部分を有すると共に、相互間で所要
の間隔を隔てるように隣接配置された第１電極層と、前
記延長部分を除く第１電極層の表面、及び第１電極層の
間隙部の表面が露出するような開口部を備えたマスク
を、上記第１電極層側に配置することに因り、その露出
部分に形成された光活性層を含む半導体層と、前記各第
１電極層と対応する位置から基板の周縁側に延在され、
第１電極間の間隙部の延長上に前記絶縁性基板表面が露
出する領域を介在させて相隣する他の第１電極層の延長
部分と重畳する延長部分を有する第２電極層とをこの順
序で積層形成し、前記第２電極層、又はこれと前記半導
体層とに、前記第１電極層間の間隙に相当する部分に沿
ってエネルギービームを照射することにより、これらを
分断すると共に、その分断にあたっては上記マスクを、
上記半導体層形成時と同様の位置に配置することで、上
記エネルギービームの照射による分断が上記開口部内の
前記第２電極層、又はこれと前記半導体層とに限られる
ことを特徴とすることにある。
本発明方法にあってはエネルギビームによって分割加工
を施しても短絡状態が生じることが少なく、また各分割
線は細くて目立ない状態とすることが可能となる。
を施しても短絡状態が生じることが少なく、また各分割
線は細くて目立ない状態とすることが可能となる。
更に、本発明方法では、エネルギービームの照射によっ
て、第２電極層、または半導体層を分断するに際して、
上記マスクを使用することで、その照射は上記開口部に
よって露出する部分、即ち半導体層が形成され得る部分
に限られることから、エネルギービームの照射につい
て、不所望な部分への照射をそのマスクにより容易に防
止できることとなり、加えて、煩雑なレーザのオン、オ
フを低減することが可能となる。
て、第２電極層、または半導体層を分断するに際して、
上記マスクを使用することで、その照射は上記開口部に
よって露出する部分、即ち半導体層が形成され得る部分
に限られることから、エネルギービームの照射につい
て、不所望な部分への照射をそのマスクにより容易に防
止できることとなり、加えて、煩雑なレーザのオン、オ
フを低減することが可能となる。
以下本発明方法を腕時計用光起電力装置の製造に適用し
た場合につき図面に基づき具体的に説明する。第1,2,3,
4図は本発明方法による製造工程を示す模式的平面図で
あり、図中１はステンレス板の表面に高分子化合物製の
絶縁材等を被覆形成して構成した絶縁性基板を示してい
る。このような絶縁性基板１の表面に先ず第１図に示す
如くメタルマスクを用いて４分割された第１電極層たる
金属電極層2a,2b,2c,2d、並びにこれらから独立した端
子部2eを1000〜5000Åの厚さに例えば真空蒸着法、或い
はスパッタリング法等にて形成する。金属電極層2a,2b,
2c,2dはいずれも本体部分は矩形状をなし、２個ずつ２
列に平行に並べて相隣する対向辺間に一定の間隔ｌを隔
てた状態で形成されている。
た場合につき図面に基づき具体的に説明する。第1,2,3,
4図は本発明方法による製造工程を示す模式的平面図で
あり、図中１はステンレス板の表面に高分子化合物製の
絶縁材等を被覆形成して構成した絶縁性基板を示してい
る。このような絶縁性基板１の表面に先ず第１図に示す
如くメタルマスクを用いて４分割された第１電極層たる
金属電極層2a,2b,2c,2d、並びにこれらから独立した端
子部2eを1000〜5000Åの厚さに例えば真空蒸着法、或い
はスパッタリング法等にて形成する。金属電極層2a,2b,
2c,2dはいずれも本体部分は矩形状をなし、２個ずつ２
列に平行に並べて相隣する対向辺間に一定の間隔ｌを隔
てた状態で形成されている。
絶縁性基板１の中央部側に位置させた各金属電極層2a,2
b,2c,2dの一隅部はいずれも1/4円弧状に欠除してあり、
また絶縁性基板１の周縁部側に位置する各金属電極層2
a,2b,2c,2dの周方向の同側に位置する他の隅部からは夫
々絶縁性基板１の周縁部側に向けて延在する延長部分2
p,2q,2r,2sが形成されている。各延長部分2p,2q,2rはい
ずれも平面視でＬ形に形成されており、各金属電極層2
a,2b,2cにおける周方向の同側に位置する隅部から絶縁
性基板１の周縁部に向けて延在し、途中から相隣する他
の金属電極層2b,2c,2dの外周に沿うようこれとの間に一
定の間隔ｌを隔てて屈折して形成されている。
b,2c,2dの一隅部はいずれも1/4円弧状に欠除してあり、
また絶縁性基板１の周縁部側に位置する各金属電極層2
a,2b,2c,2dの周方向の同側に位置する他の隅部からは夫
々絶縁性基板１の周縁部側に向けて延在する延長部分2
p,2q,2r,2sが形成されている。各延長部分2p,2q,2rはい
ずれも平面視でＬ形に形成されており、各金属電極層2
a,2b,2cにおける周方向の同側に位置する隅部から絶縁
性基板１の周縁部に向けて延在し、途中から相隣する他
の金属電極層2b,2c,2dの外周に沿うようこれとの間に一
定の間隔ｌを隔てて屈折して形成されている。
なお、延長部分2sは他の延長部分2p等よりも広幅で金属
電極層2dの一隅部から絶縁性基板１の周辺に向けて直線
的に延在せしめてあり、この側方であって金属電極層2a
の外方にこれとの間に間隙ｌを隔てて端子部2eが形成さ
れている。
電極層2dの一隅部から絶縁性基板１の周辺に向けて直線
的に延在せしめてあり、この側方であって金属電極層2a
の外方にこれとの間に間隙ｌを隔てて端子部2eが形成さ
れている。
金属電極層2a,2b,及び端子部2eの形成が終了すると、前
記延長部分2p,2q,2r,2sを除く金属電極層の表面、及び
金属電極層の間隙部の表面が露出するような開口部を備
えたメタルマスクをその金属電極層上を覆うように配置
することで、第２図に示す如くアモルファス半導体等の
光活性層を有する半導体層３を4000〜6000Åの厚さに形
成する。この半導体層３の形成或は延長部分2p〜2sの先
端側過半部を除く、４個の金属電極層2a〜2d及びこの間
に形成されている間隙の全体に渡り、且つ金属電極層2a
〜2dの外周縁よりも外方に若干ははみ出した状態で矩形
状に形成されるが、その周縁部と金属電極層2a〜2cの延
長部分2p,2q,2rのうち相隣する他の金属電極層2b,2c,2d
の外周に沿うよう屈折形成されている部分との間には絶
縁性基板１が露出する間隙ｍが残されるようにしてあ
る。
記延長部分2p,2q,2r,2sを除く金属電極層の表面、及び
金属電極層の間隙部の表面が露出するような開口部を備
えたメタルマスクをその金属電極層上を覆うように配置
することで、第２図に示す如くアモルファス半導体等の
光活性層を有する半導体層３を4000〜6000Åの厚さに形
成する。この半導体層３の形成或は延長部分2p〜2sの先
端側過半部を除く、４個の金属電極層2a〜2d及びこの間
に形成されている間隙の全体に渡り、且つ金属電極層2a
〜2dの外周縁よりも外方に若干ははみ出した状態で矩形
状に形成されるが、その周縁部と金属電極層2a〜2cの延
長部分2p,2q,2rのうち相隣する他の金属電極層2b,2c,2d
の外周に沿うよう屈折形成されている部分との間には絶
縁性基板１が露出する間隙ｍが残されるようにしてあ
る。
次いでこの半導体層３の表面に第２電極層たる透明電極
層４を第３図に示す如くメタルマスクを用いて500〜200
0Åの厚さに形成する。
層４を第３図に示す如くメタルマスクを用いて500〜200
0Åの厚さに形成する。
この透明電極層４の形成或は半導体層３の表面であっ
て、前記延長部分2p,2q,2r,2s及び端子部2eを除く金属
電極層2a,2b,2c,2dの全面及びこれらの間に形成される
間隙の全面にわたって矩形状に形成され、且つ各金属電
極層2a,2b,2c,2dと対応する部分であって、延長部分2p,
2q,2r,2sを形成した隅部とは間隔ｌを隔てて反対側に位
置する他の隅部と対応する位置夫々から絶縁性基板１の
周縁部側に向けて直線状の延長部分4p,4q,4r,4sを延在
させ、その先端部を前記金属電極2a,2b,2cの延長部分2
p,2q,2r及び端子部2eと重畳せしめてある。
て、前記延長部分2p,2q,2r,2s及び端子部2eを除く金属
電極層2a,2b,2c,2dの全面及びこれらの間に形成される
間隙の全面にわたって矩形状に形成され、且つ各金属電
極層2a,2b,2c,2dと対応する部分であって、延長部分2p,
2q,2r,2sを形成した隅部とは間隔ｌを隔てて反対側に位
置する他の隅部と対応する位置夫々から絶縁性基板１の
周縁部側に向けて直線状の延長部分4p,4q,4r,4sを延在
させ、その先端部を前記金属電極2a,2b,2cの延長部分2
p,2q,2r及び端子部2eと重畳せしめてある。
これによって延長部分2p,2q,2rとこれと重畳する延長部
分4q,4r,4sと半導体層３とで囲われる部分には夫々金属
電極層2a〜2d間の間隙ｌの延長上に位置して絶縁性基板
１の表面が露出する領域1a,1b,1cが形成され、また延長
部分2sと延長部分4pとの間隙の延長上に位置して絶縁性
基板１の表面が露出する領域1dが形成された状態となっ
ている。
分4q,4r,4sと半導体層３とで囲われる部分には夫々金属
電極層2a〜2d間の間隙ｌの延長上に位置して絶縁性基板
１の表面が露出する領域1a,1b,1cが形成され、また延長
部分2sと延長部分4pとの間隙の延長上に位置して絶縁性
基板１の表面が露出する領域1dが形成された状態となっ
ている。
次に第４図に示す如くレーザビームを用いて各金属電極
層2a〜2d間の間隔ｌの幅方向中央に沿って前記した絶縁
性基板１の露出領域1aから1cに、また1bから1dにわたる
よう十文字状にスクライブ加工を行う。この加工には先
に半導体層３を積層形成するときに用いたメタルマスク
を半導体層３を形成する際に設定したのと同じ位置に設
定する。これによって、レーザビームはメタルマスクの
開口部内に露出した透明電極層及び半導体層の領域のみ
をスクライブできることとなる。即ち、レーザビームに
よる照射が不所望な、半導体層が形成されていない部分
についての照射を抑圧することができることとなる。更
には、レーザビームはレーザ装置のオン、オフ制御によ
ってスクライブ加工位置を決める煩わしさがなく、オン
状態のままメタルマスク上を移動させてスクライブ加工
位置に移し順次連続的に行うことが出来る。
層2a〜2d間の間隔ｌの幅方向中央に沿って前記した絶縁
性基板１の露出領域1aから1cに、また1bから1dにわたる
よう十文字状にスクライブ加工を行う。この加工には先
に半導体層３を積層形成するときに用いたメタルマスク
を半導体層３を形成する際に設定したのと同じ位置に設
定する。これによって、レーザビームはメタルマスクの
開口部内に露出した透明電極層及び半導体層の領域のみ
をスクライブできることとなる。即ち、レーザビームに
よる照射が不所望な、半導体層が形成されていない部分
についての照射を抑圧することができることとなる。更
には、レーザビームはレーザ装置のオン、オフ制御によ
ってスクライブ加工位置を決める煩わしさがなく、オン
状態のままメタルマスク上を移動させてスクライブ加工
位置に移し順次連続的に行うことが出来る。
このスクライブ加工深さは少なくとも透明電極層４を４
分割し得る深さであればよいが、透明電極層４及び半導
体層３ともに分割するよう加工を施してもよい。
分割し得る深さであればよいが、透明電極層４及び半導
体層３ともに分割するよう加工を施してもよい。
レーザビームとしてはＱスイッチ付YAGレーザ装置（波
長:1.06μｍ又は0.53μｍ）等が用いられ出力0.05〜0.2
W、走査速度を20mm/秒〜100mm/秒程度に設定して行われ
る。
長:1.06μｍ又は0.53μｍ）等が用いられ出力0.05〜0.2
W、走査速度を20mm/秒〜100mm/秒程度に設定して行われ
る。
これによって金属電極層2a,2b,2c,2dと透明電極層4a,4
b,4c,4dとの間に半導体層3a,3b,3c,3dを挟んだ態様の４
個の光起電力素子が直列接続され、延長部分2s、4pを夫
々端子とする光起電力装置が構成されることとなる。
b,4c,4dとの間に半導体層3a,3b,3c,3dを挟んだ態様の４
個の光起電力素子が直列接続され、延長部分2s、4pを夫
々端子とする光起電力装置が構成されることとなる。
レーザスクライブ加工された分割面には加工残留物が形
成され、また半導体層３に微結晶化、結晶化した部分が
生じるが、金属電極層2a,2b,2c,2d間はメタルマスクを
用いてその間隔が0.3mm程度に設定されているのに対
し、レーザスクライブにより分割された部分の間隙は20
〜100μｍ程度であり、分割面が金属電極層2a〜2dと接
触することがなく、短絡は生じない。
成され、また半導体層３に微結晶化、結晶化した部分が
生じるが、金属電極層2a,2b,2c,2d間はメタルマスクを
用いてその間隔が0.3mm程度に設定されているのに対
し、レーザスクライブにより分割された部分の間隙は20
〜100μｍ程度であり、分割面が金属電極層2a〜2dと接
触することがなく、短絡は生じない。
なお第２図に示す半導体層３の形成時に、その表面積を
広くするため第５図に示す如く半導体層３の周縁が金属
電極層2a〜2dの外周縁をはみ出してその延長部分2p,2q,
2r,2sにおける周方向に屈折している部分にわたるよう
形成することも考えられる。この場合は第６図に示す如
く透明電極層４を形成してレーザスクライブによる透明
電極層4,半導体層３を分割すれば構造的には前記第４図
に示した場合と同様に４個の光起電力素子を直列接続し
た光起電力装置を構成することが可能である。ただこの
場合はレーザスクライブ加工による半導体層３の分割面
が金属電極層2a,2b,2cの延長部分2p,2q,2rと直接接触す
ることとなるため、半導体層３の分断面と金属電極層2
a、2b、2cの延長部分2p、2q、2rを通じて透明電極層4a,
4b,4cと金属電極層2a,2b,2cとが短絡状態となることが
あり、機能上望ましくない状態となる。
広くするため第５図に示す如く半導体層３の周縁が金属
電極層2a〜2dの外周縁をはみ出してその延長部分2p,2q,
2r,2sにおける周方向に屈折している部分にわたるよう
形成することも考えられる。この場合は第６図に示す如
く透明電極層４を形成してレーザスクライブによる透明
電極層4,半導体層３を分割すれば構造的には前記第４図
に示した場合と同様に４個の光起電力素子を直列接続し
た光起電力装置を構成することが可能である。ただこの
場合はレーザスクライブ加工による半導体層３の分割面
が金属電極層2a,2b,2cの延長部分2p,2q,2rと直接接触す
ることとなるため、半導体層３の分断面と金属電極層2
a、2b、2cの延長部分2p、2q、2rを通じて透明電極層4a,
4b,4cと金属電極層2a,2b,2cとが短絡状態となることが
あり、機能上望ましくない状態となる。
以上の如く本発明方法にあっては、第１電極層の延長部
分と第２電極層の延長部分とは第１電極層間の間隙の延
長上に絶縁性基板表面が露出する領域を介在させて相互
に重畳せしめるように第１電極，第２電極を形成するか
ら第１電極層間の間隙に沿って第２電極層又はこれと半
導体層とを分断したとき、半導体層の分断面がいずれの
延長部分とも接することがなく、半導体層の微結晶化に
よる電気的損失が少なくて済み、またその半導体層の微
結晶化に基づく短絡状態を抑圧することができる。更に
はエネルギービームを用いて分断を行うとき半導体層の
形成に用いたメタルマスクを用いることが可能となって
エネルギビームの操作が容易となり、製造能率の向上が
図れるなど本発明は優れた効果を奏するものである。
分と第２電極層の延長部分とは第１電極層間の間隙の延
長上に絶縁性基板表面が露出する領域を介在させて相互
に重畳せしめるように第１電極，第２電極を形成するか
ら第１電極層間の間隙に沿って第２電極層又はこれと半
導体層とを分断したとき、半導体層の分断面がいずれの
延長部分とも接することがなく、半導体層の微結晶化に
よる電気的損失が少なくて済み、またその半導体層の微
結晶化に基づく短絡状態を抑圧することができる。更に
はエネルギービームを用いて分断を行うとき半導体層の
形成に用いたメタルマスクを用いることが可能となって
エネルギビームの操作が容易となり、製造能率の向上が
図れるなど本発明は優れた効果を奏するものである。
第1,2,3,4図は本発明方法による製造工程を示す模式
図、第5,6図は本発明の方法の工程上望ましくない場合
の例を示す模式図、第７図は従来方法で製造した光起電
力装置の模式的平面図、第８図は第７図のVIII-VIII線
による断面図、第9,10図は従来方法のレーザビームによ
るスクライブ加工工程を示す模式図である。 １…絶縁性基板、2a,2b,2c,2d…金属電極層、2e…端子
部、2p,2q,3r,2s…延長部分、３…半導体層、3a,3b,3c,
3d…分割半導体層、４…透明電極層、4a,4b,4c,4d…分
割透明電極層、4p,4q,4r,4s…延長部分
図、第5,6図は本発明の方法の工程上望ましくない場合
の例を示す模式図、第７図は従来方法で製造した光起電
力装置の模式的平面図、第８図は第７図のVIII-VIII線
による断面図、第9,10図は従来方法のレーザビームによ
るスクライブ加工工程を示す模式図である。 １…絶縁性基板、2a,2b,2c,2d…金属電極層、2e…端子
部、2p,2q,3r,2s…延長部分、３…半導体層、3a,3b,3c,
3d…分割半導体層、４…透明電極層、4a,4b,4c,4d…分
割透明電極層、4p,4q,4r,4s…延長部分
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板の表面に、基板の周縁側に延在
させた延長部分を有すると共に、相互間で所要の間隔を
隔てるように隣接配置された第１電極層と、 前記延長部分を除く第１電極層の表面、及び第１電極層
の間隙部の表面が露出するような開口部を備えたマスク
を、上記第１電極層側に配置することに因り、その露出
部分に形成された光活性層を含む半導体層と、 前記各第１電極層と対応する位置から基板の周縁側に延
在され、第１電極間の間隙部の延長上に前記絶縁性基板
表面が露出する領域を介在させて相隣する他の第１電極
層の延長部分と重畳する延長部分を有する第２電極層と
をこの順序で積層形成し、 前記第２電極層、又はこれと前記半導体層とに、前記第
１電極層間の間隙に相当する部分に沿ってエネルギービ
ームを照射することにより、これらを分断すると共に、
その分断にあたっては上記マスクを、上記半導体層形成
時と同様の位置に配置することで、上記エネルギービー
ムの照射による分断が上記開口部内の前記第２電極層、
又はこれと前記半導体層とに限られることを特徴とする
光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61161018A JPH0680836B2 (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61161018A JPH0680836B2 (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6316677A JPS6316677A (ja) | 1988-01-23 |
| JPH0680836B2 true JPH0680836B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=15727017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61161018A Expired - Lifetime JPH0680836B2 (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680836B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2024662A1 (en) * | 1989-09-08 | 1991-03-09 | Robert Oswald | Monolithic series and parallel connected photovoltaic module |
| TW387152B (en) | 1996-07-24 | 2000-04-11 | Tdk Corp | Solar battery and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55120180A (en) * | 1979-03-09 | 1980-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Fabricating method of photovoltaic device |
| JPS5935487A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| JPS5955079A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池 |
| JPS59108373A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP61161018A patent/JPH0680836B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6316677A (ja) | 1988-01-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |