JPH0681221B2 - 放射線画像読取装置 - Google Patents
放射線画像読取装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は放射線画像情報記録媒体面をレーザ光で走査
して，該記録媒体面に記録されている放射線画像情報を
読取る放射線画像読取装置に関するものである． 〔発明の背景〕 Ｘ線画像のような放射線画像は医療用として多く用いら
れている．この放射線画像を得る一方法として，被写体
を透過した放射線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射
し，これにより可視光を生じさせて，この可視光を銀塩
感光材料を塗布したフィルムに照射して現像する，いわ
ゆる放射線写真方式がある． 近年，放射線画像診断技術の進歩に伴い，前記放射線写
真に記録された放射線画像情報を読取り，デジタル信号
化した後にCRTや感光材料上に再生する方法が工夫され
るようになってきた．それにより，一回の放射線撮影か
らより多くの診断情報が得られるようになり，診断性能
の向上と，被曝線量の低減がもたらされる．また，放射
線画像情報の保存や検索の効率化という点でも期待がも
たれている． 前記写真フィルムを用いた放射線画像情報読取装置にお
いては，放射線画像を記録した写真フィルムを画像読取
光で露光走査し，その反射光または透過光を光検出器で
検出して電気信号に変換することが行われている． また，一方では，銀塩感光材料からなる放射線写真フィ
ルムを使用しないで放射線画像情報を得る方法が工夫さ
れるようになった． このような方法としては，被写体を透過した放射線をあ
る種の蛍光体に吸収せしめ，しかる後，この蛍光体を例
えば，光又は熱エネルギーで励起することにより，この
蛍光体が前記吸収により蓄積している放射線エネルギー
を蛍光として放射せしめ，この蛍光を検出して画像化す
るものがある．具体的には，例えば，米国特許第3,859,
527号又は特開昭55−12144号に開示されている．これは
輝尽性蛍光体を用い，可視光線又は赤外線を輝尽励起光
とした放射線画像変換方法を示したもので，支持体上に
輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用
し，この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写
体を透過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度
に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成
し，しかる後にこの輝尽性蛍光体層を前記輝尽励起光で
走査することによって，該パネル各部に蓄積された放射
線エネルギーを放射させてこれを光に変換し，この光の
強弱による光信号により放射線画像を得るものである．
また，他の方法としては被写体を透過した放射線を，一
様に帯電させたセレン，シリコン等の光導電体層を有す
る半導体パネルに吸収せしめて静電潜像を形成した後，
この半導体パネルを光で走査することにより，該パネル
上の静電潜像を電気的に検出して画像化するものがある
（例えば特開昭54−31219号）． 斯くして得た放射線画像は，そのままの状態で，或いは
リアルタイムで空間周波数処理や階調処理等の画像処理
を施されて銀塩フィルム,CRT等に出力されて可視化され
るか，又は半導体記憶装置，磁気記憶装置，光ディスク
記憶装置等の画像記憶装置に格納され，その後必要に応
じてこれら画像記憶装置から取り出されて銀塩フィル
ム,CRT等に出力されて可視化されている． ところで，前述の種々の方法に用いられる放射線画像読
取装置の画像読取光は，一般的にガスレーザ，例えばHe
−Neレーザ，Ar+レーザ等が使用されてきたが，ガスレ
ーザはそれ自体が大型であり，消費電力が大きく，それ
ゆえ発熱量も大であり，かつ，画像読取りの光学系が大
規模となるため，装置が大型化する等多くの欠点を有し
ていた． そこで，本願出願人らはすでに出願した特開昭59−1593
3号において，画像読取光の光源として半導体レーザを
用いた放射線画像読取方法を提案した．この方法による
装置はガスレーザを用いた従来装置の画像読取系に比較
して光学系が簡略化でき，該装置が小型で安価となる利
点がある反面，一般にここに用いる半導体レーザは低出
力であり,SN比の充分に高い画像の読取りが困難であっ
た．即ち，画像読取速度が一定であれば，レーザ出力が
1/4になると,SN比が1/2に低下してしまうためである． 一方，近年，放射線画像読取装置のスループットを向上
させるために，該装置での画像読取速度の高速化が強く
望まれるようになった．このためにはレーザ出力を上げ
て光強度を強くする必要がある．即ち,SN比が一定であ
ればレーザ出力が２倍になると，画像読取速度を２倍に
することが可能だからである． このようなことから，半導体レーザの高出力化の方法が
種々検討され，以下のような方法が提案されている．即
ち， 複数個の半導体レーザを用い，これから発生したレー
ザ光の光軸を偏向器により，或いはホログラフィー回析
格子等で合成して高出力にする方法． 複数個の半導体レーザ毎に偏向器及び輝尽発光集光体
を備え，それぞれに放射線画像変換パネル上の異なる領
域を担当させて走査して各領域毎に輝尽発光集光体で集
光して読取速度を高め得るようにする方法（特開昭60−
117212号等）． 複数個の半導体レーザを順次パルス発振させ，該半導
体レーザに対して一個の偏向器で放射線画像変換パネル
上の異なる領域に走査し，これを一本の走査線にして各
領域から発する輝尽発光を一個の輝尽発光集光体で集光
するようにする方法（特開昭60−108817号等）などであ
る． しかしながら、前記の場合にはレーザ光の光軸を合成
すること自体が困難であり，各レーザ光スポットが一点
に収束しないために合成したレーザ光のスポット径が大
きくなり易く，得られる画像の鮮鋭性が劣化した．しか
も合成し得るレーザ光の本数には限度があった． また，前記の場合は半導体レーザごとに偏向器及び輝
尽発光集光体を用いることから装置全体が大型化し，レ
ーザ光源を半導体レーザにして小型化するという初期の
目的が達し得ないばかりでなく，この方法ではそれぞれ
の半導体レーザが読取った領域の画像同士をつなぎ合わ
せることが困難であり，画像上につなぎ目が筋として表
れ易いという問題があった． さらに，前記の場合はの装置に比して小型化できる
が，大同小異であって装置全体の小型化，低価格化に対
し充分であるとは言えなかったし，この場合にはパルス
発振半導体レーザのパルス幅は一般に0.1μsec以下であ
るが，輝尽性蛍光体の輝尽励起光に対応する応答性は１
μsec程度であり，半導体レーザのパルス光に対し充分
な応答が得られず，感度が低下するという問題があっ
た． 〔発明の目的〕 この発明は放射線画像情報記録媒体を用いた放射線画像
読取装置における前述のような欠点に鑑みてなされたも
のであり，画像を読取る際に高速に読取ることができる
放射線画像読取装置を提供することを目的としている．
また，この発明の他の目的はSN比のよい高品質の画像を
得ることのできる放射線画像読取装置を提供することに
あり，更に，他の目的は上記目的に加えて小型化，低価
格化を可能にした放射線画像読取装置を提供することに
ある． 〔発明の構成〕 前記目的を達成するため，この発明は半導体レーザ光源
を輝尽励起光として用い，輝尽性蛍光体に蓄積記録され
ている画像情報を読み取る放射線画像読取装置におい
て，前記半導体レーザ光源として位相同期式の集積半導
体レーザを使用し，かつ，前記輝尽性蛍光体として下記
組成式で表されるアルカリハライド蛍光体を使用するこ
とを特徴とする放射線画像読取装置を提供する． 組成式 MIX・aMIIＸ′２・bMIIIＸ″３:cA（但し，MIはLi,Na,
K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属
であり，MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu及びNiから選ば
れる少なくとも一種の二価金属である．MIIIはSc,Y,La,
Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yd,Lu,Al,Ga及
びInから選ばれる少なくとも一種の三価金属である.X,
X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選ばれる少なくとも一
種のハロゲンである.AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,E
r,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びMgから選ばれる少なくと
も一種の金属である． また,aは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり,bは０≦ｂ＜
0.5の範囲の数値であり,cは０≦ｃ＜0.2の範囲の数値で
ある．） 〔実施例〕 次に，この発明を添付図面に示す実施例に基づいて説明
する． 第１図において,1は集積半導体レーザを用いた集積半導
体レーザ光源で，該集積半導体レーザ光源１から発せら
れたレーザ光Ａはコリメータレンズ７で平行光とされ，
振動ミラー等よりなるレーザ光偏向手段２に入射する．
該レーザ光Ａは前記レーザ光偏向手段２及びエフシータ
レンズ（ｆθレンズ）８を介して下方に設置した副走査
手段３の上面に担持された放射線画像記録媒体としての
輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル４に，幅方
向線状に主走査するように照射される．この放射線画像
変換パネル４を担持した副走査手段３は前記レーザ光Ａ
の主走査線の方向とほゞ直角方向に相対的に移動される
もので，図示の場合は上面に静電吸着板3aを有するフラ
ットベットが示されているが，エンドレスベルト装置で
もよいことは勿論である． 前 の如くレーザ光偏向手段２の主走査と，副走査手段
３による副走査でレーザ光の照射を受けた放射線画像変
換パネル４の個所は該レーザ光を輝尽励起光として蓄積
記録されている画像情報が輝尽発光し，この光が放射線
画像変換パネル４に近接し，かつ，主走査線を指向する
入射端面５′を有する輝尽発光集光体５に入射される．
この輝尽発光集光体５の入射端面５′から入射された光
はその他端部に設けた光電子倍増管６に伝えられ，該光
電子倍増管６において電気信号に変換されて画像情報処
理回路（図示せず）を通してそのままの状態で或いはリ
アルタイムで画像処理を施されて銀塩フィルム,CRT等に
出力されて可視化されるか，又は半導体記憶装置，磁気
記憶装置，光ディスク記憶装置等の画像記憶装置に格納
され，その後必要に応じてこれら画像記憶装置から取り
出されて銀塩フィルム,CRT等に出力されて可視化される
こととなる． 前記放射線画像変換パネル４に用いた輝尽性蛍光体とし
ては，波長＝500nm以上の輝尽励起光によって輝尽発光
を示すアルカリハライド蛍光体を使用した．これは前記
集積半導体レーザの発振波長領域の光に対してマッチン
グし，効率良く輝尽発光を示し，高品位の読取りを可能
とするものである．このアルカリハライド蛍光体として
は，組成式が， MIX・aMIIＸ′２・bMIIIＸ″３:cA（但し，MIはLi,Na,
K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属
であり，MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu及びNiから選ば
れる少なくとも一種の二価金属である．MIIIはSc,Y,La,
Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yd,Lu,Al,Ga及
びInから選ばれる少なくとも一種の三価金属である.X,
X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選ばれる少なくとも一
種のハロゲンである.AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,E
r,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びMgから選ばれる少なくと
も一種の金属である． また,aは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり,bは０≦ｂ＜
0.5の範囲の数値であり,cは０≦ｃ＜0.2の範囲の数値で
ある．）で表されるアルカリハライド蛍光体等が挙げら
れる．特に，前記輝尽性蛍光体のうち，バリウム弗化ハ
ロゲン化物系の蛍光体，及びアルカリハライド系の蛍光
体が半導体レーザの発振波長領域とのマッチングがよく
好ましい． 第２図は前記集積半導体レーザを用いたレーザ光源１を
示している．本図において,11は集積半導体レーザであ
る．該集積半導体レーザ11は窓12を有する外筐体13内に
配置した冷却器14に固定した銅ブロック15に取付けられ
ている.16はフォトダイオード,17はサーミスタである．
前記集積半導体レーザ11は電流を注入したときに半導体
内で誘導放出される光を増幅して複数の点より光が出射
できるように集積化され，かつ，各出射光が相互に光学
的に一定の位相関係を保つ位相同期式のものであること
が好ましい．この例として，第３図は多重ストライプ構
造の集積半導体レーザ11を，また，第４図はVSIS（Ｖ−
channeled Substrate Inner Stripe）構造の集積半導体
レーザ11をそれぞれ示している． 第３図示の集積半導体レーザ11は,n−GaAs基板31上に，
n-Ga0.6Al0.4Asクラッド層32を形成し，その上にGa0.94
Al0.06Asウェル層37及びGa0.8Al0.2Asバリア層38を交互
に多重量子井戸型に積層した活性層33を形成する．次い
で，p-Ga0.6Al0.4Asクラッド層34を形成し，該クラッド
層34の表面にイオンインプラーテーション法によってプ
ロトンを幅ａを6.5μm,ピッチｂを10μｍで複数本の平
行なストライプ状に注入する．次に，P+GaAsキャップ層
35を形成した後，最後にAu/Cr電極36を形成してなる． 第４図示の集積半導体レーザ11は,p−GaAs基板41上に,n
−GsAs電流阻止層42を設け，この層の表面に化学エッチ
ングによって前記基板41に達する複数本（図においては
４本）のＶ字形のチャンネル43を形成する．次いで，p-
Ca0.65Al0.35Asクラッド層44,p-Ca0.92Al0.08As活性層4
5,n-Ga0.65Al0.35Asクラッド層46,n−GaAsキャップ層47
を順次積層した後，電極48,49を形成する．次いで，共
振器（図示せず）に劈開後，前後面に一定の反射率を有
するコーティング膜を形成してなる． これらの集積半導体レーザ11は単峰性遠視野像を与えら
れ，単一スポットに収束可能なものがより優れているこ
とは言うまでもない．即ち，このような集積半導体レー
ザの場合には多数の点より出射した出射光はそれぞれ位
相の同期がとれているので単に集光レンズで収束させる
のみで高出力化が可能となり，しかも，この出射光は複
数個の半導体レーザを単に集積化しただけの非同期の集
積半導体レーザからの出射光と異なり，単一微細スポッ
トに収束可能だからである． なお，前記レーザ光源１に用いる集積半導体レーザはそ
の好ましいものとして位相同期式の多重ストライプ構造
或いはVSIS構造のものを挙げたが，これ以外に適当なも
のがあればそれによることは自由である． 〔発明の効果〕 以上説明したように，この発明の放射線画像読取装置は
位相同期式の集積半導体レーザ光源を用いているから，
レーザ光源から発生するレーザ光自体，光パワーの大き
いものが得られ，高感度の画像読取りが可能となり，し
かも，単一微細スポットに集光可能であるため，画像の
読取りにより鮮鋭性の劣化が少ない． また，この発明によれば，読取信号のSN比が良く，読取
りを高速化できる，従って，複数個の半導体レーザを用
い，その読取速度を早めるために各半導体レーザに放射
線画像変換パネル等の放射線画像情報記録媒体面上の異
なる領域を担当させるようなことをすることなく，放射
線画像情報記録媒体面の読取時間を短縮できる． さらにまた，この発明では輝尽性蛍光体として波長＝50
0nm以上の輝尽励起光によって輝尽発光を示すアルカリ
ハライド蛍光体を使用したから，集積半導体レーザの発
振波長領域の光に対してマッチングし，効率良く輝尽発
光を示し，高品位の読取りを可能とする． さらに，この発明によれば，単一の集積半導体レーザを
レーザ光源とするから装置全体を小型化及び低価格が可
能となるなど，各種の優れた効果を奏するものである．
して，該記録媒体面に記録されている放射線画像情報を
読取る放射線画像読取装置に関するものである． 〔発明の背景〕 Ｘ線画像のような放射線画像は医療用として多く用いら
れている．この放射線画像を得る一方法として，被写体
を透過した放射線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射
し，これにより可視光を生じさせて，この可視光を銀塩
感光材料を塗布したフィルムに照射して現像する，いわ
ゆる放射線写真方式がある． 近年，放射線画像診断技術の進歩に伴い，前記放射線写
真に記録された放射線画像情報を読取り，デジタル信号
化した後にCRTや感光材料上に再生する方法が工夫され
るようになってきた．それにより，一回の放射線撮影か
らより多くの診断情報が得られるようになり，診断性能
の向上と，被曝線量の低減がもたらされる．また，放射
線画像情報の保存や検索の効率化という点でも期待がも
たれている． 前記写真フィルムを用いた放射線画像情報読取装置にお
いては，放射線画像を記録した写真フィルムを画像読取
光で露光走査し，その反射光または透過光を光検出器で
検出して電気信号に変換することが行われている． また，一方では，銀塩感光材料からなる放射線写真フィ
ルムを使用しないで放射線画像情報を得る方法が工夫さ
れるようになった． このような方法としては，被写体を透過した放射線をあ
る種の蛍光体に吸収せしめ，しかる後，この蛍光体を例
えば，光又は熱エネルギーで励起することにより，この
蛍光体が前記吸収により蓄積している放射線エネルギー
を蛍光として放射せしめ，この蛍光を検出して画像化す
るものがある．具体的には，例えば，米国特許第3,859,
527号又は特開昭55−12144号に開示されている．これは
輝尽性蛍光体を用い，可視光線又は赤外線を輝尽励起光
とした放射線画像変換方法を示したもので，支持体上に
輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用
し，この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写
体を透過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度
に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成
し，しかる後にこの輝尽性蛍光体層を前記輝尽励起光で
走査することによって，該パネル各部に蓄積された放射
線エネルギーを放射させてこれを光に変換し，この光の
強弱による光信号により放射線画像を得るものである．
また，他の方法としては被写体を透過した放射線を，一
様に帯電させたセレン，シリコン等の光導電体層を有す
る半導体パネルに吸収せしめて静電潜像を形成した後，
この半導体パネルを光で走査することにより，該パネル
上の静電潜像を電気的に検出して画像化するものがある
（例えば特開昭54−31219号）． 斯くして得た放射線画像は，そのままの状態で，或いは
リアルタイムで空間周波数処理や階調処理等の画像処理
を施されて銀塩フィルム,CRT等に出力されて可視化され
るか，又は半導体記憶装置，磁気記憶装置，光ディスク
記憶装置等の画像記憶装置に格納され，その後必要に応
じてこれら画像記憶装置から取り出されて銀塩フィル
ム,CRT等に出力されて可視化されている． ところで，前述の種々の方法に用いられる放射線画像読
取装置の画像読取光は，一般的にガスレーザ，例えばHe
−Neレーザ，Ar+レーザ等が使用されてきたが，ガスレ
ーザはそれ自体が大型であり，消費電力が大きく，それ
ゆえ発熱量も大であり，かつ，画像読取りの光学系が大
規模となるため，装置が大型化する等多くの欠点を有し
ていた． そこで，本願出願人らはすでに出願した特開昭59−1593
3号において，画像読取光の光源として半導体レーザを
用いた放射線画像読取方法を提案した．この方法による
装置はガスレーザを用いた従来装置の画像読取系に比較
して光学系が簡略化でき，該装置が小型で安価となる利
点がある反面，一般にここに用いる半導体レーザは低出
力であり,SN比の充分に高い画像の読取りが困難であっ
た．即ち，画像読取速度が一定であれば，レーザ出力が
1/4になると,SN比が1/2に低下してしまうためである． 一方，近年，放射線画像読取装置のスループットを向上
させるために，該装置での画像読取速度の高速化が強く
望まれるようになった．このためにはレーザ出力を上げ
て光強度を強くする必要がある．即ち,SN比が一定であ
ればレーザ出力が２倍になると，画像読取速度を２倍に
することが可能だからである． このようなことから，半導体レーザの高出力化の方法が
種々検討され，以下のような方法が提案されている．即
ち， 複数個の半導体レーザを用い，これから発生したレー
ザ光の光軸を偏向器により，或いはホログラフィー回析
格子等で合成して高出力にする方法． 複数個の半導体レーザ毎に偏向器及び輝尽発光集光体
を備え，それぞれに放射線画像変換パネル上の異なる領
域を担当させて走査して各領域毎に輝尽発光集光体で集
光して読取速度を高め得るようにする方法（特開昭60−
117212号等）． 複数個の半導体レーザを順次パルス発振させ，該半導
体レーザに対して一個の偏向器で放射線画像変換パネル
上の異なる領域に走査し，これを一本の走査線にして各
領域から発する輝尽発光を一個の輝尽発光集光体で集光
するようにする方法（特開昭60−108817号等）などであ
る． しかしながら、前記の場合にはレーザ光の光軸を合成
すること自体が困難であり，各レーザ光スポットが一点
に収束しないために合成したレーザ光のスポット径が大
きくなり易く，得られる画像の鮮鋭性が劣化した．しか
も合成し得るレーザ光の本数には限度があった． また，前記の場合は半導体レーザごとに偏向器及び輝
尽発光集光体を用いることから装置全体が大型化し，レ
ーザ光源を半導体レーザにして小型化するという初期の
目的が達し得ないばかりでなく，この方法ではそれぞれ
の半導体レーザが読取った領域の画像同士をつなぎ合わ
せることが困難であり，画像上につなぎ目が筋として表
れ易いという問題があった． さらに，前記の場合はの装置に比して小型化できる
が，大同小異であって装置全体の小型化，低価格化に対
し充分であるとは言えなかったし，この場合にはパルス
発振半導体レーザのパルス幅は一般に0.1μsec以下であ
るが，輝尽性蛍光体の輝尽励起光に対応する応答性は１
μsec程度であり，半導体レーザのパルス光に対し充分
な応答が得られず，感度が低下するという問題があっ
た． 〔発明の目的〕 この発明は放射線画像情報記録媒体を用いた放射線画像
読取装置における前述のような欠点に鑑みてなされたも
のであり，画像を読取る際に高速に読取ることができる
放射線画像読取装置を提供することを目的としている．
また，この発明の他の目的はSN比のよい高品質の画像を
得ることのできる放射線画像読取装置を提供することに
あり，更に，他の目的は上記目的に加えて小型化，低価
格化を可能にした放射線画像読取装置を提供することに
ある． 〔発明の構成〕 前記目的を達成するため，この発明は半導体レーザ光源
を輝尽励起光として用い，輝尽性蛍光体に蓄積記録され
ている画像情報を読み取る放射線画像読取装置におい
て，前記半導体レーザ光源として位相同期式の集積半導
体レーザを使用し，かつ，前記輝尽性蛍光体として下記
組成式で表されるアルカリハライド蛍光体を使用するこ
とを特徴とする放射線画像読取装置を提供する． 組成式 MIX・aMIIＸ′２・bMIIIＸ″３:cA（但し，MIはLi,Na,
K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属
であり，MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu及びNiから選ば
れる少なくとも一種の二価金属である．MIIIはSc,Y,La,
Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yd,Lu,Al,Ga及
びInから選ばれる少なくとも一種の三価金属である.X,
X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選ばれる少なくとも一
種のハロゲンである.AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,E
r,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びMgから選ばれる少なくと
も一種の金属である． また,aは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり,bは０≦ｂ＜
0.5の範囲の数値であり,cは０≦ｃ＜0.2の範囲の数値で
ある．） 〔実施例〕 次に，この発明を添付図面に示す実施例に基づいて説明
する． 第１図において,1は集積半導体レーザを用いた集積半導
体レーザ光源で，該集積半導体レーザ光源１から発せら
れたレーザ光Ａはコリメータレンズ７で平行光とされ，
振動ミラー等よりなるレーザ光偏向手段２に入射する．
該レーザ光Ａは前記レーザ光偏向手段２及びエフシータ
レンズ（ｆθレンズ）８を介して下方に設置した副走査
手段３の上面に担持された放射線画像記録媒体としての
輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル４に，幅方
向線状に主走査するように照射される．この放射線画像
変換パネル４を担持した副走査手段３は前記レーザ光Ａ
の主走査線の方向とほゞ直角方向に相対的に移動される
もので，図示の場合は上面に静電吸着板3aを有するフラ
ットベットが示されているが，エンドレスベルト装置で
もよいことは勿論である． 前 の如くレーザ光偏向手段２の主走査と，副走査手段
３による副走査でレーザ光の照射を受けた放射線画像変
換パネル４の個所は該レーザ光を輝尽励起光として蓄積
記録されている画像情報が輝尽発光し，この光が放射線
画像変換パネル４に近接し，かつ，主走査線を指向する
入射端面５′を有する輝尽発光集光体５に入射される．
この輝尽発光集光体５の入射端面５′から入射された光
はその他端部に設けた光電子倍増管６に伝えられ，該光
電子倍増管６において電気信号に変換されて画像情報処
理回路（図示せず）を通してそのままの状態で或いはリ
アルタイムで画像処理を施されて銀塩フィルム,CRT等に
出力されて可視化されるか，又は半導体記憶装置，磁気
記憶装置，光ディスク記憶装置等の画像記憶装置に格納
され，その後必要に応じてこれら画像記憶装置から取り
出されて銀塩フィルム,CRT等に出力されて可視化される
こととなる． 前記放射線画像変換パネル４に用いた輝尽性蛍光体とし
ては，波長＝500nm以上の輝尽励起光によって輝尽発光
を示すアルカリハライド蛍光体を使用した．これは前記
集積半導体レーザの発振波長領域の光に対してマッチン
グし，効率良く輝尽発光を示し，高品位の読取りを可能
とするものである．このアルカリハライド蛍光体として
は，組成式が， MIX・aMIIＸ′２・bMIIIＸ″３:cA（但し，MIはLi,Na,
K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属
であり，MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu及びNiから選ば
れる少なくとも一種の二価金属である．MIIIはSc,Y,La,
Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yd,Lu,Al,Ga及
びInから選ばれる少なくとも一種の三価金属である.X,
X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選ばれる少なくとも一
種のハロゲンである.AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,E
r,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びMgから選ばれる少なくと
も一種の金属である． また,aは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり,bは０≦ｂ＜
0.5の範囲の数値であり,cは０≦ｃ＜0.2の範囲の数値で
ある．）で表されるアルカリハライド蛍光体等が挙げら
れる．特に，前記輝尽性蛍光体のうち，バリウム弗化ハ
ロゲン化物系の蛍光体，及びアルカリハライド系の蛍光
体が半導体レーザの発振波長領域とのマッチングがよく
好ましい． 第２図は前記集積半導体レーザを用いたレーザ光源１を
示している．本図において,11は集積半導体レーザであ
る．該集積半導体レーザ11は窓12を有する外筐体13内に
配置した冷却器14に固定した銅ブロック15に取付けられ
ている.16はフォトダイオード,17はサーミスタである．
前記集積半導体レーザ11は電流を注入したときに半導体
内で誘導放出される光を増幅して複数の点より光が出射
できるように集積化され，かつ，各出射光が相互に光学
的に一定の位相関係を保つ位相同期式のものであること
が好ましい．この例として，第３図は多重ストライプ構
造の集積半導体レーザ11を，また，第４図はVSIS（Ｖ−
channeled Substrate Inner Stripe）構造の集積半導体
レーザ11をそれぞれ示している． 第３図示の集積半導体レーザ11は,n−GaAs基板31上に，
n-Ga0.6Al0.4Asクラッド層32を形成し，その上にGa0.94
Al0.06Asウェル層37及びGa0.8Al0.2Asバリア層38を交互
に多重量子井戸型に積層した活性層33を形成する．次い
で，p-Ga0.6Al0.4Asクラッド層34を形成し，該クラッド
層34の表面にイオンインプラーテーション法によってプ
ロトンを幅ａを6.5μm,ピッチｂを10μｍで複数本の平
行なストライプ状に注入する．次に，P+GaAsキャップ層
35を形成した後，最後にAu/Cr電極36を形成してなる． 第４図示の集積半導体レーザ11は,p−GaAs基板41上に,n
−GsAs電流阻止層42を設け，この層の表面に化学エッチ
ングによって前記基板41に達する複数本（図においては
４本）のＶ字形のチャンネル43を形成する．次いで，p-
Ca0.65Al0.35Asクラッド層44,p-Ca0.92Al0.08As活性層4
5,n-Ga0.65Al0.35Asクラッド層46,n−GaAsキャップ層47
を順次積層した後，電極48,49を形成する．次いで，共
振器（図示せず）に劈開後，前後面に一定の反射率を有
するコーティング膜を形成してなる． これらの集積半導体レーザ11は単峰性遠視野像を与えら
れ，単一スポットに収束可能なものがより優れているこ
とは言うまでもない．即ち，このような集積半導体レー
ザの場合には多数の点より出射した出射光はそれぞれ位
相の同期がとれているので単に集光レンズで収束させる
のみで高出力化が可能となり，しかも，この出射光は複
数個の半導体レーザを単に集積化しただけの非同期の集
積半導体レーザからの出射光と異なり，単一微細スポッ
トに収束可能だからである． なお，前記レーザ光源１に用いる集積半導体レーザはそ
の好ましいものとして位相同期式の多重ストライプ構造
或いはVSIS構造のものを挙げたが，これ以外に適当なも
のがあればそれによることは自由である． 〔発明の効果〕 以上説明したように，この発明の放射線画像読取装置は
位相同期式の集積半導体レーザ光源を用いているから，
レーザ光源から発生するレーザ光自体，光パワーの大き
いものが得られ，高感度の画像読取りが可能となり，し
かも，単一微細スポットに集光可能であるため，画像の
読取りにより鮮鋭性の劣化が少ない． また，この発明によれば，読取信号のSN比が良く，読取
りを高速化できる，従って，複数個の半導体レーザを用
い，その読取速度を早めるために各半導体レーザに放射
線画像変換パネル等の放射線画像情報記録媒体面上の異
なる領域を担当させるようなことをすることなく，放射
線画像情報記録媒体面の読取時間を短縮できる． さらにまた，この発明では輝尽性蛍光体として波長＝50
0nm以上の輝尽励起光によって輝尽発光を示すアルカリ
ハライド蛍光体を使用したから，集積半導体レーザの発
振波長領域の光に対してマッチングし，効率良く輝尽発
光を示し，高品位の読取りを可能とする． さらに，この発明によれば，単一の集積半導体レーザを
レーザ光源とするから装置全体を小型化及び低価格が可
能となるなど，各種の優れた効果を奏するものである．
図はこの発明の実施例を示し，第１図は全体の略示的斜
視図，第２図は光源の断面図，第３図は多重ストライプ
構造の集積半導体レーザの一部切欠斜視図，第４図はVS
IS構造の集積半導体レーザの断面図である． １…集積半導体レーザ光源 ２…レーザ光偏向手段 ３…副走査手段 ４…放射線画像変換パネル（放射線画像情報記録媒体） ５…輝尽発光集光体
視図，第２図は光源の断面図，第３図は多重ストライプ
構造の集積半導体レーザの一部切欠斜視図，第４図はVS
IS構造の集積半導体レーザの断面図である． １…集積半導体レーザ光源 ２…レーザ光偏向手段 ３…副走査手段 ４…放射線画像変換パネル（放射線画像情報記録媒体） ５…輝尽発光集光体
Claims (2)
- 【請求項１】半導体レーザ光源を輝尽励起光として用
い，輝尽性蛍光体に蓄積記録されている画像情報を読み
取る放射線画像読取装置において，前記半導体レーザ光
源として位相同期式の集積半導体レーザを使用し，か
つ，前記輝尽性蛍光体として下記組成式で表されるアル
カリハライド蛍光体を使用することを特徴とする放射線
画像読取装置． 組成式 MIX・aMIIＸ′２・bMIIIＸ″３:cA（但し，MIはLi,Na,
K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属
であり，MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu及びNiから選ば
れる少なくとも一種の二価金属である．MIIIはSc,Y,La,
Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yd,Lu,Al,Ga及
びInから選ばれる少なくとも一種の三価金属である.X,
X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選ばれる少なくとも一
種のハロゲンである.AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,E
r,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びMgから選ばれる少なくと
も一種の金属である． また,aは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり,bは０≦ｂ＜
0.5の範囲の数値であり,cは０≦ｃ＜0.2の範囲の数値で
ある．） - 【請求項２】前記位相同期式の集積半導体レーザが，単
峰性遠視野像を与えるものである特許請求の範囲第１項
記載の放射線画像読取装置．
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61014489A JPH0681221B2 (ja) | 1986-01-25 | 1986-01-25 | 放射線画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61014489A JPH0681221B2 (ja) | 1986-01-25 | 1986-01-25 | 放射線画像読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62172858A JPS62172858A (ja) | 1987-07-29 |
| JPH0681221B2 true JPH0681221B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=11862460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61014489A Expired - Fee Related JPH0681221B2 (ja) | 1986-01-25 | 1986-01-25 | 放射線画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0681221B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2756789B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1998-05-25 | コニカ株式会社 | レーザビーム結像光学系及びそれを用いた放射線画像撮影装置 |
-
1986
- 1986-01-25 JP JP61014489A patent/JPH0681221B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62172858A (ja) | 1987-07-29 |
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