JPH068207B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH068207B2 JPH068207B2 JP60222243A JP22224385A JPH068207B2 JP H068207 B2 JPH068207 B2 JP H068207B2 JP 60222243 A JP60222243 A JP 60222243A JP 22224385 A JP22224385 A JP 22224385A JP H068207 B2 JPH068207 B2 JP H068207B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- temperature
- porcelain composition
- dielectric porcelain
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 20
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は焼成温度が１１００℃以下で焼成される高誘電
率系誘電体磁器組成物に関し、特に高温度下での抵抗率
の大きいものに関する。
率系誘電体磁器組成物に関し、特に高温度下での抵抗率
の大きいものに関する。
従来の技術 近年セラミックコンデンサにおいては、素子の小型化、
大容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急
速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内
部電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製
造される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ
材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきた
が、焼成温度が１３００℃程度と高いため、内部電極材
料としてはＰｔ、Ｐｄなどの高価な金属を用いる必要が
あった。
大容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急
速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内
部電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製
造される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ
材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきた
が、焼成温度が１３００℃程度と高いため、内部電極材
料としてはＰｔ、Ｐｄなどの高価な金属を用いる必要が
あった。
これに対し１１００℃以下で焼成でき、内部電極として
前者より安価なＡｇ系材料を用いることができる鉛複合
ペロブスカイト系材料が開発されている。
前者より安価なＡｇ系材料を用いることができる鉛複合
ペロブスカイト系材料が開発されている。
これらのうちPb(Zn1/3Nb2/3)Ｏ３とＰｂ(Mg1/3Nb2/3)Ｏ
３を含むものとしては、特開昭５７−２５６０７号公
報、同５７−２７９７４号公報に記載の材料などが知ら
れている。
３を含むものとしては、特開昭５７−２５６０７号公
報、同５７−２７９７４号公報に記載の材料などが知ら
れている。
発明が解決しようとする問題点 Pb(Zn1/3Nb2/3)Ｏ３−Pb(Mg1/3Nb2/3)Ｏ３系固溶体は高
い誘電率が得られるが、特に高温下での抵抗値がやや低
下する傾向を有していた。
い誘電率が得られるが、特に高温下での抵抗値がやや低
下する傾向を有していた。
本発明は、Pb(Zn1/3Nb2/3)Ｏ３−Ｐｂ(Mg1/3Nb2/3)Ｏ３
系のもつ高い誘電率をそこなわず、高温下での抵抗値の
高い誘電体磁器組成物を提供することを目的としてい
る。
系のもつ高い誘電率をそこなわず、高温下での抵抗値の
高い誘電体磁器組成物を提供することを目的としてい
る。
問題点を解決するための手段 Pb(Zn1/3Nb2/3)Ｏ３−Pb(Mg1/3Nb2/3)Ｏ３系に第三成分
として、Ｐｂ(Ni1/2W1/2)Ｏ３を加えた組成とする。
として、Ｐｂ(Ni1/2W1/2)Ｏ３を加えた組成とする。
作用 本発明の範囲の組成物においては、Pb(Zn1/3Nb2/3)Ｏ３
−Pb(Mg1/3Nb2/3)Ｏ３系にＰｂ(Ni1/2W1/2)Ｏ３を加え
ることにより、１１００℃以下の焼成温度で、積層コン
デンサ素子として高信頼性を得られるチ密な焼結体が得
られ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能
となり、かつ高温度下において高い抵抗値を有する素子
が得られる。
−Pb(Mg1/3Nb2/3)Ｏ３系にＰｂ(Ni1/2W1/2)Ｏ３を加え
ることにより、１１００℃以下の焼成温度で、積層コン
デンサ素子として高信頼性を得られるチ密な焼結体が得
られ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能
となり、かつ高温度下において高い抵抗値を有する素子
が得られる。
実施例 出発原料には化学的に高純度なPbO、MgO、Ｎｂ２Ｏ５、
NiO、ＺｎＯ、ＷＯ３を用いた。これらを純度補正をお
こなったうえで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純
水を溶媒としボールミルで１７時間湿式混合した，これ
を吸引ろ過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後
ライカイ機で充分解砕した後粉体量の５wt％の水分を加
え、直径６０mm、高さ約５０mmの円柱状に、成形圧力５
００kg/cm2で成形した。これをアルミナルツボ中に入れ
同質のフタをし、７５０℃〜８８０℃で２時間仮焼し
た。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ
製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで１７時間粉
砕し、これを吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥し
た。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後、こ
の粉末にポリビニルアルコール６wt％水溶液を粉体量の
６wt％加え、３２メッシュふるいを通して造粒し、成形
圧力１０００kg/cm2で、直径１３mm、高さ約５mmの円柱
状に成形した。成形物は空気中で７００℃まで昇温し１
時間保持してポリビニルアルコール分をバーンアウト
し、冷却後これをマグネシヤ磁器容器に移し、同質のフ
タをし、空気中で所定温度まで４００℃／hrで昇温し２
時間保持後４００℃／hrで降温した。
NiO、ＺｎＯ、ＷＯ３を用いた。これらを純度補正をお
こなったうえで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純
水を溶媒としボールミルで１７時間湿式混合した，これ
を吸引ろ過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後
ライカイ機で充分解砕した後粉体量の５wt％の水分を加
え、直径６０mm、高さ約５０mmの円柱状に、成形圧力５
００kg/cm2で成形した。これをアルミナルツボ中に入れ
同質のフタをし、７５０℃〜８８０℃で２時間仮焼し
た。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ
製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで１７時間粉
砕し、これを吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥し
た。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後、こ
の粉末にポリビニルアルコール６wt％水溶液を粉体量の
６wt％加え、３２メッシュふるいを通して造粒し、成形
圧力１０００kg/cm2で、直径１３mm、高さ約５mmの円柱
状に成形した。成形物は空気中で７００℃まで昇温し１
時間保持してポリビニルアルコール分をバーンアウト
し、冷却後これをマグネシヤ磁器容器に移し、同質のフ
タをし、空気中で所定温度まで４００℃／hrで昇温し２
時間保持後４００℃／hrで降温した。
焼成物は厚さ１mmの円板状に切断し、両面にＣｒ−Ａｕ
を蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ｋHz、１Ｖ／mmの電界
下で測定した。また抵抗率は２０℃および８５℃で１ｋ
Ｖ／mmの電圧を印加後１分値から求めた。
を蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ｋHz、１Ｖ／mmの電界
下で測定した。また抵抗率は２０℃および８５℃で１ｋ
Ｖ／mmの電圧を印加後１分値から求めた。
なお焼成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる温度
とした。
とした。
表１に本発明の組成範囲および周辺組成の成分、焼成温
度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率、抵抗率を
示す。
度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率、抵抗率を
示す。
図は表１に示した各試料をPb(Zn1/3Nb2/3)Ｏ３−Ｐｂ(M
g1/3Nb2/3)Ｏ３−Ｐｂ(Ni1/2W1/2)Ｏ３を端成分とする
三角組成図中に示したもので、斜線の範囲が発明の範囲
である。
g1/3Nb2/3)Ｏ３−Ｐｂ(Ni1/2W1/2)Ｏ３を端成分とする
三角組成図中に示したもので、斜線の範囲が発明の範囲
である。
発明の範囲外の組成物については、表１のNo.に＊印を
つけた試料を例として挙げたが、最適焼成温度が１１０
０℃を越える、誘電率が４０００以下となる、高温度下
での抵抗値が低くなる、の３点のいずれか、もしくはそ
れらの重複した難点を有している。発明の範囲内の組成
物では前記３点の問題がいずれも克服されている。
つけた試料を例として挙げたが、最適焼成温度が１１０
０℃を越える、誘電率が４０００以下となる、高温度下
での抵抗値が低くなる、の３点のいずれか、もしくはそ
れらの重複した難点を有している。発明の範囲内の組成
物では前記３点の問題がいずれも克服されている。
発明の効果 本発明によれば、１１００℃以下の温度で積層コンデン
サ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得ら
れ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能に
なり、かつ誘電率が４０００以上で高温度下での抵抗率
の高い優れた誘電体磁器組成物を得ることができる。
サ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得ら
れ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能に
なり、かつ誘電率が４０００以上で高温度下での抵抗率
の高い優れた誘電体磁器組成物を得ることができる。
図は本発明に係る磁器組成物の成分組成を示す三角組成
図である。
図である。
Claims (1)
- 【請求項１】Pb(Mg1/3Nb2/3)Ｏ３、Pb(Zn1/3Nb2/3)Ｏ３
Pb(Ni1/2W1/2)Ｏ３からなる三成分系磁器組成物を Pb(Mg1/3Nb2/3)x(Zn1/3Nb2/3)y (Ni1/2W1/2)zＯ３ と表したときに（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝1.00）、Ｐｂ(M
g1/3Nb2/3)Ｏ３、Pb(Zn1/3Nb2/3)Ｏ３、Pb(Ni1/2W1/2)
Ｏ３を頂点とする三角座標で示される三成分組成図にお
いて、下記の組成点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ Ａ： ｘ＝0.850 ｙ＝0.140 ｚ＝0.010 Ｂ： ｘ＝0.500 ｙ＝0.490 ｚ＝0.010 Ｃ： ｘ＝0.010 ｙ＝0.940 ｚ＝0.050 Ｄ： ｘ＝0.010 ｙ＝0.650 ｚ＝0.340 を頂点とする四角形の領域内の組成範囲にあることを特
徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222243A JPH068207B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222243A JPH068207B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283352A JPS6283352A (ja) | 1987-04-16 |
| JPH068207B2 true JPH068207B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=16779341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222243A Expired - Lifetime JPH068207B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068207B2 (ja) |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60222243A patent/JPH068207B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6283352A (ja) | 1987-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH068205B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0712973B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH068207B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH068206B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0644409B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0644408B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0676250B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0712974B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0324426B2 (ja) | ||
| JPS6283350A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0329017B2 (ja) | ||
| JPH0688826B2 (ja) | 高誘電率系誘電体磁器組成物 | |
| JPH0324427B2 (ja) | ||
| JPH0329019B2 (ja) | ||
| JPH0712972B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0764632B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0688825B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02309B2 (ja) | ||
| JPH0829980B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0329018B2 (ja) | ||
| JPH0712975B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0821262B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH013044A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6283353A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0821259B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 |