JPH0630136B2 - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPH0630136B2 JPH0630136B2 JP28434785A JP28434785A JPH0630136B2 JP H0630136 B2 JPH0630136 B2 JP H0630136B2 JP 28434785 A JP28434785 A JP 28434785A JP 28434785 A JP28434785 A JP 28434785A JP H0630136 B2 JPH0630136 B2 JP H0630136B2
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- thin film
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Description
【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は高密度磁気記録ができＣｏＣｒ／パーマロイ積
層膜を代表例とする垂直磁気記録層と軟磁性層とを有す
る二層膜構造の、特にフロッピーディスクに好適な垂直
磁気記録媒体に関する。
層膜を代表例とする垂直磁気記録層と軟磁性層とを有す
る二層膜構造の、特にフロッピーディスクに好適な垂直
磁気記録媒体に関する。
［従来技術］ 近年、高密度記録特性の優れた磁気記録方式として、垂
直磁気記録方式が提案されている。この方式は、特公昭
58−91号公報、特公昭58−10764号公報等で公知の如
く、磁化容易軸が膜面に対して垂直な方向を有する記録
媒体を用い、残留磁化が膜面に対して垂直に向くように
記録するもので、信号が高密度になるほど媒体内反磁界
は減少し、優れた記録及び再生を行なうことができる。
この方式に適する記録媒体としてＣｏ系合金薄膜（特に
ＣｏＣｒ合金薄膜）が公知である。特に、特公昭58−91
号公報に提案されているＣｏ系合金薄膜の下地にパーマ
ロイ合金のような軟磁性層を設けた垂直磁気記録媒体
は、記録効率が向上できるとともに、大きな再生出力が
得られる点から着目されている。
直磁気記録方式が提案されている。この方式は、特公昭
58−91号公報、特公昭58−10764号公報等で公知の如
く、磁化容易軸が膜面に対して垂直な方向を有する記録
媒体を用い、残留磁化が膜面に対して垂直に向くように
記録するもので、信号が高密度になるほど媒体内反磁界
は減少し、優れた記録及び再生を行なうことができる。
この方式に適する記録媒体としてＣｏ系合金薄膜（特に
ＣｏＣｒ合金薄膜）が公知である。特に、特公昭58−91
号公報に提案されているＣｏ系合金薄膜の下地にパーマ
ロイ合金のような軟磁性層を設けた垂直磁気記録媒体
は、記録効率が向上できるとともに、大きな再生出力が
得られる点から着目されている。
さらに、記録再生感度を上昇せしめる方策として、記録
層と軟磁性層の中間に非磁性であるＴｉ薄膜を設けるこ
とが提案されている。
層と軟磁性層の中間に非磁性であるＴｉ薄膜を設けるこ
とが提案されている。
例えば特開昭55−163630号公報には厚さ1000Å程度以上
の非磁性中間層を用いる効果が開示されている。
の非磁性中間層を用いる効果が開示されている。
また、電子通信学会技術研究報告ＭＲ80-43（ｖｏｌ．8
0，No.287,1980）には500Å厚さのＴｉ中間層が記述さ
れている。
0，No.287,1980）には500Å厚さのＴｉ中間層が記述さ
れている。
また、第７回日本応用磁気学会学術講演概要集７ａＡ−
Ｂ，ｐ８（1983）には70Å以上のＴｉ下地層の実験と70
0ÅのＴｉ中間層の効果が述べられている。
Ｂ，ｐ８（1983）には70Å以上のＴｉ下地層の実験と70
0ÅのＴｉ中間層の効果が述べられている。
また、第32回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，29
ｐ−Ｇ−７，p358（1985）には200ÅのＴｉ中間層の実
験が記述され、同じ予稿集の29p−Ｇ−８，p358には約1
00Å以上のＴｉの中間層の実験と400ÅのＴｉ中間層に
おける電磁変換特性の向上が述べられている。
ｐ−Ｇ−７，p358（1985）には200ÅのＴｉ中間層の実
験が記述され、同じ予稿集の29p−Ｇ−８，p358には約1
00Å以上のＴｉの中間層の実験と400ÅのＴｉ中間層に
おける電磁変換特性の向上が述べられている。
さらに、電子通信学会技術研究報告ＭＲ84−51（ｖｏ
ｌ．84，No.293,1985）には、1400Å厚さの内面磁気異
方性を有する軟磁性層の場合において約30Å〜100Å程
度のＴｉ中間層による再生出力の向上と記録再生分解能
の向上が述べられている。
ｌ．84，No.293,1985）には、1400Å厚さの内面磁気異
方性を有する軟磁性層の場合において約30Å〜100Å程
度のＴｉ中間層による再生出力の向上と記録再生分解能
の向上が述べられている。
以上のように、従来検討されて来たのは比較的厚いＴｉ
中間層であり、かつ、軟磁性層の保磁力が比較的小さく
面内磁気異方性を有する場合には効果が認められてき
た。すなわち、このような構成では磁気ヘッドが媒体の
一方向を走行する磁気テープとなり得ても、フロッピー
ディスクの様に、軟磁性層の面内磁気異方性が再生出力
のモジュレーションを悪くする（例えば特開昭60−3871
8号公報参照）場合は不都合なことである。またディス
ク媒体では信頼性の観点より高い再生出力が必要とさ
れ、軟磁性層の厚さは約3000Å以上が要求されるが、か
かる厚さの場合においては非磁性中間層の効果は確認さ
れておらず、前述の従来技術では効果は否定的ですらあ
る。
中間層であり、かつ、軟磁性層の保磁力が比較的小さく
面内磁気異方性を有する場合には効果が認められてき
た。すなわち、このような構成では磁気ヘッドが媒体の
一方向を走行する磁気テープとなり得ても、フロッピー
ディスクの様に、軟磁性層の面内磁気異方性が再生出力
のモジュレーションを悪くする（例えば特開昭60−3871
8号公報参照）場合は不都合なことである。またディス
ク媒体では信頼性の観点より高い再生出力が必要とさ
れ、軟磁性層の厚さは約3000Å以上が要求されるが、か
かる厚さの場合においては非磁性中間層の効果は確認さ
れておらず、前述の従来技術では効果は否定的ですらあ
る。
［本発明の目的］ 本発明は記録層と軟磁性層との間に非磁性の中間層を設
けることにより電磁変換特性を向上せしめることを目的
とする。
けることにより電磁変換特性を向上せしめることを目的
とする。
［本発明の構成および作用効果］ 上述の目的は以下の本発明により達成される。
すなわち、本発明は垂直磁気記録層（以下、記録層と称
す。）と軟磁性層との二層膜構造を有し、当該軟磁性層
が面内で等方的な磁気特性を有する保磁力が３エルステ
ッド（Ｏｅ）以上で膜厚が0.3μｍ以上の軟磁性薄膜で
あり、且つ当該二層の中間に厚さ５Å以上、30Å以下の
非磁性中間層を配した垂直記録媒体である。
す。）と軟磁性層との二層膜構造を有し、当該軟磁性層
が面内で等方的な磁気特性を有する保磁力が３エルステ
ッド（Ｏｅ）以上で膜厚が0.3μｍ以上の軟磁性薄膜で
あり、且つ当該二層の中間に厚さ５Å以上、30Å以下の
非磁性中間層を配した垂直記録媒体である。
本発明者らはフロッピーディスク等のディスク用途を目
的に、記録層と軟磁性層との二層膜構造の垂直磁気記録
媒体の研究を行ってきた。本目的に必要な軟磁性膜の特
性は、まず第一に等方的な磁気特性を有することであ
る。等方的とは例えば前述の特開昭60−38718号公報に
開示されている如く、面内で測定される飽和磁化曲線
（Ｍ−Ｈループ）に測定方向による差違が小さいものを
いい、具体的には後述の媒体での再生出力のモジュレー
ションが10％以下のものをいう。かかる目的には他に垂
直磁気異方性（回転磁気異方性）を有するパーマロイ膜
や、一般に保磁力（Ｈｃ）が３〜４エルステッド（Ｏ
ｅ）以上の高保磁力のパーマロイ膜が使用され得る。さ
らに、Ｈｃが小さすぎる軟磁性膜を有する二層膜媒体で
は、軟磁性膜の磁壁移動に伴うスパイク状ノイズが再生
時（信号の読み出し時）に出現することがすでに公知で
あり、かかる要求からも軟磁性膜の保磁力Ｈｃは３〜４
Ｏｅ以上が要求されている。そしこのようなＨｃの場合
は再生出力面から、必要な軟磁層の厚さは0.3μｍ以
上、好ましくは0.5μｍ程度が要求される。
的に、記録層と軟磁性層との二層膜構造の垂直磁気記録
媒体の研究を行ってきた。本目的に必要な軟磁性膜の特
性は、まず第一に等方的な磁気特性を有することであ
る。等方的とは例えば前述の特開昭60−38718号公報に
開示されている如く、面内で測定される飽和磁化曲線
（Ｍ−Ｈループ）に測定方向による差違が小さいものを
いい、具体的には後述の媒体での再生出力のモジュレー
ションが10％以下のものをいう。かかる目的には他に垂
直磁気異方性（回転磁気異方性）を有するパーマロイ膜
や、一般に保磁力（Ｈｃ）が３〜４エルステッド（Ｏ
ｅ）以上の高保磁力のパーマロイ膜が使用され得る。さ
らに、Ｈｃが小さすぎる軟磁性膜を有する二層膜媒体で
は、軟磁性膜の磁壁移動に伴うスパイク状ノイズが再生
時（信号の読み出し時）に出現することがすでに公知で
あり、かかる要求からも軟磁性膜の保磁力Ｈｃは３〜４
Ｏｅ以上が要求されている。そしこのようなＨｃの場合
は再生出力面から、必要な軟磁層の厚さは0.3μｍ以
上、好ましくは0.5μｍ程度が要求される。
本発明者らはかかる軟磁性膜への要求を満たした状態に
おいて、ＣｏＣｒ合金薄膜とパーマロイ薄膜との中間に
非磁性中間層としてＴｉ薄膜を設ける検討を行った。そ
して、かかる制約下における媒体においては、従来技術
で無視されていた５Å〜30Åという非常に薄井非磁性中
間層が記録密度を向上せしめる効果を有することを見い
出し本発明に至った。
おいて、ＣｏＣｒ合金薄膜とパーマロイ薄膜との中間に
非磁性中間層としてＴｉ薄膜を設ける検討を行った。そ
して、かかる制約下における媒体においては、従来技術
で無視されていた５Å〜30Åという非常に薄井非磁性中
間層が記録密度を向上せしめる効果を有することを見い
出し本発明に至った。
以下に図面と実施例を用い本発明の詳細を説明する。
第１図に本発明の代表的な垂直磁気記録媒体の構成を示
した。第１図のＦは支持材であり、非磁性の金属，非金
属のシートが好ましく用いられる。フロッピーディス
ク，スチル電子カメラ等の用途には、ボリエチレンテレ
タレート，ポリエチレン−2,6−ナフタレンジカルポキ
シレート，ポリイミド等の30〜120μｍ程度の厚さの有
機高分子フイルムが好ましく用いられる。
した。第１図のＦは支持材であり、非磁性の金属，非金
属のシートが好ましく用いられる。フロッピーディス
ク，スチル電子カメラ等の用途には、ボリエチレンテレ
タレート，ポリエチレン−2,6−ナフタレンジカルポキ
シレート，ポリイミド等の30〜120μｍ程度の厚さの有
機高分子フイルムが好ましく用いられる。
第１図のＳは軟磁性層であり、本発明では等方的な磁気
特性を有する厚さ0.3μｍ程度以上、好ましくは、0.4μ
ｍ以上，保磁力が３０ｅ以上で５０Ｏｅ以下の強磁性金
属薄膜が使用される。例えば，ＮｉＦｅ合金（Ｍｏパー
マロイ，ＣｕＭｏパーマロイ，耐食性パーマロイ，高硬
度パーマロイ）薄膜やＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＭｏ，ＣｏＮ
ｂＺｒ等のアモルファス合金薄膜が使用され得る。
特性を有する厚さ0.3μｍ程度以上、好ましくは、0.4μ
ｍ以上，保磁力が３０ｅ以上で５０Ｏｅ以下の強磁性金
属薄膜が使用される。例えば，ＮｉＦｅ合金（Ｍｏパー
マロイ，ＣｕＭｏパーマロイ，耐食性パーマロイ，高硬
度パーマロイ）薄膜やＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＭｏ，ＣｏＮ
ｂＺｒ等のアモルファス合金薄膜が使用され得る。
等方的とは、磁気ディスクとした時の再生出力のモジュ
レーション（ＪＩＳ Ｃ 6291参照）が10％以上になる
ような面内磁気異方性を有しないと理解されるべきであ
る。軟磁性層Ｓの面内磁気異方性がモジュレーションに
与える影響，その程度は磁気ヘッドの形状，材質，構成
により異り、一律に規定できない。かかる等方的な磁気
特性を有する軟磁性層Ｓの例としては、前述の特開昭60
−38718号公報に開示されている面内で測定されるＭ−
Ｈ曲線に測定方向による差違が小さい軟磁性層や垂直磁
気異方性を有するパーマロイ薄膜をあげることができ
る。特に、コスト並びに適度な飽和磁化と保磁力と低磁
歪のものが得られる約80wt％のＮｉ組成のパーマロイ薄
膜が好適に使用される。そして、該パーマロイ薄膜の保
磁力は３〜４Ｏｅ以上が好ましく、特に５０ｅ以上がノ
イズと再生出力エンベローブの均一さの観点より好まし
い。
レーション（ＪＩＳ Ｃ 6291参照）が10％以上になる
ような面内磁気異方性を有しないと理解されるべきであ
る。軟磁性層Ｓの面内磁気異方性がモジュレーションに
与える影響，その程度は磁気ヘッドの形状，材質，構成
により異り、一律に規定できない。かかる等方的な磁気
特性を有する軟磁性層Ｓの例としては、前述の特開昭60
−38718号公報に開示されている面内で測定されるＭ−
Ｈ曲線に測定方向による差違が小さい軟磁性層や垂直磁
気異方性を有するパーマロイ薄膜をあげることができ
る。特に、コスト並びに適度な飽和磁化と保磁力と低磁
歪のものが得られる約80wt％のＮｉ組成のパーマロイ薄
膜が好適に使用される。そして、該パーマロイ薄膜の保
磁力は３〜４Ｏｅ以上が好ましく、特に５０ｅ以上がノ
イズと再生出力エンベローブの均一さの観点より好まし
い。
第１図のＴは、厚さ５Å以上30Å以下の非磁性中間層で
あり、その効果は後述する。実施例ではＴｉ薄膜を用い
たが、他に酸化鉄，酸化コバルト，酸化クロム等の酸化
物，また有機薄膜も使用され得る。すなわち、本発明は
従来技術のように中間層による該中間層上に形成される
ＣｏＣｒ合金薄膜の結晶配向性の向上を目的としたもの
ではなく、本発明の中間層は非磁性でれば、層間の接着
性をわるくしないものである限りいかなるものでもよ
い。
あり、その効果は後述する。実施例ではＴｉ薄膜を用い
たが、他に酸化鉄，酸化コバルト，酸化クロム等の酸化
物，また有機薄膜も使用され得る。すなわち、本発明は
従来技術のように中間層による該中間層上に形成される
ＣｏＣｒ合金薄膜の結晶配向性の向上を目的としたもの
ではなく、本発明の中間層は非磁性でれば、層間の接着
性をわるくしないものである限りいかなるものでもよ
い。
第１図のＲは記録層である。飽和磁化200〜900emu／cc
程度のＣｏとＣｒの合金薄膜が好ましく使用される。他
にＣｏＣｒに数wt％のＲｅ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａを添加した
ものや、ＣｏＶ合金薄膜，ＦｅＭｎ合金薄膜等でもよ
い。要は適度の飽和磁化と数百エルステッドの保磁力と
垂直磁気異方性を有する厚さ0.1μｍ〜0.5μｍ程度の薄
膜が使用される。
程度のＣｏとＣｒの合金薄膜が好ましく使用される。他
にＣｏＣｒに数wt％のＲｅ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａを添加した
ものや、ＣｏＶ合金薄膜，ＦｅＭｎ合金薄膜等でもよ
い。要は適度の飽和磁化と数百エルステッドの保磁力と
垂直磁気異方性を有する厚さ0.1μｍ〜0.5μｍ程度の薄
膜が使用される。
第１図のＰは保護層であるが、必ずしも必要でない。し
かし、通常は、ディスク媒体では数百万回以上の再生，
すなわち磁気ヘッドとの摺動に耐えることが要求される
ので、ＳｉＯ２，硬質カーボン、Ｃｏ酸化物等の厚さ0.
01μｍ〜0.03μｍ程度の保護層Ｐを設けるのが好まし
い。
かし、通常は、ディスク媒体では数百万回以上の再生，
すなわち磁気ヘッドとの摺動に耐えることが要求される
ので、ＳｉＯ２，硬質カーボン、Ｃｏ酸化物等の厚さ0.
01μｍ〜0.03μｍ程度の保護層Ｐを設けるのが好まし
い。
第１図は両面媒体を例示したが、本発明では支持体Ｆ上
に軟磁性層Ｓ，中間層Ｔ及び記録層Ｒを順次形成した媒
体が必須構成要素であり、支持体Ｆの片面のみに軟磁性
層Ｓ，中間層Ｔ及び記録層Ｓを有するもの（例えば片面
媒体）にも本発明が適用できる。
に軟磁性層Ｓ，中間層Ｔ及び記録層Ｒを順次形成した媒
体が必須構成要素であり、支持体Ｆの片面のみに軟磁性
層Ｓ，中間層Ｔ及び記録層Ｓを有するもの（例えば片面
媒体）にも本発明が適用できる。
上記の軟磁性層Ｓ，中間層Ｓ，記録層Ｒの各層はスパッ
タリング法，真空蒸着法，メッキ法等で形成される。特
に各層間の接着性を良好ならしめるためには、同一の真
空槽内で連続してスパッタ法又は真空蒸着法により前記
三層を順次に形成するのが好ましい。
タリング法，真空蒸着法，メッキ法等で形成される。特
に各層間の接着性を良好ならしめるためには、同一の真
空槽内で連続してスパッタ法又は真空蒸着法により前記
三層を順次に形成するのが好ましい。
以下、実施例により本発明の効果を詳述する。
［実施例］ 50μｍ厚さの二軸配向ポリエチレンテレフレタレートの
フイルムを支持体Ｆとし、該支持体上に、下記の直流二
極マグネトロンスパッタ装置を用い下記の条件下で軟磁
性層Ｓとしてパーマロイ薄膜を中間層ＴとしてＴｉ薄膜
を、記録層ＲとしてＣｏＣｒ合金薄膜を順次積層した。
フイルムを支持体Ｆとし、該支持体上に、下記の直流二
極マグネトロンスパッタ装置を用い下記の条件下で軟磁
性層Ｓとしてパーマロイ薄膜を中間層ＴとしてＴｉ薄膜
を、記録層ＲとしてＣｏＣｒ合金薄膜を順次積層した。
(1)装置 日電アネルバ（株）製，型式ＳＰＦ−430Ｈを用いた。
４インチのターゲット３個を有し、真空中で３つの層の
積層が可能である。
４インチのターゲット３個を有し、真空中で３つの層の
積層が可能である。
また、強力な永久磁石を配し、４mm厚さの強磁性体ター
ゲットのスパッタが可能な様に改造した。さらに、基板
取付部は、下記の条件が可能な様に改造した。
ゲットのスパッタが可能な様に改造した。さらに、基板
取付部は、下記の条件が可能な様に改造した。
(2)基板 上記フイルムを16cm直径の円型金枠に展張して取り付け
膜堆積中は金枠の中心回りに18rpmで回転させた。また
外部より真空槽をアースとして基板に直流電位（Ｖｂ：
バイアス電圧）を印加できるようになっている。（バイ
アススパッタ法は、例えば、特開昭57−34324号公報の
第４図参照。） (3)スパッタ条件 （３−１）軟磁性層Ｓのパーマロイ薄膜；Ｍｎ0.05wt
％，Ｆｅ15.4wt％，残部Ｎｉ（99.9％純度）の組成を有
するパーマロイターゲットを使用し、基板とターゲット
との間隔55.5mm，アルゴンガス圧0.8Ｐａ，投入電力300
wattで10分３７秒間，基板に−1001voltのＶｂ電圧を印
加しながらスパッタした。
膜堆積中は金枠の中心回りに18rpmで回転させた。また
外部より真空槽をアースとして基板に直流電位（Ｖｂ：
バイアス電圧）を印加できるようになっている。（バイ
アススパッタ法は、例えば、特開昭57−34324号公報の
第４図参照。） (3)スパッタ条件 （３−１）軟磁性層Ｓのパーマロイ薄膜；Ｍｎ0.05wt
％，Ｆｅ15.4wt％，残部Ｎｉ（99.9％純度）の組成を有
するパーマロイターゲットを使用し、基板とターゲット
との間隔55.5mm，アルゴンガス圧0.8Ｐａ，投入電力300
wattで10分３７秒間，基板に−1001voltのＶｂ電圧を印
加しながらスパッタした。
（３−２）中間層ＴのＴｉ薄膜； Ｔｉをターゲットとし、アルゴンガス圧1.3Ｐａ，投入
電力10wattでスパッタした。膜厚はスパッタ時間で制御
した。堆積速度は回転基板上，半径45mmの所で1.23Å／
minであった。
電力10wattでスパッタした。膜厚はスパッタ時間で制御
した。堆積速度は回転基板上，半径45mmの所で1.23Å／
minであった。
（３−３）記録層ＲのＣｏＣｒ合金薄膜； Ｃｒ20wt％，残部Ｃｏ（99.9％純度）より成るＣｏＣｒ
合金のターゲットを使用し、基板とターゲットとの間隔
55.5mm，アルゴンガス圧0.4Ｐａ，投入電力500wattで２
分17秒間のスパッタを行った。スパッタ時に−70voltの
電圧（Ｖｂ）を印加した。
合金のターゲットを使用し、基板とターゲットとの間隔
55.5mm，アルゴンガス圧0.4Ｐａ，投入電力500wattで２
分17秒間のスパッタを行った。スパッタ時に−70voltの
電圧（Ｖｂ）を印加した。
(4)評価結果 Ｔｉ薄膜の厚さを従来例のＯÅ（ブランク），実施例の
５Å，10Å，15Å，30Å，比較例の50Å，500Åとした
７つのサンプルを作製し、半径45mmを評価した。
５Å，10Å，15Å，30Å，比較例の50Å，500Åとした
７つのサンプルを作製し、半径45mmを評価した。
膜厚，磁気特性の測定結果は下記の通りで、Ｔｉ膜厚よ
らずほぼ一定なものについては７サンプルの平均値と変
化巾で結果を示す。
らずほぼ一定なものについては７サンプルの平均値と変
化巾で結果を示す。
ＣｏＣｒ合金膜： 膜厚 0.20±0.01μｍ 垂直方向保磁力 第２図にＴｉ膜厚（ＤＴ）に （Ｈｃｖ） 対してプロットして示した。
実効的異方性磁界（ＨＫ） 4.3±0.1ｋＯｅ パーマロイ膜： 膜厚 0.53±0.02μｍ 保磁力 10±１０ｅ（ＣｏＣｒ膜／ Ｔｉ膜／パーマロイ膜の積層 状態で、Ｍ−Ｈトレーサーを 用い評価した。） 又、半径45mmの所を中心とし、半径方向と円周方向の２
方向より0.5インチ巾，60mm長の長方形の試料をサンプ
リングし、市販の0.5インチ巾のＶＴＲテープにつなぎ
込み表−１の条件で電磁変換特性を測定した。結果を第
３図と第４図に示した。なお、サンプリング方向による
２方向の再生出力差はいずれも相対誤差±３％以内であ
り図には両者の平均値を示した。
方向より0.5インチ巾，60mm長の長方形の試料をサンプ
リングし、市販の0.5インチ巾のＶＴＲテープにつなぎ
込み表−１の条件で電磁変換特性を測定した。結果を第
３図と第４図に示した。なお、サンプリング方向による
２方向の再生出力差はいずれも相対誤差±３％以内であ
り図には両者の平均値を示した。
第３図はＴｉ膜厚（ＤＴ）に対し記録密度２ＫＢＰＩの
時の再生出力（Ｅｐ）を示したものであり、従来例のＤ
Ｔ＝Ｏ及び実施例のＤＴ＝５，10，15，30（Å）では出
力は一定、又は実施例でやや大きい傾向である。比較例
のＤＴ＝50，500（Å）では従来例より出力が低下して
おり、ＤＴ＞40Åでは従来例に比べ出力は低下する。出
力の奏かは第２図に示したＣＯＣｒ膜の保磁力の低下と
主磁極と軟磁性膜との距離が拡大することによるスペー
シング・ロスが原因であると考えられる。
時の再生出力（Ｅｐ）を示したものであり、従来例のＤ
Ｔ＝Ｏ及び実施例のＤＴ＝５，10，15，30（Å）では出
力は一定、又は実施例でやや大きい傾向である。比較例
のＤＴ＝50，500（Å）では従来例より出力が低下して
おり、ＤＴ＞40Åでは従来例に比べ出力は低下する。出
力の奏かは第２図に示したＣＯＣｒ膜の保磁力の低下と
主磁極と軟磁性膜との距離が拡大することによるスペー
シング・ロスが原因であると考えられる。
第４図はＴｉ膜厚（ＤＴ）に対して、再生出力値が記録
密度２ｋＢＰＩにおける再生出力の半分になる記録密度
（Ｄ５０； ｋＢＰＩ）０プロットしたものである。な
お、Ｄ５０は記録密度特性における主極極の厚さに由来
するピークの頂点を結んで得た飽絡線により求めた。図
より、実施例のＤＴ＝５〜30ÅにおいてＤ５０が改善さ
れたことが明らかである。
密度２ｋＢＰＩにおける再生出力の半分になる記録密度
（Ｄ５０； ｋＢＰＩ）０プロットしたものである。な
お、Ｄ５０は記録密度特性における主極極の厚さに由来
するピークの頂点を結んで得た飽絡線により求めた。図
より、実施例のＤＴ＝５〜30ÅにおいてＤ５０が改善さ
れたことが明らかである。
以上より、保磁力と膜厚が比較的大きい等方的な軟磁性
膜を有する二層膜媒体において、本発明の５〜30Åの厚
さの非磁性中間層において、低密度の再生出力は一定、
又やや良くなり、Ｄ５０が増大するという高密度記録再
生に好ましい効果が確認された。
膜を有する二層膜媒体において、本発明の５〜30Åの厚
さの非磁性中間層において、低密度の再生出力は一定、
又やや良くなり、Ｄ５０が増大するという高密度記録再
生に好ましい効果が確認された。
かかる理由は定かでないが、非磁性層を有することによ
り、ＣｏＣｒ膜の裏面に生ずる磁荷の作用によりＣＯＣ
ｒ膜の面内磁化成分がわずかに増大することが高密度に
おける再生出力の増大に寄与していることが考えられ
る。
り、ＣｏＣｒ膜の裏面に生ずる磁荷の作用によりＣＯＣ
ｒ膜の面内磁化成分がわずかに増大することが高密度に
おける再生出力の増大に寄与していることが考えられ
る。
第１図は本発明の代表的な構成を示した断面図であり、
Ｆは支持体，Ｓは軟磁性層，Ｔは非磁性中間層，Ｒは記
録層，Ｐは保護層である。第２図〜第３図は実施例，従
来例，比較例の各特性を示すグラフで、第２図はＴｉ層
の膜厚（ＤＴ）とＣｏＣｒ膜の保磁力（Ｈｃｖ）との関
係，第３図はＴｉ層の膜厚（ＤＴ）と２ｋＢＰＩの再生
出力（Ｅｐ）との関係，第４図はＴｉ層の膜厚（ＤＴ）
とＤ５０との関係を示したものである。
Ｆは支持体，Ｓは軟磁性層，Ｔは非磁性中間層，Ｒは記
録層，Ｐは保護層である。第２図〜第３図は実施例，従
来例，比較例の各特性を示すグラフで、第２図はＴｉ層
の膜厚（ＤＴ）とＣｏＣｒ膜の保磁力（Ｈｃｖ）との関
係，第３図はＴｉ層の膜厚（ＤＴ）と２ｋＢＰＩの再生
出力（Ｅｐ）との関係，第４図はＴｉ層の膜厚（ＤＴ）
とＤ５０との関係を示したものである。
Claims (3)
- 【請求項１】支持体上に垂直磁気記録層と軟磁性層とを
有する垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性層が面内
で等方的な磁気特性を有する保磁力が３エルステッド
（Ｏｅ）以上で膜厚が０．３μｍ以上の軟磁性薄膜であ
り、前記軟磁性層と垂直磁気記録層との中間に厚さ５Å
以上、３０Å以下の非磁性中間層を配したことを特徴と
する垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記軟磁性薄膜がパーマロイ薄膜である特
許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】前記非磁性中間層がチタン薄膜である特許
請求の範囲第１項若しくは第２項記載の垂直磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28434785A JPH0630136B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28434785A JPH0630136B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145530A JPS62145530A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0630136B2 true JPH0630136B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=17677401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28434785A Expired - Lifetime JPH0630136B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630136B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2524514B2 (ja) * | 1987-09-21 | 1996-08-14 | 日立マクセル株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US6387483B1 (en) | 1997-12-18 | 2002-05-14 | Nec Corporation | Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing process therefor |
| WO2004040557A1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-13 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium, production process thereof, and perpendicular magnetic recording and reproducing apparatus |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP28434785A patent/JPH0630136B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62145530A (ja) | 1987-06-29 |
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