JPH0682526A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

Info

Publication number
JPH0682526A
JPH0682526A JP4235769A JP23576992A JPH0682526A JP H0682526 A JPH0682526 A JP H0682526A JP 4235769 A JP4235769 A JP 4235769A JP 23576992 A JP23576992 A JP 23576992A JP H0682526 A JPH0682526 A JP H0682526A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
signal
data
circuit
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4235769A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumiharu Fukuzawa
文春 福沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority to JP4235769A priority Critical patent/JPH0682526A/ja
Publication of JPH0682526A publication Critical patent/JPH0682526A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 処理速度およびメモリ読出し時間等の計測を
正確に行うことのできるCMOS半導体集積回路を提供
する。 【構成】 テスト用出力回路として、クロック信号が入
力される入力端子51と、データ出力信号101が出力
される出力端子52と、テスト用の検出信号104が出
力される出力端子53に対応して、データ・フリップフ
ロップ1と、EXNOR回路3を含む一致検出回路2
と、出力端子52に介在する負荷4と、出力端子53に
介在する負荷7とを備えて構成される。内部回路より出
力される出力データ101は、クロック信号102を介
してデータ・フリップフロップ1に取込まれる。このデ
ータ・フリップフロップ1のQ端子よりはデータ信号1
03が出力され、一致検出回路2に入力されて、データ
出力信号101との一致の有無が検出される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に相補型MOS−FETにより構成される半導体集積
回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、相補型MOS−FET(以下、C
MOSと略称する)を用いる半導体集積回路の動作をテ
ストする場合には、当該CMOS半導体集積回路の機能
を達成する集積回路部の他に、このCMOS半導体集積
回路の全集積回路部についてのテストをも行うことがで
きるように、必要なテスト回路部を追加し、この回路情
報を予め電子計算機に入力し、当該電子計算機上におい
て、入力信号情報を与えて前記テスト回路部の動作を模
倣することにより、入力信号情報および出力信号情報を
作成し、その入出力信号情報をCMOS半導体集積回路
のテスト・システムに転送して、被試験サンプルに対し
て前記入力信号情報を入力し、それにより得られる出力
信号情報を、前記電子計算機上において得られた出力信
号情報とリアルタイムで比較しているのが現状である。
【0003】図5は、従来のCMOS半導体集積回路の
一例を示す回路図であり、図6(a)、(b)、(c)
および(d)は、その動作を示すタイミング図である。
図5において、テストレート(図6(a)参照)ごとに
出力端子56より出力される出力データ(図6(b)参
照)は、テストストローブ(図6(d)参照)のタイミ
ングにおいて比較されて、当該出力データの正・誤判定
が行われている。この際に、出力端子56より出力され
る出力データは、抵抗20およびコンデンサ21より成
る負荷により積分されるために、テストレートの開始時
点より出力データが出力端子56に出力されるまでの時
間Td3を正確に測定することが不可能である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のCMO
S半導体集積回路においては、当該半導体集積回路の多
機能化および高速化が進む過程において、内部処理の処
理速度およびメモリの読出し速度等に対して、更に高速
化が要求されている。また、そのような高速化に伴な
い、CMOS半導体集積回路の処理速度の実力値を正確
に計測する方法が求められている。
【0005】しかしながら、従来のCMOS半導体集積
回路のテスト方法のように、リアルタイムで出力端子に
おける出力データの状態を比較するテスト方法による場
合には、通常のCMOS半導体集積回路の出力バッファ
の能力に比較して、CMOS半導体集積回路テスト・シ
ステムの測定ピンの負荷が大きいために、出力データの
出力波形が積分される状態となり、CMOS半導体集積
回路の処理スピードの実力値を正確に計測することが困
難であるという欠点がある。
【0006】また、上記の積分による影響を少なくする
ために、CMOS半導体集積回路テスト・システムの測
定ピンの負荷を低減する対策が行われるが、当該CMO
S半導体集積回路テスト・システムの汎用性を考慮した
場合には、当該テスト・システム側の負荷を低減するこ
と自体が困難であり、CMOS半導体集積回路の処理ス
ピードの実力値を正確に計測するための対応策にはなり
得ないという欠点がある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、内蔵される機能回路の処理速度およびメモリ読出し
時間等を含む回路情報を計測するためのテスト出力回路
として、前記回路情報に対応するデータ出力信号Aを、
テストレートに同期したクロック信号を介して取込み、
データ信号Bを出力するレジスタと、前記データ出力信
号Aと前記レジスタより出力されるデータ信号Bとの一
致/不一致を判定して、所定の検出信号Cを外部に出力
する一致検出回路とを少なくとも備え、前記回路情報の
テスト方法として、テストモード時においては、前記テ
ストレートに対応する前記クロック信号の立上がり時間
Tを任意に設定し、前記立上がり時間Tに対応して前記
検出信号Cによる一致/不一致の判定を行うテスト手順
を繰返して実行することにより、前記回路情報を計測す
ることを特徴としている。
【0008】なお、前記レジスタは、CK端子に入力さ
れる前記クロック信号を介して、D端子に入力される前
記データ出力信号Aを取込み、Q端子より前記データ信
号Bを出力するデータ・フリップフロップにより形成し
てもよく、また、前記レジスタは、テストモード時にお
いて、P端子にテストモード信号を受けてプリセットが
解除され、CK端子に入力される前記クロック信号を介
して、D端子に入力される前記データ出力信号Aを取込
み、Q端子より前記データ信号Bを出力するプリセット
付データ・フリップフロップにより形成してもよい。
【0009】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0010】図1は本発明の第1の実施例のテスト用出
力回路を示すブロック図であり、図2(a)、(b)、
(c)、(d)、(e)、(f)および(g)は、本実
施例のテスト用出力回路の動作を示すタイミング図であ
る。
【0011】図1に示されるように、本実施例は、テス
ト用出力回路として、テストレートに同期したクロック
信号102が入力される入力端子51と、データ出力信
号101が外部に出力される出力端子52と、テスト用
の検出信号104が出力される出力端子53とに対応し
て、データ・フリップフロップ1と、EXNOR回路3
を含む一致検出回路2と、出力端子52に介在する抵抗
5およびコンデンサ6を含む負荷4と、出力端子53に
介在する抵抗7およびコンデンサ8を含む負荷7とを備
えて構成される。
【0012】本実施例の前述の従来例との相違点は、C
MOS半導体集積回路テスト・システムのテストレート
に同期したクロック信号102を入力するための入力端
子51と、テスト対象の内部回路(図示されない)より
出力され、出力端子52より外部に出力されるデータ出
力信号101を、クロック信号102を介してデータ入
力とするデータ・フリップフロップ1と、このデータ・
フリップフロップ1のQ端子より出力されるデータ信号
103と、データ出力信号101との一致判定を行う一
致検出回路2が設けられていることである。
【0013】以下に、図1および図2(a)〜(g)を
参照して、CMOS半導体集積回路テスト・システムを
介して、当該CMOS半導体集積回路をテストする場合
について説明する。
【0014】先ず、所定のテストレートごとに内部回路
より出力されてくる出力データ101(図2(b)参
照)は、入力端子51より入力される、テストレートに
同期したクロック信号102(図2(d)参照)を介し
てデータ・フリップフロップ1に取込まれる。このデー
タ・フリップフロップ1のQ端子よりはデータ信号10
3(図2(e)参照)が出力され、EXNOR回路3を
含む一致検出回路2に入力されて、データ出力信号10
1との一致の有無が検出される。この一致検出回路2に
おける一致判定結果として出力される検出信号104
は、データ出力信号101とデータ信号103が一致す
る時には“H”レべルが出力され、また不一致の場合に
は“L”レベルが出力される。この“H”レべルまたは
“L”レベルの検出信号104は、出力端子53を介し
て測定ピンに対応する負荷7に入力され、負荷7におけ
る実質的な測定点となる節点Xにおける出力信号(図2
(f)参照)が、外部において、テストストローブ(図
2(g)参照)のタイミングで電子計算機上のデータ出
力信号と比較されて、データ出力信号101の正/誤が
判定される。
【0015】上記のテスト動作の過程において、テスト
レートの開始時点からテストレートに同期するクロック
信号102の立上がりまでの時間T1 (図2(a)およ
び(d)参照)よりも、データ出力信号101が立上っ
て出力される時間Td1の方が小さい場合には、データ出
力信号101とデータ信号103とは、明らかに一致す
るものと判定されて、検出信号104としては“H”レ
ベルが出力され、逆に時間T1 よりも時間Td1の方が大
きい場合には、不一致であるものと判定されて、検出信
号としては“L”レベルが出力される。従って、T1 の
値を任意に設定して、上記の動作を繰返して行い、テス
トのパスおよびフェイルの限界を求めることにより、デ
ータ出力信号101が立上がって出力されるまでの時間
Td1の値を、当該CMOS半導体集積回路テスト・シス
テムによる測定ピンの負荷7の影響を受けることなく正
確に計測することができる。
【0016】次に、図3は本発明の第2の実施例のテス
ト用出力回路を示すブロック図であり、図4(a)、
(b)、(c)、(d)、(e)、(f)および(g)
は、本実施例のテスト用出力回路の動作を示すタイミン
グ図である。
【0017】図3に示されるように、本実施例は、テス
ト用出力回路として、テストレートに同期したクロック
信号102が入力される入力端子54と、テスト用の検
出信号104が出力される出力端子55に対応して、プ
リセット付データ・フリップフロップ10と、インバー
タ11と、EXNOR回路13を含む一致検出回路12
と、出力端子55に介在する抵抗15およびコンデンサ
16を含む負荷14とを備えて構成される。
【0018】本実施例の前述の従来例との相違点は、C
MOS半導体集積回路テスト・システムのテストレート
に同期したクロック信号102を入力するための入力端
子51と、テスト対象の内部回路(図示されない)より
出力されるデータ出力信号101を、クロック信号10
2を介してデータ入力とするプリセット付データ・フリ
ップフロップ10と、このプリセット付データ・フリッ
プフロップ10のQ端子より出力されるデータ信号10
6と、データ出力信号101との一致判定を行う一致検
出回路12が設けられていることである。
【0019】以下に、図3および図4(a)〜(g)を
参照して、CMOS半導体集積回路テスト・システムを
介して、当該CMOS半導体集積回路をテストする場合
について説明する。
【0020】通常動作時においては、テストモード信号
105はGNDレベルとなっており、プリセット付デー
タ・フリップフロップ10のP端子には“L”レベルが
入力されて、このテストモード信号105(図4(a)
参照)を受けて当該プリセット付データ・フリップフロ
ップ10はプリセットされる。従って、この場合には、
出力端子55には、一致検出回路13を介して出力デー
タ信号101(図4(c)参照)の正相信号が出力され
る状態となる。また、テストモード時においては、テス
トモード信号105(図4(a)参照)は“H”レベル
として入力され、これにより、プリセット付データ・フ
リップフロップ10のD端子に入力されるデータ出力信
号101は、入力端子54より入力されるテストレート
(図4(b)参照)に同期したクロック信号102(図
4(d)参照)を介して、当該プリセット付データ・フ
リップフロップ10に取込まれる。そして、Q端子より
出力されるデータ信号106(図4(e)参照)は、一
致検出回路12に入力される。このデータ信号106は
EXNOR回路13を含む一致検出回路12に入力され
て、データ出力信号101との一致の有無が検出され
る。この一致検出回路12より出力される検出信号10
4としては、前述の第1の実施例の場合と同様に、デー
タ出力信号101とデータ信号106が一致する時には
“H”レべルが出力され、不一致の場合には“L”レベ
ルが出力される。この検出信号104は、出力端子55
を介して測定ピンに対応する負荷14に入力され、負荷
14における実質的な測定点となる節点Sにおける出力
信号(図4(f)参照)が、外部において、テストスト
ローブ(図4(g)参照)のタイミングで電子計算機上
のデータ出力信号と比較されて、データ出力信号101
の正/誤が判定される。
【0021】この場合においても第1の実施例の場合と
同様に、上記のテスト動作の過程において、テストレー
トの開始時点からテストレートに同期するクロック信号
102の立上がりまでの時間T2 (図4(d)参照)よ
りも、データ出力信号101が立上り出力される時間T
d2(図4(c)参照)の方が小さい場合には、一致判定
されて検出信号としては“L”レベルが出力されるが、
逆に時間T2 よりも時間Td2の方が大きい場合には、不
一致判定されて、検出信号としては“L”レベルが出力
される。従って、T2 の値を任意に設定して、上記の動
作を繰返して行い、テストのパスおよびフェイルの限界
を求めることにより、データ出力信号101が立上がっ
て出力されるまでの時間Td2の値を、当該CMOS半導
体集積回路テスト・システムによる測定ピンの負荷14
の影響を受けることなく正確に計測することができる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、テスト
用出力回路として、テストレートに同期したクロック信
号102を介してテスト対象のデータ出力信号を取込む
フリップフロップと、前記フリップフロップより出力さ
れるデータ信号と前記データ出力信号との一致判定を行
う一致検出回路とを備え、当該一致検出回路より出力さ
れる検出信号を介して前記データ出力信号の正/誤を判
定することにより、テスト・システムにおける測定ピン
に起因する負荷に影響されることなく、内蔵される回路
機能における処理速度およびメモリ読出し時間等を正確
に計測することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のテスト用出力回路を示
す回路図である。
【図2】第1の実施例の動作を示すタイミング図であ
る。
【図3】本発明の第2の実施例のテスト用出力回路を示
す回路図である。
【図4】第2の実施例の動作を示すタイミング図であ
る。
【図5】従来例のテスト用出力回路を示す回路図であ
る。
【図6】従来例の動作を示すタイミング図である。
【符号の説明】
1 データ・フリップフロップ 2、12 一致検出回路 3、13 EXNOR回路 4、7、14、19 負荷 5、8、15、20 抵抗 6、9、16、21 コンデンサ 10 プリセット付データ・フリップフロップ 11、17、18 インバータ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内蔵される機能回路の処理速度およびメ
    モリ読出し時間等を含む回路情報を計測するためのテス
    ト出力回路として、 前記回路情報に対応するデータ出力信号Aを、テストレ
    ートに同期したクロック信号を介して取込み、データ信
    号Bを出力するレジスタと、 前記データ出力信号Aと前記レジスタより出力されるデ
    ータ信号Bとの一致/不一致を判定して、所定の検出信
    号Cを外部に出力する一致検出回路と、 を少なくとも備え、前記回路情報のテスト方法として、
    テストモード時においては、前記テストレートに対応す
    る前記クロック信号の立上がり時間Tを任意に設定し、
    前記立上がり時間Tに対応して前記検出信号Cによる一
    致/不一致の判定を行うテスト手順を繰返して実行する
    ことにより、前記回路情報を計測することを特徴とする
    半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 前記レジスタが、CK端子に入力される
    前記クロック信号を介して、D端子に入力される前記デ
    ータ出力信号Aを取込み、Q端子より前記データ信号B
    を出力するデータ・フリップフロップにより形成される
    請求項1記載の半導体集積回路。
  3. 【請求項3】 前記レジスタが、テストモード時におい
    て、P端子にテストモード信号を受けてプリセットが解
    除され、CK端子に入力される前記クロック信号を介し
    て、D端子に入力される前記データ出力信号Aを取込
    み、Q端子より前記データ信号Bを出力するプリセット
    付データ・フリップフロップにより形成される請求項1
    記載の半導体集積回路。
JP4235769A 1992-09-03 1992-09-03 半導体集積回路 Withdrawn JPH0682526A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4235769A JPH0682526A (ja) 1992-09-03 1992-09-03 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4235769A JPH0682526A (ja) 1992-09-03 1992-09-03 半導体集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0682526A true JPH0682526A (ja) 1994-03-22

Family

ID=16990970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4235769A Withdrawn JPH0682526A (ja) 1992-09-03 1992-09-03 半導体集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0682526A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2006075374A1 (ja) * 2005-01-13 2008-06-12 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ 半導体装置及びそのテスト方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2006075374A1 (ja) * 2005-01-13 2008-06-12 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ 半導体装置及びそのテスト方法
JP4685036B2 (ja) * 2005-01-13 2011-05-18 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ 半導体装置及びそのテスト方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4878209A (en) Macro performance test
US5687180A (en) Method and circuit for checking operation of input buffers of a semiconductor circuit
JP2760284B2 (ja) 半導体集積回路装置
US4412327A (en) Test circuit for checking memory output state continuously during time window
US5315242A (en) Method for measuring AC specifications of microprocessor
US5838172A (en) Timing error detecting circuit
JPH04274100A (ja) テスト回路内蔵のメモリーlsi
JP3340459B2 (ja) 信号判定装置及び信号判定方法
US4017794A (en) Circuit for measuring time differences among events
JP3385308B2 (ja) 熱式流量計および燃料制御装置
US5047712A (en) Circuit for inverting the latter half of pattern output from device under test
JP3165131B2 (ja) 半導体集積回路のテスト方法及びテスト回路
JP2598709B2 (ja) Icの出力パルス幅検査回路
JPS62137575A (ja) 論理回路試験機
JP3698269B2 (ja) Lsiのディレイ測定方法
JP2527608Y2 (ja) 論理判定回路
JPH0844436A (ja) 熱電対入力回路のバーンアウト検出方法及び装置
JPH0746123B2 (ja) 集積回路の試験方式
JPH06102329A (ja) 集積回路装置
JP2885126B2 (ja) 入力試験回路
JPH0688862A (ja) 半導体集積回路装置、その試験装置及びその試験方法
JPS62152046A (ja) クロツク発生回路を内蔵する集積回路
JPS6149253A (ja) Romデ−タチエツク方式
JPH09288148A (ja) リニアリティ・チェック回路
JPS6318709B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19991130