JPH0682751B2 - ウエハチヤツク - Google Patents
ウエハチヤツクInfo
- Publication number
- JPH0682751B2 JPH0682751B2 JP61032741A JP3274186A JPH0682751B2 JP H0682751 B2 JPH0682751 B2 JP H0682751B2 JP 61032741 A JP61032741 A JP 61032741A JP 3274186 A JP3274186 A JP 3274186A JP H0682751 B2 JPH0682751 B2 JP H0682751B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- groove
- mounting table
- mask
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、コンタクト露光型半導体露光装置においてマ
スクを介して露光すべき半導体ウエハを吸着保持するた
めのウエハチャックに関する。
スクを介して露光すべき半導体ウエハを吸着保持するた
めのウエハチャックに関する。
［発明の背景］ 半導体製造プロセスのリングラフィー工程においては、
レジストを塗布した半導体ウエハをマスクまたはレチク
ルを介して露光し、パターンの転写を行う。このような
パターン転写用露光方式として、コンタクト方式、プロ
キシミティ方式、反射型投影方式、縮小レンズ投影方式
等が行われている。コンタクト方式においては、マスク
とウエハとを密着させて露光を行うため比較的高解像度
のパターンが得られる。このようなコンタクト露光型半
導体露光装置においては、ウエハは真空チャックにより
吸着保持されこの上にマスクが位置合せされて装着され
る。この場合、マスクとウエハ間にガスが封入されると
光の回折等により高解像度のパターンが得られなくな
る。従って、高解像パターンを得るためにはガストラッ
プを防止しマスクとウエハとを確実に密着させる必要が
あり、またマスクはウエハに対し精密に位置合せされて
いなければならない。
レジストを塗布した半導体ウエハをマスクまたはレチク
ルを介して露光し、パターンの転写を行う。このような
パターン転写用露光方式として、コンタクト方式、プロ
キシミティ方式、反射型投影方式、縮小レンズ投影方式
等が行われている。コンタクト方式においては、マスク
とウエハとを密着させて露光を行うため比較的高解像度
のパターンが得られる。このようなコンタクト露光型半
導体露光装置においては、ウエハは真空チャックにより
吸着保持されこの上にマスクが位置合せされて装着され
る。この場合、マスクとウエハ間にガスが封入されると
光の回折等により高解像度のパターンが得られなくな
る。従って、高解像パターンを得るためにはガストラッ
プを防止しマスクとウエハとを確実に密着させる必要が
あり、またマスクはウエハに対し精密に位置合せされて
いなければならない。
［従来の技術］ 従来の半導体露光装置のウエハチャックは例えば実開昭
54−54270号公報に示されている。この公知のウエハチ
ャックにおいては、ウエハ搭載用保持台上面に放射状の
溝が外周端部に達するまで払い面積に亘って形成されて
いるため、この溝に真空圧を作用させるとウエハが大き
く変形し、焼付け時にウエハ変形によるパターンの歪み
が大きくなり、またウエハ変形によりマスクとウエハと
のアライメントの精度が低下するという問題があり実用
上支障があった。
54−54270号公報に示されている。この公知のウエハチ
ャックにおいては、ウエハ搭載用保持台上面に放射状の
溝が外周端部に達するまで払い面積に亘って形成されて
いるため、この溝に真空圧を作用させるとウエハが大き
く変形し、焼付け時にウエハ変形によるパターンの歪み
が大きくなり、またウエハ変形によりマスクとウエハと
のアライメントの精度が低下するという問題があり実用
上支障があった。
［発明の目的］ 本発明は、前記従来技術の欠点に鑑みなされたものであ
って、真空吸着時のウエハ変形量を小さくしてパターン
の歪みを抑制しまたマスクとウエハとのアライメント精
度を向上させて高解像、高精度のパターン焼付けを可能
とするウエハチャックの提供を目的とする。
って、真空吸着時のウエハ変形量を小さくしてパターン
の歪みを抑制しまたマスクとウエハとのアライメント精
度を向上させて高解像、高精度のパターン焼付けを可能
とするウエハチャックの提供を目的とする。
この目的を達成するため本発明のウエハチャックでは、
ウエハ搭載台の上面にウエハ保持用の溝を設けると共
に、前記ウエハ搭載台上面の中心付近から外周縁の内側
近傍までに亘る放射状の溝を前記ウエハ保持用の溝と分
離した状態で設け、前記ウエハ保持用の溝と前記放射状
の溝はそれぞれ異なる真空制御手段に連通している。
ウエハ搭載台の上面にウエハ保持用の溝を設けると共
に、前記ウエハ搭載台上面の中心付近から外周縁の内側
近傍までに亘る放射状の溝を前記ウエハ保持用の溝と分
離した状態で設け、前記ウエハ保持用の溝と前記放射状
の溝はそれぞれ異なる真空制御手段に連通している。
［実施例］ 第１図は本発明に係るウエハチャックの上面図であり、
第２図はそのII−Ｃ−II線に沿った縦断面図である。ウ
エハチャック１を構成するウエハ搭載台20の上面に、同
心円状の複数の溝３および中心付近から外周端縁の内側
部分までに亘る２本の放射状の溝２が形成されている。
２本の放射状の溝２は中心Ｃに関し対称位置に形成され
ている。各放射状の溝２は導通孔４を介して図示しない
真空源に連通している。また、各同心円状の溝３は導通
孔14を介して図示しない真空源に連通している。導通孔
4,14は各々電磁弁8,18を介して真空源または大気に切換
えて連通可能である。同心円状の溝３はウエハ保持用の
ものであり、放射状の溝２はウエハとマスク間のガス逃
し用のものである。各放射状の溝２は、ウエハ５および
マスク６のセット時の位置合せ用ウエハアライメントマ
ーク11およびマスクアライメントマーク12から外れた位
置に設けられる。ウエハ搭載台20の外周部にはシールゴ
ム９が設けられ、マスク６を搭載したマスクホルダ７と
ウエハ５を搭載したウエハ搭載台20との間に真空室10を
形成可能とする。
第２図はそのII−Ｃ−II線に沿った縦断面図である。ウ
エハチャック１を構成するウエハ搭載台20の上面に、同
心円状の複数の溝３および中心付近から外周端縁の内側
部分までに亘る２本の放射状の溝２が形成されている。
２本の放射状の溝２は中心Ｃに関し対称位置に形成され
ている。各放射状の溝２は導通孔４を介して図示しない
真空源に連通している。また、各同心円状の溝３は導通
孔14を介して図示しない真空源に連通している。導通孔
4,14は各々電磁弁8,18を介して真空源または大気に切換
えて連通可能である。同心円状の溝３はウエハ保持用の
ものであり、放射状の溝２はウエハとマスク間のガス逃
し用のものである。各放射状の溝２は、ウエハ５および
マスク６のセット時の位置合せ用ウエハアライメントマ
ーク11およびマスクアライメントマーク12から外れた位
置に設けられる。ウエハ搭載台20の外周部にはシールゴ
ム９が設けられ、マスク６を搭載したマスクホルダ７と
ウエハ５を搭載したウエハ搭載台20との間に真空室10を
形成可能とする。
以上のような構成のウエハチャックにおいて、電磁弁8,
18を介して放射状の溝２および同心円状の溝３に真空圧
を作用させれば、第２図に示すように、放射状の溝２の
部分でウエハ５が凹状に適度に変形しウエハ５とマスク
６との間のガスを逃しガストラップの発生を防止する。
このとき同心円状の溝３の部分では溝巾が小さいため
（約1mm）ウエハ５はほとんど変形しない。
18を介して放射状の溝２および同心円状の溝３に真空圧
を作用させれば、第２図に示すように、放射状の溝２の
部分でウエハ５が凹状に適度に変形しウエハ５とマスク
６との間のガスを逃しガストラップの発生を防止する。
このとき同心円状の溝３の部分では溝巾が小さいため
（約1mm）ウエハ５はほとんど変形しない。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明に係るウエハチャックにお
いては、ウエハ搭載台上面に放射状の溝を中心付近から
外周縁の内側までに亘って設けてあるため、ウエハとマ
スクのコンタクト時にこの放射状の溝に真空圧を作用さ
せることによりウエハが適度に変形してウエハ上面のガ
スを均一に確実に排出することができ、マスクとウエハ
との密着度が向上し高解像で精度の高いパターン焼付け
が可能となる。また、各放射状の溝はマスクとウエハと
の位置合せ用アライメントマークから外れた位置に設け
てあるため、位置合せ時にウエハ変形による位置ずれを
起すことはなく位置決め精度の信頼性が高まる。
いては、ウエハ搭載台上面に放射状の溝を中心付近から
外周縁の内側までに亘って設けてあるため、ウエハとマ
スクのコンタクト時にこの放射状の溝に真空圧を作用さ
せることによりウエハが適度に変形してウエハ上面のガ
スを均一に確実に排出することができ、マスクとウエハ
との密着度が向上し高解像で精度の高いパターン焼付け
が可能となる。また、各放射状の溝はマスクとウエハと
の位置合せ用アライメントマークから外れた位置に設け
てあるため、位置合せ時にウエハ変形による位置ずれを
起すことはなく位置決め精度の信頼性が高まる。
なお、放射状の溝２の本数は２本に限定されるものでは
ない。また同心円状の溝３はウエハを吸着して固定保持
できるように本数および形状を適宜選定可能である。
ない。また同心円状の溝３はウエハを吸着して固定保持
できるように本数および形状を適宜選定可能である。
第１図は本発明に係るウエハチャックの上面図、第２図
は第１図のII−Ｃ−II線に沿った断面図である。 1:ウエハチャック 2:放射状の溝 3:同心円状の溝 4,14:導通孔 5:ウエハ 6:マスク 11:ウエハアライメントマーク 12:マスクアライメントマーク 20:ウエハ搭載台。
は第１図のII−Ｃ−II線に沿った断面図である。 1:ウエハチャック 2:放射状の溝 3:同心円状の溝 4,14:導通孔 5:ウエハ 6:マスク 11:ウエハアライメントマーク 12:マスクアライメントマーク 20:ウエハ搭載台。
Claims (8)
- 【請求項１】ウエハ搭載台の上面にウエハ保持用の溝を
設けると共に、前記ウエハ搭載台上面の中心付近から外
周縁の内側近傍までに亘る放射状の溝を前記ウエハ保持
用の溝と分離した状態で設け、前記ウエハ保持用の溝と
前記放射状の溝はそれぞれ異なる真空制御手段に連通さ
れていることを特徴とするウエハチャック。 - 【請求項２】前記ウエハ搭載台上面は実質上円形であ
り、前記ウエハ保持用の溝は同心円状の複数の溝からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウエハ
チャック。 - 【請求項３】前記放射状の溝は、ウエハとマスクとの位
置合せ用マークから外れた位置に設けたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または第２項記載のウエハチャ
ック。 - 【請求項４】前記真空制御手段はそれぞれ電磁弁を有
し、前記ウエハ保持用の溝と前記放射状の溝のそれぞれ
は前記電磁弁を介して真空源または大気に切り換えて連
通されることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第
３項までのいずれか１項記載のウエハチャック。 - 【請求項５】前記放射状の溝は前記ウエハ搭載台上面の
中心に関し対称な複数本の溝を有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれか１項記
載のウエハチャック。 - 【請求項６】前記ウエハ搭載台の外周部に該ウエハ搭載
台とマスクホルダとの間を封止するためのシール材を設
け、ウエハを搭載したウエハ搭載台とマスクを搭載した
マスクホルダとの間に真空室を形成可能としたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項から第５項までのいずれ
か１項記載のウエハチャック。 - 【請求項７】前記放射状の溝は、真空圧を導入してウエ
ハを変形させウエハ上面のガスを逃すガストラップ防止
用の溝であることを特徴とする特許請求の範囲第１項か
ら第６項までのいずれか１項記載のウエハチャック。 - 【請求項８】前記ウエハ保持用の溝は、真空圧導入時に
ウエハを変形させない程度に溝巾を狭くしたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項から第７項までのいずれか
１項記載のウエハチャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61032741A JPH0682751B2 (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | ウエハチヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61032741A JPH0682751B2 (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | ウエハチヤツク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193138A JPS62193138A (ja) | 1987-08-25 |
| JPH0682751B2 true JPH0682751B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=12367260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61032741A Expired - Lifetime JPH0682751B2 (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | ウエハチヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682751B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2728766B2 (ja) * | 1990-07-18 | 1998-03-18 | 株式会社東芝 | 半導体の処理方法およびその装置 |
-
1986
- 1986-02-19 JP JP61032741A patent/JPH0682751B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62193138A (ja) | 1987-08-25 |
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