JPH0683064A - レジスト組成物及びレジスト組成物の使用方法 - Google Patents
レジスト組成物及びレジスト組成物の使用方法Info
- Publication number
- JPH0683064A JPH0683064A JP4255784A JP25578492A JPH0683064A JP H0683064 A JPH0683064 A JP H0683064A JP 4255784 A JP4255784 A JP 4255784A JP 25578492 A JP25578492 A JP 25578492A JP H0683064 A JPH0683064 A JP H0683064A
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- resist composition
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルキルシリル基を保護基とするレジストを
含むレジスト組成物であって、剥離を容易に行える実用
化可能なものを提供し、また、容易に剥離を行える該レ
ジスト組成物の使用方法を提供する。 【構成】 酸により保護基が外れて現像剤に対する溶
解性が異なるに至るレジストであって、アルキルシリル
基を保護基とするレジストに、スルホラン系化合物を添
加したレジスト組成物。アルキルシリル基を保護基と
するレジストにスルホラン系化合物を添加したレジスト
組成物を用い、露光、現像後、ＳＯ2 雰囲気下に置き、
水分を付与して、適宜加熱、アッシングを行って、レジ
スト組成物の剥離を行う。
含むレジスト組成物であって、剥離を容易に行える実用
化可能なものを提供し、また、容易に剥離を行える該レ
ジスト組成物の使用方法を提供する。 【構成】 酸により保護基が外れて現像剤に対する溶
解性が異なるに至るレジストであって、アルキルシリル
基を保護基とするレジストに、スルホラン系化合物を添
加したレジスト組成物。アルキルシリル基を保護基と
するレジストにスルホラン系化合物を添加したレジスト
組成物を用い、露光、現像後、ＳＯ2 雰囲気下に置き、
水分を付与して、適宜加熱、アッシングを行って、レジ
スト組成物の剥離を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト組成物及びレ
ジスト組成物の使用方法に関する。本発明は、例えば、
電子材料（半導体装置等）の製造の際のフォトリソグラ
フィー技術に用いるレジスト組成物として利用でき、ま
たそのような場合のレジスト組成物の使用方法として利
用できる。
ジスト組成物の使用方法に関する。本発明は、例えば、
電子材料（半導体装置等）の製造の際のフォトリソグラ
フィー技術に用いるレジスト組成物として利用でき、ま
たそのような場合のレジスト組成物の使用方法として利
用できる。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置等の微細化・高集積化に伴
い、微細なパターン形成に対応できるレジストとして、
保護基が外れて現像剤に対する溶解性が異なるようにな
るレジストが注目されている。いわゆる化学増幅型レジ
ストと称されているものはこれに含まれ、例えば、光酸
発生剤を含有してこれが光により発生した酸により保護
基が外れて現像剤に対する溶解性が異なるに至るものが
知られている。
い、微細なパターン形成に対応できるレジストとして、
保護基が外れて現像剤に対する溶解性が異なるようにな
るレジストが注目されている。いわゆる化学増幅型レジ
ストと称されているものはこれに含まれ、例えば、光酸
発生剤を含有してこれが光により発生した酸により保護
基が外れて現像剤に対する溶解性が異なるに至るものが
知られている。
【０００３】この中で、アルキルシリル基を保護基とす
るレジストが、レジストとしての基本的な性質が良好な
ものとして知られている。このレジストは、化学増幅型
ポジレジストとして利用できる（Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌ
ｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．５，Ｎｏ．
１，１９９２の７９〜８４頁参照）。しかしこの種のレ
ジストは、露光・現像（アルカリ現像）後、未露光・低
露光部にトリメチルシリル基が残存する。このため、こ
の種のレジストは、使用後、通常用いられているＯ2 プ
ラズマアッシャーなどの剥離手段でレジスト剥離を行お
うとすると、トリメチルシリルのＳｉがＳｉ−Ｏ結合を
形成し、最終的にＳｉ−Ｏ，Ｓｉ−Ｃ結合を含むパーテ
ィクルを生成し、結局剥離が困難であった。
るレジストが、レジストとしての基本的な性質が良好な
ものとして知られている。このレジストは、化学増幅型
ポジレジストとして利用できる（Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌ
ｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．５，Ｎｏ．
１，１９９２の７９〜８４頁参照）。しかしこの種のレ
ジストは、露光・現像（アルカリ現像）後、未露光・低
露光部にトリメチルシリル基が残存する。このため、こ
の種のレジストは、使用後、通常用いられているＯ2 プ
ラズマアッシャーなどの剥離手段でレジスト剥離を行お
うとすると、トリメチルシリルのＳｉがＳｉ−Ｏ結合を
形成し、最終的にＳｉ−Ｏ，Ｓｉ−Ｃ結合を含むパーテ
ィクルを生成し、結局剥離が困難であった。
【０００４】このように剥離が困難なため、基本的な性
質が良好にもかかわらず、アルキルシリル基を保護基と
するレジストは、実用的使用が困難であった。
質が良好にもかかわらず、アルキルシリル基を保護基と
するレジストは、実用的使用が困難であった。
【０００５】
【発明の目的】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、アルキルシリル基を保護基とするレジストを含むレ
ジスト組成物であって、剥離を容易に行うことができる
ものを提供することを目的とする。また、容易に剥離を
行える上記レジスト組成物の使用方法を提供することを
目的とする。
で、アルキルシリル基を保護基とするレジストを含むレ
ジスト組成物であって、剥離を容易に行うことができる
ものを提供することを目的とする。また、容易に剥離を
行える上記レジスト組成物の使用方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明は、酸により保護基が外れて現像剤に対する溶解性が
異なるに至るレジストであって、アルキルシリル基を保
護基とするレジストに、スルホラン系化合物を添加した
レジスト組成物であり、これにより上記目的を達成する
ものである。
明は、酸により保護基が外れて現像剤に対する溶解性が
異なるに至るレジストであって、アルキルシリル基を保
護基とするレジストに、スルホラン系化合物を添加した
レジスト組成物であり、これにより上記目的を達成する
ものである。
【０００７】本出願の請求項２の発明は、アルキルシリ
ル基を保護基とするレジストに、スルホラン系化合物を
添加したレジスト組成物を用い、露光、現像を行った
後、ＳＯ2 雰囲気下に置き、水分を付与して、レジスト
組成物の剥離を行うレジスト組成物の使用方法であり、
これにより上記目的を達成するものである。
ル基を保護基とするレジストに、スルホラン系化合物を
添加したレジスト組成物を用い、露光、現像を行った
後、ＳＯ2 雰囲気下に置き、水分を付与して、レジスト
組成物の剥離を行うレジスト組成物の使用方法であり、
これにより上記目的を達成するものである。
【０００８】本出願の請求項３の発明は、アルキルシリ
ル基を保護基とするレジストに、スルホラン系化合物を
添加したレジスト組成物を用い、露光、現像を行った
後、ＳＯ2 雰囲気下に置き、水分を付与し、加熱して、
レジスト組成物の剥離を行うレジスト組成物の使用方法
であり、これにより上記目的を達成するものである。
ル基を保護基とするレジストに、スルホラン系化合物を
添加したレジスト組成物を用い、露光、現像を行った
後、ＳＯ2 雰囲気下に置き、水分を付与し、加熱して、
レジスト組成物の剥離を行うレジスト組成物の使用方法
であり、これにより上記目的を達成するものである。
【０００９】本出願の請求項４の発明は、アルキルシリ
ル基を保護基とするレジストに、スルホラン系化合物を
添加したレジスト組成物を用い、露光、現像を行った
後、ＳＯ2 雰囲気下に置き、水分を付与し、アッシング
して、レジスト組成物の剥離を行うレジスト組成物の使
用方法であり、これにより上記目的を達成するものであ
る。
ル基を保護基とするレジストに、スルホラン系化合物を
添加したレジスト組成物を用い、露光、現像を行った
後、ＳＯ2 雰囲気下に置き、水分を付与し、アッシング
して、レジスト組成物の剥離を行うレジスト組成物の使
用方法であり、これにより上記目的を達成するものであ
る。
【００１０】本出願の請求項５の発明は、ＳＯ2 雰囲気
下に置く剥離処理は、エッチング後に行う請求項２ない
し４のいずれかに記載のレジスト組成物の使用方法であ
り、これにより上記目的を達成するものである。
下に置く剥離処理は、エッチング後に行う請求項２ない
し４のいずれかに記載のレジスト組成物の使用方法であ
り、これにより上記目的を達成するものである。
【００１１】本発明において、スルホラン系化合物とし
ては、スルホラン、３−メチルスルホランなどを使用で
きる。レジスト組成物中のスルホラン系化合物の量は、
２〜３ｗｔ％程度でよい。
ては、スルホラン、３−メチルスルホランなどを使用で
きる。レジスト組成物中のスルホラン系化合物の量は、
２〜３ｗｔ％程度でよい。
【００１２】水分を付与するのは、水蒸気にさらすこと
によって行うことができる。
によって行うことができる。
【００１３】また、水分付与後、加熱する場合は、真空
ベークを行うことが好ましい。
ベークを行うことが好ましい。
【００１４】剥離にアッシングを用いる場合は、好まし
くは上記加熱（ベーク）後に行い、アッシング技術とし
ては、Ｏ2 プラズマアッシングや、Ｏ3 アッシング技術
を使用できる。
くは上記加熱（ベーク）後に行い、アッシング技術とし
ては、Ｏ2 プラズマアッシングや、Ｏ3 アッシング技術
を使用できる。
【００１５】
【作用】スルホラン系化合物、例えばスルホランは、Ｓ
Ｏ2 を２０℃、１気圧で、１ｇ当たり０．６５ｇ溶解す
る性質を有する（これについては、日本化学全編、学会
出版センター「機能性有機薄膜」（１９８４年）の９４
〜９５頁参照）。
Ｏ2 を２０℃、１気圧で、１ｇ当たり０．６５ｇ溶解す
る性質を有する（これについては、日本化学全編、学会
出版センター「機能性有機薄膜」（１９８４年）の９４
〜９５頁参照）。
【００１６】よって、スルホランを含むレジストは、Ｓ
Ｏ2 を多量に吸収する。このＳＯ2は水蒸気にさらす
か、放置することにより、最終的に亜硫酸となり、アル
キルシリル基を脱離させる。
Ｏ2 を多量に吸収する。このＳＯ2は水蒸気にさらす
か、放置することにより、最終的に亜硫酸となり、アル
キルシリル基を脱離させる。
【００１７】このアルキルシリル基としてトリメチルシ
リル基を用いた場合は、最終的にヘキサメチルジシロキ
サンになると推定される。加熱（真空ベーク等）により
このヘキサメチルは除去できる。その後アッシングを行
うと、完全な剥離が達成できる。
リル基を用いた場合は、最終的にヘキサメチルジシロキ
サンになると推定される。加熱（真空ベーク等）により
このヘキサメチルは除去できる。その後アッシングを行
うと、完全な剥離が達成できる。
【００１８】アルキルシリルの種類によっては最終生成
物の沸点が高いものも生じるため、レジストパターンの
熱による変形が生じるおそれが出る場合もあるが、上記
ＳＯ2 雰囲気下に置く処理をエッチング後に行うと、こ
の問題を避けることができる。
物の沸点が高いものも生じるため、レジストパターンの
熱による変形が生じるおそれが出る場合もあるが、上記
ＳＯ2 雰囲気下に置く処理をエッチング後に行うと、こ
の問題を避けることができる。
【００１９】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。当然
のことではあるが、本発明は以下の実施例により限定さ
れるものではない。
のことではあるが、本発明は以下の実施例により限定さ
れるものではない。
【００２０】実施例１ 本実施例では、次の手順によりレジスト組成物を得、こ
れを使用した。
れを使用した。
【００２１】（１）アルキルシリル基を保護基とする化
学増幅型レジストにスルホランを添加する。ここではト
リメチルシリル基を保護基とするポリヒドロキシスチレ
ン（ＳｉＰＨＳ）を用いた。スルホランは２．５ｗｔ％
の含有量になるように添加した。このレジスト組成物中
には、光酸発生剤が含有されている。
学増幅型レジストにスルホランを添加する。ここではト
リメチルシリル基を保護基とするポリヒドロキシスチレ
ン（ＳｉＰＨＳ）を用いた。スルホランは２．５ｗｔ％
の含有量になるように添加した。このレジスト組成物中
には、光酸発生剤が含有されている。
【００２２】（２）被処理基体（ここでは被エッチング
材であるデバイス形成用半導体基板）上に、上記レジス
ト組成物をコーティングする。
材であるデバイス形成用半導体基板）上に、上記レジス
ト組成物をコーティングする。
【００２３】（３）パターン状に露光を行う。この時、
下記反応で光により発生した酸で保護基が外れ、レジス
ト組成物の現像剤に対する溶解性が変わる。
下記反応で光により発生した酸で保護基が外れ、レジス
ト組成物の現像剤に対する溶解性が変わる。
【００２４】
【化１】
【００２５】（４）現像を行い、レジストパターンを得
る。
る。
【００２６】（５）得られたレジストパターンをマスク
にして、所望のエッチングを行う。
にして、所望のエッチングを行う。
【００２７】（６）ＳＯ2 雰囲気下に置く。
【００２８】（７）水蒸気にさらす。これにより、レジ
スト組成物は容易に剥離され得る状態になる。
スト組成物は容易に剥離され得る状態になる。
【００２９】（８）加熱（ここでは真空ベーク）を行
う。
う。
【００３０】（９）Ｏ2 プラズマアッシャー、またはＯ
3 アッシャーを用いてアッシングする。この結果、従来
剥離し難かった上記レジストが完全に剥離できた。
3 アッシャーを用いてアッシングする。この結果、従来
剥離し難かった上記レジストが完全に剥離できた。
【００３１】上述の如く本実施例によれば、スルホラン
を添加し、ＳＯ2 水蒸気に順にさらすことにより、アッ
シッグにより容易にレジスト組成物の剥離を行うことが
できた。
を添加し、ＳＯ2 水蒸気に順にさらすことにより、アッ
シッグにより容易にレジスト組成物の剥離を行うことが
できた。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、アルキルシリル基を保
護基とするレジストを含むレジスト組成物について、剥
離を容易に行うことができるものを提供でき、また、容
易に剥離を行うようなこのレジスト組成物の使用方法を
提供できるので、従来は実用化困難であったこの種のレ
ジストを、実用に供することができる。
護基とするレジストを含むレジスト組成物について、剥
離を容易に行うことができるものを提供でき、また、容
易に剥離を行うようなこのレジスト組成物の使用方法を
提供できるので、従来は実用化困難であったこの種のレ
ジストを、実用に供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】酸により保護基が外れて現像剤に対する溶
解性が異なるに至るレジストであって、アルキルシリル
基を保護基とするレジストに、 スルホラン系化合物を添加したレジスト組成物。 - 【請求項２】アルキルシリル基を保護基とするレジスト
に、スルホラン系化合物を添加したレジスト組成物を用
い、 露光、現像を行った後、ＳＯ2 雰囲気下に置き、水分を
付与して、レジスト組成物の剥離を行うレジスト組成物
の使用方法。 - 【請求項３】アルキルシリル基を保護基とするレジスト
に、スルホラン系化合物を添加したレジスト組成物を用
い、 露光、現像を行った後、ＳＯ2 雰囲気下に置き、水分を
付与し、加熱して、レジスト組成物の剥離を行うレジス
ト組成物の使用方法。 - 【請求項４】アルキルシリル基を保護基とするレジスト
に、スルホラン系化合物を添加したレジスト組成物を用
い、 露光、現像を行った後、ＳＯ2 雰囲気下に置き、水分を
付与し、アッシングして、レジスト組成物の剥離を行う
レジスト組成物の使用方法。 - 【請求項５】ＳＯ2 雰囲気下に置く剥離処理は、エッチ
ング後に行う請求項２ないし４のいずれかに記載のレジ
スト組成物の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4255784A JPH0683064A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | レジスト組成物及びレジスト組成物の使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4255784A JPH0683064A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | レジスト組成物及びレジスト組成物の使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0683064A true JPH0683064A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17283591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4255784A Pending JPH0683064A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | レジスト組成物及びレジスト組成物の使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0683064A (ja) |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP4255784A patent/JPH0683064A/ja active Pending
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