JPH0683088A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 高い感度を有し、かつ耐久性に優れた電子写
真感光体を提供する。 【構成】 導電性基材上に、下記一般式(I) で表される
アゾ系化合物を含む感光層を設けた。 ［式中Ａ¹ ，Ａ² は同一または異なるカップラー残基を
示し、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ は同一または異なって水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基また
はアリール基を示し、Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ は同一または異なって
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基
を示す。ｍ，ｎは０または１を示す。］

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子写真感光体に関し、
より詳細には、静電式複写機、レーザービームプリンタ
等に使用される電子写真感光体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子写真感光体を用いて複写画像を形成
する場合には、カールソンプロセスが広く利用されてい
る。カールソンプロセスは、コロナ放電により感光体を
均一に帯電させる帯電工程と、帯電した感光体に原稿像
を露光し、原稿像に対応した静電潜像を形成する露光工
程と、静電潜像をトナーを含有する現像剤で現像してト
ナー像を形成する現像工程と、トナー像を紙などの基材
に転写する転写工程と、基材に転写されたトナー像を定
着させる定着工程と、転写工程の後、感光体上に残留す
るトナーを除去するクリーニング工程とを含んでいる。

【０００３】このカールソンプロセスにおいて高品質の
画像を形成するには、電子写真感光体が帯電特性及び感
光特性に優れていること及び、露光後の残留電位が低い
ことが要求される。従来より、セレンや硫化カドミウム
等の無機光導電体が電子写真感光体材料として公知では
あるが、これらは毒性があり、しかも生産コストが高く
望ましくない。

【０００４】そこで、これらの無機物質に代えて、加工
性に優れ、製造コストの面で有利であるとともに、機能
設計の自由度が大きい、種々の有機物質を用いた、いわ
ゆる有機電子写真感光体が提案されている。かかる有機
電子写真感光体は、通常、露光により電荷を発生する電
荷発生材料と、発生した電荷を輸送する機能を有する電
荷輸送材料とからなる感光層を有する。

【０００５】かかる有機電子写真感光体に望まれる各種
の条件を満足させるためには、これら電荷発生材料およ
び電荷輸送材料の選択を適切に行う必要がある。電荷発
生材料としては、フタロシアニン系化合物、ペリレン系
化合物、キナクリドン系化合物、アンサンスロン系化合
物、アゾ系化合物等多くの化合物が提案されている。例
えばアゾ系化合物としては、特開昭４７−３７５４３号
公報や同５７−１９５７６７号公報に開示のものが知ら
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電荷発生材料は、感光波長領域が狭かったり、感度
が低かったり、あるいは、光安定性が充分でなかったり
するという問題があり、これらの電荷発生材料を含む感
光体も、感度や耐久性に劣るものであった。本発明は上
記の問題点を解決するものであり、高い感度を有し、か
つ耐久性に優れる等、特性に優れた電子写真感光体を提
供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段および作用】上記課題を解
決するための、本発明の電子写真感光体は、導電性基材
上に、下記一般式(I) で表されるアゾ系化合物を含む感
光層を設けたこと特徴とする。

【０００８】

【化５】

【０００９】［式中Ａ¹ ，Ａ² は同一または異なるカッ
プラー残基を示し、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³，Ｒ⁴ は同一また
は異なって水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アル
コキシ基またはアリール基を示し、Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ は同一ま
たは異なって水素原子、ハロゲン原子、アルキル基また
はアリール基を示す。ｍ，ｎは０または１を示す。］ 本発明者らの検討によれば、上記一般式(I) で表される
アゾ系化合物は、高感度で、かつ繰返し使用による表面
電位の大幅な低下がない。また、残留電位が低いので、
繰り返し露光に対する安定性にすぐれているとともに、
長時間の露光や高温下での露光に対して、安定的に高感
度を維持することができ、光安定性に優れている。した
がって、上記アゾ系化合物を含む感光層を有する、本発
明の電子写真感光体は、高い感度を有し、かつ耐久性に
優れたものである。

【００１０】上記アゾ系化合物がこのような高い感度と
光安定性を有する理由を、本発明者らは以下のように推
測している。すなわち一般式(I) で表されるアゾ系化合
物は、分子内に導入した４，５，９，１０−テトラヒド
ロピレンの特異な構造が原因となって、たとえば前記し
た特開昭４７−３７５４３号に例示の、下記一般式(I
I)：

【００１１】

【化６】

【００１２】［式中、Ａ¹ ，Ａ² は前記と同じカップラ
ー残基を示し、Ｙは水素原子、メチル基、メトキシ基、
エトキシ基、水酸基、塩素原子または臭素原子を示す］
や、特開昭５４−４６５５８号公報に例示の、下記一般
式(III) ：

【００１３】

【化７】

【００１４】［式中、Ａ¹ ，Ａ² は前記と同じカップラ
ー残基を示し、Ｒは水素原子、エチル基、クロロエチル
基またはヒドロキシエチル基を示す］で表される従来の
ビスアゾ系化合物等に比して、光照射時のキャリヤ発生
能にすぐれているからであると推定される。上記一般式
(I) で表されるアゾ系化合物は、基本的に下記の一般式
(Ia)〜(Ic)で表されるアゾ系化合物を含んでいる。

【００１５】

【化８】

【００１６】［式中Ａ¹ ，Ａ² ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ
⁴ ，Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ は前記と同じ基を示す。］ 前記一般式(I) および(Ia)〜(Ic)で表されるアゾ系化合
物において、Ｒ¹ ，Ｒ ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ のうちハロゲン原
子としては、たとえば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子、フッ素原子などがあげられる。アルキル基として
は、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロプル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基等の、炭素数１〜６の低級アル
キル基があげられる。アルコキシ基としては、たとえば
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキ
シ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基などがあげら
れる。さらにアリール基としては、たとえばフェニル
基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、フェナントリル基などがあげられ
る。またＲ⁵ ，Ｒ⁶ のうちアルキル基としては、たとえ
ばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロプル基、
ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基などがあげられ、アリール基としては、
たとえばフェニル基、ノリル基、キシリル基、ビフェニ
ル基、ナフチル基などがあげられ、ハロゲン原子として
は、たとえば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素
原子などがあげられる。

【００１７】カップラー残基Ａ¹ ，Ａ² としては、下記
一般式(a) 〜(g) で表される基が例示される。カップラ
ー残基Ａ¹ ，Ａ² は、同一であっても、互いに異なって
いてもよい。

【００１８】

【化９】

【００１９】各式中Ｒ³⁰は、カルバモイル基、スルファ
モイル基、アロファノイル基、オキサモイル基、アント
ラニロイル基、カルバゾイル基、グリシル基、ヒダント
イル基、フタルアモイル基、および、スクシンアモイル
基を表す。これらの基は、ハロゲン原子、置換基を有し
ていてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナ
フチル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルケニ
ル基、カルボニル基、カルボキシル基等の置換基を有し
ていてもよい。

【００２０】Ｒ³¹は、上記Ｒ³⁰および水酸基を有するベ
ンゼン環と縮合して芳香族環、多環式炭化水素または複
素環を形成するのに必要な原子団を表し、これらの環は
前記と同様な置換基を有してもよい。Ｒ³²は、酸素原
子、硫黄原子、または、イミノ基を表す。Ｒ³³は、２価
の鎖式炭化水素または芳香族炭化水素を表し、これらの
基は前記と同様な置換基を有してもよい。

【００２１】Ｒ³⁴は、アルキル基、アラルキル基、アリ
ール基、または、複素環基を表し、これらの基は前記と
同様な置換基を有してもよい。Ｒ³⁵は、２価の鎖式炭化
水素、芳香族炭化水素、または、上記一般式(e)(f)中
の、下記式(h)

【００２２】

【化１０】

【００２３】で表される部分とともに複素環を形成する
のに必要な原子団を表し、これらの環は前記と同様な置
換基を有してもよい。Ｒ³⁶は、水素原子、アルキル基、
アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、アロフ
ァノイル基、カルボキシル基、カルボキシル基のエステ
ル、アリール基、または、シアノ基を表し、水素原子以
外の基は前記と同様な置換基を有していてもよい。

【００２４】Ｒ³⁷は、アルキル基またはアリール基を表
し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロプル基、ブチル基、イソブチル基、
tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の、炭素数
１〜６の低級アルキル基があげられる。

【００２５】アリール基としては、たとえばフェニル
基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、フェナントリル基などがあげられ
る。アルケニル基としては、たとえばビニル基、アリル
基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１−メチルアリ
ル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基等の、炭素
数２〜６の低級アルケニル基があげられる。

【００２６】ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子、フッ素原子があげられる。前記Ｒ³¹に
おいて、Ｒ³⁰および水酸基を有するベンゼン環と縮合し
て芳香族環を形成するのに必要な原子団としては、たと
えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン
基等のアルキレン基があげられる。

【００２７】上記Ｒ³¹と、Ｒ³⁰および水酸基を有するベ
ンゼン環との縮合により形成される芳香族環としては、
たとえばナフタリン環、アントラセン環、フェナントレ
ン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環などがあげ
られる。前記Ｒ³¹において、Ｒ³⁰および水酸基を有する
ベンゼン環と縮合して多環式炭化水素を形成するのに必
要な原子団としては、たとえばメチレン基、エチレン
基、プロピレン基、ブチレン基等の、炭素数１〜４のア
ルキレン基があげられる。

【００２８】上記Ｒ³¹と、Ｒ³⁰および水酸基を有するベ
ンゼン環との縮合により形成される多環式炭化水素とし
ては、たとえばカルバゾール環、ベンゾカルバゾール
環、ジベンゾフラン環などがあげられる。また、Ｒ³¹に
おいて、Ｒ³⁰および水酸基を有するベンゼン環と縮合し
て複素環を形成するのに必要な原子団としては、たとえ
ばベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリ
ル基、１Ｈ−インドリル基、ベゾオキサゾリル基、ベン
ゾチアゾリル基、１Ｈ−インダドリル基、ベンゾイミダ
ゾリル基、クロメニル基、クロマニル基、イソクロマニ
ル基、キノリニル基、イソキノリニル基、シンノリニル
基、フタラジニル基、キナゾニリル基、キノキサリニル
基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、キサンテニ
ル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、フェナ
ジニル基、フェノキサジニル基、チアントレニル基など
があげられる。

【００２９】上記Ｒ³¹と、Ｒ³⁰および水酸基を有するベ
ンゼン環との縮合により形成される芳香族性複素環基と
しては、たとえばチエニル基、フリル基、ピロリル基、
オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、
イソチアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ト
リアゾリル基、テトラゾリル基、ピリジル基、チアゾリ
ル基があげられる。また、さらに他の芳香族環と縮合し
た複素環基（たとえばベンゾフラニル基、ベンゾイミダ
ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル
基、キノリル基など）であってもよい。

【００３０】前記Ｒ³³，Ｒ³⁵において、２価の鎖式炭化
水素としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基
などがあげられ、２価の芳香族炭化水素としては、フェ
ニレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基などがあ
げられる。前記Ｒ³⁴において、複素環基としては、ピリ
ジル基、ピラジル基、チエニル基、ピラニル基、インド
リル基などがあげられる。

【００３１】前記Ｒ³⁵において、前記式(h) で表される
部分とともに複素環を形成するのに必要な原子団として
は、たとえばフェニレン基、ナフチレン基、フェナント
リレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基など
があげられる。上記Ｒ³⁵と、前記式(h) で表される部分
とにより形成される芳香族性複素環基としては、たとえ
ばベンゾイミダゾール基、ベンゾ［ｆ］ベンゾイミダゾ
ール基、ジベンゾ［ｅ，ｇ］ベンゾイミダゾール基、ベ
ンゾピリミジン基などがあげられる。これらの基は前記
と同様な置換基を有してもよい。

【００３２】前記Ｒ³⁶において、カルボキシル基のエス
テルとしては、メチルエステル、エチルエステル、プロ
ピルエステル、ブチルエステルなどがあげられる。上記
一般式(a) 〜(g) で表わされるカップラー残基Ａの具体
例としては、以下のような基があげられる。

【００３３】

【化１１】

【００３４】

【化１２】

【００３５】

【化１３】

【００３６】

【化１４】

【００３７】前記一般式(I) で表されるアゾ系化合物
は、種々の方法で合成することができる。たとえば、前
記一般式(Ia)で表されるアゾ系化合物を例に取ると、ま
ず、下記反応工程式に示すように、１，２−ジフェニル
エタン(1) をクロロメチル化して１，２−ビス（３−ク
ロロメチルフェニル）エタン(2) を得、これをヨウ化ナ
トリウム（NaＩ）と反応させて１，２−ビス（３−ヨー
ドメチルフェニル）エタン(3) を作製する。そして、こ
の１，２−ビス（３−ヨードメチルフェニル）エタン
(3) を金属ナトリウムと反応させて閉環し、下記一般式
(4) で表される（２，２）メタシクロファンを作製す
る。

【００３８】

【化１５】

【００３９】つぎに、上記（２，２）メタシクロファン
(4) を鉄粉の存在下で臭素と反応させると、一般式(5)
中のＲ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ が何れも臭素原子である
４，５，９，１０−テトラヒドロピレン系化合物が得ら
れる。Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴が臭素原子以外の置換基
であるテトラヒドロピレン系化合物を得るには、上記反
応後、常法により臭素原子を置換すればよい。

【００４０】つぎに、上記４，５，９，１０−テトラヒ
ドロピレン系化合物(5) を常法によりニトロ化して、下
記一般式(6) で表される２，７−ジニトロ−４，５，
９，１０−テトラヒドロピレン系化合物を得、これを常
法により還元して２，７−ジアミノ−４，５，９，１０
−テトラヒドロピレン系化合物（一般式(7) ）を作製す
る。そしてこの２，７−ジアミノ−４，５，９，１０−
テトラヒドロピレン系化合物(7) の２つのアミノ基をそ
れぞれジアゾ化してテトラゾニウム塩とし、これを所定
のカップラーと有機溶媒中でカップリングさせると、前
記一般式(Ia)で表されるアゾ系化合物が製造される。ジ
アゾ化は、２，７−ジアミノ−４，５，９，１０−テト
ラヒドロピレン系化合物(7) の酸性水溶液を攪拌しなが
ら、亜硝酸ナトリウムまたは亜硝酸を低温下（通常、−
１０〜１０℃）で滴下して行われる。

【００４１】

【化１６】

【００４２】［上記各反応工程式中のＡ¹ ，Ａ² ，
Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ は前記と同じ基を示す。］ 本発明の電子写真感光体においては、上記のアゾ系化合
物を、電荷発生材料として単独で用いるほか、従来公知
の他の電荷発生材料と組み合わせて使用することができ
る。

【００４３】他の電荷発生材料としては、例えば、アモ
ルファスシリコン、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔
料、フタロシアニン系顔料、インジゴ系顔料、トリフェ
ニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、
ピラゾリン系顔料、ペリレン系顔料、キナクリドン系顔
料などがあげられる。これらの電荷発生材料は、所望の
領域に吸収波長域を有するように、１種または２種以上
混合して用いられる。

【００４４】本発明の構成は、いわゆる単層型及び積層
型の電子写真感光体のいずれにも適用することができ
る。単層型感光体とするには、電荷発生材料である、前
記一般式(I) で表されるアゾ系化合物と、電荷輸送材料
と、結着樹脂等とを含有する感光層を塗布等の手段によ
り導電性基材上に形成すればよい。

【００４５】また、積層型の感光体とするには、導電性
基材上に、塗布等の手段により、上記アゾ系化合物を電
荷発生材料として含有する電荷発生層を形成し、この電
荷発生層上に、電荷輸送材料と結合材樹脂とを含有する
電荷輸送層を形成すればよい。また、上記とは逆に、導
電性基材上に上記と同様の電荷輸送層を形成し、次いで
塗布等の手段により、上記アゾ系化合物を電荷発生材料
として含有する電荷発生層を形成してもよい。さらに、
電荷発生層は電荷発生材料と電荷輸送材料とを結着剤樹
脂中に分散して塗布することにより形成してもよい。

【００４６】前記電荷輸送材料としては、従来公知の材
料を用いることができ、例えば２，５−ジ（４−メチル
アミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等の
オキサジアゾール系化合物、９−（４−ジエチルアミノ
スチリル）アントラセン等のスチリル系化合物、ポリビ
ニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、１−フェ
ニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン
等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフ
ェニルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾ
ール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール
系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化
合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の
含窒素環式化合物、縮合多環式化合物があげられる。

【００４７】これらの電荷輸送材料は、１種または２種
以上混合して用いられる。なお、ポリビニルカルバゾー
ル等の成膜性を有する電荷輸送材料を用いる場合には、
結着樹脂は必ずしも必要ではない。また、上記単層型や
積層型の感光体において使用される結着樹脂としては、
種々の樹脂を使用することができ、例えばスチレン系重
合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アク
リロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合
体、アクリル系重合体、スチレン−アクリル系共重合
体、ポリエチレン、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩素
化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、塩
化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アルキ
ッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネー
ト、ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレー
ト樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリ
エーテル樹脂等の熱可塑性樹脂や、シリコーン樹脂、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹
脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂、さらにエポキシアク
リレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化性樹脂等
の種々の重合体があげられる。

【００４８】これらの結着剤樹脂は１種または２種以上
混合して用いられる。また、塗布手法等により電荷発生
層および電荷輸送層を形成する場合には溶剤が使用され
る。この溶剤としては、種々の有機溶剤を使用すること
が可能であり、例えばメタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、ブタノール等のアルコール類、ｎ−ヘキサ
ン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロベ
ンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメチルエーテル、ジ
エチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチル
エーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸
メチル等のエステル類、ジメチルホルムアルデヒド、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の種々の
溶剤があげられる。

【００４９】これらの溶剤は１種または２種以上混合し
て用いることができる。また、上記電荷発生層の感度を
よくするために、例えば、ターフェニル、ハロナフトキ
ノン類、アセナフチレン等の公知の増感剤を上記電荷発
生材料と共に用いてもよい。さらには、電荷輸送材料や
電荷発生材料の分散性、染工性等をよくするために界面
活性剤、レベリング剤等を使用してもよい。

【００５０】上記導電性基材としては、導電性を有する
種々の材料を使用することができる。例えば、アルミニ
ウム、銅、スズ、白金、金、銀、バナジウム、モリブデ
ン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウ
ム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属単体や、
上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材
料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等
で被覆されたガラスなどがあげられる。

【００５１】上記導電性基材はシート状、ドラム状のい
ずれでもよく、基材自体が導電性を有するか、あるいは
基材の表面が導電性を有していればよい。この基材とし
ては、使用に際し、十分な機械的強度を有するものが好
ましい。単層型および積層型の各有機感光層には、増感
剤、フルオレン系化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤な
どの劣化防止剤、可塑剤等の添加剤を含有させることが
できる。

【００５２】単層型の感光層における電荷輸送材料の添
加量は、結着樹脂１００重量部に対して４０〜２００重
量部、好ましくは５０〜１００重量部であるのが適当で
ある。また、積層型の電荷輸送層における前記電荷輸送
材料の添加量は、結着樹脂１００重量部に対して１０〜
５００重量部、好ましくは２５〜２００重量部であるの
が適当である。

【００５３】単層型の感光層における電荷発生材料の添
加量は、結着重量１００重量部に対して０．１〜５０重
量部、好ましくは０．５〜３０重量部であるのが適当で
ある。また、積層型の電荷発生層における前記電荷発生
材料の添加量は、結着樹脂１００重量部に対して５〜５
００重量部、好ましくは１０〜３００重量部であるのが
適当である。

【００５４】形成される感光層の厚さは、単層型の場合
で５〜１００μm 程度、なかんづく１０〜５０μｍ程度
であるのが好ましい。一方、積層型の場合は、電荷発生
層の厚さが０．０１〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜
３μｍ程度、電荷輸送層の厚さが２〜１００μｍ程度、
なかんづく５〜５０μｍ程度であるのが好ましい。ま
た、単層型電子写真用感光体にあっては、上記基材と感
光層との間に、また、積層型電子写真用感光体にあって
は、上記基材と電荷発生層との間や基材と電荷輸送層と
の間及び電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の特
性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよ
く、感光体の表面には、保護層が形成されていてもよ
い。

【００５５】上記電荷発生層及び電荷輸送層を、塗布の
方法により形成する場合には、電荷発生材料等と結着樹
脂などを公知の方法、例えば、ロールミル、ボールミ
ル、アトライタ、ペイントシェーカーあるいは超音波分
散器等を用いて分散混合して調製し、これを公知の手段
により塗布、乾燥すればよい。なお上述のように、電荷
発生層は上記電荷発生材料を蒸着することにより形成し
てもよい。

【００５６】

【実施例】以下に、実施例、比較例にもとづいて、本発
明を説明する。実施例１ 電荷発生材料として、前記一般式(Ia)中のＲ¹ ，Ｒ² ，
Ｒ³ ，Ｒ⁴ がいずれも臭素原子、Ａ¹ ，Ａ² がともに前
記式(A1)で表されるカップラー残基である、下記式で表
されるビスアゾ系化合物を使用して、以下の手順で、単
層型および積層型の感光体を作製した。

【００５７】

【化１７】

【００５８】（単層型感光体の作製）電荷発生材料とし
てのビスアゾ系化合物８重量と、電荷輸送材料として
の、下記式：

【００５９】

【化１８】

【００６０】で表されるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキ
ス（３−メチルフェニル）−ｍ−フェニレンジアミン１
００重量部と、結着樹脂としてのポリカーボネート１０
０重量部とを、所定量のテトラヒドロフランとともに、
ボールミルを用いて混合分散し、単層型感光層用塗布液
を調製した。この塗布液を、直径８０mm×長さ３５０mm
のアルミニウム素管の表面に、浸漬法によって塗布した
後、暗所において、１００℃で３０分間加熱乾燥させ
て、膜厚２４μｍの単層型感光層を有する、ドラム型の
正帯電型電子写真感光体を作製した。

【００６１】（積層型感光体の作製）結着樹脂としての
ポリビニルブチラール１００重量部と、電荷発生材料と
してのビスアゾ系化合物１００重量部と、所定量のテト
ラヒドロフランとをボールミルに仕込み、２４時間攪拌
混合して、電荷発生層用塗布液を調製した。この塗布液
を、直径８０mm×長さ３５０mmのアルミニウム素管の表
面に、浸漬法によって塗布した後、暗所において、１１
０℃で３０分間熱風乾燥して硬化させて、膜厚０．５μ
ｍの電荷発生層を形成した。

【００６２】つぎに、結着樹脂としてのポリカーボネー
ト１００重量部と、電荷輸送材料としてのＮ，Ｎ，
Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（３−メチルフェニル）−ｍ−
フェニレンジアミン１００重量部と、所定量のトルエン
とをホモミキサで攪拌混合して、電荷輸送層用塗布液を
調製した。この塗布液を、先に素管の表面に形成した電
荷発生層上に、浸漬法によって塗布し、９０℃で３０分
間熱風乾燥することにより、膜厚約２０μｍの電荷輸送
層を形成し、積層型感光層を有する、ドラム型の負帯電
型電子写真感光体を作製した。

【００６３】実施例２ 電荷発生材料として、前記一般式(Ia)中のＲ¹ ，Ｒ² ，
Ｒ³ ，Ｒ⁴ がいずれも臭素原子、Ａ¹ ，Ａ² がともに前
記式(A2)で表されるカップラー残基であるビスアゾ系化
合物を使用したこと以外は、上記実施例１と同様にし
て、単層型および積層型の感光体を作製した。

【００６４】実施例３ 電荷発生材料として、前記一般式(Ia)中のＲ¹ ，Ｒ² ，
Ｒ³ ，Ｒ⁴ がいずれも臭素原子、Ａ¹ ，Ａ² がともに前
記式(A3)で表されるカップラー残基であるビスアゾ系化
合物を使用したこと以外は、上記実施例１と同様にし
て、単層型および積層型の感光体を作製した。

【００６５】実施例４ 電荷発生材料として、前記一般式(Ia)中のＲ¹ ，Ｒ² ，
Ｒ³ ，Ｒ⁴ がいずれも臭素原子、Ａ¹ ，Ａ² がともに前
記式(A19) で表されるカップラー残基であるビスアゾ系
化合物を使用したこと以外は、上記実施例１と同様にし
て、単層型および積層型の感光体を作製した。

【００６６】実施例５ 電荷発生材料として、前記一般式(Ia)中のＲ¹ ，Ｒ² ，
Ｒ³ ，Ｒ⁴ がいずれも臭素原子、Ａ¹ ，Ａ² がともに前
記式(A9)で表されるカップラー残基であるビスアゾ系化
合 物を使用したこと以外は、上記実施例１と同様にし
て、単層型および積層型の感光体を作製した。

【００６７】実施例６ 電荷発生材料として、前記一般式(Ia)中のＲ¹ ，Ｒ² ，
Ｒ³ ，Ｒ⁴ がいずれも臭素原子、Ａ¹ ，Ａ² がともに前
記式(A12) で表されるカップラー残基であるビスアゾ系
化合物を使用したこと以外は、上記実施例１と同様にし
て、単層型および積層型の感光体を作製した。

【００６８】実施例７ 電荷発生材料として、前記一般式(Ia)中のＲ¹ ，Ｒ² ，
Ｒ³ ，Ｒ⁴ がいずれも臭素原子、Ａ¹ ，Ａ² がともに前
記式(A14) で表されるカップラー残基であるビスアゾ系
化合物を使用したこと以外は、上記実施例１と同様にし
て、単層型および積層型の感光体を作製した。

【００６９】実施例８ 電荷発生材料として、前記一般式(Ib)中のＲ¹ ，Ｒ² ，
Ｒ³ ，Ｒ⁴ がいずれも臭素原子、Ｒ⁵ が水素原子、
Ａ¹ ，Ａ² がともに前記式(A2)で表されるカップラー残
基であるビスアゾ系化合物を使用したこと以外は、上記
実施例１と同様にして、単層型および積層型の感光体を
作製した。

【００７０】実施例９ 電荷発生材料として、前記一般式(Ic)中のＲ¹ ，Ｒ² ，
Ｒ³ ，Ｒ⁴ がいずれも臭素原子、Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ がともに水
素原子、Ａ¹ ，Ａ² がともに前記式(A2)で表されるカッ
プラー残基であるビスアゾ系化合物を使用したこと以外
は、上記実施例１と同様にして、単層型および積層型の
感光体を作製した。

【００７１】比較例１ 電荷発生材料として、下記式：

【００７２】

【化１９】

【００７３】で表されるクロロジアンブルーを使用した
こと以外は、上記実施例１と同様にして、単層型および
積層型の感光体を作製した。上記各実施例、比較例の電
子写真感光体について、以下の試験を行い、その特性を
評価した。初期表面電位の測定 各電子写真感光体を、静電式複写試験装置（ジェンテッ
ク社製の商品名ジェンテックシンシア３０Ｍ）に装填
し、その表面を正または負に帯電させて、初期表面電位
Ｖs.p.（Ｖ）を測定した。

【００７４】半減露光量および残留電位の測定 上記初期表面電位の測定で帯電状態となった電子写真感
光体を、静電式複写試験装置の露光光源であるハロゲン
ランプを用いて、露光強度１０lux の条件で露光して、
その表面電位が１／２となるまでの時間を求め、半減露
光量Ｅ1/2 （lux ・sec ）を算出した。

【００７５】また、上記露光開始後、０．１５秒を経過
した時点の表面電位を測定し、残留電位Ｖ１r.p.（Ｖ）
とした。光安定性の測定 上記電子写真感光体を、静電式複写機（三田工業社製の
型番ＤＣ−１６５７）に装填して１０００枚の連続複写
を行った後、上記と同様にして、繰り返し露光後の残留
電位Ｖ２r.p.（Ｖ）を測定した。そして、前記残留電位
Ｖ１r.p.とＶ２r.p.との差ΔＶr.p.（Ｖ）を求めた。

【００７６】以上の結果を表１に示す。

【００７７】

【表１】

【００７８】上記表１の結果より、本発明の構成である
実施例１〜９の電子写真感光体は、単層型、積層型何れ
のものも、比較例１に比べて残留電位Ｖ１r.p.が低く、
かつ半減露光量Ｅ1/2 が小さいことから、感度特性に優
れたものであることが判った。また、上記実施例１〜９
は、比較例１に比べてΔＶr.p.が小さいことから、何れ
も、耐久性に優れたものであることが判った。

【００７９】

【発明の効果】以上のように、本発明の電子写真感光体
は、高い感度と光安定性を有する特定のアゾ系化合物を
含有する感光層を備えているので、高い感度を有し、か
つ耐久性に優れたものとなっている。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】導電性基材上に、一般式(I) ： 【化１】 ［式中Ａ¹ ，Ａ² は同一または異なるカップラー残基を
   示し、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³，Ｒ⁴ は同一または異なって水
   素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基また
   はアリール基を示し、Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ は同一または異なって
   水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基
   を示す。ｍ，ｎは０または１を示す。］で表されるアゾ
   系化合物を含む感光層を設けたことを特徴とする電子写
   真感光体。
2. 【請求項２】アゾ系化合物が、一般式(Ia)： 【化２】 ［式中Ａ¹ ，Ａ² ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ は上記と同
   じ基を示す。］で表される請求項１記載の電子写真感光
   体。
3. 【請求項３】アゾ系化合物が、一般式(Ib)： 【化３】 ［式中Ａ¹ ，Ａ² ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ は上
   記と同じ基を示す。］で表される請求項１記載の電子写
   真感光体。
4. 【請求項４】アゾ系化合物が、一般式(Ic)： 【化４】 ［式中Ａ¹ ，Ａ² ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ ，Ｒ
   ⁶ は上記と同じ基を示す。］で表される請求項１記載の
   電子写真感光体。