JPH0684128A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH0684128A JPH0684128A JP26052492A JP26052492A JPH0684128A JP H0684128 A JPH0684128 A JP H0684128A JP 26052492 A JP26052492 A JP 26052492A JP 26052492 A JP26052492 A JP 26052492A JP H0684128 A JPH0684128 A JP H0684128A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 酸化物磁性体からなる磁気コア1,2の突き
合わせ面にそれぞれ第2の磁性体として強磁性金属薄膜
3,4が配されて磁気コア半体11,12が構成され、
前記強磁性金属薄膜3,4の突き合わせ幅がトラック幅
規制溝1b,2bによって規制されるとともに、該トラ
ック幅規制溝1b,2bの外側部分においても磁性体が
突き合わされてなり、摺動面の両端部分が磁気記録媒体
摺動方向に沿ってレール加工され磁気記録媒体に対する
当たり幅が規制されてなる磁気ヘッドにおいて、上記強
磁性金属薄膜3,4の突き合わせ幅、すなわちトラック
幅Twを25μm未満、トラック幅規制溝の外側部分に
おける磁性体の突き合わせ幅Aをそれぞれ50μm以下
とする。 【効果】 高密度記録が可能であるとともに高再生出力
を発揮する磁気ヘッドが得られる。
合わせ面にそれぞれ第2の磁性体として強磁性金属薄膜
3,4が配されて磁気コア半体11,12が構成され、
前記強磁性金属薄膜3,4の突き合わせ幅がトラック幅
規制溝1b,2bによって規制されるとともに、該トラ
ック幅規制溝1b,2bの外側部分においても磁性体が
突き合わされてなり、摺動面の両端部分が磁気記録媒体
摺動方向に沿ってレール加工され磁気記録媒体に対する
当たり幅が規制されてなる磁気ヘッドにおいて、上記強
磁性金属薄膜3,4の突き合わせ幅、すなわちトラック
幅Twを25μm未満、トラック幅規制溝の外側部分に
おける磁性体の突き合わせ幅Aをそれぞれ50μm以下
とする。 【効果】 高密度記録が可能であるとともに高再生出力
を発揮する磁気ヘッドが得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ギャップ近傍が軟磁
性金属薄膜で構成されるいわゆるメタル・イン・ギャッ
プ型の磁気ヘッドに関する。
性金属薄膜で構成されるいわゆるメタル・イン・ギャッ
プ型の磁気ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】磁気記録の分野においては、例えばビデ
オテープレコーダ(VTR)等の機器の小型化や長時間
記録等の要請から、高密度記録化,短波長記録化が検討
されており、これに対応して磁気記録媒体では、いわゆ
るメタルテープや蒸着テープに見られるような高保磁力
化,高残留磁束密度化が進められている。これに伴い磁
気ヘッドに対しても当然その性能の向上が要求されてい
る。
オテープレコーダ(VTR)等の機器の小型化や長時間
記録等の要請から、高密度記録化,短波長記録化が検討
されており、これに対応して磁気記録媒体では、いわゆ
るメタルテープや蒸着テープに見られるような高保磁力
化,高残留磁束密度化が進められている。これに伴い磁
気ヘッドに対しても当然その性能の向上が要求されてい
る。
【0003】このような状況から、磁気コアに高飽和磁
束密度を有する軟磁性金属薄膜を配し、これら軟磁性金
属薄膜同士の突合せ部分を作動ギャップとした,いわゆ
るメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッドが開発され、
特に、図15に示す構成の磁気ヘッドは、電磁変換特性
に優れるばかりか疑似ギャップの問題も少なく、VTR
等の高密度記録を行う記録再生装置に好適なものとして
適用が検討されている。
束密度を有する軟磁性金属薄膜を配し、これら軟磁性金
属薄膜同士の突合せ部分を作動ギャップとした,いわゆ
るメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッドが開発され、
特に、図15に示す構成の磁気ヘッドは、電磁変換特性
に優れるばかりか疑似ギャップの問題も少なく、VTR
等の高密度記録を行う記録再生装置に好適なものとして
適用が検討されている。
【0004】すなわち、上記磁気ヘッドは、酸化物磁性
体からなる磁気コア半体対101,102が接合されて
なるものである。上記磁気コア半体対101,102の
突合せ面には斜面を形成する薄膜形成溝101a,10
2aが溝加工されている。この薄膜形成溝101a,1
02a上には強磁性金属薄膜103,104が配され、
これら強磁性金属薄膜の一端面が互いに突き合わさるこ
とによって磁気ギャップgが形成されている。この強磁
性金属薄膜103,104が互いに突き合わさる突合せ
面の幅は薄膜形成溝101a,102aに沿って形成さ
れたトラック幅規制溝101b,102bによって所定
のトラック幅Twとされている。さらに、上記磁気ヘッ
ドにおいては、磁気記録媒体摺動面となる薄膜形成溝1
01a,102aと直交する面の両端部分が摺動方向に
沿ってレール加工され所定の当たり幅とされた磁気記録
媒体対接面105となっている。
体からなる磁気コア半体対101,102が接合されて
なるものである。上記磁気コア半体対101,102の
突合せ面には斜面を形成する薄膜形成溝101a,10
2aが溝加工されている。この薄膜形成溝101a,1
02a上には強磁性金属薄膜103,104が配され、
これら強磁性金属薄膜の一端面が互いに突き合わさるこ
とによって磁気ギャップgが形成されている。この強磁
性金属薄膜103,104が互いに突き合わさる突合せ
面の幅は薄膜形成溝101a,102aに沿って形成さ
れたトラック幅規制溝101b,102bによって所定
のトラック幅Twとされている。さらに、上記磁気ヘッ
ドにおいては、磁気記録媒体摺動面となる薄膜形成溝1
01a,102aと直交する面の両端部分が摺動方向に
沿ってレール加工され所定の当たり幅とされた磁気記録
媒体対接面105となっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、VTR等に
おいて、記録密度の向上を図るためにはトラック幅を狭
くして磁気記録媒体単位面積当たりの記録トラック数を
増加させることが必要である。特に、近年要求されてい
る記録密度を達成するためには磁気ヘッドの記録トラッ
ク幅を少なくとも25μm未満に抑えなければならな
い。
おいて、記録密度の向上を図るためにはトラック幅を狭
くして磁気記録媒体単位面積当たりの記録トラック数を
増加させることが必要である。特に、近年要求されてい
る記録密度を達成するためには磁気ヘッドの記録トラッ
ク幅を少なくとも25μm未満に抑えなければならな
い。
【0006】ところが、上記構成の磁気ヘッドにおい
て、トラック幅を25μm未満に抑えようとすると、結
局、上記強磁性金属薄膜の突き合わせ面積が狭くなる。
これにより、磁路の磁気抵抗が大きくなり再生出力が実
用レベルを下回るといった不都合が生じてしまう。
て、トラック幅を25μm未満に抑えようとすると、結
局、上記強磁性金属薄膜の突き合わせ面積が狭くなる。
これにより、磁路の磁気抵抗が大きくなり再生出力が実
用レベルを下回るといった不都合が生じてしまう。
【0007】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、トラック幅を25μm未
満とした場合でも十分な再生出力が得られる磁気ヘッド
を提供することを目的とする。
鑑みて提案されたものであり、トラック幅を25μm未
満とした場合でも十分な再生出力が得られる磁気ヘッド
を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の磁気ヘッドは、酸化物磁性体からなる磁
気コアの突き合わせ面にそれぞれ第2の磁性体として強
磁性金属薄膜が配されて磁気コア半体が構成され、前記
強磁性金属薄膜の突き合わせ幅がトラック幅規制溝によ
って規制されるとともに、該トラック幅規制溝の外側部
分においても磁性体が突き合わされてなり、摺動面の両
端部分が磁気記録媒体摺動方向に沿ってレール加工され
磁気記録媒体に対する当たり幅が規制されてなる磁気ヘ
ッドにおいて、上記強磁性金属薄膜のトラック幅規制溝
によって規制される突き合わせ幅が25μm未満であ
り、前記トラック幅規制溝の外側部分における磁性体の
突き合わせ幅が50μm以下であることを特徴とするも
のである。
めに、本発明の磁気ヘッドは、酸化物磁性体からなる磁
気コアの突き合わせ面にそれぞれ第2の磁性体として強
磁性金属薄膜が配されて磁気コア半体が構成され、前記
強磁性金属薄膜の突き合わせ幅がトラック幅規制溝によ
って規制されるとともに、該トラック幅規制溝の外側部
分においても磁性体が突き合わされてなり、摺動面の両
端部分が磁気記録媒体摺動方向に沿ってレール加工され
磁気記録媒体に対する当たり幅が規制されてなる磁気ヘ
ッドにおいて、上記強磁性金属薄膜のトラック幅規制溝
によって規制される突き合わせ幅が25μm未満であ
り、前記トラック幅規制溝の外側部分における磁性体の
突き合わせ幅が50μm以下であることを特徴とするも
のである。
【0009】また、磁気コア半体のバック側における厚
さが150〜200μmであることを特徴とするもので
ある。さらに、トラック幅規制溝の外側部分における磁
性体の突き合わせ幅が10〜50μmであることを特徴
とするものである。
さが150〜200μmであることを特徴とするもので
ある。さらに、トラック幅規制溝の外側部分における磁
性体の突き合わせ幅が10〜50μmであることを特徴
とするものである。
【0010】
【作用】酸化物磁性体からなる磁気コアの突き合わせ面
にそれぞれ第2の磁性体として強磁性金属薄膜が配され
て磁気コア半体が構成され、前記強磁性金属薄膜の突き
合わせ幅がトラック幅規制溝によって規制されるととも
に、該トラック幅規制溝の外側部分においても磁性体が
突き合わされてなり、摺動面の両端部分が磁気記録媒体
摺動方向に沿ってレール加工され磁気記録媒体に対する
当たり幅が規制されてなる磁気ヘッドにおいて、前記ト
ラック幅規制溝の外側部分における磁性体の突き合わせ
幅を適正化すると、磁路の磁気抵抗が調整され高再生出
力が獲得される。また、さらにバック側のヘッド厚を適
正化するとインダクタンスが調整され、実効的な再生出
力E/√L(E:再生出力,L:インダクタンス)が向
上する。
にそれぞれ第2の磁性体として強磁性金属薄膜が配され
て磁気コア半体が構成され、前記強磁性金属薄膜の突き
合わせ幅がトラック幅規制溝によって規制されるととも
に、該トラック幅規制溝の外側部分においても磁性体が
突き合わされてなり、摺動面の両端部分が磁気記録媒体
摺動方向に沿ってレール加工され磁気記録媒体に対する
当たり幅が規制されてなる磁気ヘッドにおいて、前記ト
ラック幅規制溝の外側部分における磁性体の突き合わせ
幅を適正化すると、磁路の磁気抵抗が調整され高再生出
力が獲得される。また、さらにバック側のヘッド厚を適
正化するとインダクタンスが調整され、実効的な再生出
力E/√L(E:再生出力,L:インダクタンス)が向
上する。
【0011】
【実施例】以下、本発明を適用した磁気ヘッドの一実施
例を図面を参照しながら説明する。
例を図面を参照しながら説明する。
【0012】本実施例の磁気ヘッドは、強磁性金属薄膜
が磁気記録媒体対接面で斜めに連なってなる磁気ヘッド
であり、図1及び図2に示すように磁気コア半体11,
12はMn−Znフェライト等の酸化物磁性体からなる
コア部1,2を主体とし、その突き合わせ部にそれぞれ
強磁性金属薄膜3,4が配されている。
が磁気記録媒体対接面で斜めに連なってなる磁気ヘッド
であり、図1及び図2に示すように磁気コア半体11,
12はMn−Znフェライト等の酸化物磁性体からなる
コア部1,2を主体とし、その突き合わせ部にそれぞれ
強磁性金属薄膜3,4が配されている。
【0013】前記コア部1,2の突き合わせ面には、磁
気記録媒体対向側で見たときに斜めとなるような斜面を
形成する薄膜形成溝1a,2aが溝加工されており、こ
の薄膜形成溝1a,2a上に強磁性金属薄膜3,4が成
膜されている。そして、これら強磁性金属薄膜3,4の
一端面同士が突き合わさる如く磁気コア半体11,12
がギャップ材を介して接合されることによって、閉磁路
が構成されるとともに、前記強磁性金属薄膜3,4の突
き合わせ面EG に磁気ギャップgが形成される。
気記録媒体対向側で見たときに斜めとなるような斜面を
形成する薄膜形成溝1a,2aが溝加工されており、こ
の薄膜形成溝1a,2a上に強磁性金属薄膜3,4が成
膜されている。そして、これら強磁性金属薄膜3,4の
一端面同士が突き合わさる如く磁気コア半体11,12
がギャップ材を介して接合されることによって、閉磁路
が構成されるとともに、前記強磁性金属薄膜3,4の突
き合わせ面EG に磁気ギャップgが形成される。
【0014】また、上記コア部1,2には、上記薄膜形
成溝1a,2aに沿ってトラック幅規制溝1b,2bが
形成されており、これによって前記強磁性金属薄膜3,
4の突き合わせ面EG の幅が所定のトラック幅Twとな
されている。なお、この磁気ヘッドにおいては、このト
ラック幅規制溝1b,2bの外側部分において磁性体が
突き合わさるので、強磁性金属薄膜3,4の突き合わせ
面EG とともにこの外側部分における磁性体の突き合わ
せ面EA によっても磁路が確保される。
成溝1a,2aに沿ってトラック幅規制溝1b,2bが
形成されており、これによって前記強磁性金属薄膜3,
4の突き合わせ面EG の幅が所定のトラック幅Twとな
されている。なお、この磁気ヘッドにおいては、このト
ラック幅規制溝1b,2bの外側部分において磁性体が
突き合わさるので、強磁性金属薄膜3,4の突き合わせ
面EG とともにこの外側部分における磁性体の突き合わ
せ面EA によっても磁路が確保される。
【0015】なお、上記磁気コア半体11,12のうち
一方の磁気コア半体11には、コイルを巻回するための
巻線溝7が溝加工されており、前記磁気ギャップgのデ
プスを決定すると同時に、この巻線溝7を通してコイル
を巻回することで当該磁気ヘッドに電磁誘導によって記
録信号を供給し、あるいは再生信号を取り出すようにな
っている。
一方の磁気コア半体11には、コイルを巻回するための
巻線溝7が溝加工されており、前記磁気ギャップgのデ
プスを決定すると同時に、この巻線溝7を通してコイル
を巻回することで当該磁気ヘッドに電磁誘導によって記
録信号を供給し、あるいは再生信号を取り出すようにな
っている。
【0016】また、接合された磁気コア半体11,12
は、磁気記録媒体摺動面となる薄膜形成溝1a,2aと
直交する面の両端部分が摺動方向に沿ってレール加工さ
れることにより所定の当たり幅の磁気記録媒体対接面8
となっており、磁気ギャップgと平行なエッジ部によっ
て余分な信号を拾うことがないようにされている。
は、磁気記録媒体摺動面となる薄膜形成溝1a,2aと
直交する面の両端部分が摺動方向に沿ってレール加工さ
れることにより所定の当たり幅の磁気記録媒体対接面8
となっており、磁気ギャップgと平行なエッジ部によっ
て余分な信号を拾うことがないようにされている。
【0017】かかる構造を有する磁気ヘッドでは、前記
強磁性金属薄膜3,4は、斜面を形成する薄膜形成溝1
a,2a上に成膜されることから、磁気ギャップgを挟
んで斜めに連なるかたちとなり、いわゆるアジマス損失
によって酸化物磁性材料からなるコア部1,2と軟磁性
金属薄膜3,4との界面が磁気ギャップgに対して疑似
ギャップとして動作する虞れはない。
強磁性金属薄膜3,4は、斜面を形成する薄膜形成溝1
a,2a上に成膜されることから、磁気ギャップgを挟
んで斜めに連なるかたちとなり、いわゆるアジマス損失
によって酸化物磁性材料からなるコア部1,2と軟磁性
金属薄膜3,4との界面が磁気ギャップgに対して疑似
ギャップとして動作する虞れはない。
【0018】ここで、薄膜形成溝1a,2a(すなわち
強磁性金属薄膜3,4)の斜面の磁気ギャップに対する
傾斜角は、20°〜80°程度の範囲に設定することが
好ましい。この傾斜角が20°以下であると、隣接トラ
ックからのクロストークが大きくなる。なお、この傾斜
角は望ましくは30°以上とするとよい。一方、傾斜角
度が80°を越えると、磁気ギャップ近傍部に形成され
る後述の強磁性金属薄膜の膜厚をトラック幅に等しく形
成する必要があり、真空薄膜形成技術を用いて薄膜を形
成するにあたって、多くの時間を要してしまうことや、
膜構造が不均一化してしまう点で好ましくない。
強磁性金属薄膜3,4)の斜面の磁気ギャップに対する
傾斜角は、20°〜80°程度の範囲に設定することが
好ましい。この傾斜角が20°以下であると、隣接トラ
ックからのクロストークが大きくなる。なお、この傾斜
角は望ましくは30°以上とするとよい。一方、傾斜角
度が80°を越えると、磁気ギャップ近傍部に形成され
る後述の強磁性金属薄膜の膜厚をトラック幅に等しく形
成する必要があり、真空薄膜形成技術を用いて薄膜を形
成するにあたって、多くの時間を要してしまうことや、
膜構造が不均一化してしまう点で好ましくない。
【0019】また、薄膜形成溝1a,2a及びトラック
幅規制溝1b,2bの幅は、作製工程における砥石加工
精度及び砥石の磨耗性の観点から40μm以上であるこ
とが必要であるが、これら溝の幅をあまり大きくする
と、例えば溝内に非磁性材料としてガラスを充填する場
合に、ガラスが酸化物磁性材料よりなる磁気コアや強磁
性金属薄膜と熱膨張係数が異なることからヘッドにひび
割れが生ずる。したがって、これら溝1a,2a,1
b,2bの幅は40〜140μm以下とすることが好ま
しい。
幅規制溝1b,2bの幅は、作製工程における砥石加工
精度及び砥石の磨耗性の観点から40μm以上であるこ
とが必要であるが、これら溝の幅をあまり大きくする
と、例えば溝内に非磁性材料としてガラスを充填する場
合に、ガラスが酸化物磁性材料よりなる磁気コアや強磁
性金属薄膜と熱膨張係数が異なることからヘッドにひび
割れが生ずる。したがって、これら溝1a,2a,1
b,2bの幅は40〜140μm以下とすることが好ま
しい。
【0020】このような構成の磁気ヘッドにおいて、高
密度記録が可能なものとするためには上記トラック幅T
wを25μm未満に設定する必要があるが、トラック幅
を25μm未満とすると、強磁性金属薄膜の突き合わせ
面EG の面積が小さくなって磁路の磁気抵抗が大きくな
り、再生出力が低下する。
密度記録が可能なものとするためには上記トラック幅T
wを25μm未満に設定する必要があるが、トラック幅
を25μm未満とすると、強磁性金属薄膜の突き合わせ
面EG の面積が小さくなって磁路の磁気抵抗が大きくな
り、再生出力が低下する。
【0021】そこで、本発明では、トラック幅に関与し
ないトラック幅規制溝の外側部分における磁性体の突き
合わせ面EA の幅Aを適正化して磁路の磁気抵抗を調整
し、高密度記録,高再生出力の両方を達成することとす
る。さらに、実効的な再生出力は、E/√Lで表され、
磁気抵抗とともにインダクタンスにも依存する。したが
って、上記外側部分における磁性体の突き合わせ面EA
の幅Aをバック側のヘッド厚毎に適正化して、磁気抵抗
とともにインダクタンスを調整し、実効的な再生出力の
向上を図ることとする。以下に、バック側のヘッド厚が
200μm,130μm,300μmである磁気ヘッド
について、幅Aの適正値を例示する。
ないトラック幅規制溝の外側部分における磁性体の突き
合わせ面EA の幅Aを適正化して磁路の磁気抵抗を調整
し、高密度記録,高再生出力の両方を達成することとす
る。さらに、実効的な再生出力は、E/√Lで表され、
磁気抵抗とともにインダクタンスにも依存する。したが
って、上記外側部分における磁性体の突き合わせ面EA
の幅Aをバック側のヘッド厚毎に適正化して、磁気抵抗
とともにインダクタンスを調整し、実効的な再生出力の
向上を図ることとする。以下に、バック側のヘッド厚が
200μm,130μm,300μmである磁気ヘッド
について、幅Aの適正値を例示する。
【0022】すなわち、図3〜図5に外側部分における
磁性体の突き合わせ面EA の幅AとインダクタンスL当
たりの再生出力E/√Lの関係を示す。ここで、E/√
Lは相対値であり、したがって各図における特性曲線は
E/√Lの変化傾向のみを示す。また、図3,図4,図
5は、それぞれ、外側部分における磁性体の突き合わせ
面EA の幅Aが0μmであるときにバック側のヘッド厚
が200μmの磁気ヘッド、外側部分の突き合わせ面E
A の幅Aが0μmであるときにバック側のヘッド厚が1
30μmの磁気ヘッド、外側部分における磁性体の突き
合わせ面EA の幅Aが0μmであるときにバック側のヘ
ッド厚が300μmの磁気ヘッドの場合である。
磁性体の突き合わせ面EA の幅AとインダクタンスL当
たりの再生出力E/√Lの関係を示す。ここで、E/√
Lは相対値であり、したがって各図における特性曲線は
E/√Lの変化傾向のみを示す。また、図3,図4,図
5は、それぞれ、外側部分における磁性体の突き合わせ
面EA の幅Aが0μmであるときにバック側のヘッド厚
が200μmの磁気ヘッド、外側部分の突き合わせ面E
A の幅Aが0μmであるときにバック側のヘッド厚が1
30μmの磁気ヘッド、外側部分における磁性体の突き
合わせ面EA の幅Aが0μmであるときにバック側のヘ
ッド厚が300μmの磁気ヘッドの場合である。
【0023】まず、図3に示すバック側のヘッド厚が2
00μmの磁気ヘッドの特性曲線を見ると、トラック幅
が25μm未満の場合では、E/√Lは外側部分の磁性
体の突き合わせ面EA の幅Aが0〜10μmの間で幅A
の増加に伴って増大し、幅Aが10〜50μmの間でほ
ぼ一定の値を保つ。そして、幅Aが50μmを越える
と、幅Aの増加に伴って低下し、実用的なE/√L値を
示さなくなる。したがって、バック側のヘッド厚が20
0μm、トラック幅が25μm未満の磁気ヘッドでは、
外側部分における磁性体の突き合わせ面EA の幅Aを1
0〜50μmに設定する。
00μmの磁気ヘッドの特性曲線を見ると、トラック幅
が25μm未満の場合では、E/√Lは外側部分の磁性
体の突き合わせ面EA の幅Aが0〜10μmの間で幅A
の増加に伴って増大し、幅Aが10〜50μmの間でほ
ぼ一定の値を保つ。そして、幅Aが50μmを越える
と、幅Aの増加に伴って低下し、実用的なE/√L値を
示さなくなる。したがって、バック側のヘッド厚が20
0μm、トラック幅が25μm未満の磁気ヘッドでは、
外側部分における磁性体の突き合わせ面EA の幅Aを1
0〜50μmに設定する。
【0024】なお、E/√Lは外側部分における磁性体
の突き合わせ面EA の幅Aによって増大,減少の逆の変
化を示すが、幅Aの増加によるE/√Lの増大は磁路の
磁気抵抗が小さくなることによるものであり、幅Aの増
加によるE/√Lの減少は磁気ヘッド自体の体積が大き
くなってインダクタンスが増加することによるものであ
る。
の突き合わせ面EA の幅Aによって増大,減少の逆の変
化を示すが、幅Aの増加によるE/√Lの増大は磁路の
磁気抵抗が小さくなることによるものであり、幅Aの増
加によるE/√Lの減少は磁気ヘッド自体の体積が大き
くなってインダクタンスが増加することによるものであ
る。
【0025】因みに、トラック幅が25μmの場合で
は、E/√Lは外側部分における磁性体の突き合わせ面
EA の幅Aの増大に伴って低下の一途をたどる。トラッ
ク幅が25μmと比較的大きい場合には、磁気ギャップ
を構成する高透磁率の強磁性金属薄膜のみによって十分
に磁気抵抗が低くなっているので幅Aを増加させてもE
/√Lはそれ以上には大きくならない。幅Aを増加させ
ると、逆に磁気ヘッド自体の体積が大きくなることによ
ってインダクタンスが増大しE/√Lが低下する。
は、E/√Lは外側部分における磁性体の突き合わせ面
EA の幅Aの増大に伴って低下の一途をたどる。トラッ
ク幅が25μmと比較的大きい場合には、磁気ギャップ
を構成する高透磁率の強磁性金属薄膜のみによって十分
に磁気抵抗が低くなっているので幅Aを増加させてもE
/√Lはそれ以上には大きくならない。幅Aを増加させ
ると、逆に磁気ヘッド自体の体積が大きくなることによ
ってインダクタンスが増大しE/√Lが低下する。
【0026】次に、図4に示すバック側のヘッド厚が1
30μmの磁気ヘッドの特性曲線を見ると、トラック幅
が25μm未満の場合では、E/√Lは突き合わせ面E
A の幅Aが0〜20μmの間ではほぼ一定の値を保ち、
幅Aが20μmを越えると、幅Aの増加に伴って低下
し、50μmを越えると実用的なE/√L値を示さなく
なる。したがって、ヘッド厚が130μm、トラック幅
が25μm未満の磁気ヘッドでは、外側部分における磁
性体の突き合わせ面EA の幅Aを50μm以下に設定す
る。
30μmの磁気ヘッドの特性曲線を見ると、トラック幅
が25μm未満の場合では、E/√Lは突き合わせ面E
A の幅Aが0〜20μmの間ではほぼ一定の値を保ち、
幅Aが20μmを越えると、幅Aの増加に伴って低下
し、50μmを越えると実用的なE/√L値を示さなく
なる。したがって、ヘッド厚が130μm、トラック幅
が25μm未満の磁気ヘッドでは、外側部分における磁
性体の突き合わせ面EA の幅Aを50μm以下に設定す
る。
【0027】さらに、図5に示すバック側のヘッド厚が
300μmの磁気ヘッドの特性曲線を見ると、トラック
幅が25μm未満の場合では、E/√Lは外側部分にお
ける磁性体の突き合わせ面EA の幅Aの増加に伴って低
下し、50μmを越えると実用的なE/√L値を示さな
くなる。したがって、ヘッド厚が130μm、トラック
幅が25μm未満の磁気ヘッドでは、外側部分における
磁性体の突き合わせ面EA の幅Aを50μm以下に設定
する。
300μmの磁気ヘッドの特性曲線を見ると、トラック
幅が25μm未満の場合では、E/√Lは外側部分にお
ける磁性体の突き合わせ面EA の幅Aの増加に伴って低
下し、50μmを越えると実用的なE/√L値を示さな
くなる。したがって、ヘッド厚が130μm、トラック
幅が25μm未満の磁気ヘッドでは、外側部分における
磁性体の突き合わせ面EA の幅Aを50μm以下に設定
する。
【0028】なお、各磁気ヘッドのE/√Lの絶対値を
比較すると、図6に示すように、ヘッド厚が300μm
のものは、ヘッド厚が200μm,130μmのものと
比べてE/√Lの絶対値が3〜4dB小さい。すなわ
ち、ヘッド厚は、150〜200μmとすることが好ま
しい。
比較すると、図6に示すように、ヘッド厚が300μm
のものは、ヘッド厚が200μm,130μmのものと
比べてE/√Lの絶対値が3〜4dB小さい。すなわ
ち、ヘッド厚は、150〜200μmとすることが好ま
しい。
【0029】このような構成の磁気ヘッドは以下のよう
にして製造される。先ず、表面をラップ処理等により平
行度良くかつ平滑度良く加工され例えばMn−Znフェ
ライトよりなる強磁性酸化物基板を用意する。そして、
図7に示すようにこの強磁性酸化物基板21の磁気ギャ
ップ形成面に対応する上面21aに斜面23を有する薄
膜形成溝22を回転砥石加工等により全幅に亘って複数
平行に形成する。
にして製造される。先ず、表面をラップ処理等により平
行度良くかつ平滑度良く加工され例えばMn−Znフェ
ライトよりなる強磁性酸化物基板を用意する。そして、
図7に示すようにこの強磁性酸化物基板21の磁気ギャ
ップ形成面に対応する上面21aに斜面23を有する薄
膜形成溝22を回転砥石加工等により全幅に亘って複数
平行に形成する。
【0030】次いで、上記強磁性酸化物基板21に対
し、真空薄膜形成技術により強磁性金属を被着し、図8
に示すように上記薄膜形成溝22上に強磁性金属薄膜2
5を形成する。
し、真空薄膜形成技術により強磁性金属を被着し、図8
に示すように上記薄膜形成溝22上に強磁性金属薄膜2
5を形成する。
【0031】上記強磁性金属薄膜25の材質としては、
強磁性非晶質金属合金いわゆるアモルファス合金(たと
えば、Fe,Ni,Coの一つ以上の元素とP,C,
B,Siの一つ以上の元素からなる合金または、これを
主成分としAl,Ge,Be,Sn,In,Mo,W,
Ti,Mn,Cr,Zr,Hf,Nb等を含んだ合
金)、Fe−Al−Si系合金であるセンダスト合金、
Fe−Al系合金、Fe−Si系合金、パーマロイ等が
使用可能であり、その膜付け方法としても、フラッシュ
蒸着、ガス中蒸着、イオンプレーティング、スパッタリ
ング、クラスター・イオンビーム法等に代表される真空
薄膜形成技術が採用される。
強磁性非晶質金属合金いわゆるアモルファス合金(たと
えば、Fe,Ni,Coの一つ以上の元素とP,C,
B,Siの一つ以上の元素からなる合金または、これを
主成分としAl,Ge,Be,Sn,In,Mo,W,
Ti,Mn,Cr,Zr,Hf,Nb等を含んだ合
金)、Fe−Al−Si系合金であるセンダスト合金、
Fe−Al系合金、Fe−Si系合金、パーマロイ等が
使用可能であり、その膜付け方法としても、フラッシュ
蒸着、ガス中蒸着、イオンプレーティング、スパッタリ
ング、クラスター・イオンビーム法等に代表される真空
薄膜形成技術が採用される。
【0032】そして、図9に示すように、上記強磁性酸
化物基板21の強磁性金属薄膜25によって覆われた薄
膜形成溝22内に、ガラス等の非磁性材26を充填し、
その上面21aの余分な強磁性金属薄膜25を平面研削
して除去する。
化物基板21の強磁性金属薄膜25によって覆われた薄
膜形成溝22内に、ガラス等の非磁性材26を充填し、
その上面21aの余分な強磁性金属薄膜25を平面研削
して除去する。
【0033】さらに、図10に示すように、強磁性金属
薄膜25を被着した斜面23と隣接し、上記薄膜形成溝
22と平行な複数のトラック幅規制溝27を形成する。
この時、上記トラック幅規制溝27の位置はこの溝27
が上記斜面23上に形成される強磁性金属薄膜25の端
部とほぼ一致するように設定されている。次いで上面2
1aを平面研磨し、さらに鏡面仕上げを行い、トラック
幅Twの矯正を行うとともに、上面21aすなわち磁気
ギャップ形成面に薄膜形成溝22とトラック幅規制溝2
7によりトラック幅が規制された強磁性金属薄膜25が
臨むようなコアブロック35を作成する。
薄膜25を被着した斜面23と隣接し、上記薄膜形成溝
22と平行な複数のトラック幅規制溝27を形成する。
この時、上記トラック幅規制溝27の位置はこの溝27
が上記斜面23上に形成される強磁性金属薄膜25の端
部とほぼ一致するように設定されている。次いで上面2
1aを平面研磨し、さらに鏡面仕上げを行い、トラック
幅Twの矯正を行うとともに、上面21aすなわち磁気
ギャップ形成面に薄膜形成溝22とトラック幅規制溝2
7によりトラック幅が規制された強磁性金属薄膜25が
臨むようなコアブロック35を作成する。
【0034】以上の工程により、図10に示すコアブロ
ック35を2個作製する。そして、これら一対のコアブ
ロック35,35のうち一方のブロック35に対し、図
11に示すように、上記薄膜形成溝22及びトラック幅
規制溝27に直交するような巻線溝31とガラス溝32
を平行に形成し、コアブロック36を作成する。
ック35を2個作製する。そして、これら一対のコアブ
ロック35,35のうち一方のブロック35に対し、図
11に示すように、上記薄膜形成溝22及びトラック幅
規制溝27に直交するような巻線溝31とガラス溝32
を平行に形成し、コアブロック36を作成する。
【0035】次に、図10に示すコアブロック35の磁
気ギャップ形成面となる上面35aと図11に示すよう
に巻線溝31及びガラス溝を設けたコアブロック36の
磁気ギャップ形成面となる上面36aとを、これら上面
35a,36aのいずれか一方に膜付けされるギャップ
スペーサを介して、図12に示すように、それぞれの磁
気ギャップ形成面に臨む強磁性金属薄膜15,15が一
致するように重ね合わせる。そして、巻線溝31とガラ
ス溝32からガラス等の非磁性材33を溶融しこれら一
対のコアブロック35,36を融着するとともに非磁性
材33を各トラック幅規制溝27内に充填する。なお、
上記ギャップスペーサとしては、SiO2 ,ZrO2 ,
Ta2 O3 ,Cr等を用いることができる。
気ギャップ形成面となる上面35aと図11に示すよう
に巻線溝31及びガラス溝を設けたコアブロック36の
磁気ギャップ形成面となる上面36aとを、これら上面
35a,36aのいずれか一方に膜付けされるギャップ
スペーサを介して、図12に示すように、それぞれの磁
気ギャップ形成面に臨む強磁性金属薄膜15,15が一
致するように重ね合わせる。そして、巻線溝31とガラ
ス溝32からガラス等の非磁性材33を溶融しこれら一
対のコアブロック35,36を融着するとともに非磁性
材33を各トラック幅規制溝27内に充填する。なお、
上記ギャップスペーサとしては、SiO2 ,ZrO2 ,
Ta2 O3 ,Cr等を用いることができる。
【0036】最後に、ガラス融着によりコアブロック3
5,36を一体化して切断加工し、磁気ヘッドとする。
まず、バックギャップ側のガラス融着用に設けられたガ
ラス溝32付近を切断除去する。そして、磁気記録媒体
対接面の端部と磁気ヘッドの端部となる位置(すなわ
ち、外側部分の突き合わせ面EA の幅Aが所定の値とな
る位置)を規制し、これら規制位置に基づいて図13に
示すように外側部分の突き合わせ面形成溝37を形成す
る。そして、外側部分の突き合わせ面形成溝37内のa
−a線、a’−a’線の位置でスライシング加工して複
数個のヘッドチップを切り出した後、磁気記録媒体対接
面を円筒研磨して図14に示すような磁気ヘッドが製造
される。
5,36を一体化して切断加工し、磁気ヘッドとする。
まず、バックギャップ側のガラス融着用に設けられたガ
ラス溝32付近を切断除去する。そして、磁気記録媒体
対接面の端部と磁気ヘッドの端部となる位置(すなわ
ち、外側部分の突き合わせ面EA の幅Aが所定の値とな
る位置)を規制し、これら規制位置に基づいて図13に
示すように外側部分の突き合わせ面形成溝37を形成す
る。そして、外側部分の突き合わせ面形成溝37内のa
−a線、a’−a’線の位置でスライシング加工して複
数個のヘッドチップを切り出した後、磁気記録媒体対接
面を円筒研磨して図14に示すような磁気ヘッドが製造
される。
【0037】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、酸化物磁性体からなる磁気コアの突き合
わせ面にそれぞれ第2の磁性体として強磁性金属薄膜が
配されて磁気コア半体が構成され、前記強磁性金属薄膜
の突き合わせ幅がトラック幅規制溝によって規制される
とともに、該トラック幅規制溝の外側部分においても磁
性体が突き合わされてなり、摺動面の両端部分が磁気記
録媒体摺動方向に沿ってレール加工され磁気記録媒体に
対する当たり幅が規制されてなる磁気ヘッドにおいて、
トラック幅規制溝の外側部分における酸化物磁性体及び
強磁性金属薄膜の突き合わせ幅を50μm以下としてい
るので、トラック幅を25μm未満とした場合でも高再
生出力が獲得できる。
明においては、酸化物磁性体からなる磁気コアの突き合
わせ面にそれぞれ第2の磁性体として強磁性金属薄膜が
配されて磁気コア半体が構成され、前記強磁性金属薄膜
の突き合わせ幅がトラック幅規制溝によって規制される
とともに、該トラック幅規制溝の外側部分においても磁
性体が突き合わされてなり、摺動面の両端部分が磁気記
録媒体摺動方向に沿ってレール加工され磁気記録媒体に
対する当たり幅が規制されてなる磁気ヘッドにおいて、
トラック幅規制溝の外側部分における酸化物磁性体及び
強磁性金属薄膜の突き合わせ幅を50μm以下としてい
るので、トラック幅を25μm未満とした場合でも高再
生出力が獲得できる。
【0038】したがって、本発明によれば、VTR等に
おいて、磁気記録媒体単位面積当たりの記録トラック数
を増加させることが可能となり、高密度記録化が達成さ
れることとなる。
おいて、磁気記録媒体単位面積当たりの記録トラック数
を増加させることが可能となり、高密度記録化が達成さ
れることとなる。
【図1】本発明の磁気ヘッドを示す斜視図である。
【図2】上記磁気ヘッドを磁気記録媒体対接面側から見
た平面図である。
た平面図である。
【図3】突き合わせ面EA の幅Aが0μmであるときに
バック側のヘッド厚が130μmの磁気ヘッドにおける
突き合わせ面EA の幅AとインダクタンスL当たりの再
生出力E/√Lの関係を示す特性図である。
バック側のヘッド厚が130μmの磁気ヘッドにおける
突き合わせ面EA の幅AとインダクタンスL当たりの再
生出力E/√Lの関係を示す特性図である。
【図4】突き合わせ面EA の幅Aが0μmであるときに
バック側のヘッド厚が200μmの磁気ヘッドにおける
突き合わせ面EA の幅AとインダクタンスL当たりの再
生出力E/√Lの関係を示す特性図である。
バック側のヘッド厚が200μmの磁気ヘッドにおける
突き合わせ面EA の幅AとインダクタンスL当たりの再
生出力E/√Lの関係を示す特性図である。
【図5】突き合わせ面EA の幅Aが0μmであるときに
バック側のヘッド厚が300μmの磁気ヘッドにおける
突き合わせ面EA の幅AとインダクタンスL当たりの再
生出力E/√Lの関係を示す特性図である。
バック側のヘッド厚が300μmの磁気ヘッドにおける
突き合わせ面EA の幅AとインダクタンスL当たりの再
生出力E/√Lの関係を示す特性図である。
【図6】各種ヘッド厚の磁気ヘッドのE/√Lの絶対値
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図7】薄膜形成溝形成工程を示す斜視図である。
【図8】強磁性金属薄膜成膜工程を示す斜視図である。
【図9】非磁性材充填工程を示す斜視図である。
【図10】トラック幅規制溝形成工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図11】巻き線溝及びガラス溝形成工程を示す斜視図
である。
である。
【図12】コアブロック接合工程を示す斜視図である。
【図13】磁気記録媒体対接面形成工程を示す斜視図で
ある。
ある。
【図14】作製された磁気ヘッドを示す斜視図である。
【図15】従来の磁気ヘッドを磁気記録媒体対接面側か
ら見た平面図である。
ら見た平面図である。
11,12・・・磁気コア半体 1,2 ・・・コア部 1a,2a・・・薄膜形成溝 1b.2b・・・トラック幅規制溝 3,4 ・・・強磁性金属薄膜 8 ・・・磁気記録媒体対接面
Claims (3)
- 【請求項1】 酸化物磁性体からなる磁気コアの突き合
わせ面にそれぞれ第2の磁性体として強磁性金属薄膜が
配されて磁気コア半体が構成され、前記強磁性金属薄膜
の突き合わせ幅がトラック幅規制溝によって規制される
とともに、該トラック幅規制溝の外側部分においても磁
性体が突き合わされてなり、摺動面の両端部分が磁気記
録媒体摺動方向に沿ってレール加工され磁気記録媒体に
対する当たり幅が規制されてなる磁気ヘッドにおいて、 上記強磁性金属薄膜のトラック幅規制溝によって規制さ
れる突き合わせ幅が25μm未満であり、前記トラック
幅規制溝の外側部分における磁性体の突き合わせ幅が5
0μm以下であることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項2】 磁気コア半体のバック側における厚さが
150〜200μmであることを特徴とする請求項1記
載の磁気ヘッド。 - 【請求項3】 トラック幅規制溝の外側部分における磁
性体の突き合わせ幅が10〜50μmであることを特徴
とする請求項2記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26052492A JPH0684128A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26052492A JPH0684128A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684128A true JPH0684128A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17349168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26052492A Withdrawn JPH0684128A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684128A (ja) |
-
1992
- 1992-09-04 JP JP26052492A patent/JPH0684128A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |