JPH0684250B2 - 高密度磁気記録用磁性粉およびそれを用いた磁気記録用媒体 - Google Patents
高密度磁気記録用磁性粉およびそれを用いた磁気記録用媒体Info
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- JPH0684250B2 JPH0684250B2 JP60230757A JP23075785A JPH0684250B2 JP H0684250 B2 JPH0684250 B2 JP H0684250B2 JP 60230757 A JP60230757 A JP 60230757A JP 23075785 A JP23075785 A JP 23075785A JP H0684250 B2 JPH0684250 B2 JP H0684250B2
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- magnetic recording
- magnetic
- ferrite
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は、高密度磁気記録用磁性粉および高密度磁気記
録用媒体に関する。
録用媒体に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］ 塗布型の磁気記録用媒体は、ポリエチレンテレフタレー
ト等の非磁性支持体と、この支持体上に設けられた磁性
粉および樹脂バインダを主成分とする磁性層とから構成
されている。
ト等の非磁性支持体と、この支持体上に設けられた磁性
粉および樹脂バインダを主成分とする磁性層とから構成
されている。
磁性粉としては、従来よりγFe2O3、CrO2、Co−γFe2O3
などの針状磁性粒子が広く用いられている。最近、磁気
記録密度の大幅な向上を図るために、垂直磁化記録ので
きる磁気記録媒体が強く望まれており、これに適する磁
気記録用媒体として六方晶系フェライトの超微粒子状磁
性粉を用いたものが研究され、高密度記録が可能である
ことが見い出されている。
などの針状磁性粒子が広く用いられている。最近、磁気
記録密度の大幅な向上を図るために、垂直磁化記録ので
きる磁気記録媒体が強く望まれており、これに適する磁
気記録用媒体として六方晶系フェライトの超微粒子状磁
性粉を用いたものが研究され、高密度記録が可能である
ことが見い出されている。
ところで、上述した六方晶系フェライトを磁気記録用磁
性粉として用いた磁気記録用媒体においても、その磁気
特性は温度変化に対して安定であることが必要である。
つまり、磁気特性の温度変化が著しいと、磁気記録用媒
体としての記録再生特性が使用時における周囲温度の変
化に伴なって大幅に変動することになり、実用上支障を
生ずるからである。六方晶系フェライトを用いた磁気記
録用媒体は常温前後においても、保磁力（HC）の値が温
度上昇と共に増加するという特徴ある温度特性を示し、
温度変化に対して比較的安定な媒体である。しかしなが
ら、実用的な見地からは、より一層の温度安定性が望ま
れていた。
性粉として用いた磁気記録用媒体においても、その磁気
特性は温度変化に対して安定であることが必要である。
つまり、磁気特性の温度変化が著しいと、磁気記録用媒
体としての記録再生特性が使用時における周囲温度の変
化に伴なって大幅に変動することになり、実用上支障を
生ずるからである。六方晶系フェライトを用いた磁気記
録用媒体は常温前後においても、保磁力（HC）の値が温
度上昇と共に増加するという特徴ある温度特性を示し、
温度変化に対して比較的安定な媒体である。しかしなが
ら、実用的な見地からは、より一層の温度安定性が望ま
れていた。
［発明の目的］ 本発明者等は、このような事情に対処して六方晶系フェ
ライト微粒子を用いた磁気記録用媒体の保磁力の温度特
性を改良すべく鋭意研究を重ねた結果、この六方晶系フ
ェライトに所定量のMoもしくはＷを含有させることによ
り、温度特性が改善されることを見い出した。
ライト微粒子を用いた磁気記録用媒体の保磁力の温度特
性を改良すべく鋭意研究を重ねた結果、この六方晶系フ
ェライトに所定量のMoもしくはＷを含有させることによ
り、温度特性が改善されることを見い出した。
本発明は、かかる知見に基づいてなされたもので、温度
特性が改良された高密度磁気記録用磁性粉およびこれを
使用した高密度磁気記録用媒体を提供することを目的と
する。
特性が改良された高密度磁気記録用磁性粉およびこれを
使用した高密度磁気記録用媒体を提供することを目的と
する。
［発明の概要］ すなわち、本発明は平均粒径0.02〜0.2μｍ、好ましく
は0.04〜0.1μｍ、保磁力200〜2000 Oe、好ましくは40
0〜1500 Oeを有する六方晶系フェライトのFeの一部
が、ＷイオンおよびMoイオンより選べばれた少なくとも
一種の原子を備えたことを特徴としている。
は0.04〜0.1μｍ、保磁力200〜2000 Oe、好ましくは40
0〜1500 Oeを有する六方晶系フェライトのFeの一部
が、ＷイオンおよびMoイオンより選べばれた少なくとも
一種の原子を備えたことを特徴としている。
本発明に用いる六方晶系フェライト結晶としては、一軸
異方性の例えばＭ型（Magneto−plumbite type）、Ｗ型
の六方晶系バリウムフェライト、ストロンチウムフェラ
イト、鉛フェライト、カルシウムフェライト、あるいは
これらの固溶体もしくはイオン置換体などを挙げること
ができる。本発明の六方晶系フェライト結晶としては、
これらの六方晶系フェライト結晶のうち保磁力が200〜2
000 Oeのものが用いられる。
異方性の例えばＭ型（Magneto−plumbite type）、Ｗ型
の六方晶系バリウムフェライト、ストロンチウムフェラ
イト、鉛フェライト、カルシウムフェライト、あるいは
これらの固溶体もしくはイオン置換体などを挙げること
ができる。本発明の六方晶系フェライト結晶としては、
これらの六方晶系フェライト結晶のうち保磁力が200〜2
000 Oeのものが用いられる。
上記した六方晶系フェライト結晶の平均粒径を0.02〜0.
2μｍに限定したのは、0.02μｍ未満では、磁化および
保磁力が減少して磁気記録用媒体の再生出力が低下し、
逆に0.2μｍを越えると、保磁力が減少し、かつ高密度
記録の再生時のノイズが著しくなるためである。
2μｍに限定したのは、0.02μｍ未満では、磁化および
保磁力が減少して磁気記録用媒体の再生出力が低下し、
逆に0.2μｍを越えると、保磁力が減少し、かつ高密度
記録の再生時のノイズが著しくなるためである。
また、その保磁力を200〜2000 Oeの範囲に限定したの
は、200 Oe未満では、記録媒体における記録信号が十
分残存しなくなり、2000 Oeを越えるとヘッドによる信
号の書き込みが困難となるためである。
は、200 Oe未満では、記録媒体における記録信号が十
分残存しなくなり、2000 Oeを越えるとヘッドによる信
号の書き込みが困難となるためである。
本発明において、六方晶系フェライトの通常5000 Oe以
上の高い保磁力を上述した200〜2000 Oeの範囲に制御
するには、このフェライトの構成イオンのFeをNi2+、Co
2+、Zn2+、Cu2+等の２価イオンで置換する方法が用いら
れ、この中でもCo2+イオンが最も効果的に保磁力を制御
することができる。また、上記のNi2+、Co2+、Zn2+、Cu
2+等の２価イオンはフェライト中のFe3+イオンと置換さ
れるが、この場合には、価数補償のために別にFe3+イオ
ンをTi、Ge、Nb等の４価もしくは５価のイオンで置換す
る方法が知られている。
上の高い保磁力を上述した200〜2000 Oeの範囲に制御
するには、このフェライトの構成イオンのFeをNi2+、Co
2+、Zn2+、Cu2+等の２価イオンで置換する方法が用いら
れ、この中でもCo2+イオンが最も効果的に保磁力を制御
することができる。また、上記のNi2+、Co2+、Zn2+、Cu
2+等の２価イオンはフェライト中のFe3+イオンと置換さ
れるが、この場合には、価数補償のために別にFe3+イオ
ンをTi、Ge、Nb等の４価もしくは５価のイオンで置換す
る方法が知られている。
本発明における六方晶系フェライト中のFeイオンをＷイ
オンもしくはMoイオンで置換するのであれば、その置換
量は、同時に置換する２価イオンの種類によって異な
り、この六方晶系フェライトの保磁力が200〜2000 Oe
の範囲となるよう調整されていればよい。たとえば上記
の六方晶系フェライトとして、CoおよびＭ（Ｍ＝Moもし
くはＷ）で置換されたマグネトプランバイト型フェライ
トの場合には、このフェライトはAFe12−4/3XCoXMX/3O
19 （ただし、ＡはBa、Sr、PbおよびCaより選ばれた少なく
とも一種の原子、ＭはＷおよびMoより選ばれた少なくと
も一種の原子、Ｘは1.0〜3.0の範囲を示す。）で表わさ
れ、保磁力を200〜2000 Oeの範囲に制御するには、Ｘ
を1.0〜3.0の範囲で適宜選定すればよい。
オンもしくはMoイオンで置換するのであれば、その置換
量は、同時に置換する２価イオンの種類によって異な
り、この六方晶系フェライトの保磁力が200〜2000 Oe
の範囲となるよう調整されていればよい。たとえば上記
の六方晶系フェライトとして、CoおよびＭ（Ｍ＝Moもし
くはＷ）で置換されたマグネトプランバイト型フェライ
トの場合には、このフェライトはAFe12−4/3XCoXMX/3O
19 （ただし、ＡはBa、Sr、PbおよびCaより選ばれた少なく
とも一種の原子、ＭはＷおよびMoより選ばれた少なくと
も一種の原子、Ｘは1.0〜3.0の範囲を示す。）で表わさ
れ、保磁力を200〜2000 Oeの範囲に制御するには、Ｘ
を1.0〜3.0の範囲で適宜選定すればよい。
一般に六方晶系バリウムフェライトにおいては、通常HC
の温度係数（△HC/HC）／△Ｔは、正の値を示す（△HC
は測定温度の変化△Ｔに対応するHCの変化を示す。）。
そしてこの六方晶バリウムフェライトにＷおよびMoより
選ばれた少なくとも１種の原子を添加すると、HCの温度
係数は、その添加量の増加にともなって、減少し、ゼロ
を経過して負の値を示すようになる。従って、これらの
原子の含有量を適当な範囲に制御することにより、従来
の六方晶バリウムフェライトよりもHCの温度変化の小さ
い磁性粉末が得られる。
の温度係数（△HC/HC）／△Ｔは、正の値を示す（△HC
は測定温度の変化△Ｔに対応するHCの変化を示す。）。
そしてこの六方晶バリウムフェライトにＷおよびMoより
選ばれた少なくとも１種の原子を添加すると、HCの温度
係数は、その添加量の増加にともなって、減少し、ゼロ
を経過して負の値を示すようになる。従って、これらの
原子の含有量を適当な範囲に制御することにより、従来
の六方晶バリウムフェライトよりもHCの温度変化の小さ
い磁性粉末が得られる。
本発明においては、上記六方晶バリウムフェライトのFe
と置換するＷおよびMoより選ばれた少なくとも１種の原
子の含有量は、六方晶バリウムフェライトの一化学式当
たり0.1〜1.0個の範囲とすることが好ましい。これらの
原子の含有量が0.1未満では、HCの温度係数が十分に改
善されず、逆にこれらの原子の含有量が1.0を越えるとH
Cの温度係数の改善はなされるものの、磁性粉の飽和磁
化の低下が著し、磁気記録材料としての機能が低下して
しまうため好ましくない。
と置換するＷおよびMoより選ばれた少なくとも１種の原
子の含有量は、六方晶バリウムフェライトの一化学式当
たり0.1〜1.0個の範囲とすることが好ましい。これらの
原子の含有量が0.1未満では、HCの温度係数が十分に改
善されず、逆にこれらの原子の含有量が1.0を越えるとH
Cの温度係数の改善はなされるものの、磁性粉の飽和磁
化の低下が著し、磁気記録材料としての機能が低下して
しまうため好ましくない。
なお、本発明にかかるＷおよびMoより選ばれる少なくと
も一種の元素は、他の価数補償イオン、たとえば、Ti、
Ge、Sb、Nb等と併用することも可能である。
も一種の元素は、他の価数補償イオン、たとえば、Ti、
Ge、Sb、Nb等と併用することも可能である。
他の価数補償イオンと併用する場合のＷおよびMoより選
ばれる少なくとも一種の原子の含有量は、一化学式当り
0.1〜1.0個の範囲でかつ、該磁性粉保磁力が200〜20000
eの範囲になるように調製される。
ばれる少なくとも一種の原子の含有量は、一化学式当り
0.1〜1.0個の範囲でかつ、該磁性粉保磁力が200〜20000
eの範囲になるように調製される。
本発明の六方晶バリウムフェライトは、通常バインダ樹
脂と共に、支持基体表面に塗布されて磁気記録用媒体と
して用いられる。この磁性微粒子と共に磁性層を構成す
るバインダ樹脂としては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体、塩化ビニリデン系共重合体、アクリル酸エ
ステル系共重合体、ポリビニルブチラール系樹脂、ポリ
ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、セルロース誘導
体、エポキシ樹脂あるいはこれらの２種以上の混合物な
どが用いられる。また磁性層中には前記磁性体微粒子や
バインダ樹脂の他に分散剤、潤滑剤、研磨剤、帯電防止
剤等の添加剤が必要に応じて適宜含有させることができ
る。
脂と共に、支持基体表面に塗布されて磁気記録用媒体と
して用いられる。この磁性微粒子と共に磁性層を構成す
るバインダ樹脂としては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体、塩化ビニリデン系共重合体、アクリル酸エ
ステル系共重合体、ポリビニルブチラール系樹脂、ポリ
ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、セルロース誘導
体、エポキシ樹脂あるいはこれらの２種以上の混合物な
どが用いられる。また磁性層中には前記磁性体微粒子や
バインダ樹脂の他に分散剤、潤滑剤、研磨剤、帯電防止
剤等の添加剤が必要に応じて適宜含有させることができ
る。
［発明の実施例］ 次に本発明の実施例について説明する。
実施例１ Co、ＷおよびCo、Moで置換されたＭ型六方晶系Baフェラ
イト BaFe12−4/3XCoXMX/3O19および BaFe12−4/3XCoXMX/3O19においてＸを1.0〜3.0の範囲に
制御した４種類のフェライト微粒子を次の方法により作
製した。
イト BaFe12−4/3XCoXMX/3O19および BaFe12−4/3XCoXMX/3O19においてＸを1.0〜3.0の範囲に
制御した４種類のフェライト微粒子を次の方法により作
製した。
まず、B2O3・BaOガラスに、上記Baフェライト組成を構
成するするように調合された、BaO、Fe2O3、WO3、CoOも
しくはBaO、Fe2O3、MoO3、CoOの組合せからなる原料混
合物を加え、1300℃以上の温度で溶融した後、圧延急冷
して、上記成分を含むガラスを作製した。次に、このガ
ラスを800℃で４時間加熱することにより、マトリック
ス中にＷ、CoおよびMo、Coの置換されたBaフェライトを
析出させた。最後にこのガラスを酢酸で洗浄して、Baフ
ェライト磁性粉を得た。得られた磁性粉の平均粒径は約
800〜900Åであった。
成するするように調合された、BaO、Fe2O3、WO3、CoOも
しくはBaO、Fe2O3、MoO3、CoOの組合せからなる原料混
合物を加え、1300℃以上の温度で溶融した後、圧延急冷
して、上記成分を含むガラスを作製した。次に、このガ
ラスを800℃で４時間加熱することにより、マトリック
ス中にＷ、CoおよびMo、Coの置換されたBaフェライトを
析出させた。最後にこのガラスを酢酸で洗浄して、Baフ
ェライト磁性粉を得た。得られた磁性粉の平均粒径は約
800〜900Åであった。
次にこれらのBaフェライト微粒子を用いて、第１表の組
成の磁性塗料を調整した。（ただし部は、重量部を示す
ものとする。） このようにして得られた５種の塗料を、厚さ15μｍのポ
リエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、カレン
ダ処理、スリッティングを行なって厚さ3.5μｍの磁性
層を形成して磁気テープを作製した。
成の磁性塗料を調整した。（ただし部は、重量部を示す
ものとする。） このようにして得られた５種の塗料を、厚さ15μｍのポ
リエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、カレン
ダ処理、スリッティングを行なって厚さ3.5μｍの磁性
層を形成して磁気テープを作製した。
［比較例］ 下式により表されるCo−Ti置換のBaフェライト磁性粉 BaFe12-2XTiXCoXO19 を、上記実施例と同様にして作製した。このBaフェライ
ト磁性粉の平均粒径は800〜900Åであった。これらの磁
性粉試料を実施例１と同様のプロセスで塗料化し、磁気
テープを作製した。
ト磁性粉の平均粒径は800〜900Åであった。これらの磁
性粉試料を実施例１と同様のプロセスで塗料化し、磁気
テープを作製した。
以上の実施例および比較例で得た各磁気テープについ
て、室温におけるHC、および20〜100℃における HCの温度変化（△HC/HC）／△Ｔを測定した。それらの
結果を第２表ないし第４表に示す。
て、室温におけるHC、および20〜100℃における HCの温度変化（△HC/HC）／△Ｔを測定した。それらの
結果を第２表ないし第４表に示す。
なお第２表はBaフェライトのCo−Ｗ置換体、第３表はCo
−Mo置換体、第４表はCo−Ti置換体の特性である。
−Mo置換体、第４表はCo−Ti置換体の特性である。
これらの測定結果から明らかなように、ＷおよびMo置換
体の磁気特性およびHCの温度変化はきわめて類似してお
り、特にHCが700 Oe付近では、HCの温度係数はほとん
ど０を示した。これに対して、従来の、Ti−Co置換体の
場合には（第３表）、HCが700 Oe付近では7.0×10-3と
大きく、またそれ以外のHCの値について比較しても、Co
−Ｗ置換体、Co−Mo置換体のHCの方がCo−Ti置換体より
もHCの温度係数が小さくなっていた。
体の磁気特性およびHCの温度変化はきわめて類似してお
り、特にHCが700 Oe付近では、HCの温度係数はほとん
ど０を示した。これに対して、従来の、Ti−Co置換体の
場合には（第３表）、HCが700 Oe付近では7.0×10-3と
大きく、またそれ以外のHCの値について比較しても、Co
−Ｗ置換体、Co−Mo置換体のHCの方がCo−Ti置換体より
もHCの温度係数が小さくなっていた。
［発明の効果］ 以上の実施例からも明らかなように、本発明によれば、
効果的に磁性粉およびそれを用いた記録媒体の保磁力の
温度特性を改善することができる。
効果的に磁性粉およびそれを用いた記録媒体の保磁力の
温度特性を改善することができる。
Claims (6)
- 【請求項１】平均粒径0.02〜0.2μｍ、保磁力200〜2000
Oeの六方晶系フェライトが、ＷおよびMoより選ばれた
少なくとも一種の原子を備えたことを特徴とする高密度
磁気記録用磁性粉。 - 【請求項２】六方晶系フェライトのFeの一部が、Coで置
換されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の高密度磁気記録用磁性粉。 - 【請求項３】六方晶系フェライトが、 AFe12−4/3XCoXMX/3O19 （ただし、ＡはBa、Sr、PbおよびCaより選ばれた少なく
とも一種の原子、ＭはＷおよびMoより選ばれた少なくと
も一種の原子、Ｘは1.0〜3.0の正数を示す。）で表わさ
れるマグネトプランバイト型フェライトであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の高密
度磁気記録用磁性粉。 - 【請求項４】ＷおよびMoより選ばれた少なくとも一種の
原子を含有する平均粒径0.02〜0.2μｍ、保磁力200〜20
00 Oeの六方晶系フェライトが、バインダとともに支持
基体表面に塗布されていることを特徴とする高密度磁気
記録用媒体。 - 【請求項５】六方晶系フェライトのFeの一部が、Coで置
換されていることを特徴とする特許請求の範囲第４項記
載の高密度磁気記録用媒体。 - 【請求項６】六方晶系フェライトが、 AFe12−4/3XCoXMX/3O19 （ただし、ＡはBa、Sr、PbおよびCaより選ばれた少なく
とも一種の原子、ＭはＷおよびMoより選ばれた少なくと
も一種の原子、Ｘは1.0〜3.0の正数を示す。）で表わさ
れるマグネトプランバイト型フェライトであることを特
徴とする特許請求の範囲第４項または第５項記載の高密
度磁気記録用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60230757A JPH0684250B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 高密度磁気記録用磁性粉およびそれを用いた磁気記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60230757A JPH0684250B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 高密度磁気記録用磁性粉およびそれを用いた磁気記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6291425A JPS6291425A (ja) | 1987-04-25 |
| JPH0684250B2 true JPH0684250B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=16912795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60230757A Expired - Lifetime JPH0684250B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 高密度磁気記録用磁性粉およびそれを用いた磁気記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684250B2 (ja) |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP60230757A patent/JPH0684250B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6291425A (ja) | 1987-04-25 |
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